JP4809669B2 - 積層構造体、その形成方法および半導体素子 - Google Patents
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Description
J.C.フィリップス著、「半導体結合論」(物理学叢書32)((株)吉岡書店、1985年7月25日発行、第3刷))、51頁。
(ニ)立方晶p形Al0.05Ga0.95N層(キャリア濃度=9×1017cm-3、層厚=350nm)206
100 Si単結晶基板
101 燐化硼素層
101a 燐化硼素層の表面
102 n形GaN層
2 LED
20 積層構造体
200 Si単結晶基板
201 燐化硼素・ガリウム混晶
201a 燐化硼素・ガリウム混晶の表面
202 n形GaN層
203 量子井戸構造層
204 立方晶窒化アルミニウム・ガリウム混晶層(高抵抗層)
205 立方晶p形Al0.10Ga0.90N層
206 立方晶p形Al0.05Ga0.95N層
207 p形オーミック電極
208 n形オーミック電極
Claims (4)
- 結晶からなる基板と、その基板上に設けられた表面の原子配列構造を(2×2)とする燐化硼素系III−V族化合物半導体層と、上記燐化硼素系III−V族化合物半導体層の表面に接合されたIII族窒化物半導体層とを備え、
上記III族窒化物半導体層は立方晶であって、上記III族窒化物半導体層の表面の結晶面方位は、上記燐化硼素系III−V族化合物半導体層の表面の結晶面方位と同一であり、
上記基板は、表面の結晶面を(001)面とする珪素単結晶であり、上記基板上の燐化硼素系III−V族化合物半導体層およびIII族窒化物半導体層の各表面の結晶面をそれぞれ(001)面とする、ことを特徴とする積層構造体。 - 表面の結晶面を(001)面とする珪素単結晶からなる基板上に、表面の結晶面を(001)面とする燐化硼素系III−V族化合物半導体層および、立方晶であって、表面の結晶面を(001)面とするIII族窒化物半導体層を積層してなる積層構造体の形成方法において、
上記基板上に、有機金属化学的気相堆積手段により、燐化硼素系III−V族化合物半導体層を形成した後、該燐化硼素系III−V族化合物半導体層の表面を真空中で、800℃以上1200℃以下の温度で熱処理を施して当該燐化硼素系III−V族化合物半導体層の表面を(2×2)の原子配列構造とし、次にその燐化硼素系III−V族化合物半導体層の表面上に、分子線エピタキシャル手段によりIII族窒化物半導体層を形成して積層構造体とする、
ことを特徴とする積層構造体の形成方法。 - 請求項1に記載の積層構造体を用いて構成されている、ことを特徴とする半導体素子。
- 請求項2に記載の形成方法で形成された積層構造体を用いて構成されている、ことを特徴とする半導体素子。
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