JP4158437B2 - p形リン化硼素半導体層の製造方法、リン化硼素系半導体素子およびLED - Google Patents
p形リン化硼素半導体層の製造方法、リン化硼素系半導体素子およびLED Download PDFInfo
- Publication number
- JP4158437B2 JP4158437B2 JP2002194339A JP2002194339A JP4158437B2 JP 4158437 B2 JP4158437 B2 JP 4158437B2 JP 2002194339 A JP2002194339 A JP 2002194339A JP 2002194339 A JP2002194339 A JP 2002194339A JP 4158437 B2 JP4158437 B2 JP 4158437B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- boron phosphide
- semiconductor layer
- phosphide semiconductor
- boron
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明はリン化硼素半導体層の製造方法に関わり、特にp形のリン化硼素半導体層を効率的に形成する方法、及びその方法に依り形成されたp形リン化硼素半導体層を備えたリン化硼素系半導体素子に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、リン化硼素(BP)半導体層は、種々の半導体素子を構成するために利用されている。例えば、npn接合型ヘテロバイポーラトランジスタ(HBT)のn形エミッタ(emitter)層として利用されている(J.Electrochem.Soc.,125(4)(1978)、633〜637頁参照)。また、青色のレーザダイオード(LD)にあって、接触抵抗の低いp形オーミック(Ohmic)電極を形成するためのp形コンタクト(contact)層として利用されている(特開平10−242567号公報参照)。また、青色光等の短波長光を発する発光ダイオード(LED)を構成するための緩衝層として用いられている(米国特許6,069,021号参照)。
【0003】
リン化硼素半導体層は、従来から三塩化硼素(BCl3)や三塩化リン(PCl3)を出発原料とするハロゲン(halogen)法(「日本結晶成長学会誌」、Vol.24,No.2(1997)、150頁参照)、ボラン(BH3)またはジボラン(B2H6)とホスフィン(PH3)等を原料とするハイドライド(hydride)法(J.Crystal Growth,24/25(1974)、193〜196頁参照)、分子線エピタキシャル法(J.Solid State Chem.,133(1997)、269〜272頁参照)、及び有機硼素化合物とリンの水素化合物を原料とする有機金属化学的気相堆積(MOCVD)法(Inst.Phys.Conf.Ser.,No.129(IOP Publishing Ltd.(UK、1993)、157〜162頁参照)等により形成されている。
【0004】
リン化硼素半導体にあっては、不純物を故意に添加しない、所謂、アンドープ(undope)状態で、n形またはp形の伝導性を呈する導電層を気相成長できるとされている(庄野 克房著、「半導体技術(上)」(1992年6月25日、(財)東京大学出版会発行9刷)、76〜77頁参照)。例えば、ジボラン(B2H6)/ホスフィン(PH3)系ハイドライド手段では、1000℃を超える高温での気相成長に依りアンドープでp形のリン化硼素半導体層が得られるとされる(上記の「半導体技術(上)」、77頁参照)。一方、1000℃以下の温度では不純物濃度を1017〜1020cm-3とするn形のリン化硼素層が得られるとされている(上記の「半導体技術(上)」、77頁参照)。即ち、1000℃を境界として、得られるリン化硼素層の伝導形は急変することが教示されている。
【0005】
一方で、リン化硼素層の表面に窒化珪素(Si3N4)膜を被着させた状態で熱処理して、低抵抗のリン化硼素層を得ようとする試みもなされている(庄野 克房、「超LSI時代の半導体技術100集(V)」((株)オーム社、昭和59年5月1日発行、電子雑誌エレクトロニクス第29巻第5号付録)、121頁参照)。リン化硼素層についてのこの従来の熱処理は、窒素(N2)からなる雰囲気中で、しかも5時間の長時間に亘り施されている。また、熱処理を行うに際しては、リン化硼素層の表面に窒化珪素膜(Si3N4)膜が保護膜として被着されている。しかしこの方法は、n形の伝導性を呈する抵抗率(比抵抗)を数100オーム・センチメートル(Ω・cm)程度とする高抵抗層が得られるに過ぎないものとなっている(上記の「超LSI時代の半導体技術100集(V)」、121頁参照)。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
そもそもリン化硼素層は、気相成長温度に依って帰結される伝導形が急変してしまう不安定性がある。それに加え、低抵抗のリン化硼素半導体層を得るための従来の熱処理技術では、リン化硼素層の表面に窒化珪素の保護膜を被着させる必要がある上に、長時間に亘る熱処理が要求されるため、省力的に簡便にp形のリン化硼素半導体層を形成できない問題点がある。本発明はこれらの課題を解決することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
即ち、本発明は、
(1)750℃以上1200℃以下の温度T1(750℃≦T1≦1200℃)に加熱された結晶基板上に、硼素源とリン源との双方を供給して、単結晶からなるリン化硼素半導体層を気相成長させた後、T1以上1200℃以下の温度T2(T1≦T2≦1200℃)に於いて、リン源の体積分率を気相成長の際のリン源の体積分率以下とする混合気体雰囲気内で、該リン化硼素半導体層を熱処理することにより、p形の伝導性を呈するリン化硼素半導体層を形成することを特徴とするp形リン化硼素半導体層の製造方法。
(2)硼素源とリン源との双方を供給し、硼素源の濃度に対するリン源の濃度の比率を0.5〜50の範囲に設定して、結晶基板上に硼素とリンとを含む非晶質層を気相成長した後、硼素源の濃度に対するリン源の濃度の比率を500〜6000の範囲に設定して、該非晶質層上に前記リン化硼素半導体層を成長させることを特徴とする上記(1)に記載のp形リン化硼素半導体層の製造方法。
(3)成長温度を1000〜1200℃として、結晶基板上に硼素とリンとを含む非晶質層を成長することを特徴とする上記(2)に記載のp形リン化硼素半導体層の製造方法。
(4)リン化硼素半導体層を熱処理する混合気体雰囲気が、リン源と水素(H2)とから構成されることを特徴とする上記(1)乃至(3)の何れか1項に記載のp形リン化硼素半導体層の製造方法。
(5)リン化硼素半導体層を熱処理する混合気体雰囲気が、リン源の体積分率を0.5%以上20%以下とすることを特徴とする上記(1)乃至(4)の何れか1項に記載のp形リン化硼素半導体層の製造方法。
(6)リン化硼素半導体層の熱処理時間を3分以上45分以内とすることを特徴とする上記(1)乃至(5)の何れか1項に記載のp形リン化硼素半導体層の製造方法。
(7)上記(1)乃至(6)の何れか1項に記載の方法に依り形成されたp形リン化硼素半導体層を具備したリン化硼素系半導体素子。
(8)上記(7)に記載のリン化硼素系半導体素子からなるLED。
である。
【0008】
【発明の実施の形態】
本発明に係わるリン化硼素半導体層は、ハロゲン法、ハイドライド法、分子線エピタキシャル法、及びMOCVD法等の気相成長手段に依り、結晶基板の表面上に成長させる。基板とする結晶には、珪素(Si)、炭化珪素(SiC)、サファイア(α−Al2O3)、並びに窒化ガリウム(GaN)等の単結晶を例示できる。リン化硼素半導体層を気相成長させる基板表面の結晶面の方位には特に制限は無いが、低指数面であるのが好まれる。これらの結晶基板上にリン化硼素半導体層を気相成長させる温度(T1:単位℃)としては、750℃以上で1200℃以下が適する。1200℃を超える高温で気相成長した場合、B13P2等の多量体のリン化硼素結晶(J.Am.Ceramic Soc.,47(1)(1964)、44〜46頁参照)の発生を招き、単量体の単結晶のリン化硼素半導体層を形成するに不都合となる。
【0009】
単結晶のリン化硼素半導体層を得るには、硼素とリンとを含む非晶質(amorphous)の層を介して、結晶基板上にリン化硼素半導体層を設けるのが得策である。非晶質層も上記の気相成長手段に依り形成できる。非晶質層を気相成長させるに好適な温度は、約1000℃以上で1200℃以下の範囲である。非晶質層は、気相成長時に於ける硼素源の濃度に対するリン源の濃度の比率、所謂、V/III比率を、0.5以上で50以下の低比率に設定することで効率的に形成できる。0.5未満の極端に低いV/III比率では、硼素の濃度が相対的に過剰となり、半球状の硼素の結晶粒が密集した表面の平坦性に欠ける非晶質層を帰結する不都合を生ずる。50を超えるV/III比率では、非晶質層内に単結晶粒が散在する多結晶層が形成される場合があり、確実に非晶質を形成できず好ましくはない。非晶質、多結晶、単結晶の判別は、X線回折手段または電子線回折法に依り判別できる。
【0010】
比較的高温の温度T1(750℃≦T1≦1200℃)で単結晶のリン化硼素半導体層を成長する場合、硼素源よりもリン源を過多に含む成長雰囲気内の気相成長させる必要がある。硼素をリンに比較して富裕とする気相成長雰囲気下に於ける、表面の平坦性を損なう球状の硼素結晶粒の発生を抑制するためである。球状の硼素結晶粒の表面形態は公開刊行物(J.Solid State Chem.,133(1997)、314〜321頁参照)に見て取れる。単結晶のリン化硼素半導体層を気相成長する場合、具体的にはV/III比率を500以上で6000以下とするのが望ましい。V/III比率は、気相成長時に於ける硼素源及びリン源の供給量を例えば、質量流量計(MFC)等に依り精密に制御して調整する。リン化硼素半導体層の層厚は、これらの源料の供給時間を調整すれば制御できる。
【0011】
約1000℃以上の高温で気相成長させたリン化硼素半導体層は、アズグローン(as−grown)状態でもp形の伝導性を呈する。しかしながら、as−grown状態では、気相成長温度に依存して得られる抵抗率は相違する。本発明では、気相成長させたリン化硼素半導体層に熱処理を施して、抵抗率の安定したp形リン化硼素半導体層を得ることとする。本発明では、リン(P)の空孔(vacancy)を硼素(B)の空孔を上回る濃度で生成させることをもってp形のリン化硼素半導体層を形成させる。リン化硼素半導体層にリンの空孔を発生させるための熱処理は、リン化硼素半導体層の気相成長温度T1(750℃≦T1≦1200℃)以上の温度T2(但し、T1≦T2≦1200℃)で行うのが適する。また、温度T2に於いて、リン化硼素半導体層の気相成長雰囲気に比較して、よりリン源の濃度を希釈とする雰囲気内で熱処理すると、リン空孔を効率的に発生させるに有効となる。熱処理に際し、リン化硼素半導体層の表面に従来技術に倣い、窒化珪素膜等の保護膜を設けても支障はない(上記の「超LSI時代の半導体技術100集〔V〕」、121頁参照)。しかし、本発明に係わる熱処理はリン源を含む雰囲気内で実施するため、リン化硼素半導体層の表面状態の悪化を抑制でき、リン化硼素半導体層の表面に窒化珪素(Si3N4)等の被膜を敢えて被着せずとも低抵抗のp形リン化硼素半導体層を簡便に形成できる。
【0012】
熱処理を施すための雰囲気に於けるリン源の濃度、すなわちリン源の体積分率は、雰囲気を構成する混合気体の全体積に占めるリン源の気体の体積の割合で与えられる。例えば、水素(H2)ガスと、1個のリン原子を含むホスフィン(PH3)のとの混合気体から熱処理のための雰囲気を構成した場合、リン源の体積分率は、水素とホスフィンの全体積に対するホスフィンの体積の百分率で与えられる。n個(但し、n≠0)のリン原子を含むリン源の場合では、リン源の体積分率は、便宜上、n=1のリン源の場合のn倍として見積る。また、リン源の体積分率を0とする雰囲気とは、リン源を全く含まない雰囲気である。リン源を全く含まない雰囲気(リン源の体積分率=0)では、リン化硼素半導体層の表面からのリンの揮発が、特に高温での熱処理に於いて顕著となり、リン化硼素半導体層の表面状態を悪化させるため好ましくはない。熱処理にともなうリン化硼素半導体層の表面状態の悪化を防止するために、雰囲気を構成するリン源の体積分率は、最低でも0.5%とする必要がある。
【0013】
また本発明では、熱処理する際の混合気体雰囲気内のリン源の体積分率を、リン化硼素半導体層を気相成長の際のリン源の体積分率以下とする。リン源の体積分率が小さい雰囲気は、比較的低温の温度T2(但し、T1≦T2≦1200℃)での熱処理に適する。熱処理温度を高温とする程、リン源の体積分率を大とする雰囲気が好適となる。但し、熱処理雰囲気を構成するリン源の体積分率は、20%以下とするのが好ましい。リン源の体積分率が20%を超えると、リン源の熱分解に因るリンの関与した析出物が顕著に発生し、リン化硼素半導体層の表面の平坦性を損なう結果を帰結するため好ましくはなくなる。例えば、1000℃で気相成長させたアンドープで高抵抗のリン化硼素半導体層を、1050℃で、ホスフィンを5%の体積分率で含む水素とホスフィンの混合気体雰囲気内で熱処理する好例を挙げられる。
【0014】
水素(H2)とリン源とからなる混合気体雰囲気でリン化硼素半導体層を熱処理すると、リンの空孔を発生するに有効となる。例えば、毎分4.5リットル(l)の流量の水素ガスと、毎分0.5リットルの流量のホスフィンとを混合した、リン源の体積分率を10%とした混合雰囲気が好適である。水素或いは水素ラジカル(radical)は、リン化硼素を構成するリン原子をホスフィン等の揮発性物質として揮散させ、リンの空孔を効率的に発生させる作用を有する。水素はリン空孔を発生させるには有効となるが、従来の窒素(N2)雰囲気中での熱処理とは異なり(上記の「超LSI時代の半導体技術100集(V)」、121頁参照)、5時間にも亘る長時間の熱処理を、水素を含む混合気体雰囲気内で施すと、過量なリン空孔の発生に因り平坦な表面のp形リン化硼素半導体層を得るに支障を来すこととなる。本発明に係わるp形リン化硼素半導体層の製造方法では、熱処理時間は1時間以内でも充分にその効果が顕現される。即ち、従来の窒素雰囲気内での熱処理に比較して、熱処理時間を短縮するに貢献できる。熱処理時間を45分以内とするのはリン化硼素半導体層の表面状態の劣化を回避するためにも更に好適である。リン源の体積分率を小とする雰囲気で熱処理をする程、熱処理時間は短時間とするのが得策である。一方で、熱処理時間を徒に短時間とすると、リン化硼素半導体層のリン空孔の濃度分布を充分に均一とはし難い。従って、熱処理時間は概ね3分以上とするのが、一様な濃度をもってリン空孔を発生させる上で望ましい。
【0015】
リン化硼素半導体層の熱処理は、リン化硼素半導体層の気相成長を終了した後、引き続き、同層の気相成長に利用した成長炉内にリン源を含む雰囲気を創出して施せる。例えば、三臭化硼素(BBr3)および三臭化リン(PBr3)を原料とするハロゲン法に依り、リン化硼素半導体層を気相成長させた後、それに利用した気相成長炉内で引き続き熱処理を施す。また、ハイドライド法に依りリン化硼素半導体層を一旦気相成長させた後、例えば気相成長装置とは別の熱処理用途の装置を利用して熱処理も出来る。同一の気相成長装置を利用すれば、リン化硼素半導体層の気相成長時に於けるリン源の供給量及び温度を調節することにより簡便に熱処理を行えて利便である。
【0016】
本発明の熱処理手段を利用すれば、リン化硼素半導体層間の抵抗率の相違を解消して、抵抗率の安定したp形リン化硼素半導体層が得られる。例えば、1025℃で気相成長させたas−grown状態で約5×10-3Ω・cm〜約2×10-2Ω・cmの範囲に分布していた抵抗率は、例えば、1050℃で15分間の熱処理に依り、約2×10-3Ω・cm±6%以内の範囲に収納される均一なものとなる。p形リン化硼素半導体層の抵抗率は、通常のホール(Hall)効果測定法で測定できる。測定に用いるp形オーミック(Ohmic)電極は、例えば、インジウム(In)・亜鉛(Zn)合金を使用して簡便に構成できる。
【0017】
本発明の熱処理手段を施して抵抗率が安定したp形リン化硼素半導体層を利用すれば、特性に優れるpn接合構造を構成でき、従って、整流特性の安定したpn接合型の半導体素子を構成できる。また、本発明の技術手段は、例えば、リン化硼素・ガリウム混晶(BXGa1-XP:0<X<1)、リン化硼素・インジウム(BXIn1-XP:0<X<1)、或いは窒化・リン化硼素(BN1-YPY:0<Y<1)等の、硼素とリンとを構成元素として含む半導体のp形混晶を得るにも応用できる。特に、リン化硼素(BP)の混晶比を大とするp形のリン化硼素系半導体混晶を得るに貢献できる。
【0018】
【実施例】
(第1実施例)
Si単結晶基板上にMOCVD手段に依り気相成長させたリン化硼素半導体層に熱処理を施して、p形の低抵抗なリン化硼素半導体層を得る場合を例にして、本発明の内容を具体的に説明する。
【0019】
一種の低指数面である(111)−Si結晶面を表面とするSi単結晶基板上に、アンドープ(undope)でp形の単量体のリン化硼素半導体層を堆積した。リン化硼素半導体層は、トリエチル硼素((C2H5)3B)/ホスフィン(PH3)/水素(H2)常圧(略大気圧)MOCVD手段に依り、1025℃で気相成長させた。層厚は約420nmとした。MOCVD気相成長時に於ける水素キャリアガスの流量は毎分16リットル(l)とした。リン化硼素半導体層の気相成長時のリン源(PH3)の供給量は毎分432ccとした。リン化硼素半導体層の気相成長の際のリン源(PH3)の体積分率は、約2.6%であった。また、硼素源((C2H5)3B)に対するリン源の供給比率(V/III比率)は1296に設定した。
【0020】
リン化硼素半導体層の気相成長を硼素源((C2H5)3B)の供給を停止して終了すると同時に、リン源(PH3)の流量を48cc/分と、上記のリン化硼素半導体層の気相成長時の1/9とした。また、水素キャリアガスの流量を毎分16リットル(l)から毎分3リットル(l)に減少させた。これより、毎分3リットル(l)のキャリアガスの水素とリン源(PH3)との混合気体雰囲気を構成した。混合気体雰囲気においてリン源の占める体積分率は、水素とホスフィンとの流量比から約1.6%となった。併行して、リン化硼素半導体層の気相成長に用いたと同一MOCVD装置内で、同層の気相成長に引き続き熱処理を施すためにSi単結晶基板の温度を1050℃に上昇させた。Si単結晶基板の温度が1050℃に到達してから正確に15分間に亘り、上記の混合雰囲気内に於いて、リン化硼素半導体層の表面に窒化珪素膜等の何らの保護膜を被着せずに熱処理を施した。15分間経過後、直ちにリン源(PH3)の供給を停止し、水素ガスのみの雰囲気内でリン化硼素半導体層を室温まで、冷却した。室温近傍の温度への降温を早めるため、冷却時には、MOCVD気相成長炉の周囲に冷気を送気して強制的に冷却した。
【0021】
上記のようにして形成したリン化硼素半導体層について、インジウム・亜鉛(In・Zn)合金をp形オーミック電極とした、通常のホール効果法に依り測定される室温でのキャリア(正孔)濃度はp形で1.1×1019cm-3であった。熱処理を実施しない場合のキャリア(正孔)濃度がp形で8.4×1018cm-3であることを勘案すると、本発明に係わる熱処理は、キャリア濃度を増加させるに有効であるのが示された。また室温でのキャリア(正孔)の移動度は、熱処理を施さない場合の約40cm2/V・sから約70cm2/V・sへと向上が果たされた。
【0022】
(第2実施例)
(111)面を有するSi単結晶基板上に、上記の第1実施例と同様の常圧MOCVD手段に依り、850℃から1000℃の範囲の種々の温度で、アンドープのn形または高抵抗のリン化硼素半導体層を一旦、気相成長させた。その後、リン化硼素半導体層を室温近傍の温度まで冷却した。そしてMOCVD成長炉より、リン化硼素半導体層を取り出し、同層の表面に窒化珪素等の被膜を設けずに熱処理をした。
【0023】
熱処理は、各々のリン化硼素半導体層を、MOCVD成長炉とは別の熱処理炉で個別に実施した。熱処理温度は1025℃とし、熱処理時間は15分間に固定した。また、熱処理は、ホスフィン(PH3)ガスの体積分率を2.0%とする水素−ホスフィン混合雰囲気内で実施した。15分間を経過後、直ちに降温を開始した。ホスフィンは、リン化硼素半導体層の温度が約700℃に低下する迄、毎分20ccの流量で熱処理炉内に流通させておいた。その後、ホスフィンの流通を停止して、水素気流中で室温近傍の温度迄、強制的ではなく自然に冷却した。
【0024】
インジウム・亜鉛合金からp形オーミック電極を構成して、ホール効果測定法に依り、熱処理後でのキャリア(正孔)濃度を測定した。850℃で気相成長させたアズグローン(as−grown)状態でキャリア(電子)濃度を4×1018cm-3とするn形のリン化硼素半導体層は、熱処理後p形となり、その室温でのキャリア(正孔)濃度は9.0×1018cm-3となった。また室温での抵抗率は8.8×10-3Ω・cmとなった。同様に、900℃及び950℃で気相成長させたアズグローン状態でn形のリン化硼素半導体層は、上記の条件下での熱処理に依りp形に反転し、キャリア濃度は9.1×1018cm-3〜9.6×1018cm-3の範囲となった。また室温の抵抗率は8.6×10-3〜8.7×10-3Ω・cmの範囲となった。また、1000℃で気相成長させた、層厚を320nmとし、アズグローン状態で抵抗を10キロオーム(KΩ)以上とする高抵抗のリン化硼素半導体層についても、熱処理後ではp形の導電層となり、そのキャリア濃度は1.0×1019cm-3と計測された。また、抵抗率は8.5×10-3Ω・cmとなった。
【0025】
上記の結果から、リン化硼素半導体層を気相成長させた温度、換言すれば、アズグローン状態でのリン化硼素半導体層の伝導形及び抵抗に依存せず、何れのリン化硼素半導体層もp形の導電層に転化した。また、得られるキャリア(正孔)濃度及び抵抗率は熱処理温度に依って略一義的に決定され、本第2実施例の1025℃での熱処理では、キャリア(正孔)濃度は9.6×1018cm-3±4.7%の範囲内に収納される効果が認められた。また、抵抗率は8.7×10-3Ω・cm±1.7%と均一であった。この様な均一なキャリア(正孔)濃度及び抵抗率のp形リン化硼素半導体層が帰結されるのは、熱処理温度に於いて発生するリン(P)の空孔(vacancy)の濃度が安定して略一定であることに起因すると思量される。
【0026】
(第3実施例)
本発明の熱処理を施したp形リン化硼素半導体層を備えた積層構造体からリン化硼素系LEDを構成する場合を例にして、本発明の内容を具体的に説明する。
【0027】
図1に、本第3実施例に係るLED1Aの平面模式図を示す。図2には、図1の破線X−X’に沿ったLED1Aの断面の構造を模式的に示す。
【0028】
積層構造体1Bは、p形の{111}結晶面を有する珪素(Si)単結晶を基板101として形成した。Si基板101上には、第1実施例と同様の(C2H5)3B/PH3/H2常圧MOCVD手段に依り、1025℃で非晶質の硼素とリンとを含む非晶質層102を堆積した。非晶質層102の層厚は約10nmとした。また、非晶質層102を成長する際の硼素源((C2H5)3B)に対するリン源の供給比率(V/III比率)は16に設定した。
【0029】
非晶質層102上には、同じく第1実施例と同様のMOCVD手段に依り、1050℃でアンドープでp形のリン化硼素半導体からなるp形障壁(クラッド)層103を積層した。p形リン化硼素半導体層103は、V/III比率を約1300として気相成長させた。リン化硼素半導体層の気相成長を硼素源((C2H5)3B)のMOCVD成長系への供給を停止して終了させると同時に、リン源(PH3)の流量を毎分432ccから毎分80ccへ約2秒間で急激に減少させた。これより、キャリアガスとした水素と共に、リン源の体積分率を2.0%とする水素とホスフィンとの混合雰囲気を構成した。併せて、気相成長に引き続き熱処理を及ぼすために、Si基板101の温度を1075℃に上昇させた。Si基板101の温度が1075℃に到達した時点から20分間に亘り、p形リン化硼素半導体層103を同温度に保持して熱処理を施した。上記の条件下で気相成長させたリン化硼素半導体層のas−grown状態でのキャリア(正孔)濃度は、p形で1.6×1019cm-3であり、この条件で熱処理した後のキャリア濃度は2.0×1019cm-3に増加するのは別の試験で知れている。熱処理を終了した後、上記の混合雰囲気内に於いて、Si基板101の温度を1075℃から850℃へと降温させた。
【0030】
Si基板101を850℃に暫時、保持した後、水素キャリアガスへのホスフィン(PH3)の添加を停止すると共に、瞬時に代替としてアンモニア(NH3)ガスをMOCVD成長炉内に流通させた。その後、トリメチルガリウム((CH3)3Ga)/トリメチルインジウム((CH3)3In)/NH3/H2系常圧MOCVD手段に依り、発光層104をなすアンドープでn形の窒化ガリウム・インジウム混晶(GaXIn1-XN)層をp形リン化硼素半導体層103上に堆積した。六方晶ウルツ鉱結晶(Wurtzite)型のGaXIn1-XNのインジウム組成比(=1−X)は、p形リン化硼素半導体層103の表面の{111}−結晶面に鉛直に交差するリン化硼素の{110}−結晶面の間隔(≒3.21Å)に、窒化ガリウム・インジウム混晶のa軸の格子定数が合致するように、0.10とした。また、発光層104の層厚は80nmとした。
【0031】
トリメチルガリウム((CH3)3Ga)及びトリメチルインジウム((CH3)3In)のMOCVD反応炉への供給を停止して発光層104の形成を終了した後、Si基板101を850℃に保持しつつ、アンモニア(NH3)の供給を停止した。同時に硼素源((C2H5)3B)及びリン源(PH3)を供給し始め、発光層104上にアンドープでn形のリン化硼素半導体層105を積層させた。上記のp形クラッド層103をなすp形リン化硼素半導体層と同様に、n形リン化硼素半導体層も室温で約3エレクトロンボルト(単位:eV)の禁止帯幅を有していたため、n形クラッド層105を構成するに好適であった。n形クラッド層105をなすn形リン化硼素半導体層のキャリア(電子)濃度は2.3×1019cm-3とし、層厚は320nmとした。n形クラッド層105の気相成長を終了した後、水素(H2)−ホスフィン(PH3)混合雰囲気中で積層構造体1Bの温度を約600℃に降温した。その後、MOCVD反応系へのホスフィンの供給を停止し、水素気流中で積層構造体1Bを室温近傍迄、冷却した。
【0032】
n形クラッド層105の表面及びp形のSi基板101の裏面に各々、n形オーミック電極106及びp形オーミック電極107を設けてpn接合型ダブルヘテロ接合構造のLED1Aを構成した。n形オーミック電極106は、n形クラッド層105に接触する側に金・ゲルマニウム(Au・Ge)合金膜を配置したAu・Ge/ニッケル(Ni)/Auの3層重層構造とした。結線用の台座(pad)電極を兼ねるn形オーミック電極106は、直径を約120μmとする円形の電極とした。また、Si基板101の裏面の略全面に設けたp形オーミック電極107は、一般の真空蒸着法に依り被着させたアルミニウム(Al)被膜から構成した。Al真空蒸着膜の膜厚は約2μmとした。
【0033】
LED1Aのn形オーミック電極106及びp形オーミック電極107の間に、20ミリアンペア(mA)の順方向電流を通流して発光させた。LED1Aからは、中心波長を約430nmとする青紫帯光が発せられた。一般的な積分球を利用して測定されるチップ(chip)状態での輝度は8ミリカンデラ(mcd)となり、高発光強度のLED1Aが提供された。また、p形クラッド層103は、硼素とリンを含む非晶質層102を介在させてSi基板101上に設ける構成としたため、特に表面の平坦性に優れるものとなり、n形の発光層104との間で接合界面を平坦とするpn接合構造を形成できた。このため、順方向電圧(但し、順方向電流を20mAとした場合)を約3.2Vとし、逆方向電圧(但し、逆方向電流を10μAとした場合)を5V以上とする良好な整流特性を有するリン化硼素系LEDが提供されることとなった。
【0034】
【発明の効果】
本発明に依れば、750℃以上1200℃以下の温度T1(750℃≦T1≦1200℃)に加熱された結晶基板上に、硼素源とリン源との双方を供給して、単結晶からなるリン化硼素半導体層を気相成長させた後、T1以上1200℃以下の温度T2(T1≦T2≦1200℃)に於いて、リン源の体積分率を気相成長の際のリン源の体積分率以下とする混合気体雰囲気内で、該リン化硼素半導体層を熱処理することとしたので、リン化硼素半導体層の表面に敢えて保護膜を設けずとも、キャリア(正孔)濃度及び抵抗率の安定したp形のリン化硼素半導体層を省力的に簡便に形成できる効果を得られる。
【0035】
また本発明に依れば、リン化硼素半導体層を、硼素とリンとを含む非晶質層上に気相成長させる構成としたので、表面の平坦性に優れるリン化硼素半導体層を形成することができる。
【0036】
また本発明に依れば、リン源と水素との混合気体雰囲気内でリン化硼素半導体層を熱処理することとし、特にリン源の体積分率を0.5%以上20%以下とする混合気体雰囲気内で熱処理することとしたので、リン化硼素半導体層内に効率的にリンの空孔を発生させることができ、また熱処理にともなうリン化硼素半導体層の表面状態の悪化を防止することができ、抵抗率を安定したp形リン化硼素半導体層を得るに効果が奏される。
【0037】
本発明に依れば、表面の平坦性に優れ、キャリア濃度及び抵抗率を略均一とさせたp形リン化硼素半導体層を製造することが出来るため、接合界面が平坦なpn接合構造を形成でき、従って良好な整流特性を発現できるpn接合構造を有するリン化硼素系半導体素子を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第3実施例に係るLEDの平面模式図である。
【図2】 図1に示すLEDの破線X−X’に沿った断面模式図である。
【符号の説明】
1A LED
1B 積層構造体
101 Si基板
102 非晶質層
103 p形リン化硼素半導体層(p形クラッド層)
104 n形発光層
105 n形リン化硼素半導体層(n形クラッド層)
106 n形オーミック電極
107 p形オーミック電極
Claims (6)
- 750℃以上1200℃以下の温度T1(750℃≦T1≦1200℃)に加熱された結晶基板上に、硼素源とリン源との双方を供給して、単結晶からなるリン化硼素半導体層を気相成長させた後、T1以上1200℃以下の温度T2(T1≦T2≦1200℃)に於いて、リン源の体積分率を気相成長の際のリン源の体積分率以下とする混合気体雰囲気内で、該リン化硼素半導体層を熱処理することにより、p形の伝導性を呈するリン化硼素半導体層を形成することを特徴とするp形リン化硼素半導体層の製造方法。
- 硼素源とリン源との双方を供給し、硼素源の濃度に対するリン源の濃度の比率を0.5〜50の範囲に設定して、結晶基板上に硼素とリンとを含む非晶質層を気相成長した後、硼素源の濃度に対するリン源の濃度の比率を500〜6000の範囲に設定して、該非晶質層上に前記リン化硼素半導体層を成長させることを特徴とする請求項1に記載のp形リン化硼素半導体層の製造方法。
- 成長温度を1000〜1200℃として、結晶基板上に硼素とリンとを含む非晶質層を成長することを特徴とする請求項2に記載のp形リン化硼素半導体層の製造方法。
- リン化硼素半導体層を熱処理する混合気体雰囲気が、リン源と水素(H2)とから構成されることを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載のp形リン化硼素半導体層の製造方法。
- リン化硼素半導体層を熱処理する混合気体雰囲気が、リン源の体積分率を0.5%以上20%以下とすることを特徴とする請求項1乃至4の何れか1項に記載のp形リン化硼素半導体層の製造方法。
- リン化硼素半導体層の熱処理時間を3分以上45分以内とすることを特徴とする請求項1乃至5の何れか1項に記載のp形リン化硼素半導体層の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002194339A JP4158437B2 (ja) | 2002-07-03 | 2002-07-03 | p形リン化硼素半導体層の製造方法、リン化硼素系半導体素子およびLED |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002194339A JP4158437B2 (ja) | 2002-07-03 | 2002-07-03 | p形リン化硼素半導体層の製造方法、リン化硼素系半導体素子およびLED |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004039839A JP2004039839A (ja) | 2004-02-05 |
JP4158437B2 true JP4158437B2 (ja) | 2008-10-01 |
Family
ID=31703064
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002194339A Expired - Fee Related JP4158437B2 (ja) | 2002-07-03 | 2002-07-03 | p形リン化硼素半導体層の製造方法、リン化硼素系半導体素子およびLED |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4158437B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4757514B2 (ja) * | 2004-03-15 | 2011-08-24 | 昭和電工株式会社 | 化合物半導体発光ダイオード |
TWI258876B (en) * | 2004-03-29 | 2006-07-21 | Showa Denko Kk | Compound semiconductor light-emitting device and production method thereof |
JP4809669B2 (ja) * | 2005-03-25 | 2011-11-09 | 学校法人同志社 | 積層構造体、その形成方法および半導体素子 |
-
2002
- 2002-07-03 JP JP2002194339A patent/JP4158437B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004039839A (ja) | 2004-02-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6936863B2 (en) | Boron phosphide-based semiconductor light-emitting device, production method thereof and light-emitting diode | |
JP3567926B2 (ja) | pn接合型リン化硼素系半導体発光素子、その製造方法および表示装置用光源 | |
TWI270218B (en) | Gallium nitride-based semiconductor device | |
US6194744B1 (en) | Method of growing group III nitride semiconductor crystal layer and semiconductor device incorporating group III nitride semiconductor crystal layer | |
JP2919788B2 (ja) | 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び窒化ガリウム系半導体の成長方法 | |
JP3772816B2 (ja) | 窒化ガリウム結晶基板、その製造方法、窒化ガリウム系半導体素子および発光ダイオード | |
JP4158437B2 (ja) | p形リン化硼素半導体層の製造方法、リン化硼素系半導体素子およびLED | |
JP2004115305A (ja) | 窒化ガリウム単結晶基板、その製造方法、窒化ガリウム系半導体素子および発光ダイオード | |
JP4282976B2 (ja) | リン化硼素系化合物半導体素子、及びその製造方法、並びに発光ダイオード | |
JP2001077414A (ja) | Iii族窒化物半導体発光素子 | |
JP3695416B2 (ja) | リン化硼素系半導体層、その製造方法、及びリン化硼素系半導体素子 | |
JP4439400B2 (ja) | リン化硼素系半導体発光素子、その製造方法及び発光ダイオード | |
JP3293583B2 (ja) | Iii族窒化物半導体結晶層の成長方法およびiii族窒化物半導体結晶層を具備する半導体装置 | |
JP2001007396A (ja) | Iii族窒化物半導体光デバイス | |
JP3931740B2 (ja) | リン化硼素系半導体素子、その製造方法およびled | |
JP3639276B2 (ja) | p形リン化硼素半導体層の製造方法、化合物半導体素子、ツェナーダイオード、及び発光ダイオード | |
JP3577463B2 (ja) | Iii族窒化物半導体発光ダイオード | |
JP3700664B2 (ja) | リン化硼素系半導体層、その製造方法、半導体素子 | |
JP3895266B2 (ja) | リン化硼素系化合物半導体素子、及びその製造方法、並びに発光ダイオード | |
JP3711966B2 (ja) | Iii族窒化物半導体層の気相成長方法及びiii族窒化物半導体素子 | |
JP3731567B2 (ja) | リン化硼素層の気相成長方法、リン化硼素系半導体素子およびled | |
JP3928536B2 (ja) | リン化硼素単結晶基板の製造方法 | |
JP4518881B2 (ja) | p形オーミック電極、それを備えた化合物半導体素子、化合物半導体発光素子及びそれらの製造方法 | |
JP3376849B2 (ja) | 半導体薄膜の製造方法 | |
JP2004014809A (ja) | リン化硼素系半導体発光素子、その製造方法およびledランプ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041109 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070730 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070814 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071009 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080325 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080328 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080624 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080707 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110725 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110725 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140725 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |