JP4518881B2 - p形オーミック電極、それを備えた化合物半導体素子、化合物半導体発光素子及びそれらの製造方法 - Google Patents
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(1)p形の伝導を呈する導電性のリン化硼素半導体層(p形リン化硼素半導体層)の表面に接触させて設けるp形オーミック電極にあって、該p形オーミック電極がランタン・鉄・アンチモン(La・Fe・Sb)合金層から構成されていることを特徴とするp形オーミック電極。
110 積層構造体
101 基板(珪素単結晶)
102 下部クラッド層
103 発光層
104 上部クラッド層
105 p形オーミック電極
105a LaAl4Sb12合金膜
105b Au膜
106 n形オーミック電極
Claims (12)
- p形の伝導を呈する導電性のリン化硼素半導体層(p形リン化硼素半導体層)の表面に接触させて設けるp形オーミック電極にあって、該p形オーミック電極がランタン・鉄・アンチモン(La・Fe・Sb)合金層から構成されていることを特徴とするp形オーミック電極。
- 該p形オーミック電極が複数の層からなり、該複数の層のうちp形リン化硼素半導体層の表面に接触する層がランタン・鉄・アンチモン合金層から構成されていることを特徴とする請求項1に記載のp形オーミック電極。
- ランタン・鉄・アンチモン合金層がLaFe4Sb12の組成の合金からなることを特徴とする請求項1または2に記載のp形オーミック電極。
- p形の伝導を呈する導電性のリン化硼素半導体層(p形リン化硼素半導体層)の表面に接触させて設けるp形オーミック電極の製造方法であって、p形リン化硼素半導体層の表面に、ランタン・鉄・アンチモン(La・Fe・Sb)合金層を被着させ、その後、合金化熱処理を施すことを特徴とするp形オーミック電極の製造方法。
- 絶縁性または導電性の結晶からなる基板と、該基板に設けられたp形の伝導を呈する導電性のリン化硼素半導体層(p形リン化硼素半導体層)と、該p形リン化硼素半導体層の表面に接触させて、オーミック(Ohmic)接触性のp形オーミック電極とが備えられている化合物半導体発光素子に於いて、該p形オーミック電極がランタン・鉄・アンチモン(La・Fe・Sb)合金層から構成されていることを特徴とする化合物半導体素子。
- 該p形オーミック電極が複数の層からなり、該複数の層のうちp形リン化硼素半導体層の表面に接触する層がランタン・鉄・アンチモン合金層から構成されていることを特徴とする請求項5に記載の化合物半導体素子。
- ランタン・鉄・アンチモン合金層がLaFe4Sb12の組成からなることを特徴とする請求項5または6に記載の化合物半導体素子。
- 絶縁性または導電性の結晶からなる基板と、該基板に設けられたp形の伝導を呈する導電性のリン化硼素半導体層(p形リン化硼素半導体層)と、該p形リン化硼素半導体層の表面に接触させて、オーミック(Ohmic)接触性のp形オーミック電極とが備えられている化合物半導体素子の製造方法に於いて、該基板にp形リン化硼素半導体層を設け、該p形リン化硼素半導体層の表面にランタン・鉄・アンチモン(La・Fe・Sb)合金層を被着させてp形オーミック電極を形成することを特徴とする化合物半導体素子の製造方法。
- n形オーミック電極、絶縁性または導電性の結晶からなる基板、n形の下部クラッド層、発光層、p形の伝導を呈する導電性のリン化硼素半導体層(p形リン化硼素半導体層)、およびオーミック(Ohmic)接触性のp形オーミック電極が備えられている化合物半導体発光素子に於いて、p形オーミック電極がランタン・鉄・アンチモン(La・Fe・Sb)合金層から構成されていることを特徴とする化合物半導体発光素子。
- 該p形オーミック電極が複数の層からなり、該複数の層のうちp形リン化硼素半導体層の表面に接触する層がランタン・鉄・アンチモン合金層から構成されていることを特徴とする請求項9に記載の化合物半導体発光素子。
- ランタン・鉄・アンチモン合金層がLaFe4Sb12の組成からなることを特徴とする請求項9または10に記載の化合物半導体素子。
- n形オーミック電極、絶縁性または導電性の結晶からなる基板、n形の下部クラッド層、発光層、p形の伝導を呈する導電性のリン化硼素半導体層(p形リン化硼素半導体層)、およびオーミック(Ohmic)接触性のp形オーミック電極が備えられている化合物半導体発光素子の製造方法に於いて、該p形リン化硼素半導体層の表面にランタン・鉄・アンチモン(La・Fe・Sb)合金層を被着させてp形オーミック電極を形成することを特徴とする化合物半導体発光素子の製造方法。
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JPH09232685A (ja) * | 1996-02-27 | 1997-09-05 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
JPH11195817A (ja) * | 1997-12-27 | 1999-07-21 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 熱電変換素子 |
JP2002368259A (ja) * | 2001-06-11 | 2002-12-20 | Showa Denko Kk | リン化硼素系半導体、その製造方法及び半導体素子 |
JP2004076046A (ja) * | 2002-08-13 | 2004-03-11 | Showa Denko Kk | フィルドスクッテルダイト系合金、その製造方法および熱電変換素子 |
JP2004311982A (ja) * | 2003-03-24 | 2004-11-04 | Showa Denko Kk | オーミック電極構造、それを備えた化合物半導体発光素子及びledランプ |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02288388A (ja) * | 1989-04-28 | 1990-11-28 | Toshiba Corp | 半導体レーザ |
JPH09232685A (ja) * | 1996-02-27 | 1997-09-05 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
JPH11195817A (ja) * | 1997-12-27 | 1999-07-21 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 熱電変換素子 |
JP2002368259A (ja) * | 2001-06-11 | 2002-12-20 | Showa Denko Kk | リン化硼素系半導体、その製造方法及び半導体素子 |
JP2004076046A (ja) * | 2002-08-13 | 2004-03-11 | Showa Denko Kk | フィルドスクッテルダイト系合金、その製造方法および熱電変換素子 |
JP2004311982A (ja) * | 2003-03-24 | 2004-11-04 | Showa Denko Kk | オーミック電極構造、それを備えた化合物半導体発光素子及びledランプ |
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