JP4699738B2 - pn接合型ヘテロ構造化合物半導体発光素子の形成方法 - Google Patents
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赤崎 勇編著、「III−V族化合物半導体」、1994年5月20日、初版、(株)培風館発行、13章。 ティ−.ウダガワ(T.Udagawa)他、第5回窒化物半導体国際会議テクニカルダイジェスト(Technical Digest of 5th. Int. Conf. Nitride Semiconductors),431頁
(1)結晶基板上に、n型のIII−V族化合物半導体から成る下部クラッド層と、n型の(0001)−窒化ガリウム・インジウム(組成式Ga X In 1−X N:0≦X≦1)からなる発光層と、p型のリン化硼素(BP)から成る上部クラッド層とを備え,上記発光層を挟時している上記の下部及び上部クラッド層にn型並びにp型電極とを設けるpn接合型ヘテロ構造の化合物半導体発光素子の形成方法に於いて、n型の(0001)−窒化ガリウム・インジウム(組成式Ga X In 1−X N:0≦X≦1)からなる発光層を成長させた後、発光層上に中間層をなすn型のリン化硼素層を、その硼素源とリン源をP/Bの元素比を150〜2000とし、成長速度を毎分3〜300nmとして気相成長させ、次いで中間層上に上部クラッド層をなすp型のリン化硼素を、その硼素源に対するリン源の比率(P/B比率)を前記の中間層を成長させる際の硼素源に対するリン源の比率(P/B比率)よりも低くして気相成長させることを特徴とするpn接合型ヘテロ構造化合物半導体発光素子の形成方法。
(3)n型中間層が、発光層の最表層を成す、面方位を(0001)とするn型の窒化ガリウム・インジウム(組成式GaXIn1−XN:0≦X≦1)層の表面上に設けた、面方位を(111)とするリン化硼素層から構成されていることを特徴とする上記(1)または(2)に記載のpn接合型ヘテロ構造化合物半導体発光素子の形成方法。
(6)上部クラッド層を気相成長させる際の原料の硼素源に対するリン源の比率が5〜150である上記(1)〜(5)のいずれかに記載のpn接合型ヘテロ構造化合物半導体発光素子の形成方法。
(8)上面を(0001)−面とするn型の窒化ガリウム・インジウム(組成式GaXIn1−XN:0≦X≦1)から成る発光層を成長させた後、発光層上に、(0001)−GaXIn1−XN(0≦X≦1)層のa軸に<110>方向を平行とする、アンドープでn型の(111)−リン化硼素層から成る中間層を形成することを特徴とする上記(1)〜(7)のいずれかに記載のpn接合型ヘテロ構造化合物半導体発光素子の形成方法。
本発明で用いられる結晶基板としてはサファイア(α−Al2O3)、六方晶の(0001)−炭化珪素、六方晶の(0001)−酸化亜鉛(ZnO)などが好適である。
n型のIII−V族化合物半導体からなる下部クラッド層は一般式AlxGayInzN(0≦X,Y,Z≦1,X+Y+Z=1)で表されるもので、例えばGaNなどである。
n型のIII−V族化合物半導体からなる発光層は一般式GayInzN1−QMQ (Mは窒素とは別のV族元素を表し、0≦Q<1である)で表されるもので、例えばGayInzN(0≦Y,Z≦1,Y+Z=1)やGaN1−QPQ(0≦Q<1)などである。
上部クラッド層のp型のリン化硼素(化学式BP)は非特許文献2に記載の方法、即ち有機硼素化合物を硼素源とし、水素化物をリン源とする有機金属熱分解化学的気相堆積(MOCVD)法により得ることができる。
以下含硼素III−V族化合物として主にリン化硼素を例にとり説明する。
本発明における中間層はリン化硼素が好ましいが、前記した硼素の一部をアルミニウムやインジウムで置換したものや、リンを砒素で置換したものも使用可能である。
101 基板
102 下部クラッド層
103 発光層
104 中間層
105 上部クラッド層
106 n型オーミック電極
107 p型オーミック電極
Claims (9)
- 結晶基板上に、n型のIII−V族化合物半導体から成る下部クラッド層と、n型の(0001)−窒化ガリウム・インジウム(組成式Ga X In 1−X N:0≦X≦1)からなる発光層と、p型のリン化硼素(BP)から成る上部クラッド層とを備え,上記発光層を挟時している上記の下部及び上部クラッド層にn型並びにp型電極とを設けるpn接合型ヘテロ構造の化合物半導体発光素子の形成方法に於いて、n型の(0001)−窒化ガリウム・インジウム(組成式Ga X In 1−X N:0≦X≦1)からなる発光層を成長させた後、発光層上に中間層をなすn型のリン化硼素層を、その硼素源とリン源をP/Bの元素比を150〜2000とし、成長速度を毎分3〜300nmとして気相成長させ、次いで中間層上に上部クラッド層をなすp型のリン化硼素を、その硼素源に対するリン源の比率(P/B比率)を前記の中間層を成長させる際の硼素源に対するリン源の比率(P/B比率)よりも低くして気相成長させることを特徴とするpn接合型ヘテロ構造化合物半導体発光素子の形成方法。
- 下部クラッド層がAlxGayInzN(0≦X,Y,Z≦1,X+Y+Z=1)である請求項1に記載のpn接合型ヘテロ構造化合物半導体発光素子の形成方法。
- n型中間層が、発光層の最表層を成す、面方位を(0001)とするn型の窒化ガリウム・インジウム(組成式GaXIn1−XN:0≦X≦1)層の表面上に設けた、面方位を(111)とするn型のリン化硼素から構成されていることを特徴とする請求項1または2に記載のpn接合型ヘテロ構造化合物半導体発光素子の形成方法。
- n型中間層が、n型の(0001)−窒化ガリウム・インジウム(組成式GaXIn1−XN:0≦X≦1)層のa軸に、<110>方向を平行とする、アンドープ(undope)でn型の(111)−リン化硼素から構成されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のpn接合型ヘテロ構造化合物半導体発光素子の形成方法。
- n型中間層が、キャリア濃度を、その上に設ける上部クラッド層を構成するp型のリン化硼素層のキャリア濃度以下とし、且つ、層厚を2nm以上で60nm以下とする、アンドープでn型の(111)−リン化硼素から構成されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のpn接合型ヘテロ構造化合物半導体発光素子の形成方法。
- 上部クラッド層を気相成長させる際の原料の硼素源に対するリン源の比率が5〜150である請求項1〜5のいずれかに記載のpn接合型ヘテロ構造化合物半導体発光素子の形成方法。
- 上面を(0001)−面とするn型の窒化ガリウム・インジウム(組成式GaXIn1−XN:0≦X≦1)から成る発光層を成長させた後、発光層上に700℃以上で950℃以下の温度で、n型の(111)−リン化硼素層から成る中間層を形成することを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載のpn接合型ヘテロ構造化合物半導体発光素子の形成方法。
- 上面を(0001)−面とするn型の窒化ガリウム・インジウム(組成式GaXIn1−XN:0≦X≦1)から成る発光層を成長させた後、発光層上に、(0001)−GaXIn1−XN(0≦X≦1)層のa軸に<110>方向を平行とする、アンドープでn型の(111)−リン化硼素層から成る中間層を形成することを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載のpn接合型ヘテロ構造化合物半導体発光素子の形成方法。
- 成長温度を、700℃以上で、上部クラッド層を構成するp型のリン化硼素層の成長温度以下として、上部クラッド層を構成するp型のリン化硼素層のキャリア濃度以下とするn型の(111)−リン化硼素層から成る中間層を形成することを特徴とする請求項1〜6のいずれかまたは請求項8に記載のpn接合型ヘテロ構造化合物半導体発光素子の形成方法。
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