JP4658643B2 - リン化硼素系半導体素子 - Google Patents

Description

本発明は、少なくともｐ形リン化硼素系半導体層とその上に形成したｐ形オーミック電極と備えるリン化硼素系半導体素子に関するものである。

従来から、ｎ形またはｐ形のリン化硼素（ＢＰ）系半導体層を利用して、発光ダイオード（ＬＥＤ）やレーザダイオード（ＬＤ）等のリン化硼素系半導体発光素子が作製されている（例えば特許文献１参照）。リン化硼素系半導体とは、此処では、硼素（元素記号：Ｂ）とリン（元素記号：Ｐ）との双方を必須の構成元素として含むIII−Ｖ族化合物半導体である。
米国特許第６０６９０２１号公報

リン化硼素系半導体発光素子は、例えばｎ形またはｐ形のリン化硼素系半導体層からなるコンタクト層に、オーミック電極を設けて作製される。ｐ形のリン化硼素系半導体層に設けるｐ形オーミック電極は、従来から、金（Ａｕ）・亜鉛（Ｚｎ）合金から構成されている（例えば特許文献２参照）。アルミニウム（Ａｌ）単体からｐ形オーミック電極を形成する例も知られている（例えば非特許文献１参照）。また、リン化硼素系半導体に単量体のリン化硼素を用い、そのリン化硼素半導体層上に、ニッケル（Ｎｉ）からオーミック電極を形成できるのは公知である（例えば特許文献３参照）。
特開平２−２８８３８８号公報 ドイツ特許第１１６２４８６号公報 Ｋ．Ｓｈｏｈｎｏ他、ジャーナル オブ クリスタル グロース（Ｊ．Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ）、第２４／２５巻、１９７４年（オランダ）、１９３頁

しかし、従来の電極材料では、ｐ形リン化硼素系半導体層上に、接触抵抗の充分に低いｐ形オーミック電極を安定して形成できない。このため、例えばＬＥＤでは、順方向電圧（Ｖｆ）の低下させるに妨げとなっているし、ＬＤでは、閾値電圧（Ｖｔｈ）を低減させるのを困難としている。

本発明は、上記に鑑みてなされたもので、ｐ形リン化硼素系半導体層上に接触抵抗の充分に低いｐ形オーミック電極を安定して形成することができるリン化硼素系半導体素子を提供することを目的とする。

１）上記目的を達成するために、第１の発明は、少なくともｐ形リン化硼素系半導体層とその上に形成したｐ形オーミック電極とを備えるリン化硼素系半導体素子において、上記ｐ形オーミック電極は、ニッケルと硼素との合金層から構成され、ｐ形リン化硼素系半導体層との合金化のための熱処理は施されずに形成されたものである、ことを特徴としている。

２）第２の発明は、上記した１）項に記載の発明の構成に加えて、上記ｐ形オーミック電極は、硼素の重量含有率が０％を超え２５％未満である、ことを特徴としている。

３）第３の発明は、上記した１）項または２）項に記載の発明の構成に加えて、上記ｐ形リン化硼素系半導体層は、伝導形を制御するための不純物を故意に添加しないアンドープのリン化硼素から構成されている、ことを特徴としている。

本発明では、ｐ形リン化硼素系半導体層の表面に接触させて設けるｐ形オーミック電極をニッケルと硼素との合金膜から構成することとしたので、低接触抵抗のオーミック電極を形成することができ、したがって、順方向電圧を低くし、且つ素子駆動電流を効率的に発光層に平面的に拡散させることができ、発光強度を高くすることができる。

以下にこの発明の実施の形態を詳細に説明する。

本発明に係るｐ形リン化硼素系半導体とは、硼素（Ｂ）とリン（Ｐ）とを必須の構成元素とするIII族化合物半導体である。例えば、Ｂ_αＡｌ_βＧａ_γＩｎ_1-α-β-γＰ_1-δＡｓ_δ（０＜α≦１、０≦β＜１、０≦γ＜１、０＜α＋β＋γ≦１、０≦δ＜１である。また、Ｂ_αＡｌ_βＧａ_γＩｎ_1-α-β-γＰ_1-δＮ_δ（０＜α≦１、０≦β＜１、０≦γ＜１、０＜α＋β＋γ≦１、０≦δ＜１）である。またｐ形の単量体リン化硼素（ＢＰ）、ｐ形リン化硼素・ガリウム・インジウム（組成式Ｂ_αＧａ_γＩｎ_1-α-γＰ：０＜α≦１、０≦γ＜１）である。また、ｐ形窒化リン化硼素（組成式ＢＰ_1-δＮ_δ：０≦δ＜１）やｐ形砒化リン化硼素（組成式Ｂ_αＰ_1-δＡｓ_δ）等の複数のＶ族元素を含む混晶である。

ｐ形リン化硼素系半導体層は、ハロゲン法、ハイドライド法やＭＯＣＶＤ（有機金属化学的気相堆積）法により形成できる。また、分子線エピタキシャル法でも形成できる。

ｐ形の単量体のリン化硼素層（ＢＰ層）は、トリエチル硼素（分子式：（Ｃ₂Ｈ₅）₃Ｂ）とホスフィン（分子式：ＰＨ₃）を原料とするＭＯＣＶＤ法で形成することができ、形成温度としては、１０００℃〜１２００℃の温度が適する。形成時の原料供給比率（＝ＰＨ₃／（Ｃ₂Ｈ₅）₃Ｂ）は、１０〜５０とするのが適する。不純物を故意に添加しないアンドープのｐ形ＢＰ層は不純物の拡散に因る他層の変性を回避するのに効果がある。形成温度、Ｖ／III比率に加えて、形成速度を精密に制御すれば、禁止帯幅を２．８ｅＶ以上とする広禁止帯幅のｐ形リン化硼素層を形成することができる。

本発明に係るリン化硼素系半導体素子は、結晶基板上に形成されたｐ形リン化硼素系半導体層を利用して構成する。ｐ形リン化硼素系半導体層を設ける結晶基板は、リン化硼素系半導体素子によって、ｎ形またはｐ形伝導性、または高抵抗或いは絶縁性の結晶材料から選択する。例えば、電気絶縁性のサファイア（α−Ａｌ₂Ｏ₃単結晶）や炭化珪素（ＳｉＣ）、また高抵抗の珪素（Ｓｉ）単結晶は、ｐｎ接合型トランジスタ用途の基板として好適に利用することができる。多結晶シリコンは、ｐｎ接合型太陽電池用途の基板材料として利用することができる。ｐｎ接合型ＬＥＤやＬＤ等のリン化硼素系半導体発光素子或いは受光素子には、導電性の立方晶３Ｃ型、或いは六方晶４Ｈまたは６Ｈ型炭化珪素（ＳｉＣ）単結晶、リン化ガリウム（ＧａＰ）単結晶などを基板として利用することができる。基板を単結晶材料とすると、結晶性のｐ形リン化硼素系半導体層を得るのに優位となるが、ホウケイ酸ガラス等の非晶質材料も基板として利用できる。

上記基板の表面に、直接接合させたのとは別に、基板上に形成したIII−Ｖ族化合物半導体層上に設けたｐ形リン化硼素系半導体層も、リン化硼素系半導体発光素子を構成するのに利用できる。ｐ形リン化硼素系半導体層を設けるためのIII−Ｖ族化合物半導体層としては、リン化アルミニウム・ガリウム・インジウム混晶（組成式Ａｌ_XＧａ_YＩｎ_ZＰ：０≦Ｘ，Ｙ，Ｚ≦１、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）や窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム混晶（組成式Ａｌ_αＧａ_βＩｎ_γＮ：０≦α、β,γ≦１、α＋β＋γ＝１）を例示できる。また、単量体のリン化硼素やリン化硼素・ガリウム混晶（組成式Ｂ_αＧａ_γＰ：０＜α≦１、０≦γ＜１、α＋γ＝１）等のリン化硼素系半導体層を例示できる。

ウルツ鉱結晶型（Ｗｕｒｔｚｉｔｅ）のｎ形窒化ガリウム（ＧａＮ）層と、それにヘテロ（異種）接合させたｐ形リン化硼素系半導体層とからなるｐｎ接合構造体は、ｐｎ接合型ＬＥＤを構成するのに貢献できる。特に、室温での禁止帯幅を２．８ｅＶ以上とするｐ形リン化硼素系半導体層を利用すれば、発光透過層を兼用するクラッド層を備えたヘテロ接合構造の発光部を構成できる。

ｐ形リン化硼素系半導体層を備えたｐｎ接合型ヘテロ構造の構成例として、表面を（１１１）−結晶面とするｎ形（１１１）−Ｓｉ単結晶を基板とし、その導電性基板の（１１１）−表面上に形成したｎ形窒化ガリウム（ＧａＮ）から成るｎ形III−Ｖ族化合物半導体層と、インジウム組成比（＝１−Ｘ）を相違する相（ｐｈａｓｅ）からなる多相構造のｎ形窒化ガリウム・インジウム（組成式Ｇａ_XＩｎ_1-XＮ：０≦Ｘ≦１）とからなる発光層、及びアンドープでｐ形のリン化硼素からなるｐ形リン化硼素系半導体層から構成される発光部を例示できる。また、電気絶縁性の（０００１）−サファイア基板上に設けた、ｎ形Ｇａ_Y1Ｉｎ_Z1Ｎ（０＜Ｙ₁≦１、０≦Ｚ₁＜１、Ｙ₁＋Ｚ₁＝１）クラッド層と、ｎ形Ｇａ_Y2Ｉｎ_Z2Ｎ（０≦Ｙ₂＜Ｙ₁，Ｚ₁＜Ｚ₂≦１、Ｙ₂＋Ｚ₂＝１）発光層と、室温での禁止帯幅を約４．２ｅＶとするアンドープのｐ形リン化硼素からなるクラッド層とから構成される発光部を例示できる。

ｐ形リン化硼素系半導体層を含む発光素子にあって、発光層は、例えば、ｎ形の窒化ガリウム・インジウム（組成式Ｇａ_YＩｎ_ZＮ：０≦Ｙ，Ｚ≦１、Ｙ＋Ｚ＝１）から構成する。特に、インジウム組成（＝Ｚ）を相違する複数の結晶相から成る多相構造Ｇａ_YＩｎ_ZＮ（０＜Ｙ,Ｚ＜１、Ｙ＋Ｚ＝１）は高い発光強度をもたらす発光層を構成するのに好適に利用できる。また、ｎ形またはｐ形窒化リン化ガリウム（組成式ＧａＰ_1-δＮ_δ：０≦δ＜１）より構成できる。発光層は、これらの層を井戸（ｗｅｌｌ）層とする単一（ＳＱＷ）或いは多重量子井戸（ＭＱＷ）構造から構成できる。多重量子井戸構造の発光層とするのにあって、上記のｎ形III−Ｖ族化合物半導体からなるクラッド層に接して設ける層は、バリア（ｂａｒｒｉｅｒ）層或いは井戸層の何れであっても構わない。多重量子井戸構造の発光層をなす最終端も、バリア層或いは井戸層の何れでも差し支えはない。

ｐ形リン化硼素系半導体層の表面に設けるオーミック電極は、本発明では、ニッケル（Ｎｉ）と硼素（Ｂ）との混合組成物（Ｎｉ_1-XＢ_X合金）から構成する。Ｎｉ_1-XＢ_X合金を用いると、従来の金（Ａｕ）合金の場合よりも更に、接触抵抗の低いｐ形オーミック電極を形成できる。特に、不純物を故意に添加（ドーピング）していないアンドープの単量体のｐ形リン化硼素層について、良好なオーミック接触性が得られる。アンドープで単量体のｐ形のリン化硼素層は、成長温度及びＶ／III比率を上記の好適な範囲に設定することで簡便に得ることができる。

ｐ形オーミック電極は、硼素（Ｂ）の重量含有比率を、特に、２５％未満とするＮｉ_1-XＢ_X（０＜Ｘ≦０．２５）合金から構成するのが望ましい。Ｎｉ_1-XＢ_X合金中の硼素の重量含有率は、通常の比色分析法、蛍光Ｘ線分析法、固体質量分析法、オージェ（Ａｕｇｅｒ）分析法等の元素定量分析法を利用して求められる。硼素を含むＮｉ_1-XＢ_X（０＜Ｘ）合金からは、オーミック接触性に優れ、尚且つ、耐熱性のあるｐ形オーミック電極を形成することができる。

図１にアンドープｐ形リン化硼素層の表面に対向して設けたＮｉ_0.95Ｂ_0.05合金からなる平面平行電極間の電流−電圧（Ｉ−Ｖ）特性を例示する。同図に例示する如く、低電圧及び低電流領域での印加電圧に対して電流が良好な直線性をもって変化する様は、Ｎｉ・Ｂ合金からは、ｐ形リン化硼素系半導体について、オーミック接触性に優れるオーミック電極がもたらされることを明示している。

本発明に係るｐ形オーミック電極は、要は、ｐ形リン化硼素系半導体層に接触する部位がＮｉ_1-XＢ_X合金から構成されていれば効果が発揮される。例えば、ｐ形リン化硼素系半導体層に接する部位をＮｉ_0.80Ｂ_0.20合金層とし、その上に中間層としてニッケル（Ｎｉ）層が配置され、更に、その上層として結線用途の金（Ａｕ）層を設けたＮｉ_0.80Ｂ_0.20／Ｎｉ／Ａｕ３層重層構造電極を構成できる。重層構造のｐ形オーミック電極の中間層は、電極を構成する金属相互の拡散やｐ形リン化硼素系半導体をなすリン（Ｐ）等の構成元素の上層への拡散を低減するための機能層である。中間層は、Ｎｉの他、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、白金（Ｐｔ）、チタン（Ｔｉ）等の高い融点の金属材料から構成できる。例えば、Ｎｉ_0.90Ｂ_0.10／Ｔｉ（中間層）／Ａｌ（上層）３層重層構成や、Ｎｉ_0.98Ｂ_0.02／Ｔｉ（中間層）／Ｐｔ（中間層）／Ａｌ（上層）４層重層構成からなるｐ形オーミック電極を例示できる。

ｐ形オーミック電極を構成するためのＮｉ_1-XＢ_X合金層は、通常のスパッタリング手段、鍍金（メッキ）手段等により形成できる。これらの手段において、ｐ形リン化硼素系半導体層の表面を、公知のフォトリソグラフィー技術を駆使してパターニングを施したフォトレジスト材料で選択的に被覆しておけば、所望の形状のｐ形オーミック電極を形成できる。例えば、選択的にパターニングを施して、所望の位置に所望の形状に露出させたｐ形リン化硼素系半導体層の表面に、高周波スパッタ手段でＮｉ_1-XＢ_X合金層を形成する。その後、レジスト材料をリフトオフ手段で剥離すれば、所望の形状の合金層を所望の位置に残置させられる。

ｐ形リン化硼素系半導体層の表面の全体に、一旦、Ｎｉ_1-XＢ_X合金層を形成した後、公知のパターニング技術を利用しても所望の形状のｐ形オーミック電極を形成することができる。Ｎｉ_1-XＢ_X合金層からは、Ｎｉ単体から構成した場合に比較して、ｐ形リン化硼素系半導体層との密着性に優れるオーミック電極を形成できる。このため、リフトオフ手段に依っても所望の外形のｐ形オーミック電極を形成するのに貢献できる。

ｐ形オーミック電極は、種々の形状に形成することができる。一般的な円形や楕円形、また正方形や長方形などの方形となすことができる。また、ＬＥＤにあっては、ｐ形オーミック電極を、ｐ形リン化硼素系半導体層の表面の略全体に素子駆動電流を平面的に広範囲に亘り拡散できる形状とするのが好適である。例えば、櫛形状、格子状或いは網目状等とするのが好適である。ｐ形リン化硼素層の表面に分散させて小型（小面積）のｐ形オーミック電極を配置した後、互いに孤立した小型の電極を互いに電気的に導通する、例えば、インジウム・錫複合酸化物（ＩＴＯ）透明導電性電極を介して素子駆動電流を流通させても、素子駆動電流を拡散するのに効果を上げられる。この小型オーミック電極を分散させて設ける構成にあって、小型電極は一方でｐ形リン化硼素系半導体層に接し、他方で透明導電性電極に電気的に導通させて設ける必要がある。外部への発光の取り出し効率を向上させるために、小型オーミック電極を部分的に残存させたｐ形リン化硼素系半導体層に接触させて設けても構わない。

所望の形状に加工した後、Ｎｉ_1-XＢ_X合金層にオーミック性を付与するための合金化（アロイング：ａｌｌｏｙｉｎｇ）熱処理を施す必要は必ずしもない。アロイ処理を敢えて施す場合は、アロイ温度はｐ形リン化硼素系半導体層の表面からのリンの脱離を防止するため、約５００℃以下とするのが望ましい。アロイ雰囲気は、リンと揮発性物質を形成し易い水素（Ｈ₂）よりも、窒素（Ｎ₂）、アルゴン（Ａｒ）等の不活性ガスが適する。アロイのための時間は、数分間から数１０分間の範囲が適する。

ｐ形リン化硼素系半導体層、特にアンドープの単量体のｐ形リン化硼素の表面に接触する様に設けた、ニッケルと硼素との合金膜は、ｐ形リン化硼素系半導体層について良好なオーミック接触性をもたらす作用を有する。

ｐ形リン化硼素系半導体層、特にアンドープの単量体のｐ形リン化硼素の表面に接触する様に設けた、硼素の重量含有率を２５％以下とするニッケルと硼素との合金膜は、ｐ形リン化硼素系半導体層について特に良好なオーミック接触性をもたらす作用を有する。

ｐ形リン化硼素半導体層の表面にニッケル・硼素（Ｎｉ・Ｂ）合金からなるｐ形オーミック電極を設けてリン化硼素半導体ＬＥＤを構成する場合を例にして本発明を具体的に説明する。

図２にダブルヘテロ（ＤＨ）接合構造のＬＥＤ１０を作製するために使用した積層構造体１１の断面構造を模式的に示す。積層構造体１１は、リン（Ｐ）ドープｎ形（１１１）−珪素（Ｓｉ）単結晶基板１０１上に、アンドープでｎ形のリン化硼素（ＢＰ）からなる下部クラッド層１０２、ｎ形窒化ガリウム・インジウム（Ｇａ_0.90Ｉｎ_0.10Ｎ）井戸層１０３ａと窒化ガリウム（ＧａＮ）障壁層１０３ｂとを５周期で重層させた多重量子井戸構造の発光層１０３、アンドープでｐ形のリン化硼素からなる上部クラッド層１０４を、順次、堆積して形成した。

アンドープのｎ形及びｐ形リン化硼素層１０２，１０４は、トリエチル硼素（分子式：（Ｃ₂Ｈ₅）₃Ｂ）を硼素（Ｂ）源とし、ホスフィン（分子式：ＰＨ₃）をリン源とする常圧（略大気圧）有機金属気相エピタキシー（ＭＯＶＰＥ）手段を利用して形成した。ｎ形リン化硼素層１０２は９２５℃で、ｐ形リン化硼素層１０４は１０２５℃で、Ｖ／III比率（＝ＰＨ₃／（Ｃ₂Ｈ₅）₃Ｂ供給濃度比率）を１０として形成した。発光層１０３は、トリメチルガリウム（分子式：（ＣＨ₃）₃Ｇａ）／ＮＨ₃／Ｈ₂反応系常圧ＭＯＣＶＤ手段により、８００℃で形成した。井戸層１０３ａを構成する上記の窒化ガリウム・インジウム層は、インジウム組成を相違する複数の相から構成される多相構造から構成し、その平均的なインジウム組成は０．１０（＝１０％）であった。井戸層１０３ａ及び障壁層１０３ｂの層厚は、各々、５ｎｍ及び１０ｎｍとした。

上部クラッド層１０４をなすアンドープのｐ形リン化硼素層１０４のキャリア（正孔）濃度は２×１０¹⁹ｃｍ^-3とし、層厚は７２０ｎｍとした。同層１０４の室温での抵抗率は５×１０^-2Ω・ｃｍであった。また、ｐ形リン化硼素層１０４の室温での禁止帯幅は３．２ｅＶであったため、発光層１０３からの発光を外部へ透過するための窓層を兼用するｐ形クラッド層として利用した。

ｐ形上部クラッド層をなすｐ形リン化硼素層１０４の表面の全面に、通常の高周波スパッタリング法及び電子ビーム蒸着法に依り、ニッケル・硼素（Ｎｉ_0.75Ｂ_0.25）合金膜、チタン（Ｔｉ）膜、及び金（Ａｕ）膜を順次、被着させた。次に、結線用の台座電極を兼ねるｐ形オーミック電極１０５を設ける領域に限り、底面部をＮｉ_0.75Ｂ_0.25合金膜とする上記の３層重層電極を残置させるために、公知のフォトリソグラフィー技術を利用して選択的にパターニングを施した。次に、一般的な高周波プラズマエッチング手段に依りｐ形台座電極１０５とする以外の領域に在るＮｉ_0.75Ｂ_0.25合金膜をエッチングして除去し、ｐ形リン化硼素層１０４の表面を露出させた。

フォトレジスト材を剥離した後、再び、チップに裁断するための格子状の溝を設けるために選択的パターニングを施した。然る後、塩素を含むハロゲン系混合ガスを利用したプラズマドライエッチング手法に依り、上記のパターニングを施した領域に限定して、ｐ形リン化硼素層１０４を選択的にエッチングで除去し、裁断用の溝を形成した。

一方、珪素単結晶基板１０１の裏面の全面には、一般の真空蒸着法に依り金（Ａｕ）膜を被着させてｎ形オーミック電極（負電極）１０６を形成した。Ｓｉ単結晶基板１０１の（１１１）−結晶表面に直交する＜１１０＞結晶方位に平行に設けた、線幅を５０μｍとする上記の帯状の溝に沿って劈開し、一辺を３５０μｍとする正方形のＬＥＤチップ１０とした。

本発明では、ｐ形オーミック電極１０５の底面部を、上部クラッド層１０４をなすｐ形リン化硼素層との密着性に優れるニッケル・硼素（Ｎｉ・Ｂ）合金膜から構成したため、結線時に於いても、ｐ形リン化硼素層１０４から剥離しない台座電極を兼ねるｐ形オーミック電極１０５とすることができた。また、ｐ形オーミック電極１０５の底面部を、ｐ形リン化硼素層に対して特に、小さな接触抵抗を与えるＮｉ・Ｂ合金膜から構成したため、順方向電流を２０ｍＡとした際の順方向電圧（Ｖｆ）は３．１Ｖと低値となった。一方、逆方向電流を１０μＡとした際の逆方向電圧は９．５Ｖと高値となった。

ｐ形及びｎ形オーミック電極１０５、１０６の間に、順方向に２０ｍＡの素子駆動電流を流通してＬＥＤチップ１０の発光特性を確認した。ＬＥＤ１０からは中心の波長を４４０ｎｍとする青色帯光が放射された。発光スペクトルの半値幅は２１０ミリエレクトロンボルト（単位：ｍｅＶ）であった。また、高いキャリア濃度で低抵抗のアンドープｐ形リン化硼素層から上部クラッド層を構成することとし、且つ、アンドープのｐ形リン化硼素の表面に接触させて低接触抵抗のＮｉ・Ｂ合金膜を含むｐ形オーミック電極を設けることとしたので、素子駆動電流を台座電極の射影領域以外の発光領域に充分に拡散でき、発光層の略全面から発光がもたらされた。このため、一般的な積分球を利用して測定される樹脂モールド以前のチップ状態での輝度は１１ミリカンデラ（ｍｃｄ）に達した。

ニッケル・硼素合金電極の電流・電圧特性を例示する図である。 実施例に記載の積層構造体の断面構造を示す模式図である。

符号の説明

１０ ＬＥＤチップ
１１ 積層構造体
１０１ 珪素単結晶基板
１０２ 下部クラッド層（ｎ形リン化硼素層）
１０３ 発光層
１０３ａ 井戸層
１０３ｂ 障壁層
１０４ 上部クラッド層（ｐ形リン化硼素層）
１０５ ｐ形オーミック電極（ｐ形台座電極）
１０６ ｎ形オーミック電極

Claims (3)

1. 少なくともｐ形リン化硼素系半導体層とその上に形成したｐ形オーミック電極とを備えるリン化硼素系半導体素子において、
   上記ｐ形オーミック電極は、ニッケルと硼素との合金層から構成され、ｐ形リン化硼素系半導体層との合金化のための熱処理は施されずに形成されたものである、
   ことを特徴とするリン化硼素系半導体素子。
2. 上記ｐ形オーミック電極は、硼素の重量含有率が０％を超え２５％未満である、請求項１に記載のリン化硼素系半導体素子。
3. 上記ｐ形リン化硼素系半導体層は、伝導形を制御するための不純物を故意に添加しないアンドープのリン化硼素から構成されている、請求項１または２に記載のリン化硼素系半導体素子。

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