JP4376361B2

JP4376361B2 - ＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオード

Info

Publication number: JP4376361B2
Application number: JP20603999A
Authority: JP
Inventors: 隆宇田川
Original assignee: Showa Denko KK
Current assignee: Showa Denko KK
Priority date: 1999-07-21
Filing date: 1999-07-21
Publication date: 2009-12-02
Anticipated expiration: 2019-07-21
Also published as: JP2001036131A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
良好なオーミック接触性を有する酸化物窓層を備えた高輝度のＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオードに関する。
【０００２】
【従来技術】
（Ａｌ_XＧａ_1-X）_YＩｎ_1-YＰ（０≦Ｘ≦１、０＜Ｙ≦１）（以下、ＡｌＧａＩｎＰと略す）多元混晶にあって、特に、インジウム組成比（＝１−Ｙ）を０．５とする（Ａｌ_XＧａ_1-X）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐ（０≦Ｘ≦１）は、砒化ガリウム（ＧａＡｓ）単結晶と良好な格子整合性を果たせる利点がある（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，５７（２７）（１９９０）、２９３７〜２９３９頁参照）。このため、例えば緑色系から赤橙系色を出射する発光ダイオード（ＬＥＤ）或いはレーザーダイオード（ＬＤ）等の発光素子の構成層として利用されている（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６４（２１）（１９９４）、２８３９〜２８４１頁参照）。
【０００３】
従来のｐｎ接合型の、ダブルヘテロ（ＤＨ）構造の高輝度ＬＥＤにあって、ＡｌＧａＩｎＰ発光層が備えられたＤＨ構造発光部の上方には、窓層（ウィンドウ層）を配置するのが通例となっている（ＳＰＩＥ、Ｖｏｌ．３００２（１９９７）、１１０〜１１８頁参照）。窓層は、発光の取り出し効率を向上させるため、発光層からの発光を吸収し難い、発光に対して透明な、禁止帯幅の大きな半導体材料から構成する必要がある。また、窓層は、発光面積を拡大するため、素子動作電流を広範に拡散する役目も担う結晶層であるから、出来る限り低抵抗の物質から構成するのが常套である。
【０００４】
従来、窓層を透明酸化物から構成する例がある。例えば、アメリカ合衆国特許第５，４８１，１２２号の発明のＡｌＧａＩｎＰＬＥＤでは、ｐ形オーミックコンタクト層上に酸化インジウム・錫（ｉｎｄｉｕｍ−ｔｉｎｏｘｉｄｅ：略称ＩＴＯ）層からなる窓層が配置されている。また、酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛や酸化マグネシウムからなる透明被膜を設ける手段が開示されている（特開平１１−１７２２０号公報明細書参照）。
【０００５】
また、ＩＴＯ層を、ＡｌＧａＩｎＰＬＥＤを構成するｐ形ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶層の積層表面の全面に設けた、亜鉛（Ｚｎ）若しくは金（Ａｕ）・Ｚｎ合金膜を介して設ける技術が開示されている（特開平１１−４０２０号公報明細書参照）。ＡｌＧａＩｎＰＬＥＤを構成する半導体結晶材料に比較すれば、この様な金属や合金膜は良導体である。従って、ＩＴＯ窓層上に敷設された電極から流通される素子動作電流をＡｌＧａＩｎＰ発光部に向けて平面的に広範囲に拡散できる利点がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
酸化物窓層側から発光を外部に取り出す方式のＬＥＤにあって、窓層に設けた電極の下方の領域からの発光は、電極に遮蔽されて外部へ効率的に取り出すことができない。従って、発光の取り出し方向に設けた電極の写影領域に流通される動作電流は、外部発光効率の向上に然したる貢献をせず、浪費されることとなる。
【０００７】
特開平１１−４０２０号公報に記載される従来の発明では、酸化物窓層の直下の全面に金属膜が配置される構成となっている。即ち、電極により発光が遮蔽される領域にも、素子動作電流を流通させる構成となっている。このため、効率的な高輝度化が充分に果たせないのが問題となっている。
【０００８】
本発明では、酸化物窓層／金属（合金）層／ｐ形ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ＬＥＤ構成層の積層構造を備えたＡｌＧａＩｎＰＬＥＤにあって、効率的に動作電流を流通できる積層構造を備えたＡｌＧａＩｎＰＬＥＤを提供する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
発明者は、上記の課題を解決すべく鋭意努力検討した結果、本発明に到達した。即ち、本発明は、
［１］発光部、窓層、及び電極を有する発光ダイオードにおいて、発光部が（Ａｌ_XＧａ_1-X）_YＩｎ_1-YＰ（０≦Ｘ≦１、０＜Ｙ≦１）層を含み、窓層が酸化物層を含み、発光部と窓層の間に金属元素を含む層を有し、該金属元素を含む層が積層平面上において非被覆領域を有し、該非被覆領域上に電極を有することを特徴とするｐサイドアップ型の発光ダイオード、
［２］金属元素を含む層が、発光部側の層とオーミック接触していることを特徴とする請求項１に記載のｐサイドアップ型の発光ダイオード、
［３］金属元素を含む層が、ニッケルを含むことを特徴とする［１］または［２］に記載のｐサイドアップ型の発光ダイオード、
［４］金属元素を含む層が、酸化ニッケルを含むことを特徴とする［１］または［２］に記載のｐサイドアップ型の発光ダイオード、
［５］窓層が、酸化亜鉛を含むことを特徴とする［１］〜［４］のいずれか１項に記載のｐサイドアップ型の発光ダイオード、に関する。
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明では、ＡｌＧａＩｎＰ発光層に対して、その上方の発光の取り出し方向に配置されたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶層がｐ形層からなっている、所謂、ｐサイドアップ型のＡｌＧａＩｎＰＬＥＤを対象としている。
【００１１】
本発明の実施形態に係わる金属元素を含む層（以下、金属層と略す）は、ｐサイドアップ型のＡｌＧａＩｎＰＬＥＤを構成し、また、酸化物を含む窓層（以下、酸化物窓層と略す）の被堆積層でもあるｐ形ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶層の表面に次の様な手法をもって形成できる。
（１）被堆積層の全面に一旦、金属層を被着させた後、公知のパターニング技法を利用して電極を形成する予定の領域に対応する金属層を、電極の底面形状に対応させて選択的に除去する方法。
（２）被堆積層の表面の、電極を形成する予定の領域に、電極の底面形状に対応した平面形状をもって、フォトレジスト材等の被覆材で予め被覆した後、金属層を被着させ、リフト−オフ（ｌｉｆｔ−ｏｆｆ）法等を利用して、電極の形成予定領域に在る金属層のみを部分的に除去する方法。
【００１２】
金属層を選択的に除去する領域の平面形状は、電極の平面形状と相似であるのが望ましい。例えば、円形電極にあっては、金属層を除去する領域も円形とするのが望ましい。また、電極の平面形状の中心と金属層を除去する領域の中心とは略合致させるのが望ましい。金属層を除去する領域の平面積は、電極の底面積と略同様とする。金属層を除去する領域の面積を電極の底面積に比べて極端に大とすれば、それだけ酸化物窓層とＬＥＤ構成層との高抵抗な接合領域の面積が増し、動作電流が流通できる領域が縮小する。従って、高輝度化に支障を来す。金属層を除去する領域の平面積は、電極の底面積の大凡、０．７倍から１．２倍の範囲であるのが望ましい。
【００１３】
また本発明では金属層を、ｐ形ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶等の発光部側の層とオーミック接触をなす金属から構成すると、より好ましい酸化物窓層が得られる。ｐ形ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶層とオーミック接合を形成できる金属には、周知の金−亜鉛（Ａｕ−Ｚｎ）合金がある。また、ニッケル（Ｎｉ）などの単体金属がある。また、ニッケル−アルミニウム（Ｎｉ−Ａｌ）合金、ニッケル−金（Ｎｉ−Ａｕ）、ニッケル−チタン（Ｎｉ−Ｔｉ）、ニッケル−銀（Ｎｉ−Ａｇ）、ニッケル−モリブデン（Ｎｉ−Ｍｏ）、ニッケル−銅（Ｎｉ−Ｃｕ）などのＮｉを含む合金がある。これらの金属層は一般的な真空蒸着法、高周波スパッタリング法などを利用して被着できる。
【００１４】
金属層をＮｉや酸化ニッケル（ＮｉＯ）から構成するとＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体構成層と良好なオーミック接触性が発揮されて好ましい。特に、ＮｉＯを用いた場合、透光性に優れる酸化物窓層が構成される。
【００１５】
ＮｉＯからなる金属層は例えば、ＮｉＯからなるターゲット材を用いて被着できる。また、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体構成層の表面上に一旦、Ｎｉ単体からなる膜を被着させた後、それを酸化させて形成できる。また、Ｎｉ単体からなる膜を被着させた後、引き続きその上に窓層をなす酸化物層を堆積し、然る後、熱処理を施せば、酸化物層内に含まれている酸素によりＮｉ膜は酸化され、ＮｉＯに変換される。
【００１６】
酸化物窓層は、例えば、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化錫（ＳｎＯ₂）、酸化インジウム（Ｉｎ₂Ｏ₃）、酸化チタン（ＴｉＯ、ＴｉＯ₂）、酸化ガリウム（Ｇａ₂Ｏ₃）、ＮｉＯ、酸化マンガン（ＭｎＯ）、酸化銅（ＣｕＯ）等から構成できる。また、ＩＴＯなどの複合酸化物から構成できる。特に、ＡｌＧａＩｎＰ発光層から出射される赤橙色帯域の発光を充分に透過できる、禁止帯幅にして約２エレクトロンボルト（ｅＶ）以上の酸化物は窓層の構成材料として好ましく利用できる。禁止帯幅がかくの如く大きく、また、比抵抗にして約１ミリオーム・センチメートル（ｍΩ・ｃｍ）或いはそれ以下の低抵抗率の、導電性の酸化物材料は、ＬＥＤの動作電流を平面的に拡散する電流拡散層を兼用する窓層として優位に利用できる。
【００１７】
窓層は、複数の酸化物結晶層を重層させても構成できる。屈折率を上方に向けて漸次、小となる様に屈折率を相違する酸化物からなる結晶層を重層させれば、発光層から出射される発光を透過するのにより好都合な窓層が構成できる。例えば、下層をＩＴＯとし、上層を酸化亜鉛層とする重層構造窓層の例がある。
【００１８】
ｐ形のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体構成層上に酸化物窓層を設ける本発明にあって、酸化物窓層を、ＺｎＯを主体として構成すると好都合となる。ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶では、亜鉛はｐ形不純物として振る舞う。このため、酸化亜鉛を構成する亜鉛が仮に、ｐ形ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体構成層内に侵入しても、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体はｐ形の伝導を保持でき有利であることに依る。ＺｎＯを主体とする酸化物とは、同物質を主成分として含有する酸化物を指す。例えば、酸化インジウム・亜鉛や酸化ガリウム・亜鉛などの複合酸化物がある。
【００１９】
【実施例】
本実施例では、エピタキシャル積層構造体２０上に、ＺｎＯからなる窓層を備えたＡｌＧａＩｎＰＬＥＤ１０を例にして、本発明を詳細に説明する。図１は本実施例に係わるＬＥＤ１０の断面模式図である。
【００２０】
積層構造体２０は、珪素（Ｓｉ）ドープｎ形ＧａＡｓ単結晶基板１０１、Ｓｉドープｎ形ＧａＡｓ緩衝層１０２、Ｓｉドープｎ形（Ａｌ_0.7Ｇａ_0.3）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐ下部クラッド層１０３、アンドープ（Ａｌ_0.2Ｇａ_0.8）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐ発光層１０４、及びマグネシウム（Ｍｇ）ドープｐ形（Ａｌ_0.7Ｇａ_0.3）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐ上部クラッド層１０５から構成した。エピタキシャル構成層１０２〜１０５の各層は、トリメチルガリウム（（ＣＨ₃）₃Ｇａ）／トリメチルアルミニウム（（ＣＨ₃）₃Ａｌ）／トリメチルインジウム（（ＣＨ₃）₃Ｉｎ）／ホスフィン（ＰＨ₃）系減圧ＭＯ−ＶＰＥ法により７３０℃で成長させた。マグネシウムのドーピング源はビス−シクロペンタジエニルＭｇ（ｂｉｓ−（Ｃ₅Ｈ₅）₂Ｍｇ）を用いた。珪素のドーピング源は、ジシラン（Ｓｉ₂Ｈ₆）を約１０体積ｐｐｍの濃度で含むジシラン−水素混合ガスとした。
【００２１】
基板１０１には、＜０１１＞方向に４゜傾斜したＧａＡｓ単結晶を用いた。基板１０１のキャリア濃度は約２×１０¹⁹ｃｍ^-3で、層厚は約３００μｍであった。ＧａＡｓ緩衝層１０２の層厚（ｄ）は１．５μｍとし、キャリア濃度（ｎ）は約２×１０¹⁸ｃｍ^-3とした。下部クラッド層１０３はｄ＝３．５μｍとし、ｎ＝３×１０¹⁸ｃｍ^-3とした。発光層１０４はｄ＝０．２μｍとし、キャリア濃度（ｐ）＝１×１０¹⁷ｃｍ^-3とした。上部クラッド層１０５はｄ＝１μｍとし、ｐ＝７×１０¹⁷ｃｍ^-3とした。
【００２２】
ｐ形（Ａｌ_0.7Ｇａ_0.3）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐ上部クラッド層１０５の表面には、一般的な真空蒸着法によりＮｉからなる膜１０６を被着させた。膜厚は約１０ｎｍとした。被着直後のＮｉ膜１０６は灰色であるのが視認された。一般的なフォトリソグラフィー技術を利用して、後に酸化物窓層上に設ける電極の底面形状に相似させて、電極を形成する予定の領域に在るＮｉ膜１０６を、直径１３０μｍの円形領域にわたり選択的に除去した。電極の平面形状の中心とＮｉ膜１０６を削除した領域の中心とは略合致させた。
【００２３】
金属層１０６上には、ｎ形の伝導を呈する酸化亜鉛膜からなる窓層１０７を接合させた。酸化物窓層１０７は比抵抗を約９×１０^-4Ω・ｃｍとするＡｌドープ酸化亜鉛から、高周波マグネトロンスパッタリング法により構成した。約３００℃で堆積した酸化亜鉛層の厚さは約０．２５μｍとした。
【００２４】
窓層１０７の表面上には、酸化亜鉛（屈折率＝２．０）よりも小さな屈折率を有するＳｉ₃Ｎ₄（屈折率約１．９）からなる絶縁膜を酸化物窓層１０７の表面保護膜１０８として堆積した。窒化珪素保護膜１０８はモノシラン（ＳｉＨ₄）とアンモニア（ＮＨ₃）を原料とする公知のプラズマＣＶＤ法により被着させた。層厚は約０．１５μｍとした。
【００２５】
ｎ形ＧａＡｓ基板１０１の裏面には、金（Ａｕ）−ゲルマニウム（Ｇｅ）合金（Ａｕ９５重量％−Ｇｅ５重量％）膜を一般的な真空蒸着法により被着させた。膜厚は約０．５μｍとした。然る後、アルゴン（Ａｒ）気流中に於いて４３０℃で１０分間、アロイング（ａｌｌｏｙｉｎｇ）処理を施して、ｎ形オーミック電極１１０となした。
【００２６】
アロイ（ａｌｌｏｙ）処理後にあっては、上記のＮｉ膜１０６は脱色され、略透明となるのが視認された。これは、Ｎｉ膜１０６の上層をなす酸化亜鉛膜１０７に含有される酸素により、Ｎｉ膜１０６が酸化ニッケル（ＮｉＯ）に変換されたためと考えられる。
【００２７】
次に、ｐ形電極１０９を形成する領域にある窒化珪素保護膜１０８を公知のフォトリソグラフィー技術を利用して部分的に除去した。窒化珪素保護膜１０８が除去され、窓層１０７をなす酸化亜鉛層が露出された領域には、酸化亜鉛層に接する下底部１０９ａをＴｉとし、上層部１０９ｂをＡｌとした重層構造のｐ形電極１０９を形成した。ｐ形電極１０９は、直径を約１２０μｍとする円形電極とした。
【００２８】
ｐ形電極１０９及びｎ形オーミック電極１１０間に順方向に２０ミリアンペア（ｍＡ）の電流を通流したところ、窓層１０７の略全面からほぼ一様に赤橙色の発光が得られた。分光器により測定された発光波長は約６１８ｎｍであった。また、発光スペクトルの半値幅は約１９ｎｍであり、単色性に優れる発光が得られた。また、金属層１０６の配備により上部クラッド層１０５と窓層１０７との間のオーミック接合性は良好となった。このため、順方向電圧（＠２０ｍＡ）は平均して２．１ボルト（Ｖ）に低減された。また、ＬＥＤ間の順方向電圧は２．１Ｖ±０．１Ｖの均一な範囲に収納された。発光強度は約６６ミリカンデラ（ｍｃｄ）に到達した。
【００２９】
（比較例）
実施例１に記載のエピタキシャル積層構造体の最表面をなすｎ形（Ａｌ_0.7Ｇａ_0.3）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐ上部クラッド層の表面上に、Ｎｉ（ＮｉＯ）膜を介在させずに直接、酸化亜鉛からなる酸化物窓層を接合させて、ＡｌＧａＩｎＰＬＥＤを構成した。
【００３０】
実施例１に記載の手法により形成したＡｌＧａＩｎＰＬＥＤは、順方向電流を２０ｍＡとした際の順方向電圧は約６Ｖと高い値となった。酸化物窓層とＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体構成層との間に金属層を介在させていないために、両層間でのオーミック接触性が不良であることに因る。発光の中心波長は、実施例１と略同様に約６１８ｎｍであった。また、酸化物窓層の略全般から発光が認められず、窓層上の電極の、外周縁の極く周辺のみから発光が認められるに過ぎなかった。発光面積が極端に限定されたため、チップ状態での発光強度は約２０ｍｃｄに留まった。本比較例に記す如く、金属層を電極の平面形状に関係する特定の位置に配置しない従来の構成では、オーミック接触性に優れるが故に順方向電圧が低く、高輝度のＡｌＧａＩｎＰＬＥＤを得るに不利であることが証された。
【００３１】
【発明の効果】
本発明に依れば、ＡｌＧａＩｎＰＬＥＤの酸化物窓層で良好なオーミック接触性が得られ、また発光面に動作電流を拡散できるため、順方向電圧が低く均一で、かつ発光効率に優れる高輝度の素子が提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１に記載のＬＥＤの断面模式図である。
【符号の説明】
１０ＡｌＧａＩｎＰＬＥＤ
２０積層構造体
１０１ＧａＡｓ単結晶基板
１０２ＧａＡｓ緩衝層
１０３下部クラッド層
１０４発光層
１０５上部クラッド層
１０６金属層
１０７酸化物窓層
１０８保護膜
１０９ｐ形電極
１０９ａｐ形電極下底層
１０９ｂｐ形電極上層
１１０ｎ形オーミック電極

Claims

裏面にｎ形オーミック電極を備えたｎ形ＧａＡｓ基板上に設けられたｐ形（Ａｌ_XＧａ_1-X）_YＩｎ_YＰ、０≦Ｘ≦１、０＜Ｙ≦１）層を備えた発光部、金属酸化物からなる窓層、及び窓層上に設けられたｐ形電極を有するｐサイドアップ型のＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオードにおいて、ｐ型電極の下部領域に光を透過する金属酸化物からなる窓層が設けられ、前記下部領域以外の領域にはＮｉＯ層がｐ形（Ａｌ_XＧａ_1-X）_YＩｎ_YＰ、０≦Ｘ≦１、０＜Ｙ≦１）層の表面に直接オーミック接触して設けられ、該ＮｉＯ層上に光を透過する金属酸化物からなる窓層が設けられ、この窓層上には窓層の表面保護膜が設けられてなり、前記電極の下部領域が電極の平面形状と相似形であり、かつ中心が略一致し、面積が電極の底面の０．７〜１．２倍であるｐサイドアップ型のＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオード。
窓層の金属酸化物が、ＺｎＯを主体とする金属酸化物であることを特徴とする請求項１に記載のｐサイドアップ型のＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオード。
窓層が、ＺｎＯを主体とする金属酸化物層と、その層とは屈折率を相違する金属酸化物層とを備えた重層構造から構成されていることを特徴とする請求項１または２に記載のｐサイドアップ型のＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオード。
窓層が、上方に向けて、屈折率をより小とする、金属酸化物層を順次、重層させた重層構造から構成されていることを特徴とする請求項３に記載のｐサイドアップ型のＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオード。
窓層上に設けられている表面保護膜が、ＺｎＯを主体とする金属酸化物層より小さな屈折率を有する材料から構成されていることを特徴とする請求項２乃至４の何れか１項に記載のｐサイドアップ型のＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオード。
表面保護膜が窒化珪素（Ｓｉ₃Ｎ₄）から構成されていることを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載のｐサイドアップ型のＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオード。
ｐ形電極が、表面保護膜を部分的に除去して露出させた窓層に接して設けられていることを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載のｐサイドアップ型のＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオード。
ＺｎＯを主体とする金属酸化物層がアルミニウム（元素記号：Ａｌ）をドープしたｎ形ＺｎＯを主体とするから金属酸化物層から構成されていることを特徴とする請求項２乃至７の何れか１項に記載のｐサイドアップ型のＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオード。
裏面にｎ形オーミック電極を備えたｎ形ＧａＡｓ基板上にｐ形（Ａｌ_XＧａ_1-X）_YＩｎ_YＰ、０≦Ｘ≦１、０＜Ｙ≦１）層を備えた発光部、金属酸化物からなる窓層、窓層上にｐ形電極、及びｐ型電極の下部領域に光を透過する金属酸化物からなる窓層をそれぞれ設け、前記下部領域以外の領域にはＮｉＯ層をｐ形（Ａｌ_XＧａ_1-X）_YＩｎ_YＰ、０≦Ｘ≦１、０＜Ｙ≦１）層の表面に直接オーミック接触して設け、該ＮｉＯ層上に光を透過する金属酸化物からなる窓層を設け、この窓層上に窓層の表面保護膜を設けてなり、前記電極の下部領域が電極の平面形状と相似形であり、かつ中心が略一致し、面積が電極の底面の０．７〜１．２倍であるｐサイドアップ型のＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオードの製造方法において、ｐ形（Ａｌ_XＧａ_1-X）_YＩｎ_YＰ、０≦Ｘ≦１、０＜Ｙ≦１）層上に、Ｎｉ膜を被着させた後、ｐ形電極の前記下部領域に在るＮｉ膜を選択的に除去し、その後、Ｎｉ膜を除去した領域上及び残存しているＮｉ膜上に前記金属酸化物膜を被着させ、その後、熱処理をして該金属酸化物膜を成す酸素によりＮｉ膜を酸化してＮｉＯ層を形成することを特徴とするｐサイドアップ型のＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオードの製造方法。
Ｎｉ膜を除去した領域上及び残存しているＮｉ膜上に上記金属酸化物膜を被着させ、その後、ＧａＡｓ基板の裏面にｎ形電極とする金属材料を被着させ、熱処理を施して、オーミック接触性のＮｉＯ層とｎ形オーミック電極とを同時に形成することを特徴とする請求項９に記載のｐサイドアップ型のＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオードの製造方法。