JP2005005657A - 電界効果トランジスタの結晶層構造 - Google Patents
電界効果トランジスタの結晶層構造 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005005657A JP2005005657A JP2003195346A JP2003195346A JP2005005657A JP 2005005657 A JP2005005657 A JP 2005005657A JP 2003195346 A JP2003195346 A JP 2003195346A JP 2003195346 A JP2003195346 A JP 2003195346A JP 2005005657 A JP2005005657 A JP 2005005657A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- layer
- gan
- substrate
- layer structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
【課題】SiC,結晶、サファイヤ結晶、シリコン結晶を結晶基板とする、GaN,AlGaNエピタキシャル結晶は、基板との結晶格子不整合による、結晶欠陥やクラック(機械的破壊)が生じる。その結果、この結晶を用いたデバイス特性が著しく低下する。
【解決手段】シリコン結晶基板とGaN、AlGaNエピタキシャル動作層間にBP(リン化ボロン)結晶(キュービック結晶構造)層、さらに、GaN/AlN超格子構造層をバッファー層の上に、連続的にGaN,やAlGaN動作結晶層構造をとることにより、動作層中への結晶欠陥を低減できる。その結果、デバイスの高周波特性をはじめとするデバイス特性を大幅に改善できる。
また、シリコン結晶基板の動作層部分のみ、GAN,AlGaN動作結晶層を選択的に成長することにより、動作層への結晶欠陥を低減できる。またエピタキシャル結晶成長後の基板結晶とエピタキシャル結晶界面ストレスによる結晶基板の“反り”を防ぐことができる。
【選択図】 図2
【解決手段】シリコン結晶基板とGaN、AlGaNエピタキシャル動作層間にBP(リン化ボロン)結晶(キュービック結晶構造)層、さらに、GaN/AlN超格子構造層をバッファー層の上に、連続的にGaN,やAlGaN動作結晶層構造をとることにより、動作層中への結晶欠陥を低減できる。その結果、デバイスの高周波特性をはじめとするデバイス特性を大幅に改善できる。
また、シリコン結晶基板の動作層部分のみ、GAN,AlGaN動作結晶層を選択的に成長することにより、動作層への結晶欠陥を低減できる。またエピタキシャル結晶成長後の基板結晶とエピタキシャル結晶界面ストレスによる結晶基板の“反り”を防ぐことができる。
【選択図】 図2
Description
【0001】
【GaN系高周波、高速デバイスの特徴】
GaN(窒化ガリウム)を初めとする広いバンド帯幅を用いた高周波デバイスは、GaAs(ひ化ガリウム)やSi(シリコン)結晶を用いた高周波デバイスよりも、数多くの有利な特性を持っている。この理由は、GaN系結晶が持つ物性パラメーターが多くの利点を持っているからである。
例えば、GaNのバンドギャップがSi結晶,やGaAs結晶と比べて3倍程広いことから、その広さに関連して、絶縁破壊電界が約1桁大きくなり、Si,GaAs,系高周波デバイスよりも高耐圧化が可能なる。その結果、高い電圧を印加して、高電流を流すことが可能となり、高出力化に適している。また比誘電率が1/3程小さいことから、GaN系高周波デバイスはより高周波動作に向いている。また電子飽和速度が3倍大きいことから、GaN系デバイスは高周波動作、高出力動作に適している。また熱伝導度がGaAsに比べて3倍大きいことから、熱抵抗が小さくなり、その結果、熱放散がよく大出力化に向いている。
上記のことをまとめると、GaN系高周波デバイスは、高出力、高効率、高直線性、高利得性、対環境性、に優れている。
【0002】
【従来技術の問題点】
しかし、生産性、低価格化には問題がある。それは、基板材料として、格子整合したGaNバルク結晶の大面積化は困難であり、高額となる、またほぼGaN結晶と格子整合したSiC結晶は昇華法等の結晶成長で作成されるため、結晶基板ウエハは、やはり高額となる。大面積が得られるサファイヤ結晶基板も大面積が得られるが、高額であるとともに、GaNとの結晶格子整合性が13%もあり、サファイヤ(Al2O3)結晶基板上にエピタキシャル結晶成長した結晶層に結晶欠陥が導入されて、デバイス特性が著しく低下する原因となる。
【0003】
【解決策の従来からある問題点】
そこで、GaN系デバイス結晶に、大面積でかつ生産性が高く、SiC、やサファイヤ結晶基板に比べて低価格なシリコン結晶基板を用いることにができれば、大幅な大面積化、低価格化をはかることができる。しかしながら、シリコン結晶とGaN結晶とは、サファイヤ結晶同様に、約14%程の格子不整合性があるため、シリコン結晶基板上にエピタキシャル結晶成長した結晶成長層には多くの結晶欠陥の導入による結晶特性の劣化、あるいは、エピタキシャル結晶成長後に結晶格子不整合による界面歪にともなう結晶基板が“反る“現象が表れる。
【0004】
【従来の問題点の解決策】
しかし、本特許のBP結晶層をバッファー結晶成長層として、シリコン結晶基板とエピタキシャル結晶動作層間に導入することにより、エピタキシャル結晶動作層中に結晶格子不整合性に伴う結晶欠陥密度が大幅に低減できる、動作層結晶特性が大幅に改善されること、あるいは、結晶成長後の基板の“反り”が全くな事が判明した。その結果、デバイスの高周波特性も、サファイヤやSiC結晶基板を用いたよりも大幅に改善可能な事が判明した。
【0005】
【解決策のBP結晶成長法の詳細説明】
図1は、GaN系FET結晶層構造である。結晶成長法はMOCVD(Metal−Organi Chemical Vapor Deposition)有機金属熱分解法を用いた。キャリアガスは高純度水素を用いた。流量は(150cc/min)である。BP結晶成長膜作製の原料には、PCl3(三塩化リン)、BPCl3(三塩化ボロン)を用いた。
結晶成長法は下記の如くである。MOCVD成長炉内にシリコン(100)結晶基板(1)を設置する。このシリコン結晶基板を高純度水素(He)キャリアガス内で、1050℃に加熱する。しかる後、PCl3(0.5cc/min),BCl3(0.3cc/min)を導入して、BP(2)結晶層を0.1μmを成長する。しかる後、連続して、PCl3(0.5cc/min),BCl3(0.3cc/min)導入から、Ga原料としてはTMG(トリメチルガリウム)、Nの原料としてはNH3(アンモニア)ガスに切り替えることにより、GaNバッファー層(3)を3μm厚となるようにエピタキシャル成長した。更に、連続して、ドーパントSiの導入には、SiH4(モノシラン)ガスを用いて、GaN動作層(4)を成長中にSiをドーピングしてキャリア濃度、n型で、3〜4x1018cm−3になるように制御した。GaNバッファー層とGaN動作層の成長中は、成長炉の中のV族原子の窒素(N)とIII族原子のガリウム(Ga)の組成比(V/III比)が約5000となるようにGa,とNの蒸気圧を調整した。
【0006】
【本解決策による結晶構造を用いたGaN−MESFWT実施例】
FETデバイス作製を下記に述べる。上記の結晶成長で作製された結晶基板(ウエハ)上に、リソグラフィー技術を用いて、ソース電極(5)とドレイン電極(6)となる部分を穴あけして、この上に、Ti/Al/Pt金属を蒸着法により堆積する。しかる後、ウエハを瞬間アロイ炉に入れ850℃、30秒間の瞬間アニルを行うと、ソース電極、ドレイン電極同時に接触抵抗が低減して、オーミック接合ができる。ソース電極、ドレイン電極の接触抵抗(コンタクト)は 6x10−8ohm−cm−2となる。次に、リソグラフィー技術を用いて、ソース電極とドレイン電極の間に、ゲート電極となる部分を形成する。この部分にTi/Au,或いはTi/N等の金属を蒸着すると、ショットキーゲート電極(7)が形成できる。しかる後、ウエハをデバイスチップごとにダイシング分離する。このチップをステムにダイボンド(AuSnソルダーで貼り付け)したあと、各電極にワイヤかけるとGaN−FETが完成する。
【0007】
【GaN−HEMTデバイス結晶構造の結晶成長】
図2は、AlGaN/GaN高電子移動度トランジスター(HEMT)への実施例である。前述GaN−FETの結晶成長装置にAl(アルミニューム)の原料としてTMA(トリメチルアルミニューム)を取り付けた。シリコン結晶基板(8)(100)(面方位)をMOCVD結晶成長装置の基板ホルダーに装着して、結晶基板温度(成長温度)を1050℃に昇温する。前述のGaN−FETの結晶成長法と同様に、PCl3(0.5cc/min),BCl3(0.3cc/min)を導入して、BPバッファー結晶層(9)を600nm厚成長する。引き続き連続して、BPとGaN結晶格子不整合による結晶欠陥を低減するために、AlN/GaN(各10nm厚)からなる超格子バッファー結晶層(10)を10層成長する。しかる後連続して、GaNノンドープ動作層(11)を2μm成長した。引き続き連続して、AlGaNスペーサー層(12)を20nm成長する。引き続き連続して、SiをドープすることによりAlGaNドナー供給層(13)を成長する。モノシランドーパントの導入ガス流用を制御して、AlGaNドナー供給層のキャリア濃度が5x1018cm−3を作製した。更に連続してAlGaNキャップ層(14)を成長してAlGaN/GaN−HEMTのデバイス結晶層構造は完成する。GaN動作層とAlGaNスペーサー層間のGaN動作層側に2次元電子ガス層(15)が形成される。
【0008】
【GaN−HEMT実施例】
HEMTのデバイス作成実施例は、前述のGaN−FETと同様である。まず、通常のリソグラフィー技術を用いて各電極のパター形成を行い、しかる後、Ti/Al/Pt金属を蒸着して、オーミック電極のソース電極(16)、ドレイン電極(17)を AlGaNキャップ層表面上に形成させる。しかる後、850℃30秒のRTA(瞬間熱アニール)を行い両電極のオーミック化を行う。コンタクト抵抗は6x10−8ohm−cm−2となる。次に、ゲート長0.3μmとなるようにゲート部分のパターンをリソグラフィーで形成する。この部分にTi/N金属を蒸着して、ショットキー型のゲート電極(18)を形成する。GaN−FET同様に、完成したウエハをデバイスチップにダイシングして、ステムにダイボンディングして配線のワイヤリングを行うと完成する。
【0009】
【GaN−HEMTの高周波デバイス特性】
このAlGaN/GaN−FETの高周波特性測定の結果、相互コンダクタンス(gm)は120mS/mm、最高遮断周波数(fT)は125GHzとなり、GaAsMESFETとほぼ遜色のない結果が得られた。しかも、ドレイン耐圧は45Vと高く、GaN系デバイスの高耐圧性の特徴を示している。また、デバイスのI−V測定にもルーピング等のヒステレシスも観測されず、結晶品質がGaAs MESFET(Metal−Schottky Field Effect Transistor)の結晶と遜色ないことが証明できた。
【0010】
【シリコン結晶基板全面にBPを結晶成長した場合の問題点】
シリコン基板上に全面にBPバッファーエピタキシャル成長すると、僅かな格子不整合に伴うシリコン基板とBPバッファー層界面にストレスが働く。或いはシリコン結晶とBP結晶の熱膨張係数の違いによるストレスが界面に働く。その結果、ストレスを緩和するために、BP上に結晶欠陥が生じたり、あるいは、基板が反るとの現象が現れる。この現象を低減して、エピタキシャル基板の反りを低減し、あるいは、界面ストレスに起因する格子欠陥を低減する必要がある。
【0011】
【シリコン結晶基板全面にBPを成長した場合の問題点の解決策】
トランジスターの動作層として必要な部分にのみGaN系のエピタキシャル成長を行い、電極パッドや配線等のエピタキシャル結晶の不必要な部分にはGaN系の結晶エピタキシャル結晶成長を行わない、いわゆる選択エピタキシャル成長を行うと、格子不整合に伴うエピタキシャル結晶基板の“反り”が低減できるばかりか、動作層に格子不整合に伴う誘起結晶格子欠陥が著しく低減できる。
エピタキシャル基板上に高周波デバイスを作成する場合、動作層領域面積とソース電極、ドレイン電極、ゲート電極パッド、配線部分の面積、各電極分離スペース面積との割合は、1/3〜1/6程度であるため、前述の誘起結晶格子欠陥の低減や結晶基板の“反り”を低減するため、トランジスタの動作層として必要な部分のみ結晶成長行う,いわゆる選択結晶成長の実施例について説明を行う。
【0012】
【シリコン結晶基板上のBP結晶の選択結晶成長法】
結晶前にシリコン結晶基板全面にSiO2のシリコン酸化多結晶膜、あるいはアモロファス薄膜、AlN等の窒化アルミニユーム膜を堆積する。しかる後、リソグラフィー法を用いて動作層部分をパターニングして、その後 この動作部分をエッチング法により取り去りシリコン結晶基板表面を出す。その後、前記の所望のデバイスに必要な結晶層構造のエピタキシャル結晶成長を行う。するとデバイスの動作層となる部分の結晶特性はBPバッファー層結晶格子不整合に伴う誘起結晶欠陥密度を著しく低減できる。さらに、動作層の結晶特性を大幅に改善できるばかりでなく、エピタシャル基板全面の反りを著しく低減できる。それ故、2インチ径のウエハではそれほど目立たない反りも、6〜8インチ径のウエハを用いた場合には、この効果は著しく低減できることがわかった。この原因は、シリコン結晶基板とエピタキシャル結晶層界面のストレスを著しく緩和できているためである。その結果、動作層には、著しく格子欠陥を低減されていることが分かった。また、ソース、ドレイン、ゲート電極下に直接、選択成長酸化膜、あるいは窒化膜を用いることにより、絶縁性と寄生容量低減を図ることができるため、デバイスの高周波特性も著しく改善される。その結果、この選択成長によるデバイス動作層の作成技術は、デバイスのプロセス工程が単純化され デバイスの生産性向上と低価格化に大幅に寄与するでけでなく、デバイス特性向上にも大幅に寄与する。図3に選択成長のウエハパターニングの実施概略を示す。
【0013】
【BPをバッファー層とするFETの問題点】
FETは基板表面を電流が流れる構造のため、動作層以外に、基板、あるいは、バッファー層に電流が流れると、著しくその高周波特性を劣化させる。それ故、基板、あるいはバッファー層の高抵抗化は必要不可欠である。更に、BPバッファー層上部に結晶成長する結晶が、n型、あるいはn−型の場合に、BPがp型あるいはp−型であるとBP結晶成長層と上部動作層間にpn接合、あるいは、pin接合ができ、FET高周波特性を著しく劣化せしめる。所謂 基板バイアス効果が生じて、I/V特性にヒステレシス現象が表れたり、線形性が劣化したり、また高周波応答特性が劣化する。
【0014】
【BPバッファー結晶層の高抵抗化策】
まずBPエピタキシャルバッファー層を更なる高抵抗化するために、バッファー層の結晶成長時に深い不純物準位を形成する不純物をドーピングする必要がある。深い不純物準位を形成する不純物として、Cr(クローム),Co(コバルト),Fe(鉄)、Sr(ストロンチューム)・・・等があり、この不純物をドーピングすることにより、BP結晶層の更なる高抵抗化をはかることができる。この不純物のドーピング方法は、MOCVD結晶成長炉内に高純度金属不純物ドーパント(Cr、Fe,Co,Sr・・・)等を設置する。このドーパントを625℃に設定する。このドーパントに、水素キャリアガスによる塩素(HCl)のバブリングから得られたH+HCl(150cc/min.)をBPバッファー結晶層の成長時に導入することにより、BPバッファー層の高抵抗化を図ることができる。いずれも最高の比抵抗値1〜5x109ohm/cm2を得ることができた。
【0015】
【AlNバッファー層の高抵抗化策】
また、BP結晶層上のAlNバッファー層を成長する場合には、僅かにO(酸素)をドーピングすることにより、最高の比抵抗率1〜5x109ohm/cm2を得ることができた。このBPバッファー層の高抵抗化、あるいは、BP上のAlN等のバッファー層の高抵抗化により、デバイスの動作時のBP,あるいはAlNバッファー層を流れるリーク(漏洩)電流を低減でき、更に、基板バイアス効果も低減でき、寄生容量も低減でき、大幅にデバイスの高周波特性を改善できた。
【図面の簡単な説明】
【図1】GaN−MESFET(金属−ショットキー接合型電界効果トランジスタ)を示した断面図
【図2】GaN/GaAlN−HEMT(高電子移動度トランジスタ)を示した断面図
【図3】選択成長のパターン模式図
【GaN系高周波、高速デバイスの特徴】
GaN(窒化ガリウム)を初めとする広いバンド帯幅を用いた高周波デバイスは、GaAs(ひ化ガリウム)やSi(シリコン)結晶を用いた高周波デバイスよりも、数多くの有利な特性を持っている。この理由は、GaN系結晶が持つ物性パラメーターが多くの利点を持っているからである。
例えば、GaNのバンドギャップがSi結晶,やGaAs結晶と比べて3倍程広いことから、その広さに関連して、絶縁破壊電界が約1桁大きくなり、Si,GaAs,系高周波デバイスよりも高耐圧化が可能なる。その結果、高い電圧を印加して、高電流を流すことが可能となり、高出力化に適している。また比誘電率が1/3程小さいことから、GaN系高周波デバイスはより高周波動作に向いている。また電子飽和速度が3倍大きいことから、GaN系デバイスは高周波動作、高出力動作に適している。また熱伝導度がGaAsに比べて3倍大きいことから、熱抵抗が小さくなり、その結果、熱放散がよく大出力化に向いている。
上記のことをまとめると、GaN系高周波デバイスは、高出力、高効率、高直線性、高利得性、対環境性、に優れている。
【0002】
【従来技術の問題点】
しかし、生産性、低価格化には問題がある。それは、基板材料として、格子整合したGaNバルク結晶の大面積化は困難であり、高額となる、またほぼGaN結晶と格子整合したSiC結晶は昇華法等の結晶成長で作成されるため、結晶基板ウエハは、やはり高額となる。大面積が得られるサファイヤ結晶基板も大面積が得られるが、高額であるとともに、GaNとの結晶格子整合性が13%もあり、サファイヤ(Al2O3)結晶基板上にエピタキシャル結晶成長した結晶層に結晶欠陥が導入されて、デバイス特性が著しく低下する原因となる。
【0003】
【解決策の従来からある問題点】
そこで、GaN系デバイス結晶に、大面積でかつ生産性が高く、SiC、やサファイヤ結晶基板に比べて低価格なシリコン結晶基板を用いることにができれば、大幅な大面積化、低価格化をはかることができる。しかしながら、シリコン結晶とGaN結晶とは、サファイヤ結晶同様に、約14%程の格子不整合性があるため、シリコン結晶基板上にエピタキシャル結晶成長した結晶成長層には多くの結晶欠陥の導入による結晶特性の劣化、あるいは、エピタキシャル結晶成長後に結晶格子不整合による界面歪にともなう結晶基板が“反る“現象が表れる。
【0004】
【従来の問題点の解決策】
しかし、本特許のBP結晶層をバッファー結晶成長層として、シリコン結晶基板とエピタキシャル結晶動作層間に導入することにより、エピタキシャル結晶動作層中に結晶格子不整合性に伴う結晶欠陥密度が大幅に低減できる、動作層結晶特性が大幅に改善されること、あるいは、結晶成長後の基板の“反り”が全くな事が判明した。その結果、デバイスの高周波特性も、サファイヤやSiC結晶基板を用いたよりも大幅に改善可能な事が判明した。
【0005】
【解決策のBP結晶成長法の詳細説明】
図1は、GaN系FET結晶層構造である。結晶成長法はMOCVD(Metal−Organi Chemical Vapor Deposition)有機金属熱分解法を用いた。キャリアガスは高純度水素を用いた。流量は(150cc/min)である。BP結晶成長膜作製の原料には、PCl3(三塩化リン)、BPCl3(三塩化ボロン)を用いた。
結晶成長法は下記の如くである。MOCVD成長炉内にシリコン(100)結晶基板(1)を設置する。このシリコン結晶基板を高純度水素(He)キャリアガス内で、1050℃に加熱する。しかる後、PCl3(0.5cc/min),BCl3(0.3cc/min)を導入して、BP(2)結晶層を0.1μmを成長する。しかる後、連続して、PCl3(0.5cc/min),BCl3(0.3cc/min)導入から、Ga原料としてはTMG(トリメチルガリウム)、Nの原料としてはNH3(アンモニア)ガスに切り替えることにより、GaNバッファー層(3)を3μm厚となるようにエピタキシャル成長した。更に、連続して、ドーパントSiの導入には、SiH4(モノシラン)ガスを用いて、GaN動作層(4)を成長中にSiをドーピングしてキャリア濃度、n型で、3〜4x1018cm−3になるように制御した。GaNバッファー層とGaN動作層の成長中は、成長炉の中のV族原子の窒素(N)とIII族原子のガリウム(Ga)の組成比(V/III比)が約5000となるようにGa,とNの蒸気圧を調整した。
【0006】
【本解決策による結晶構造を用いたGaN−MESFWT実施例】
FETデバイス作製を下記に述べる。上記の結晶成長で作製された結晶基板(ウエハ)上に、リソグラフィー技術を用いて、ソース電極(5)とドレイン電極(6)となる部分を穴あけして、この上に、Ti/Al/Pt金属を蒸着法により堆積する。しかる後、ウエハを瞬間アロイ炉に入れ850℃、30秒間の瞬間アニルを行うと、ソース電極、ドレイン電極同時に接触抵抗が低減して、オーミック接合ができる。ソース電極、ドレイン電極の接触抵抗(コンタクト)は 6x10−8ohm−cm−2となる。次に、リソグラフィー技術を用いて、ソース電極とドレイン電極の間に、ゲート電極となる部分を形成する。この部分にTi/Au,或いはTi/N等の金属を蒸着すると、ショットキーゲート電極(7)が形成できる。しかる後、ウエハをデバイスチップごとにダイシング分離する。このチップをステムにダイボンド(AuSnソルダーで貼り付け)したあと、各電極にワイヤかけるとGaN−FETが完成する。
【0007】
【GaN−HEMTデバイス結晶構造の結晶成長】
図2は、AlGaN/GaN高電子移動度トランジスター(HEMT)への実施例である。前述GaN−FETの結晶成長装置にAl(アルミニューム)の原料としてTMA(トリメチルアルミニューム)を取り付けた。シリコン結晶基板(8)(100)(面方位)をMOCVD結晶成長装置の基板ホルダーに装着して、結晶基板温度(成長温度)を1050℃に昇温する。前述のGaN−FETの結晶成長法と同様に、PCl3(0.5cc/min),BCl3(0.3cc/min)を導入して、BPバッファー結晶層(9)を600nm厚成長する。引き続き連続して、BPとGaN結晶格子不整合による結晶欠陥を低減するために、AlN/GaN(各10nm厚)からなる超格子バッファー結晶層(10)を10層成長する。しかる後連続して、GaNノンドープ動作層(11)を2μm成長した。引き続き連続して、AlGaNスペーサー層(12)を20nm成長する。引き続き連続して、SiをドープすることによりAlGaNドナー供給層(13)を成長する。モノシランドーパントの導入ガス流用を制御して、AlGaNドナー供給層のキャリア濃度が5x1018cm−3を作製した。更に連続してAlGaNキャップ層(14)を成長してAlGaN/GaN−HEMTのデバイス結晶層構造は完成する。GaN動作層とAlGaNスペーサー層間のGaN動作層側に2次元電子ガス層(15)が形成される。
【0008】
【GaN−HEMT実施例】
HEMTのデバイス作成実施例は、前述のGaN−FETと同様である。まず、通常のリソグラフィー技術を用いて各電極のパター形成を行い、しかる後、Ti/Al/Pt金属を蒸着して、オーミック電極のソース電極(16)、ドレイン電極(17)を AlGaNキャップ層表面上に形成させる。しかる後、850℃30秒のRTA(瞬間熱アニール)を行い両電極のオーミック化を行う。コンタクト抵抗は6x10−8ohm−cm−2となる。次に、ゲート長0.3μmとなるようにゲート部分のパターンをリソグラフィーで形成する。この部分にTi/N金属を蒸着して、ショットキー型のゲート電極(18)を形成する。GaN−FET同様に、完成したウエハをデバイスチップにダイシングして、ステムにダイボンディングして配線のワイヤリングを行うと完成する。
【0009】
【GaN−HEMTの高周波デバイス特性】
このAlGaN/GaN−FETの高周波特性測定の結果、相互コンダクタンス(gm)は120mS/mm、最高遮断周波数(fT)は125GHzとなり、GaAsMESFETとほぼ遜色のない結果が得られた。しかも、ドレイン耐圧は45Vと高く、GaN系デバイスの高耐圧性の特徴を示している。また、デバイスのI−V測定にもルーピング等のヒステレシスも観測されず、結晶品質がGaAs MESFET(Metal−Schottky Field Effect Transistor)の結晶と遜色ないことが証明できた。
【0010】
【シリコン結晶基板全面にBPを結晶成長した場合の問題点】
シリコン基板上に全面にBPバッファーエピタキシャル成長すると、僅かな格子不整合に伴うシリコン基板とBPバッファー層界面にストレスが働く。或いはシリコン結晶とBP結晶の熱膨張係数の違いによるストレスが界面に働く。その結果、ストレスを緩和するために、BP上に結晶欠陥が生じたり、あるいは、基板が反るとの現象が現れる。この現象を低減して、エピタキシャル基板の反りを低減し、あるいは、界面ストレスに起因する格子欠陥を低減する必要がある。
【0011】
【シリコン結晶基板全面にBPを成長した場合の問題点の解決策】
トランジスターの動作層として必要な部分にのみGaN系のエピタキシャル成長を行い、電極パッドや配線等のエピタキシャル結晶の不必要な部分にはGaN系の結晶エピタキシャル結晶成長を行わない、いわゆる選択エピタキシャル成長を行うと、格子不整合に伴うエピタキシャル結晶基板の“反り”が低減できるばかりか、動作層に格子不整合に伴う誘起結晶格子欠陥が著しく低減できる。
エピタキシャル基板上に高周波デバイスを作成する場合、動作層領域面積とソース電極、ドレイン電極、ゲート電極パッド、配線部分の面積、各電極分離スペース面積との割合は、1/3〜1/6程度であるため、前述の誘起結晶格子欠陥の低減や結晶基板の“反り”を低減するため、トランジスタの動作層として必要な部分のみ結晶成長行う,いわゆる選択結晶成長の実施例について説明を行う。
【0012】
【シリコン結晶基板上のBP結晶の選択結晶成長法】
結晶前にシリコン結晶基板全面にSiO2のシリコン酸化多結晶膜、あるいはアモロファス薄膜、AlN等の窒化アルミニユーム膜を堆積する。しかる後、リソグラフィー法を用いて動作層部分をパターニングして、その後 この動作部分をエッチング法により取り去りシリコン結晶基板表面を出す。その後、前記の所望のデバイスに必要な結晶層構造のエピタキシャル結晶成長を行う。するとデバイスの動作層となる部分の結晶特性はBPバッファー層結晶格子不整合に伴う誘起結晶欠陥密度を著しく低減できる。さらに、動作層の結晶特性を大幅に改善できるばかりでなく、エピタシャル基板全面の反りを著しく低減できる。それ故、2インチ径のウエハではそれほど目立たない反りも、6〜8インチ径のウエハを用いた場合には、この効果は著しく低減できることがわかった。この原因は、シリコン結晶基板とエピタキシャル結晶層界面のストレスを著しく緩和できているためである。その結果、動作層には、著しく格子欠陥を低減されていることが分かった。また、ソース、ドレイン、ゲート電極下に直接、選択成長酸化膜、あるいは窒化膜を用いることにより、絶縁性と寄生容量低減を図ることができるため、デバイスの高周波特性も著しく改善される。その結果、この選択成長によるデバイス動作層の作成技術は、デバイスのプロセス工程が単純化され デバイスの生産性向上と低価格化に大幅に寄与するでけでなく、デバイス特性向上にも大幅に寄与する。図3に選択成長のウエハパターニングの実施概略を示す。
【0013】
【BPをバッファー層とするFETの問題点】
FETは基板表面を電流が流れる構造のため、動作層以外に、基板、あるいは、バッファー層に電流が流れると、著しくその高周波特性を劣化させる。それ故、基板、あるいはバッファー層の高抵抗化は必要不可欠である。更に、BPバッファー層上部に結晶成長する結晶が、n型、あるいはn−型の場合に、BPがp型あるいはp−型であるとBP結晶成長層と上部動作層間にpn接合、あるいは、pin接合ができ、FET高周波特性を著しく劣化せしめる。所謂 基板バイアス効果が生じて、I/V特性にヒステレシス現象が表れたり、線形性が劣化したり、また高周波応答特性が劣化する。
【0014】
【BPバッファー結晶層の高抵抗化策】
まずBPエピタキシャルバッファー層を更なる高抵抗化するために、バッファー層の結晶成長時に深い不純物準位を形成する不純物をドーピングする必要がある。深い不純物準位を形成する不純物として、Cr(クローム),Co(コバルト),Fe(鉄)、Sr(ストロンチューム)・・・等があり、この不純物をドーピングすることにより、BP結晶層の更なる高抵抗化をはかることができる。この不純物のドーピング方法は、MOCVD結晶成長炉内に高純度金属不純物ドーパント(Cr、Fe,Co,Sr・・・)等を設置する。このドーパントを625℃に設定する。このドーパントに、水素キャリアガスによる塩素(HCl)のバブリングから得られたH+HCl(150cc/min.)をBPバッファー結晶層の成長時に導入することにより、BPバッファー層の高抵抗化を図ることができる。いずれも最高の比抵抗値1〜5x109ohm/cm2を得ることができた。
【0015】
【AlNバッファー層の高抵抗化策】
また、BP結晶層上のAlNバッファー層を成長する場合には、僅かにO(酸素)をドーピングすることにより、最高の比抵抗率1〜5x109ohm/cm2を得ることができた。このBPバッファー層の高抵抗化、あるいは、BP上のAlN等のバッファー層の高抵抗化により、デバイスの動作時のBP,あるいはAlNバッファー層を流れるリーク(漏洩)電流を低減でき、更に、基板バイアス効果も低減でき、寄生容量も低減でき、大幅にデバイスの高周波特性を改善できた。
【図面の簡単な説明】
【図1】GaN−MESFET(金属−ショットキー接合型電界効果トランジスタ)を示した断面図
【図2】GaN/GaAlN−HEMT(高電子移動度トランジスタ)を示した断面図
【図3】選択成長のパターン模式図
Claims (4)
- 動作層に、GaN(窒化ガリウム),AlN(窒化アルミニューム),AlGaN(窒化アルミニューム ガリウム),等の広いバンド帯幅を持つ結晶を用いた電界効果型トランジスタ(FET:Field Effect Transistor)において、シリコン結晶基板とBP(Boron Phosphide)リン化ほう素結晶(キュービック構造)層を(緩和)バファー層構造とする、FETの結晶層構造、
- 動作層に、GaN,AlN,AlGaN,等の広いバンド帯幅を持つ結晶を用いたFETの一種である、高電子移動度トランジスタ(HEMT:High Electron Mobility Transistor)において、シリコン結晶基板とBP(Boron Phosphide)リン化ほう素結晶を(緩和)バッファー層構造、あるいは、シリコン結晶基板、BPバッファー層に更に、AlN,InGaN,AlGaN,等のバッファー層、あるいは、AlN/GaN超格子構造のバッファー層を用いた結晶層構造とするHEMTの結晶層構造。
- シリコン結晶基板上にSiO2,あるいは、AlN多結晶膜を堆積して、前記1,2、のトランジスタの動作層部分となるところを、シリコン結晶基板面が出るまでにエッチングして、しかる後、前記1,2、の結晶層構造を、エッシングされてシリコン結晶基板表面が出た部分に選択的結晶成長を行う、FET,HEMTの結晶層構造。
- 前記1,2,3、トランジスターのBPバッファー層の更なる高抵抗化のため、BP結晶成長時に、Mn(マンガン),Cr(クローム),Co(コバルト),0(酸素),等のドーパントを結晶成長時にドープした結晶層構造。あるいは、前記2のAlNバッファー層成長時に、Mg(マグネシューム),0等の不純物をドープして高抵抗化を図ると同時に、AlN/BP結晶界面に、pn、pin界面接合の形成がない結晶層構造で、基板バイアス効果を抑制できる結晶層構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003195346A JP2005005657A (ja) | 2003-06-09 | 2003-06-09 | 電界効果トランジスタの結晶層構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003195346A JP2005005657A (ja) | 2003-06-09 | 2003-06-09 | 電界効果トランジスタの結晶層構造 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005005657A true JP2005005657A (ja) | 2005-01-06 |
Family
ID=34100192
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003195346A Pending JP2005005657A (ja) | 2003-06-09 | 2003-06-09 | 電界効果トランジスタの結晶層構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005005657A (ja) |
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006278402A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Institute Of Physical & Chemical Research | 窒化物半導体の製造方法 |
JP2006286954A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Eudyna Devices Inc | 半導体装置及びその製造方法 |
WO2007029865A1 (en) * | 2005-09-07 | 2007-03-15 | Showa Denko K.K. | Compound semiconductor device |
JP2007073732A (ja) * | 2005-09-07 | 2007-03-22 | Showa Denko Kk | 化合物半導体素子 |
JP2007073872A (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-22 | Showa Denko Kk | 半導体素子 |
JP2007081084A (ja) * | 2005-09-14 | 2007-03-29 | Showa Denko Kk | 半導体発光素子 |
JP2007081260A (ja) * | 2005-09-16 | 2007-03-29 | Showa Denko Kk | 半導体素子 |
JP2007088343A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Showa Denko Kk | 化合物半導体素子 |
JP2007123497A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-05-17 | Showa Denko Kk | 化合物半導体素子および化合物半導体素子製造方法 |
JP2008085123A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Covalent Materials Corp | 化合物半導体デバイス用基板およびそれを用いた化合物半導体デバイス |
JP2008258561A (ja) * | 2007-03-13 | 2008-10-23 | Covalent Materials Corp | 窒化物半導体単結晶 |
US7459718B2 (en) | 2005-03-23 | 2008-12-02 | Nichia Corporation | Field effect transistor |
US7479651B2 (en) | 2004-12-06 | 2009-01-20 | Panasonic Corporation | Semiconductor device |
JP2009270127A (ja) * | 2008-04-30 | 2009-11-19 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 圧電体の製造方法および圧電素子 |
JP2010225938A (ja) * | 2009-03-24 | 2010-10-07 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
US8084781B2 (en) | 2005-09-07 | 2011-12-27 | Showa Denko K.K. | Compound semiconductor device |
US8373200B2 (en) | 2010-04-14 | 2013-02-12 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Nitride based semiconductor device and method for manufacturing of the same |
CN105247658A (zh) * | 2013-05-31 | 2016-01-13 | 三垦电气株式会社 | 半导体基板、半导体装置及半导体装置的制造方法 |
CN113140620A (zh) * | 2021-04-13 | 2021-07-20 | 西安电子科技大学 | 宽禁带半导体BPN/GaN异质结材料及外延生长方法 |
-
2003
- 2003-06-09 JP JP2003195346A patent/JP2005005657A/ja active Pending
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7479651B2 (en) | 2004-12-06 | 2009-01-20 | Panasonic Corporation | Semiconductor device |
US7459718B2 (en) | 2005-03-23 | 2008-12-02 | Nichia Corporation | Field effect transistor |
JP2006278402A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Institute Of Physical & Chemical Research | 窒化物半導体の製造方法 |
JP4544628B2 (ja) * | 2005-03-28 | 2010-09-15 | 独立行政法人理化学研究所 | 窒化物半導体の製造方法 |
JP2006286954A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Eudyna Devices Inc | 半導体装置及びその製造方法 |
WO2007029865A1 (en) * | 2005-09-07 | 2007-03-15 | Showa Denko K.K. | Compound semiconductor device |
JP2007073732A (ja) * | 2005-09-07 | 2007-03-22 | Showa Denko Kk | 化合物半導体素子 |
US8084781B2 (en) | 2005-09-07 | 2011-12-27 | Showa Denko K.K. | Compound semiconductor device |
JP2007073872A (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-22 | Showa Denko Kk | 半導体素子 |
JP2007081084A (ja) * | 2005-09-14 | 2007-03-29 | Showa Denko Kk | 半導体発光素子 |
JP2007081260A (ja) * | 2005-09-16 | 2007-03-29 | Showa Denko Kk | 半導体素子 |
JP2007088343A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Showa Denko Kk | 化合物半導体素子 |
JP2007123497A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-05-17 | Showa Denko Kk | 化合物半導体素子および化合物半導体素子製造方法 |
JP2008085123A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Covalent Materials Corp | 化合物半導体デバイス用基板およびそれを用いた化合物半導体デバイス |
JP2008258561A (ja) * | 2007-03-13 | 2008-10-23 | Covalent Materials Corp | 窒化物半導体単結晶 |
JP2009270127A (ja) * | 2008-04-30 | 2009-11-19 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 圧電体の製造方法および圧電素子 |
JP2010225938A (ja) * | 2009-03-24 | 2010-10-07 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
US8373200B2 (en) | 2010-04-14 | 2013-02-12 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Nitride based semiconductor device and method for manufacturing of the same |
CN105247658A (zh) * | 2013-05-31 | 2016-01-13 | 三垦电气株式会社 | 半导体基板、半导体装置及半导体装置的制造方法 |
CN113140620A (zh) * | 2021-04-13 | 2021-07-20 | 西安电子科技大学 | 宽禁带半导体BPN/GaN异质结材料及外延生长方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7244520B2 (en) | Substrate for nitride semiconductor growth | |
TWI476947B (zh) | An epitaxial wafer, a gallium nitride-based semiconductor device, a gallium nitride-based semiconductor device, and a gallium oxide wafer | |
JP6196987B2 (ja) | 窒化ガリウムナノワイヤに基づくエレクトロニクス | |
JP2005005657A (ja) | 電界効果トランジスタの結晶層構造 | |
EP3067921B1 (en) | Process for producing an epitaxial substrate for a semiconductor element | |
JPWO2005015642A1 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US20110297957A1 (en) | Compound seminconductor structure | |
JPWO2008105077A1 (ja) | 化合物半導体装置とその製造方法 | |
EP2251464B1 (en) | Epitaxial substrate for semiconductor device, semiconductor device, and method of manufacturing epitaxial substrate for semiconductor device | |
JP2016058693A (ja) | 半導体装置、半導体ウェーハ、及び、半導体装置の製造方法 | |
JP4468744B2 (ja) | 窒化物半導体薄膜の作製方法 | |
JPH09307097A (ja) | 半導体装置 | |
JP2006114652A (ja) | 半導体エピタキシャルウェハ及び電界効果トランジスタ | |
JP2006032524A (ja) | 窒化物半導体ヘテロ構造電界効果トランジスタ構造とその作製法 | |
JP2006114655A (ja) | 半導体エピタキシャルウェハ及び電界効果トランジスタ | |
WO2022208868A1 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2004289005A (ja) | エピタキシャル基板、半導体素子および高電子移動度トランジスタ | |
JP2013062442A (ja) | 窒化物半導体電子デバイス、窒化物半導体電子デバイスを作製する方法 | |
JP4972879B2 (ja) | 電界効果トランジスタ、半導体素子、及びエピタキシャル基板 | |
JP2006196557A (ja) | 半導体エピタキシャルウェハ及び電界効果トランジスタ | |
JP2003197645A (ja) | ヘテロ接合電界効果トランジスタ及びその製造方法 | |
CN212010976U (zh) | 一种GaN基外延结构 | |
TWI788869B (zh) | 高電子遷移率電晶體及其複合基板 | |
JP2007305869A (ja) | 高電子移動度トランジスタ、および高電子移動度トランジスタを作製する方法 | |
JP7037801B2 (ja) | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 |