JP4972879B2 - 電界効果トランジスタ、半導体素子、及びエピタキシャル基板 - Google Patents
電界効果トランジスタ、半導体素子、及びエピタキシャル基板 Download PDFInfo
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Description
図1は、本発明による半導体素子の一実施形態として、電界効果トランジスタの一種である高電子移動度トランジスタ(HEMT)1を示す斜視図である。また、図2は、図1に示したHEMT1のI−I線に沿った側面断面図である。HEMT1は、支持基体3と、支持基体3上に種付け層15を介して設けられたGaN系化合物層5といったIII族窒化物エピタキシャル層と、GaN系化合物層5上に設けられたAlXGa1−XN(0<X<1)層7といったAlXGa1−XNエピタキシャル層とを備える。
本実施形態によるHEMT1の第1実施例について説明する。本実施例においては、まず、MOVPE装置の反応炉内に基板23としてサファイア基板を導入し、反応炉内の雰囲気を水素、窒素、アンモニアを含む雰囲気とし、サファイア基板を1170℃に昇温して10分間の熱処理を行った。その後、サファイア基板上に種付け膜29を成長させ、サファイア基板温度を1130℃としてアンモニア及びTMGを反応炉内に供給し、種付け膜29上にGaN系化合物膜25を1.5μmの厚さに成長させた。このとき、高純度GaN膜25aを上記条件にて成長させた後、GaN系化合物膜25における上層側の70nmを成長させる際に、TMAを同時に供給することによりAlをドープし、AlドープGaN膜25bを形成した。なお、このとき、AlドープGaN膜25bにおけるAl濃度を4.3×1020cm−3とした。
本実施形態によるHEMT1の第2実施例について説明する。本実施例においては、上記第1実施例と同様の製造方法で、AlドープGaN層5bにおけるAl濃度がそれぞれ異なる6つの試料C〜Hを用意した。なお、試料Cは、本発明との比較のための試料であり、AlドープGaN層5bにおけるAl濃度を0cm−3とした。そして、これら6つの試料C〜Hにおける、AlXGa1−XN層7の表面粗さ(Rms値)、ショットキ接合電極におけるリーク電流密度、及びシートキャリア濃度(二次元電子ガス濃度)をそれぞれ測定した。
Claims (9)
- 支持基体と、
前記支持基体上に設けられた電子移動層であるIII族窒化物エピタキシャル層と、
前記III族窒化物エピタキシャル層上に設けられたAlXGa1−XN(0<X<1)エピタキシャル層と、
前記AlXGa1−XNエピタキシャル層にショットキ接合を成すゲート電極と、
前記AlXGa1−XNエピタキシャル層上に設けられたソース電極と、
前記AlXGa1−XNエピタキシャル層上に設けられたドレイン電極と
を備え、
前記III族窒化物エピタキシャル層が、
GaN結晶からなる第1の層と、
前記第1の層と前記AlXGa1−XNエピタキシャル層との間に設けられ、AlがドープされたGaN結晶からなる第2の層とを含み、
前記第2の層におけるAl濃度が2×1020cm−3以上5×1021cm−3以下であり、
前記第2の層の厚さが5nm以上であり、
前記第2の層と前記Al X Ga 1−X Nエピタキシャル層との界面に二次元電子ガスが発生することを特徴とする、電界効果トランジスタ。 - 前記III族窒化物エピタキシャル層の厚さが0.1μm以上であることを特徴とする、請求項1に記載の電界効果トランジスタ。
- 前記AlXGa1−XNエピタキシャル層の厚さが5nm以上100nm以下であることを特徴とする、請求項1または2に記載の電界効果トランジスタ。
- 前記AlXGa1−XNエピタキシャル層におけるAlの組成比Xが0.1以上0.5以下であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の電界効果トランジスタ。
- 支持基体と、
前記支持基体上に設けられた電子移動層であるIII族窒化物エピタキシャル層と、
前記III族窒化物エピタキシャル層上に設けられたAlXGa1−XN(0<X<1)エピタキシャル層と、
前記AlXGa1−XNエピタキシャル層にショットキ接合を成す電極と
を備え、
前記III族窒化物エピタキシャル層が、
GaN結晶からなる第1の層と、
前記第1の層と前記AlXGa1−XNエピタキシャル層との間に設けられ、AlがドープされたGaN結晶からなる第2の層とを含み、
前記第2の層におけるAl濃度が2×1020cm−3以上5×1021cm−3以下であり、
前記第2の層の厚さが5nm以上であり、
前記第2の層と前記Al X Ga 1−X Nエピタキシャル層との界面に二次元電子ガスが発生することを特徴とする、半導体素子。 - 基板と、
前記基板上に設けられた電子移動層となるIII族窒化物エピタキシャル膜と、
前記III族窒化物エピタキシャル膜上に設けられたAlXGa1−XN(0<X<1)エピタキシャル膜と
を備え、
前記III族窒化物エピタキシャル膜が、
GaN結晶からなる第1の膜と、
前記第1の膜と前記AlXGa1−XNエピタキシャル膜との間に設けられ、AlがドープされたGaN結晶からなる第2の膜とを含み、
前記第2の膜におけるAl濃度が2×1020cm−3以上5×1021cm−3以下であり、
前記第2の膜の厚さが5nm以上であり、
電界効果トランジスタにおける二次元電子ガスの発生位置が、前記第2の膜と前記Al X Ga 1−X Nエピタキシャル膜との界面となることを特徴とする、エピタキシャル基板。 - 前記III族窒化物エピタキシャル膜の厚さが0.1μm以上であることを特徴とする、請求項6に記載のエピタキシャル基板。
- 前記AlXGa1−XNエピタキシャル膜の厚さが5nm以上100nm以下であることを特徴とする、請求項6または7に記載のエピタキシャル基板。
- 前記AlXGa1−XNエピタキシャル膜におけるAlの組成比Xが0.1以上0.5以下であることを特徴とする、請求項6〜8のいずれか一項に記載のエピタキシャル基板。
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