JP2007019710A - 弾性表面波装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】高次横モードのスプリアスを抑圧し、かつ伝搬方向のSAW励振強度分布を変えない構造を有する弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】少なくとも1個のインターデジタルトランスデューサを有する弾性表面波装置であって,前記インターデジタルトランスデューサは,それぞれ共通電極に接続された複数の櫛形電極が交差するように配置され,前記複数の櫛形電極が交差する領域について,弾性表面波の伝搬方向に沿う全域に渉って交差幅が一定の第1の交差領域と,前記第1の交差領域の少なくとも片側に形成され,交差幅が前記弾性表面波の伝搬方向に沿って重みづけされている第2の交差領域を有し、前記第2の交差領域における交差幅重みづけ包絡線は、弾性表面波の伝搬方向において少なくとも2つ以上の変化点を有する。
【選択図】図3

Description

本発明は,弾性表面波(SAW)装置に関する。特に,VHF、UHF帯に共振特性を有する弾性表面波共振器(SAW共振器)、または共振器を用いた共振器フィルタとして構成される弾性表面波フィルタ(SAW共振器フィルタ)に関する。
近年、SAWデバイスは通信分野で広く利用されている。特にSAW共振器またはSAW共振器フィルタ(以下 SAW共振器デバイス)は小型化かつ低損失化が可能で携帯電話、自動車のリモートキーレスエントリーなどに多く用いられている。
SAW共振器デバイスは、圧電基板上に少なくとも1個のインターデジタルトランスデューサー(IDT:Inter Digital Transducer)電極を配置し、一般的にはその両側に設けられる反射器によって構成される。SAW共振器デバイスにおいては、IDTの励振によって圧電基板上を伝搬するSAWを反射器で反射させることにより、エネルギーを反射器間に閉じ込める。その際にSAWの伝搬方向と垂直にエネルギーが分布するモード(以下 横モード)の基本モードが主伝搬モードとなる。これに対して2次以上の高次横モードも存在し、偶数次モードの振動にて励起する電荷はIDT内で相殺されるが奇数次モードによる電荷は相殺されることがなく、共振器特性にスプリアス応答として現れる。
この高次横モードによるスプリアスは、SAW共振器の場合は発振回路における発振周波数飛び現象、SAW共振器フィルタにおいては帯域内リップルとして悪影響を及ぼす。高次横モードが発生するのはSAWの励振強度分布10が矩形状となる為である。
図1に,一対の反射器2a,2b間に一つのIDT1が配置された1ポートSAW共振器を例に,高次横モードによるスプリアス発生の様子を示す。図中には基本横モード10aと3次横モード10bのみを示しているが、IDTの開口長によっては、5次、7次と高次の横モードが存在する。
高次横モードのスプリアスに対策する為に、図2に示すように,共通電極1a,1bに接続された複数の櫛形電極1cが交差する交差部に交差幅重みづけ包絡線としてCOS関数を用いての重み付けを施すことでSAWの励振強度分布10を基本横モード10aと一致もしくは近似させ、高次横モードを抑圧するものが知られている(特許文献1乃至3)。
なお、従来例においては、交差幅重みづけ包絡線を弾性表面波の伝搬方向に沿って見た場合、交差幅は徐々に増加するが、ある変化点を境に交差幅は減少に転じる。そしてこの変化点は1つのみである。
また、交差幅重みづけ包絡線は弾性表面波の伝搬方向を軸に鏡面対称となっている。ここで厳密に対称性を調べると、例えばソリッド電極構造においては隣合う電極指間距離分すなわち弾性表面波波長の1/2相当の差は生じるが,ソリッド電極構造に限らず、電極構造に起因した弾性表面波波長の1/2相当の対称性のずれは弾性表面波装置の構造上明らかな事であり、本発明の本質部分では無い為、以後も交差幅重みづけ包絡線を用いた説明をする際には言及しない。
特公平7−28195号公報 特開平9−270667号公報 特開平7−22898号公報
しかし,図2に示すように櫛形電極1cの交差部を交差幅重みづけ包絡線としてCOS関数で重み付けを行なった場合、IDT1の櫛型電極の交差幅の伝搬方向に沿う分布11が変化するので伝搬方向でのSAWの励振強度分布までも変えてしまうことになる。
特にSAW共振器フィルタにおいては、伝搬方向に分布するモード(縦モード)を用いてフィルタ特性を実現している為、影響は非常に大きい。
交差幅が一様なIDT電極(正規型IDT電極)ならば所望の特性、例えば帯域幅や所望周波数での減衰量確保などが実現出来るものの横モードによるスプリアスが発生してしまう。そこでIDT電極にCOS関数で重み付けを行なうとスプリアスは抑圧出来るものの所望の特性が実現出来なくなってしまうという場合が非常に多い。
したがって,本発明の目的は,高次横モードのスプリアスを抑圧し、かつ伝搬方向のSAW励振強度分布を変えない構造を有する弾性表面波装置を提供することにある。
上記本発明の目的を達成する弾性表面波装置の第1の側面は,少なくとも1個のインターデジタルトランスデューサを有する弾性表面波装置であって,前記インターデジタルトランスデューサは,それぞれ共通電極に接続された複数の櫛形電極が交差するように配置され,前記複数の櫛形電極が交差する領域について,弾性表面波の伝搬方向に沿う全域に渉って交差幅が一定の第1の交差領域と,前記第1の交差領域の少なくとも片側に形成され,交差幅が前記弾性表面波の伝搬方向に沿って重みづけされている第2の交差領域を有し,前記第2の交差領域における交差幅重みづけ包絡線は、弾性表面波の伝搬方向において少なくとも2つ以上の変化点を有する。
上記本発明の目的を達成する弾性表面波装置は,上記第1の側面において,
前記第2の交差領域は第1の交差領域の両側に形成され、第2の交差領域における交差幅重みづけ包絡線は,前記第1の交差領域の両側で弾性表面波の伝搬方向と垂直に平行移動した形状とすることができる。
前記第2の交差領域は第1の交差領域の両側に形成され、第2の交差領域における一方の交差幅重みづけ包絡線は,他方の第2の交差領域における交差幅重みづけ包絡線を弾性表面波の伝搬方向と垂直に平行移動かつ伝搬方向にも平行移動した形状とすることができる。
上記本発明の目的を達成する弾性表面波装置は,上記第1の側面において,
前記第2の交差領域は第1の交差領域の両側に形成され、第2の交差領域における交差幅重みづけ包絡線は,前記第1の交差領域の両側で弾性表面波の伝搬方向を軸に鏡面対称の形状とすることができる。
上記本発明の目的を達成する弾性表面波装置は,上記第1の側面において,
前記第2の交差領域は第1の交差領域の両側に形成され、第2の交差領域における交差幅重みづけ包絡線は,前記第1の交差領域の両側で互いに異なる形状とすることができる
上記本発明の目的を達成する弾性表面波装置の第2の側面は
少なくとも1個のインターデジタルトランスデューサを有する弾性表面波装置であって,
前記インターデジタルトランスデューサは,
それぞれ共通電極に接続された複数の櫛形電極が交差するように配置され,
前記複数の櫛形電極が交差する領域について,弾性表面波の伝搬方向に沿う全域に渉って交差幅が一定の第1の交差領域と,前記第1の交差領域の両側に形成され,交差幅が前記弾性表面波の伝搬方向に沿って重みづけされている第2の交差領域を有し,前記第2の交差領域における交差幅重みづけ包絡線は、弾性表面波の伝搬方向において1つのみの変化点を有し、
前記第1の交差領域の両側で弾性表面波の伝搬方向と垂直に平行移動した形状である。
上記本発明の目的を達成する弾性表面波装置は,上記第2の側面において,
前記第2の交差領域における一方の交差幅重みづけ包絡線は,他方の第2の交差領域における交差幅重みづけ包絡線を弾性表面波の伝搬方向に平行移動した形状とすることができる。
上記本発明の目的を達成する弾性表面波装置は,上記において,
前記第2の交差領域における交差幅重みづけ包絡線は,前記弾性表面波の伝搬方向を変数xとするとき,周期関数f(x)で表される形状とすることができる。
上記本発明の目的を達成する弾性表面波装置は,上記において,
前記第2の交差領域の大きさが,前記インターデジタルトランスデューサの開口長の5%以上に設定することができる。
上記本発明の目的を達成する弾性表面波装置は,上記において,
前記第2の交差領域における重み付けの交差幅の大きさに関し,最小の重み付け交差幅を,開口長の95%以下に設定することができる。
上記本発明の目的を達成する弾性表面波装置は,上記において,
前記共通電極が前記第2の交差領域における交差幅重みづけ包絡線に対応する形状を成すことができる。
本発明の特徴は,以下に図面に従い説明される発明の実施の形態例から更に明らかになる。
本発明により、横モードスプリアスを抑圧し、かつ正規型電極と同様の特性が実現される。
以下に本発明の実施の形態例を図面に従い説明する。なお,実施の形態例は本発明の説明のためのものであり,本発明の技術的範囲がこれに限定されるものではない。
図3は,本発明の一実施例構成を示す図である。
先に図1,図2で示したように一対の反射電極2a,2bと,前記反射電極2a,2b間にインターデジタルトランスデューサ1が配置された弾性表面波装置であって,反射電極2a,2b及びインターデジタルトランスデューサ1は,LiTaO3、LiNbO3、Li2B4O7、水晶などの図示しない圧電基板上に形成されている。
そして,特徴として,前記インターデジタルトランスデューサ1は,それぞれ共通電極(バスバー)1a,1bに接続された複数の櫛形電極1cが交差するように配置されて構成される。複数の櫛形電極1cの交差する領域について,弾性表面波の伝搬方向(図の矢印方向)に沿う全域に渉って交差幅が一定の第1の交差領域Aと,前記第1の交差領域Aの両側に形成され,交差幅が前記弾性表面波の伝搬方向に沿って重みづけされている第2の交差領域Bを有している。
かかる構成により,図中の交差領域Aにおいては正規型IDTと同様に機能する為,弾性表面波の励振強度分布は矩形となり、基本モード10の中心近傍に対応する。そして交差領域B(以下 重み付け交差領域Bという)においてはIDT1のSAW伝搬と垂直方向外側に向かって励振強度が除々に弱くなるような重み付けをIDTに施してある。その為に交差領域Aと交差領域Bを合わせた弾性表面波の励振強度分布は、基本横モード10aに近似した形となる。これにより基本横モード10aのみが発生し、高次横モードは抑圧される。
一方,弾性表面波の伝搬方向に沿った交差幅分布11は,第1の交差領域Aにより矩形状になり,これに第2の交差領域Bによる交差幅11aが重畳したパターンとなる。すなわち,第2の交差領域Bにおいて,弾性表面波伝搬方向と垂直方向に平行移動した交差幅重みづけ包絡線で重み付けを施す。これにより、交差幅11aは,隣接した交差幅では凸凹となるが、凸凹の差は一般的には交差領域Aの交差幅に対して少ない量であり、交差幅の伝搬方向に沿う分布11はほぼ矩形に保たれる。
この結果、矢印方向即ち,弾性表面波の伝搬方向での励振強度は正規型IDTに近似した矩形を維持する。
上記のとおり,本発明により高次横モードによるスプリアスを抑圧し、かつ正規型電極と同様の特性が実現可能となる。
ここで,バスバー1a,1bにダミー電極を設けるのが一般的であるが,交差領域Bにおいて,図4A,図4Bに示す実施例のようにダミー電極を設けない場合でも同様に高次横モード抑圧に対する効果が得られる。
図4Aは,バスバー1a,1bにダミー電極が存在せず,バスバー1a,1b自体が,交差領域Bにおける櫛形電極1cの交差量の重み付けに対応するベタパターン形状を有するように設定されている。図4Bは,バスバー1a,1bにダミー電極が存在せず,空隙を有するように設定されている例である。
ここで,弾性表面波の伝搬方向に沿う全域に渉って交差幅が一定の第1の交差領域Aと,この第1の交差領域Aの両側に形成され,交差幅が前記弾性表面波の伝搬方向に沿って重みづけされている第2の交差領域Bとの幅方向の大きさの割合について,弾性表面波装置を帯域フィルタとして用いたときの,この好ましい値について考察する。
図5は,重み付け領域である第2の交差領域Bの幅の割合を次式により求めた値と,弾性表面波装置を帯域フィルタとして用いたときの通過帯域内のリップルの大きさとの関係を測定したグラフである。
重み付け領域の幅(%)
=第2の交差領域B÷(第1の交差領域A+第2の交差領域B)×100
なお,(第1の交差領域A+第2の交差領域B)は,IDTの開口長に相当する。
このとき,重み付け領域である第2の交差領域Bの幅の割合を5%以上とするとき,過帯域内のリップルの大きさを3dB以下に抑えることができる。
これらから,本発明に従う弾性表面波装置が帯域フィルタの求められる特性を得るために,重み付け領域の幅(%)をIDTの開口長の5%以上とすればよいことが理解できる。
また,第2の交差領域Bにおける重み付けの変化パターンと弾性表面波装置を帯域通過フィルタとするときの特性について考察する。
図6は,第2の交差領域Bにおける交差幅重みづけ包絡線が第1の交差領域の両側で弾性表面波の伝搬方向を軸に鏡面対称となっており、第2の交差領域Bにおいて存在する重み付けにより最小ピークと最大ピークが生じる例を示している。このとき,最小ピークP1と最大ピークP2間の最小交差幅の大きさを,最小ピークP1の開口長に対する割合(%)で表すことができる。交差幅分布の各ピーク間の最小交差幅は、最大交差幅の95%以下であることが妥当である。これは95%よりも最小交差幅が大きい場合は、高次横モード抑圧の為の重み付けの効果がほとんどない為である。
図7は、ピーク間の最小交差幅を変化させて、フィルタの通過帯域内リップルを測定した結果である。この結果から、ピーク間の最小交差幅を95%以下にすれば、高次横モードを抑圧する効果が現れ、通過帯域内のリップルを指数関数的に減少できることがわかる。
ここで,上記実施例において,第2の交差領域Bにおける重み付けの変化パターンとして,図3に示すSIN曲線に沿って変化する例を示した。しかし,本発明の適用は,かかる実施例に限定されるものではない。
すなわち,図8A,8Bに本発明の実施例(その1,その2)として第2の交差領域Bにおける種々の重み付けの例を,それらを包絡線パターンとして示す。
図8Aにおいて,(a)は交差幅重みづけ包絡線がCOS(またはSIN)の周期関数f(x)であり,図3に示した実施例と同様である。
(b)は三角波の周期関数である。(c)は1,0値が交番する周期関数である。(d)はIDT全体でなく,一部に重み付けが形成される例である。(e)は異なる関数の組み合わせの例である。(f)は複数の周期でなく,1周期以下の例であり,変化点が1つだけとなるが,従来構造のように交差幅重みづけ包絡線が弾性表面波の伝搬方向を軸に鏡面対称となっていないので、伝搬方向に沿った交差幅の分布がほぼ矩形をなす例である。
さらに,図8Bにおいて,(g)は(f)のパターンと一部は重み付けをなくした領域を有するパターン例である。(h)は第2の交差領域Bにおける交差幅重み付け包絡線が互いに異なる例である。
(i)は第2の交差領域Bにおける一方の交差幅重み付け包絡線が他方の交差幅重み付け包絡線を伝搬方向と垂直に平行移動かつ伝搬方向にも任意に平行移動した例である。(h),(i)いずれの場合も交差幅の分布がほぼ矩形をなす為、同様の効果が得られる。
(j)は,第2の交差領域を第1の交差領域の片側のみに形成した実施例である。第1の交差領域の両側に,第2の交差領域を形成する場合に較べ,効果は低減するが,図2に示した従来の正規型の構成に比し,良好な効果を得ることができる。
このような,重み付けのいずれの場合も本発明の要件を有するものであり,本発明の効果が得られる。
図9AにLi2B4O7基板にて試作した3IDT型共振器フィルタと1ポート共振子をカスケード接続したデバイスの特性を示す。図9Bは図9Aの帯域内の拡大図である。図において,点線が正規型IDTでの実測特性、実線が本発明を適用した場合の実測特性である。
重み付けはCOS関数を用いており、3IDT型共振器フィルタ、1ポート共振子ともにIDT対数が100対以上と十分に多い為、図6に示されるような重み付けがIDT上下で鏡面対称となっている。スプリアスが抑圧出来、かつ正規型IDTの場合と同等の帯域幅及び帯域外減衰特性が実現出来ている。
上記したように,本発明により、横モードスプリアスを抑圧し、かつ正規型電極と同様の特性を実現出来る。これにより,設計自由度が高く、優れた特性のSAW共振器およびSAW共振器フィルタの設計が可能となる。
1ポートSAW共振器を例を示す図である。 高次横モードのスプリアスに対策する為の従来構成を示す図である。 本発明の一実施例構成を示す図である。 バスバー1a,1b自体が,交差領域Bにおける櫛形電極1cの交差量の重み付けに対応するベタパターン形状を有するように設定されている例を示す図である。 バスバー1a,1bにダミー電極が存在せず,空隙を有するように設定されている例を示す図である。 重み付け領域である第2の交差領域Bの幅の割合を次式により求めた値と,弾性表面波装置を帯域フィルタとして用いたときの通過帯域内のリップルの大きさとの関係を測定したグラフである。 第2の交差領域Bにおいて存在する重み付けにより生じる最小ピークと最大ピークが生じる例を示す図である。 ピーク間の最小交差幅を変化させて、フィルタの通過帯域内リップルを測定した結果を示すである。 本発明の実施例として第2の交差領域Bにおける種々の重み付けの変化パターンの例(その1)を示す図である。 本発明の実施例として第2の交差領域Bにおける種々の重み付けの変化パターンの例(その2)を示す図である。 Li2B4O7基板にて試作した3IDT型共振器フィルタと1ポート共振子をカスケード接続したデバイスの特性を示す図である。 図9Aの帯域内の拡大図である。
符号の説明
1 IDT(インターデジタルトランスデューサ)
1a,1b バスバー
1c 櫛形電極
2a,2b 反射器
10 SAWの励振強度分布
10a 基本横モード
10b 3次横モード
11 櫛型電極の交差幅の伝搬方向に沿う分布

Claims (11)

  1. 少なくとも1個のインターデジタルトランスデューサを有する弾性表面波装置であって,
    前記インターデジタルトランスデューサは,
    それぞれ共通電極に接続された複数の櫛形電極が交差するように配置され,
    前記複数の櫛形電極が交差する領域について,弾性表面波の伝搬方向に沿う全域に渉って交差幅が一定の第1の交差領域と,前記第1の交差領域の少なくとも片側に形成され,交差幅が前記弾性表面波の伝搬方向に沿って重みづけされている第2の交差領域を有し,前記第2の交差領域における交差幅重みづけ包絡線は、弾性表面波の伝搬方向において少なくとも2つ以上の変化点を有する
    ことを特徴とする弾性表面波装置。
  2. 請求項1において,
    前記第2の交差領域は第1の交差領域の両側に形成され、第2の交差領域における交差幅重みづけ包絡線は,前記第1の交差領域の両側で弾性表面波の伝搬方向と垂直に平行移動した形状であることを特徴とする弾性表面波装置。
  3. 請求項1において,
    前記第2の交差領域は第1の交差領域の両側に形成され、第2の交差領域における一方の交差幅重みづけ包絡線は,他方の第2の交差領域における交差幅重みづけ包絡線を弾性表面波の伝搬方向と垂直に平行移動かつ伝搬方向にも平行移動した形状であることを特徴とする弾性表面波装置。
  4. 請求項1において,
    前記第2の交差領域は第1の交差領域の両側に形成され、第2の交差領域における交差幅重みづけ包絡線は,前記第1の交差領域の両側で弾性表面波の伝搬方向を軸に鏡面対称の形状であることを特徴とする弾性表面波装置。
  5. 請求項1において,
    前記第2の交差領域は第1の交差領域の両側に形成され、第2の交差領域における交差幅重みづけ包絡線は,前記第1の交差領域の両側で互いに異なる形状であることを特徴とする弾性表面波装置。
  6. 少なくとも1個のインターデジタルトランスデューサを有する弾性表面波装置であって,
    前記インターデジタルトランスデューサは,
    それぞれ共通電極に接続された複数の櫛形電極が交差するように配置され,
    前記複数の櫛形電極が交差する領域について,弾性表面波の伝搬方向に沿う全域に渉って交差幅が一定の第1の交差領域と,前記第1の交差領域の両側に形成され,交差幅が前記弾性表面波の伝搬方向に沿って重みづけされている第2の交差領域を有し,前記第2の交差領域における交差幅重みづけ包絡線は、弾性表面波の伝搬方向において1つのみの変化点を有し、
    前記第1の交差領域の両側で弾性表面波の伝搬方向と垂直に平行移動した形状であることを特徴とする弾性表面波装置。
  7. 請求項6において,
    前記第2の交差領域における一方の交差幅重みづけ包絡線は,他方の第2の交差領域における交差幅重みづけ包絡線を弾性表面波の伝搬方向に平行移動した形状であることを特徴とする弾性表面波装置。
  8. 請求項1乃至7において,
    前記第2の交差領域における交差幅重みづけ包絡線は,前記弾性表面波の伝搬方向を変数xとするとき,周期関数f(x)で表される形状をなしていることを特徴とする弾性表面波装置。
  9. 請求項1乃至8のいずれかにおいて,
    前記第2の交差領域の大きさが,前記インターデジタルトランスデューサの開口長の5%以上に設定されていることを特徴とする弾性表面波装置。
  10. 請求項1乃至8のいずれかにおいて,
    前記第2の交差領域における重み付けの交差幅の大きさに関し,最小の重み付け交差幅を,開口長の95%以下に設定されていることを特徴とする弾性表面波装置。
  11. 請求項1乃至10のいずれかにおいて,
    前記共通電極が前記第2の交差領域における交差幅重みづけ包絡線に対応する形状をなしていることを特徴とする弾性表面波装置。
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