JP3289410B2 - 表面波素子 - Google Patents
表面波素子Info
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- JP3289410B2 JP3289410B2 JP16206993A JP16206993A JP3289410B2 JP 3289410 B2 JP3289410 B2 JP 3289410B2 JP 16206993 A JP16206993 A JP 16206993A JP 16206993 A JP16206993 A JP 16206993A JP 3289410 B2 JP3289410 B2 JP 3289410B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、交さ幅重み付けＩＤ
Ｔ電極の包絡線をコサイン関数処理した表面波素子に関
する。
Ｔ電極の包絡線をコサイン関数処理した表面波素子に関
する。
【０００２】
【従来の技術】この種の表面波素子においては、高次横
モードの影響によって、共振周波数付近にスプリアスが
生じる。従来、このスプリアスを抑制するために、ＩＤ
Ｔ電極に、横０次モードの電荷分布曲線を近似した Ｙ＝±ＣＯＳ- 1 （｜αＸ｜） 但し、ＩＤＴ電極はＸ軸方向の −Ｘ0 ／２≦Ｘ≦Ｘ0
／２にあるものとし、０＜α≦π／Ｘ0 である。 形状の重み付けを行い、高次横モードを低減することが
行われてきた。その交さ幅重み付けの包絡線を図５に示
す。
モードの影響によって、共振周波数付近にスプリアスが
生じる。従来、このスプリアスを抑制するために、ＩＤ
Ｔ電極に、横０次モードの電荷分布曲線を近似した Ｙ＝±ＣＯＳ- 1 （｜αＸ｜） 但し、ＩＤＴ電極はＸ軸方向の −Ｘ0 ／２≦Ｘ≦Ｘ0
／２にあるものとし、０＜α≦π／Ｘ0 である。 形状の重み付けを行い、高次横モードを低減することが
行われてきた。その交さ幅重み付けの包絡線を図５に示
す。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ようなＣＯＳ- 1 （｜αＸ｜）のみの交さ幅重み付けで
は、図６Ａにおいて１１ａで、また図６Ｂにおいて１１
ｂで、それぞれ示すように、共振周波数付近のスプリア
スを完全に除去することはできず、発振器用のデバイ
ス、特にＶＣＯ用としては使用できないことが多かっ
た。これは、後述するように、Ｙ軸方向の横モードのみ
を考慮し、Ｘ軸方向の分布である縦モードを無視したこ
とが原因である。
ようなＣＯＳ- 1 （｜αＸ｜）のみの交さ幅重み付けで
は、図６Ａにおいて１１ａで、また図６Ｂにおいて１１
ｂで、それぞれ示すように、共振周波数付近のスプリア
スを完全に除去することはできず、発振器用のデバイ
ス、特にＶＣＯ用としては使用できないことが多かっ
た。これは、後述するように、Ｙ軸方向の横モードのみ
を考慮し、Ｘ軸方向の分布である縦モードを無視したこ
とが原因である。
【０００４】したがって、本発明は、主共振の横０次モ
ードの近似関数ＣＯＳ- 1 （｜αＸ｜）に縦０次モード
の近似関数ＣＯＳ（βＸ）を乗じることによって、ＩＤ
Ｔ電極の交さ幅重み付け包絡線を構成して、高次モード
の影響を減少させ、共振周波数付近のスプリアスを抑制
することを目的とする。
ードの近似関数ＣＯＳ- 1 （｜αＸ｜）に縦０次モード
の近似関数ＣＯＳ（βＸ）を乗じることによって、ＩＤ
Ｔ電極の交さ幅重み付け包絡線を構成して、高次モード
の影響を減少させ、共振周波数付近のスプリアスを抑制
することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、一つには、圧電基板上に、交さ幅重み付
けを施したＩＤＴ電極と、その前後に反射器電極とを、
形成した表面波素子において、ＩＤＴ電極の中心を原点
とし、表面波の伝播方向にＸ軸、その垂直方向にＹ軸を
仮定し、Ｘ軸方向のＩＤＴ電極の範囲を−Ｘ0 ／２≦Ｘ
≦Ｘ0 ／２としたとき、ＩＤＴ電極の交さ幅重み付け包
絡線が Ｙ＝±ＣＯＳ- 1 （｜αＸ｜）・ＣＯＳ（βＸ） 但し、０＜α≦π／Ｘ0 ０＜β≦π／Ｘ0 を満たすように形成されていることを特徴とする表面波
素子とし、二つには、交さ幅重み付け包絡線を持つＩＤ
Ｔ電極を、Ｙ軸と平行な直線で２分して２ポートタイプ
（２電極共振子）としたことを特徴とする表面波素子と
したものである。
成するために、一つには、圧電基板上に、交さ幅重み付
けを施したＩＤＴ電極と、その前後に反射器電極とを、
形成した表面波素子において、ＩＤＴ電極の中心を原点
とし、表面波の伝播方向にＸ軸、その垂直方向にＹ軸を
仮定し、Ｘ軸方向のＩＤＴ電極の範囲を−Ｘ0 ／２≦Ｘ
≦Ｘ0 ／２としたとき、ＩＤＴ電極の交さ幅重み付け包
絡線が Ｙ＝±ＣＯＳ- 1 （｜αＸ｜）・ＣＯＳ（βＸ） 但し、０＜α≦π／Ｘ0 ０＜β≦π／Ｘ0 を満たすように形成されていることを特徴とする表面波
素子とし、二つには、交さ幅重み付け包絡線を持つＩＤ
Ｔ電極を、Ｙ軸と平行な直線で２分して２ポートタイプ
（２電極共振子）としたことを特徴とする表面波素子と
したものである。
【０００６】
【作用】ＩＤＴ電極の中心を原点とし、表面波の伝播方
向をＸ軸、それと垂直方向をＹ軸とする。Ｘ軸上のＩＤ
Ｔ電極の範囲は、−Ｘ0 ／２≦Ｘ≦Ｘ0 ／２とする。こ
のとき、表面波による電荷分布をＱ（Ｘ）、ＩＤＴ電極
の交さ幅重み付け関数をＷ（Ｘ）とすると、ＩＤＴ電極
の電気端子に現れる信号強度Ｉは
向をＸ軸、それと垂直方向をＹ軸とする。Ｘ軸上のＩＤ
Ｔ電極の範囲は、−Ｘ0 ／２≦Ｘ≦Ｘ0 ／２とする。こ
のとき、表面波による電荷分布をＱ（Ｘ）、ＩＤＴ電極
の交さ幅重み付け関数をＷ（Ｘ）とすると、ＩＤＴ電極
の電気端子に現れる信号強度Ｉは
【０００７】
【数１】
【０００８】となる。Ｗ（Ｘ）とＱ（Ｘ）が直交する関
数であれば、上式により信号強度Ｉは０となる。実際、
電荷分布関数はコサイン関数で近似することができ、各
モードの関数の間には直交関係がある。従って、交さ幅
重み付け関数Ｗ（Ｘ）として０次モードの電荷分布と同
じ関数を選べば、高次モードによる信号強度は関数の直
交性より０となり、不要なスプリアスは抑圧される。横
モードのみを考えたＩＤＴの電荷分布は、 ＣＯＳ− １ （｜αＸ｜） 但し、０＜α≦π
／Ｘ0 のように近似されるが、実際にはＸ軸方向の分布である
縦モードの存在により電荷分布は、Ａ（Ｘ）・ＣＯＳ
- 1 （｜αＸ｜）となる。Ａ（Ｘ）は縦０次モードのと
き、 Ａ（Ｘ）＝ＣＯＳ（βＸ） 但し、０＜β≦π／Ｘ0 と近似できる。よって、本発明では縦モードも考慮し
て、交さ幅重み付け関数を Ｗ（Ｘ）＝±ＣＯＳ- 1 （｜αＸ｜）・ＣＯＳ（βＸ） とするものである。なお、従来は交さ幅重み付け関数と
して横モードのみを考慮した ＣＯＳ- 1 （｜αＸ｜） 但し、０＜α≦π／Ｘ0 を使用していたため、高次モードとの直交性がなくな
り、高次スプリアスを完全には抑圧できなかった。
数であれば、上式により信号強度Ｉは０となる。実際、
電荷分布関数はコサイン関数で近似することができ、各
モードの関数の間には直交関係がある。従って、交さ幅
重み付け関数Ｗ（Ｘ）として０次モードの電荷分布と同
じ関数を選べば、高次モードによる信号強度は関数の直
交性より０となり、不要なスプリアスは抑圧される。横
モードのみを考えたＩＤＴの電荷分布は、 ＣＯＳ− １ （｜αＸ｜） 但し、０＜α≦π
／Ｘ0 のように近似されるが、実際にはＸ軸方向の分布である
縦モードの存在により電荷分布は、Ａ（Ｘ）・ＣＯＳ
- 1 （｜αＸ｜）となる。Ａ（Ｘ）は縦０次モードのと
き、 Ａ（Ｘ）＝ＣＯＳ（βＸ） 但し、０＜β≦π／Ｘ0 と近似できる。よって、本発明では縦モードも考慮し
て、交さ幅重み付け関数を Ｗ（Ｘ）＝±ＣＯＳ- 1 （｜αＸ｜）・ＣＯＳ（βＸ） とするものである。なお、従来は交さ幅重み付け関数と
して横モードのみを考慮した ＣＯＳ- 1 （｜αＸ｜） 但し、０＜α≦π／Ｘ0 を使用していたため、高次モードとの直交性がなくな
り、高次スプリアスを完全には抑圧できなかった。
【０００９】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１において、１は圧電基板、２はＩＤＴ電極
で、圧電基板１に設けられている。ＩＤＴ電極２の中心
３を原点とし、表面波の伝播方向４をＸ軸、その垂直方
向をＹ軸とする座標系を導入する。５ａ、５ｂは反射器
電極で、Ｘ軸上、ＩＤＴ電極２の両側に取り付けられて
いる。
する。図１において、１は圧電基板、２はＩＤＴ電極
で、圧電基板１に設けられている。ＩＤＴ電極２の中心
３を原点とし、表面波の伝播方向４をＸ軸、その垂直方
向をＹ軸とする座標系を導入する。５ａ、５ｂは反射器
電極で、Ｘ軸上、ＩＤＴ電極２の両側に取り付けられて
いる。
【００１０】図２を参照して、本発明のＩＤＴ電極への
重み付け方法を説明する。座標系のとり方は図１と同じ
とし、単位はＸ軸についてはＩＤＴ電極の右端６を（Ｘ
0 ／２、０）とし、Ｙ軸は電極指とバスバー７との境界
８を（０、１）とする。説明では第１象限のみを考え
る。
重み付け方法を説明する。座標系のとり方は図１と同じ
とし、単位はＸ軸についてはＩＤＴ電極の右端６を（Ｘ
0 ／２、０）とし、Ｙ軸は電極指とバスバー７との境界
８を（０、１）とする。説明では第１象限のみを考え
る。
【００１１】横０次モードの電荷分布は、 Ｑ（Ｘ）＝ＣＯＳ- 1 （｜αＸ｜） と近似できので、位置Ｘｉにある電極指の励振部の長さ
Ｙｉは Ｙｉ＝ＣＯＳ- 1 （｜αＸｉ｜） となる。また、図２Ｂは縦０次モードの振幅を示すもの
で、Ｘｉでの縦０次モードの振幅は Ａ（Ｘｉ）＝ＣＯＳ（βＸｉ） で近似できる。本発明は、横モードと縦モードの電荷分
布を考慮して、Ｘｉでの励振部の長さが横０次モードと
縦０次モードの積Ａ（Ｘｉ）・Ｙｉとなるように交さ幅
重み付けを行う。ここに、αは電荷分布の導波路外への
しみだしによって決まる値で、導波路幅と導波路内外の
音速比から計算した値を用いる。βはＩＤＴ電極の設計
パラメータから電極指１本毎に流れる電流を計算機で求
め、それを元に算出した値を用いる。実際に、 α＝０．８８π β＝０．９８π ＩＤＴの長さ＝
１ としたとき、ＩＤＴ電極の交さ幅重み付け包絡線は図３
Ａとなる。ＩＤＴ電極をＹ軸で分割した２ポートタイプ
に適用した場合は、図３Ｂとなる。９は表面波が励振さ
れる部分の包絡線である。このように交さ幅重み付けさ
れたＩＤＴ電極は、電極指が奇数本の場合はＹ軸に、偶
数本の場合は原点に対称となる。
Ｙｉは Ｙｉ＝ＣＯＳ- 1 （｜αＸｉ｜） となる。また、図２Ｂは縦０次モードの振幅を示すもの
で、Ｘｉでの縦０次モードの振幅は Ａ（Ｘｉ）＝ＣＯＳ（βＸｉ） で近似できる。本発明は、横モードと縦モードの電荷分
布を考慮して、Ｘｉでの励振部の長さが横０次モードと
縦０次モードの積Ａ（Ｘｉ）・Ｙｉとなるように交さ幅
重み付けを行う。ここに、αは電荷分布の導波路外への
しみだしによって決まる値で、導波路幅と導波路内外の
音速比から計算した値を用いる。βはＩＤＴ電極の設計
パラメータから電極指１本毎に流れる電流を計算機で求
め、それを元に算出した値を用いる。実際に、 α＝０．８８π β＝０．９８π ＩＤＴの長さ＝
１ としたとき、ＩＤＴ電極の交さ幅重み付け包絡線は図３
Ａとなる。ＩＤＴ電極をＹ軸で分割した２ポートタイプ
に適用した場合は、図３Ｂとなる。９は表面波が励振さ
れる部分の包絡線である。このように交さ幅重み付けさ
れたＩＤＴ電極は、電極指が奇数本の場合はＹ軸に、偶
数本の場合は原点に対称となる。
【００１２】図３Ａのように縦モード考慮の交さ幅重み
付けされた電極をＸカット１１２°Ｙ伝播のＬｉＴａＯ
3 に施した場合、インピーダンス特性は図４となる。な
お、図５に示す従来例の電極を施した場合、インピーダ
ンス特性は図６となる。この共振子をＶＣＯに用いる場
合、従来例の図６ではスプリアス１１ａ、１１ｂで周波
数飛びが生ずるが、本発明の実施例ではスプリアスは１
０ａ、１０ｂのように小さくなり、周波数飛びの問題は
生じにくくなる。
付けされた電極をＸカット１１２°Ｙ伝播のＬｉＴａＯ
3 に施した場合、インピーダンス特性は図４となる。な
お、図５に示す従来例の電極を施した場合、インピーダ
ンス特性は図６となる。この共振子をＶＣＯに用いる場
合、従来例の図６ではスプリアス１１ａ、１１ｂで周波
数飛びが生ずるが、本発明の実施例ではスプリアスは１
０ａ、１０ｂのように小さくなり、周波数飛びの問題は
生じにくくなる。
【００１３】
【発明の効果】本発明は、ＩＤＴ電極の交さ幅重み付け
関数として、主共振の横０次モードに近似するＣＯＳ
- 1 （｜αＸ｜）と、縦０次モードに近似するＣＯＳ
（βＸ）とを乗じたものを用いるので、高次モードはよ
り良好に抑圧されて、共振周波数付近のスプリアスが除
去されるという効果を有する。
関数として、主共振の横０次モードに近似するＣＯＳ
- 1 （｜αＸ｜）と、縦０次モードに近似するＣＯＳ
（βＸ）とを乗じたものを用いるので、高次モードはよ
り良好に抑圧されて、共振周波数付近のスプリアスが除
去されるという効果を有する。
【図１】 本発明を説明するために導入された座標系の
説明図
説明図
【図２】 本発明の理論構成を説明するための説明図
で、Ａは横０次モードの説明図、Ｂは縦０次モードの説
明図
で、Ａは横０次モードの説明図、Ｂは縦０次モードの説
明図
【図３】 本実施例にかかる表面波素子のＩＤＴ電極を
示すもので、Ａは１ポートタイプＩＤＴ電極の平面図、
Ｂは２ポートタイプＩＤＴ電極の平面図
示すもので、Ａは１ポートタイプＩＤＴ電極の平面図、
Ｂは２ポートタイプＩＤＴ電極の平面図
【図４】 図３Ａの実施例により得られた特性を示すも
ので、Ａはインピーダンス特性図、Ｂはスミスチャート
図
ので、Ａはインピーダンス特性図、Ｂはスミスチャート
図
【図５】 従来例のＩＤＴ電極の平面図
【図６】 図５に示す従来例により得られた特性を示す
もので、Ａはインピーダンス特性図、Ｂはスミスチャー
ト図
もので、Ａはインピーダンス特性図、Ｂはスミスチャー
ト図
１ 圧電基板 ２ ＩＤＴ電極 ３ 原点 ４ 表面波の伝播方向 ５ａ、５ｂ 反射器電極 ６ 右端 ７ バスバー ８ 境界 ９ 交さ幅重みづけ包絡線 １０ａ、１０ｂ スプリアス １１ａ、１１ｂ スプリアス
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭64−8710（ＪＰ，Ａ) 1976 ＩＥＥＥ ＵＬＴＲＡＳＯＮＩ ＣＳ ＳＹＭＰＯＳＩＵＭ ＰＲＯＣＥ ＥＤＩＮＧＳ，ｐ．260−265，287−296 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03H 9/64 H03H 9/145
Claims (2)
- 【請求項１】圧電基板上に、重み付けを施したＩＤＴ電
極と、その前後に反射器電極とを、形成した表面波素子
において、 ＩＤＴ電極の中心を原点とし、表面波の伝播方向にＸ
軸、その垂直方向にＹ軸を仮定し、Ｘ軸方向のＩＤＴ電
極の範囲を −Ｘ0 ／２≦Ｘ≦Ｘ0 ／２ としたとき、ＩＤＴ電極の交さ幅重み付け包絡線が Ｙ＝±ＣＯＳ- 1 （｜αＸ｜）・ＣＯＳ（βＸ） 但し、０＜α≦π／Ｘ0 ０＜β≦π／Ｘ0 −Ｘ0 ／２はＩＤＴ電極の左端のＸ座標 Ｘ0 ／２はＩＤＴ電極の右端のＸ座標 を満たすように形成されていることを特徴とする表面波
素子。 - 【請求項２】請求項１記載の交さ幅重み付け包絡線を持
つＩＤＴ電極を、Ｙ軸と平行な直線で２分して２ポート
タイプとしたことを特徴とする請求項１記載の表面波素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16206993A JP3289410B2 (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 表面波素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16206993A JP3289410B2 (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 表面波素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0722898A JPH0722898A (ja) | 1995-01-24 |
| JP3289410B2 true JP3289410B2 (ja) | 2002-06-04 |
Family
ID=15747506
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16206993A Expired - Lifetime JP3289410B2 (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 表面波素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3289410B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004229203A (ja) | 2003-01-27 | 2004-08-12 | Ricoh Co Ltd | 半導体集積回路および該半導体集積回路を用いた音響素子ドライブアンプ |
| JP4727322B2 (ja) | 2005-07-06 | 2011-07-20 | 太陽誘電株式会社 | 弾性表面波装置 |
| JP2007060108A (ja) | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性表面波装置 |
| JP5028926B2 (ja) * | 2006-09-20 | 2012-09-19 | パナソニック株式会社 | 弾性表面波共振子 |
| DE102010034121A1 (de) | 2010-08-12 | 2012-02-16 | Epcos Ag | Mit akustischen Wellen arbeitendes Bauelement mit reduziertem Temperaturgang der Frequenzlage und Verfahren zur Herstellung |
| JP6307021B2 (ja) | 2014-12-19 | 2018-04-04 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス |
-
1993
- 1993-06-30 JP JP16206993A patent/JP3289410B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| １９７６ ＩＥＥＥ ＵＬＴＲＡＳＯＮＩＣＳ ＳＹＭＰＯＳＩＵＭ ＰＲＯＣＥＥＤＩＮＧＳ，ｐ．２６０−２６５，２８７−２９６ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0722898A (ja) | 1995-01-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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