JP2006514320A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 表示特性を向上することができる液晶表示装置を開示する。
【解決手段】 第１基板は、表示領域に対応してスイッチング素子と透明電極との接合部をカバーし、透明電極の一部を露出させる開口窓が形成された絶縁膜を備え、開口窓で透明電極と反射電極が電気的に接続される。また、第１基板は駆動領域に対応して駆動回路及び駆動回路の第１領域をカバーする絶縁膜を備える。第１基板と第２基板との間には第１基板と第２基板を結合し、駆動回路の第２領域をカバーするための結合部材が更に設ける。したがって、駆動回路の誤動作を防止することができ、前記駆動回路から出力される信号が歪曲される現象を防止することができる。

Description

本発明は、液晶表示装置に係わり、更に詳細には表示特性を向上することができる液晶表示装置に関する。

液晶表示装置は、第１基板、第２基板、及び前記第１基板と前記第２基板との間に介在する液晶層で構成される。前記液晶表示装置は、外部からの信号によって前記第１基板と前記第２基板との間に電界が形成されると、前記電界によって前記液晶層の配列角が変化しながら画像を表示する。
前記第１基板は、画像を表示する表示領域とこの表示領域に隣接する周辺領域で構成される。表示領域には、複数の画素がマトリクス形態で設けられる。複数の画素それぞれはゲートライン、データライン、これらゲートライン及びデータラインに接続された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）及びＴＦＴに接続された画素電極で構成される。

前述の周辺領域には、ゲートラインに駆動電圧を印加するためのゲート駆動回路が設けられ、ゲート駆動回路は第１基板上にＴＦＴを形成する工程と同じ工程によって形成される。ゲート駆動回路は互いに有機的に接続された複数のトランジスタ、キャパシタ及び配線で構成される。ゲート駆動回路は絶縁膜によってカバーされ、各トランジスタを接続する場合、絶縁膜は接続部分に対応して形成されるコンタクトホールを備える。絶縁膜上にはコンタクトホールを通じて各トランジスタを接続するための導電膜が設けられる。したがって、導電膜はゲート駆動回路の一番外郭の表面に配置するようになる。

一方、第２基板には液晶層を間に挟んで画素電極と向い合う共通電極が設けられる。しかし、共通電極は、第２基板の全面にかけて形成されるので、ゲート駆動回路とも液晶層を挟んで向い合っている。したがって、ゲート駆動回路に設けられた導電膜と共通電極との間で寄生キャパシタンスが形成される。
この寄生キャパシタンスは、ゲート駆動回路の誤動作を誘導したり、ゲート駆動回路から出力される信号が歪曲または遅延する現象を発生させる。結局、寄生キャパシタンスは、液晶表示装置の表示特性を低下させる要因として作用する。

本発明の目的は、表示特性を向上させるための液晶表示装置を提供することにある。

前述した本発明の一特徴による液晶表示装置は、第１基板、第２基板、第１基板と第２基板とを結合するための結合部材、及び前記第１基板と第２基板との間に介在する液晶層を含む。
前記第１基板は、画像を表示するための表示部、及び前記表示部を駆動するための駆動部を含み、前記結合部材は前記第１基板と前記第２基板との間に介在して前記駆動をカバーする。

また、本発明の他の特徴による液晶表示装置は、第１基板、第２基板、及び前記第１基板と第２基板との間に介在する液晶層を含む。
前記第１基板は、スイッチング素子と電気的に接続された透明電極、前記透明電極上に配置され、前記スイッチング素子と前記透明電極との接合部をカバーし、前記透明電極の一部を露出させる開口層が形成された第１絶縁膜及び前記透明電極上に配置され、前記開口窓で前記透明電極と電気的に接続される反射電極を備え、画像を表示するための表示部、及び前記表示部を駆動するための駆動部を含む。

前記第２基板は、前記透明電極及び反射電極と向い合い、前記駆動部を除いた残り領域に対応して共通電極を備える。
前述のような本発明によると、駆動領域に対応して第１基板に設けられたゲート駆動回路が液晶層より誘電率が低い絶縁膜及び（又は）結合部材（シーラント）によってそれぞれカバーされる。また、前記第２基板は前記ゲート駆動回路と向い合う共通電極が除去された構成を有する。

したがって、前記ゲート駆動回路と前記共通電極との間で生成される寄生キャパシタンスを減少させることができる。それによって、前記ゲート駆動回路が誤動作を起こすことを防止することができ、前記ゲート駆動回路から出力される信号が歪曲される現象を防止することができる。
また、前記ゲート駆動回路を正常的に駆動することによって前記液晶表示装置の表示特性を向上させることができる。

以下、添付した図面を参照して、本発明の望ましい実施例をより詳細に説明する。
図１は、本発明による液晶表示装置の平面図であり、図２ａは、本発明の第１実施例による液晶表示装置を反射透過型に適用した例を具体的に示した断面図であり、図２ｂは、本発明の第２実施例による液晶表示装置を透過型に適用した例を具体的に示した断面図である。

図１及び図２ａを参照すると、本発明の第１実施例による液晶表示装置４００は、第１基板、第１基板１００と向い合う第２基板２００、及び第１基板１００と第２基板２００との間に介在する液晶層３００で構成される。
第１基板１００は、画像を表示する表示領域（ＤＡ）及び表示領域（ＤＡ）に隣接した周辺領域（ＰＡ）で構成される。表示領域（ＤＡ）には、複数の画素がマトリクス形態で構成される。複数の画素それぞれは、第１方向に延設されたデータライン（ＤＬ）と第１方向と直交する第２方向に延設されたゲートライン（ＧＬ）に接続されたＴＦＴ１１０及びＴＦＴ１１０に接続された画素電極を含む。画素電極は、透明電極１２０と反射電極１４０で構成される。

図２ａに示したように、表示領域（ＤＡ）は、反射領域（ＲＡ）と透過領域（ＴＡ）に区分する。反射領域（ＲＡ）は反射電極１４０が形成された領域であって、液晶表示装置４００の外部から提供される第１光を反射する。また、透過領域（ＴＡ）は透明電極１２０が形成された領域であって、液晶表示装置４００自身によって生成された第２光を透過する。

第１基板１００上にＴＦＴ１１０が形成された後、ＴＦＴ１１０上に表面がエンボシング処理された有機絶縁膜１３０が積層される。有機絶縁膜１３０はＴＦＴ１１０のドレイン電極を露出させるためのコンタクトホール１３０ａを備える。
その後、有機絶縁膜１３０上には、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）又はインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）からなる透明電極１２０が積層される。

透明電極１２０上には、反射率が優れるアルミニウム−ネオジウム（ＡｌＮｄ）で構成された反射電極１４０が均一な厚さで積層される。反射電極１４０は有機絶縁膜１３０と同じ表面構造を有する。したがって、反射電極１４０の反射効率が向上する。
一方、周辺領域（ＰＡ）には、ゲートライン（ＧＬ）の一端に接続され、ゲートライン（ＧＬ）にゲート駆動信号を提供するためのゲート駆動回路１６０が設けられる。ゲート駆動回路１６０は、連結配線１６５を通じて表示領域（ＤＡ）に配置されたゲートライン（ＧＬ）と電気的に接続される。ゲート駆動回路１６０及び連結配線１６５は表示領域（ＤＡ）のＴＦＴ工程と同じ工程上で形成される。

第２基板２００は、光によって所定色に発現されるＲＧＢ色画素で構成されたカラーフィルタ２１０及びカラーフィルタ２１０上に均一な厚さに積層され、透明電極１２０及び反射電極１４０と向い合う共通電極２２０を備える。
第１基板１００と第２基板２００が完成すると、第１基板１００と第２基板２００はシーラント３５０によって堅固に結合される。シーラント３５０は、周辺領域（ＰＡ）に設けられ、ゲート駆動回路１６０の第１領域（Ａ１）を除いたゲート駆動回路１６０の第２領域（Ａ２）をカバーする。

第１基板１００と第２基板２００がシーラント３５０によって結合されると、第１基板１００と第２基板２００との間には液晶層３００が介在することによって、液晶表示装置４００が完成する。
このような液晶表示装置４００で、ゲート駆動回路１６０は液晶層３００より低い誘電率を有するシーラント３５０によってカバーされる。一般的に、キャパシタンスは誘電率に比例する。したがって、シーラント３５０がゲート駆動回路１６０と共通電極２２０との間に介在することによって、ゲート駆動回路１６０と共通電極２２０との間で生成される寄生キャパシタンスを減少することができる。

前述のようなシーラントとゲート駆動回路の配置構造は図２ｂに示したように透過型液晶表示装置にも適用することができる。透過型液晶表示装置であれば、図２に示した構造の透過型液晶表示装置にのみ限定されず変形可能であることは勿論である。
図３は、本発明の第３実施例による液晶表示装置を具体的に示した断面図である。図３を参照すると、第１基板１００は画像を表示する表示領域（ＤＡ）及び表示領域（ＤＡ）に隣接した周辺領域（ＰＡ）で構成される。表示領域（ＤＡ）にはＴＦＴ１１０及びＴＦＴ１１０に接続された画素電極を含む。画素電極は、透明電極１２０と反射電極１４０で構成される。透明電極は、ＴＦＴ１１０に直接的に接続され、反射電極１４０は透明電極１２０を通じてＴＦＴ１１０と間接的に接続される。

第１基板１００上にＴＦＴ１１０が設けられると、透明電極１２０はＴＦＴ１１０のドレイン電極（図示せず）と直接的に接続される。その後、ＴＦＴ１１０と透明電極１２０が形成された第１基板１００上には有機絶縁膜１３０が形成される。有機絶縁膜１３０は、ＴＦＴ１１０と透明電極１２０の接合部をカバーする。有機絶縁膜１３０は透明電極１２０の一部を露出させかつ透過領域（ＴＡ）を含む開口窓１３１を有する。

有機絶縁膜１３０上には、反射電極１４０が形成され、反射電極１４０は開口窓１３１を通じて透明電極１２０と電気的に接続される。即ち、反射電極１４０は、開口窓１３１によって露出された透明電極１２０まで延設され、透明電極１２０と接続される。したがって、反射電極１４０は、透明電極１２０を通じてＴＦＴ１１０のドレイン電極と電気的に接続される。

一方、周辺領域（ＰＡ）にはゲートライン（ＧＬ）の一端に接続され、ゲートライン（ＧＬ）にゲート駆動信号を提供するためのゲート駆動回路１６０が設けられる。ゲート駆動回路１６０の第１領域（Ａ１）は、有機絶縁膜１３０によってカバーされる。
第１基板１００と、第２基板２００との間に介在するシーラント３５０は、ゲート駆動回路１６０の第１領域（Ａ１）を除いたゲート駆動回路１６０の第２領域（Ａ２）をカバーする。

このような液晶表示装置４００において、ゲート駆動回路１６０は、液晶層３００より低い誘電率を有する有機絶縁膜１３０及びシーライント３５０によってカバーされる。一般的に、キャパシタンスは誘電率に比例する。したがって、有機絶縁膜１３０及びシーラント３５０がゲート駆動回路１６０と共通電極２２０との間に介在することによって、ゲート駆動回路１６０と共通電極２２０との間で生成される寄生キャパシタンスを減少することができる。

図４は、図３に示したゲート駆動回路を具体的に示したブロック図であり、図５は図４に示したゲート駆動回路の各ステージの内部構成を示した図面である。
図４を参照すると、ゲート駆動回路１６０は従属的に接続された複数のステージで構成される１つのシフトレジスタ１６１で構成される。
シフトレジスタ１６１は、現在ステージの出力端子（ＯＵＴ）が対応するゲートラインに接続され、その次のステージの入端子（ＩＮ）及び直前ステージの制御端子（ＣＴ）に接続された構造を有する。したがって、複数のステージは順次増加しながら駆動電圧レベルを有するゲート駆動信号を対応するゲートラインにそれぞれ出力する。

各ステージは、第１〜第７ＮＭＯＳトランジスタ（ＮＴ１，ＮＴ２，ＮＴ３，ＮＴ４，ＮＴ５，ＮＴ６，ＮＴ７）及びキャパシタ（Ｃ）で構成される。第１〜第７ＮＭＯＳトランジスタ（ＮＴ１〜ＮＴ７）及びキャパシタ（Ｃ）は互いに有機的に接続される。具体的に、各ステージは第１〜第７ＮＯＳトランジスタ（ＮＴ１〜ＮＴ７）を構成するゲート電極及びゲート電極から延設された第１配線で構成された第１導電パターン１１４を含む。また、各ステージは第１〜第７ＮＭＯＳトランジスタ（ＮＴ１〜ＮＴ７）のソース電極及びドレイン電極、ソース電極及びドレイン電極から延設された第２配線で構成された第２導電パターン１１５を含む。

第１導電パターン１１４及び第２導電パターン１１５は、ゲート絶縁膜を挟んで互いに絶縁されるだけでなく、第２導電パターン１１５上には有機絶縁膜１３０が形成されるので、各ステージは第１導電パターン１１４と第２導電パターン１１５を電気的に接続するための導電膜１１７を必要とする。
各ステージは、第１ＮＭＯＳトランジスタ（ＮＴ１）のゲート電極と第３ＮＭＯＳトランジスタ（ＮＴ３）のソース電極を接続するための第１コンタクト領域（ＣＯＮ１）、第２ＮＭＯＳトランジスタ（ＮＴ２）のゲート電極と第７ＮＭＯＳトランジスタ（ＮＴ７）のドレイン電極を接続するための第２コンタクト領域（ＣＯＮ２）、第７ＮＭＯＳトランジスタ（ＮＴ７）のゲート電極と第３ＮＭＯＳトランジスタ（ＮＴ３）のソース電極を接続するための第３コンタクト領域（ＣＯＮ３）、第２ＮＭＯＳトランジスタ（ＮＴ２）のゲート電極と第６ＮＭＯＳトランジスタ（ＮＴ６）のソース電極を接続するための第４コンタクト領域（ＣＯＮ４）及び第６ＮＭＯＳトランジスタ（ＮＴ６）のゲート電極と第６ＮＭＯＳトランジスタ（ＮＴ６）のドレイン電極を接続するための第５コンタクト領域（ＣＯＮ５）を含む。導電膜１１７は、第１コンタクト領域〜第５コンタクト領域（ＣＯＮ１〜ＣＯＮ５）に対応するよう設けられる。

具体的に、第３コンタクト領域（ＣＯＮ３）で第７ＮＭＯＳトランジスタ（ＮＴ７）のゲート電極は第３ＮＭＯＳトランジスタ（ＮＴ３）のソース電極と電気的に接続される。ソース電極及びドレイン電極上に設けられる有機絶縁膜１３０には、第７ＮＭＯＳトランジスタ（ＮＴ７）のゲート電極を露出させるための第１コンタクトホール１４１が形成され、第３ＮＭＯＳトランジスタ（ＮＴ３）のソース電極を露出させるための第２コンタクトホール１４３が形成される。導電膜１１７は、第１コンタクトホール１４１及び第２コンタクトホール１４３を通じて第７ＮＭＯＳトランジスタ（ＮＴ７）のゲート電極と第３ＮＭＯＳトランジスタ（ＮＴ３）のソース電極にそれぞれ接続される。したがって、導電膜１１７は、第７ＮＭＯＳトランジスタ（ＮＴ７）のゲート電極と第３ＮＭＯＳトランジスタ（ＮＴ３）のソース電極を電気的に接続する。一般的に、導電膜１１７には透明性導電物質であるインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）が用いられる。

図５では、各ステージが第１トランジスタ〜第７トランジスタ（ＮＴ１〜ＮＴ７）で構成されたものを示したが、各ステージはこのような構造以外にも多様な構成にすることができる。ただし、異なる構成を有する場合にも各ステージの内部には複数の導電膜１１７が設けられる。
図６は、本発明の第４実施例による液晶表示装置の表示領域の構造を具体的に示した断面図であり、図７は、本発明の第５実施例による液晶表示装置の表示領域の構造を示した断面図である。

図６に示すように、表示領域（ＤＡ）に対応して第１基板１００にはＴＦＴ１１０、及びＴＦＴ１１０に接続され、反射電極１４０と透明電極１２０で構成された画素電極が設けられ、第２基板２００にはカラーフィルタ２１０及び共通電極２２０が設けられる。
具体的に、第１基板１００には、ゲート電極１１１、ソース電極１１２、及びドレイン電極１１３で構成されたＴＦＴ１１０が形成される。その後、第１基板１００上にはＩＴＯからなる透明電極１２０が設けられ、透明電極１２０はドレイン電極１１３と電気的に接続される。したがって、透明電極１２０はＴＦＴ１１０のドレイン電極１１３に印加される信号の印加を受ける。

ＴＦＴ１１０及び透明電極１２０が形成された第１基板１００上には感光性アクリル樹脂からなる有機絶縁膜１３０が所定の厚さで積層される。ここで、有機絶縁膜１３０はドレイン電極１１３と透明電極１２０とが接触する部分をカバーする。また、有機絶縁膜１３０には透明電極１２０の一部分を露出させるための開口窓１３１が形成される。開口窓１３１はＴＦＴ１１０及び透明電極１２０とが接触する部分を除いた残り領域に形成され、反射電極１４０の反射効率を向上させる。また、有機絶縁膜１３０が表面には複数の凹凸１３５が設けられ、その後、有機絶縁膜１３０上に積層される反射電極１４０の反射効率を向上させる。

その後、有機絶縁膜１３０上には、反射率が優秀なアルミニウム−ネオジウム（ＡｌＮｄ）からなる反射電極１４０が均一な厚さで形成される。ここで、反射電極１４０は開口窓１３１を通じて透明電極１２０と電気的に接続される。したがって、反射電極１４０は、ＴＦＴ１１０のドレイン電極１１３に印加された信号を透明電極１２０を通じて印加を受ける。

ここで、反射電極１４０が形成された領域は、液晶表示装置４００の前面から入射する第１光（Ｌ１）を反射するための反射領域（ＲＡ）と定義される。一方、透明電極１２０が形成された領域のうち、反射電極１４０によって露出された領域は液晶表示装置４００の後面から入射する第２光（Ｌ２）を透過するための透過領域（ＴＡ）と定義される。
有機絶縁膜１３０に形成された開口窓１３１を通じて液晶表示装置４００は反射領域（ＲＡ）で第１セルギャップ（Ｄ１）を有し、透過領域（ＴＡ）で第１セルギャップ（Ｄ１）より２倍大きい第２セルギャップ（Ｄ２）を有する。即ち、液晶表示装置４００は、透過領域（ＴＡ）と反射領域（ＲＡ）が互いに異なるセルギャップを有する二重セルギャップ構造を有する。

一方、液晶層３００は、カラーフィルタ基板２００に接する第１液晶（図示せず）とアレイ基板２００に隣接する第２液晶（図示せず）に区分する。ここで、第１液晶及び第２液晶の配列方向、即ち、第１液晶及び第２液晶の長軸が、第１基板１００に平行である基準線と形成する角は液晶層３００のねじれ角と定義される。
ねじれ角が増加することによって液晶表示装置４００の透過率が減少するので、液晶表示装置４００は、偏光特性による光損失を防止するために、透過領域（ＴＡ）の第２セルギャップ（Ｄ２）が反射領域（ＲＡ）の第１セルギャップ（Ｄ１）の２倍である二重セルギャップを有する。このような液晶表示装置４００では、透過領域（ＴＡ）の透過率を向上させるためにねじれ角が０°を有するよう液晶層３００は水平（ｈｏｍｏｇｅｎｅｏｕｓ）配向される。

一方、図７に示したように、本発明の他の実施例による液晶表示装置によると、表示領域（ＤＡ）に対応して第１基板１００にはＴＦＴ１１０、透明電極１２０及び反射電極１３０で構成された画素電極、無機絶縁膜１５０及び有機絶縁膜１３０が設けられる。
具体的に、第１基板１００には、ゲート電極１１１、ソース電極１１２、及びドレイン電極１１３で構成されたＴＦＴ１１０が形成される。その後、第１基板１００上にはＴＦＴ１１０を保護するための無機絶縁膜１５０が設けられる。無機絶縁膜１５０はシリコンナイトライド（ＳｉＮｘ）やクロムオキサイド（Ｃｒ２０３）などのような透明物質で構成される。無機絶縁膜１５０には、ドレイン電極１１３を露出させるためのコンタクトホール１５１が形成されている。

その後、無機絶縁膜１５０上にはＩＴＯからなる透明電極１２０が設けられ、透明電極１２０はコンタクトホール１５１を通じてドレイン電極１１３と電気的に接続される。したがって、透明電極１２０はＴＦＴ１１０のドレイン電極１１３に印加される信号の印加を受ける。
ＴＦＴ１１０、無機絶縁膜１５０、及び透明電極１２０が形成された第１基板１００上には感光性アクリル樹脂からなる有機絶縁膜１３０が所定厚さで積層される。また、有機絶縁膜１３０には透明電極１２０の一部分を露出させるための開口窓１３１が形成される。開口窓１３１はＴＦＴ１１０及び透明電極１２０が接触される部分を除いた残り領域に形成され、反射電極１４０の反射効率を向上させる。また、有機絶縁膜１３０が表面には複数の凹凸１３５が設けられ、その後に有機絶縁膜１３０上に積層される反射電極１４０の反射効率を向上させる。

その後、有機絶縁膜１３０上には反射率が優秀であるアルミニウム−ネオジウム（ＡｌＮｄ）からなる反射電極１４０が均一な厚さで形成される。ここで、反射電極１４０は開口窓１３１を通じて透明電極１２０と電気的に接続される。したがって、反射電極１４０はＴＦＴ１１０のドレイン電極１１３に印加された信号を透明電極１２０を通じて印加を受ける。

反射電極１４０は、開口窓１３１によって露出された透明電極１２０と電気的に接触するので、反射電極１４０を透明電極１２０またはドレイン電極１１３と電気的に接続するためのコンタクトホールを追加に形成しなくても良いので、反射電極１４０の反射効率を向上することができる。また、反射電極１４０が有機絶縁膜１３０の上面だけでなく、側壁及び透明電極１２０の上面にまで延設されるので、反射電極１４０の反射効率を更に向上することができる。

ここで、反射電極１４０が形成された領域は、液晶表示装置４００の前面から入射する第１光（Ｌ１）を反射するための反射領域（ＲＡ）と定義される。一方、透明電極１２０が形成された領域のうち、反射電極１４０によって露出された領域は液晶表示装置４００の後面から入射する第２光（Ｌ２）を透過するための透過領域（ＴＡ）と定義される。
第２基板２００上には、厚さ調節部材２３０、カラーフィルタ２１０、及び透明電極１２０及び反射電極１４０と向い合う共通電極２２０を備える。カラーフィルタ２１０は反射領域（ＲＡ）で第１厚さ（ｔ１）で第２基板２００上に形成され、透過領域（ＴＡ）で第１厚さ（ｔ１）より厚い第２厚さ（ｔ２）で第２基板２００上に形成される。具体的に、第２厚さ（ｔ２）は第１厚さ（ｔ１）の２倍である。

第２基板２００上には透過領域（ＴＡ）を除いた残り領域に対応して第１厚さ（ｔ１）を有する厚さ調節部材２３０が形成される。その後、厚さ調節部材２３０及び第２基板２００上には均一な表面構造を有するカラーフィルタ２１０が形成される。したがって、カラーフィルタ２１０は透過領域（ＴＡ）で第２厚さ（ｔ２）で形成され、反射領域（ＲＡ）で第１厚さ（ｔ１）で形成される。その後、カラーフィルタ２１０上には均一の厚さで共通電極２２０が形成される。

反射領域（ＲＡ）に入射し、反射電極１４０によって反射される第１光（Ｌ１）は、第１厚さ（ｔ１）を有するカラーフィルタ２１０を２度通過して出射される。透過領域（ＴＡ）を透過する第２光（Ｌ２）は、第２厚さ（ｔ２）を有するカラーフィルタ２１０を１度通過して出射される。したがって、反射領域（ＲＡ）と透過領域（ＴＡ）との間で色再現性が同一となる。

図８は、本発明の第６実施例による液晶表示装置の表示領域の構造を示した断面図である。
図８に示すように、第１基板１００には、ゲート電極１１１、ソース電極１１２、及びドレイン電極１１３で構成されたＴＦＴ１１０が形成される。その後、第１基板１００上にはＩＴＯで構成された透明電極１２０が形成され、透明電極１２０はドレイン電極１１３と電気的に接続される。したがって、透明電極１２０はＴＦＴ１１０のドレイン電極１１３に印加される信号の印加を受ける。

ＴＦＴ１１０及び透明電極１２０が形成された第１基板１００上には、感光性アクリル樹脂からなる有機絶縁膜１３０が所定厚さで積層される。ここで、有機絶縁膜１３０はドレイン電極１１３と透明電極１２０が接触される部分をカバーする。また、有機絶縁膜１３０には、透明電極１２０の一部分を露出するための開口窓１３１が形成される。開口窓１３１はＴＦＴ１１０及び透明電極１２０が接触される部分を除いた残り領域に形成される。

その後、有機絶縁膜１３０上には、モリブデンタングステン（ＭｏＷ）からなる第１反射電極１４３及び反射率が優秀なアルミニウム−ネオジウム（ＡｌＮｄ）からなる第２反射電極１４５が順次積層される。第１反射電極１４３は、開口窓１３１を通じて透明電極１２０と電気的に接続される。したがって、第１反射電極１４３及び第２反射電極１４５は、ＴＦＴ１１０のドレイン電極１１３に印加された信号を透明電極１２０を通じて印加を受ける。

図８に示したように、開口窓１３１が形成された領域で、第２反射電極１４５と透明電極１２０との間に第１反射電極１４３が介在する。第２反射電極１４５と透明電極１４３との間で発生する電池反応を防止することができる。
図９は、本発明の第７実施例による液晶表示装置の表示領域の構造を示した断面図である。図９は、反射型液晶表示装置に係わり、図２の第１実施例とは違って、表示領域（ＤＡ）は透過領域なしで反射領域（ＲＡ）のみ構成される。図９に示すように、反射領域（ＲＡ）は、反射電極１４０が形成された領域であって、液晶表示装置４００の外部から提供される光を反射する。

ゲート駆動回路１６０は、液晶層３００より低い誘電率を有するシーラント５３０によってカバーされる。したがって、シーラント３５０がゲート駆動回路１６０と共通電極２２０との間に介在することによって、ゲート駆動回路１６０と共通電極２２０との間で生成される寄生キャパシタンスを減少することができる。
図１０は、本発明による液晶表示装置の平面図であり、図１１ａは、本発明の第８実施例による液晶表示装置を反射透過型に適用した例を具体的に示した断面図であり、図１１ｂは、本発明の第９実施例による液晶表示装置を透過型に適用した例を具体的に示した断面図である。

図１０及び図１１ａ及び図１１ｂでは、図１及び図３に示した構成要素と同じ構成要素に対しては同じ参照符号を付与し、それに対する説明は省略する。
図１０及び図１１ａに示すように、液晶表示装置５００は画像が表示される表示領域（ＤＡ）及び表示領域（ＤＡ）に隣接する周辺領域（ＰＡ）で構成される。
周辺領域（ＰＡ）には、ゲートライン（ＧＬ）の一端に接続され、ゲートライン（ＧＬ）にゲート駆動信号を提供するためのゲート駆動回路１６０が設けられる。ゲート駆動回路１６０は連結配線１６５を通じて表示領域（ＤＡ）に配置されたゲートライン（ＧＬ）と電気的に接続される。ゲート駆動回路１６０及び連結配線１６５は表示領域（ＤＡ）のＴＦＴ工程と同じ工程上で形成される。

第１基板１００と第２基板２００が完成すると、第１基板１００と第２基板２００はシーラント３５０によって堅固に結合される。シーラント３５０は周辺領域（ＰＡ）に設けられゲート駆動回路１６０を完全にカバーする。
第１基板１００と第２基板２００が結合すると、第１基板１００と第２基板との間には液晶層３００が介在することによって、液晶表示装置５００が完成する。

ここで、シーラント３５０は、液晶層３００及び表示領域（ＤＡ）及び周辺領域（ＰＡ）に形成される有機絶縁膜１３０より低い誘電率を有する。一般的に、キャパシタンスは誘電率に比例するので、図面に示したように、ゲート駆動回路１６０と共通電極２２０との間には液晶層３００及び有機絶縁膜１３０より低い誘電率を有するシーラント３５０を介在する。したがって、周辺領域（ＰＡ）に配置されるゲート駆動回路１６０をシーラント３５０によって完全にカバーすることで、ゲート駆動回路１６０と共通電極２２０との間で生成される寄生キャパシタンスを減少させることができる。

また、第７実施例による共通電極のパターン構造は、反射透過型液晶表示装置にのみ限定されず、一般的な反射型（図示せず）または透過型（図１１ｂ参照）液晶表示装置にも適用することができる。透過型液晶表示装置であれば、図１１ｂに示した構造の透過型液晶表示装置にのみ限定されず、変形が可能であることは勿論である。
図１２は、本発明の第１０実施例による液晶表示装置を具体的に示した断面図である。

図１２に示すように、第６実施例による液晶表示装置で、ゲート駆動回路１６０及び連結配線１６５と向い合う第２基板上に共通電極２２０が除去された共通電極のパターン構造を有する。この場合にも共通電極２２０は、周辺領域（ＰＡ）を除いた表示領域（ＤＡ）及びシーラント３５０が存在する周辺領域にも形成することは勿論である。
即ち、共通電極２２０は、ゲート駆動回路１６０及び連結配線１６５と向い合わないようにパターニングされる。したがって、周辺領域（ＰＡ）で寄生キャパシタンスが生成することを防止できる。

また、駆動領域に対応して第１基板に設けられたゲート駆動回路１６０が液晶層より誘電率が低い（絶縁膜及び）シーラントによってカバーされ、連結配線１６５が液晶層より誘電率が低い絶縁膜によってカバーされる。また、第２基板はゲート駆動回路と向い合う共通電極が除去された構成を有する。
したがって、ゲート駆動回路と共通電極との間で生成される寄生キャパシタンスを減少させることができる。それによって、ゲート駆動回路が誤動作を起こすことを防止することができ、ゲート駆動回路から出力される信号が歪曲される現象を防止することができる。

また、第８実施例による共通電極のパターン構造は反射透過型液晶表示装置にのみ限定されず、一般的な反射型（図示せず）または透過型（図示せず）液晶表示装置にも適用することができることは勿論である。
図１３は、本発明の第１１実施例による液晶表示装置を具体的に示した断面図である。
図１３に示すように、液晶表示装置６００は、第１基板１００、第２基板２００、及び第１基板１００と第２基板２００との間に介在する液晶層３００で構成される。ここで、液晶表示装置６００は、画像が表示される表示領域（ＤＡ）及び表示領域（ＤＡ）に隣接する周辺領域（ＰＡ）に区分する。

表示領域（ＤＡ）には、複数の画素がマトリクス形態で設けられる。複数の画素それぞれは第１方向に延設されたデータラインと第１方向と直交する第２方向に延設されたゲートラインに接続されたＴＦＴ１１０及びＴＦＴ１１０に接続された画素電極を含む。画素電極は透明電極１２０と反射電極１４０を含み、透明電極１２０は、ＴＦＴ１１０に直接的に接続され、反射電極１４０は、透明電極１２０を通じてＴＦＴ１１０と間接的に接続される。

具体的に、ＴＦＴ１１０と透明電極１２０上には有機絶縁膜１３０が形成される。有機絶縁膜１３０はＴＦＴ１１０と透明電極１２０の接合部をカバーする。有機絶縁膜１３０は透明電極１２０の一部を露出させかつ透過領域（ＴＡ）を含む開口窓１３１を有する。
有機絶縁膜１３１上には、反射電極１４０が形成され、反射電極１４０は開口窓１３１を通じて透明電極１２０と電気的に接続される。即ち、反射電極１４０は開口窓１３１によって露出された透明電極１２０まで延設され透明電極１２０と接続される。したがって、反射電極１４０は透明電極１２０を通じてＴＦＴ１１０のドレイン電極と電気的に接続される。

一方、周辺領域（ＰＡ）には、ゲートラインの一端に接続され、ゲートラインにゲート駆動信号を提供するためのゲート駆動回路１６０が設けられる。ゲート駆動回路１６０は、連結配線１６５を通じて表示領域（ＤＡ）に配置されたゲートラインと電気的に接続される。ゲート駆動回路１６０及び連結配線１６５は表示領域（ＤＡ）のＴＦＴ工程と同じ工程上で形成される。ここで、ゲート駆動回路１６０は液晶層３００より低い誘電率を有する有機絶縁膜１３０によって完璧にカバーされる。

一方、第２基板２００は、カラーフィルタ２１０及びカラーフィルタ２１０上に均一の厚さで積層された共通電極２２０を備える。共通電極２２０は周辺領域（ＰＡ）を除いた表示領域（ＤＡ）にのみに対応するよう形成される。この場合にも、共通電極２２０は周辺領域（ＰＡ）を除いた表示領域（ＤＡ）及びシーラント３５０が存在する周辺領域にも形成することができることは勿論である。

即ち、共通電極２２０は、ゲート駆動回路１６０と向い合わないようにパターニングされる。したがって、周辺領域（ＰＡ）で寄生キャパシタンスが生成されることを防止することができる。
図１４は、本発明の第１２実施例による液晶表示装置を具体的に示した断面図である。
図１４に示すように、表示領域（ＤＡ）に対応して第１基板１００には、ＴＦＴ１１０、透明電極１２０及び反射電極１３０で構成される画素電極、無機絶縁膜１５０及び有機絶縁膜１３０が設けられる。表示領域（ＤＡ）に対応する液晶表示装置の構造は図７で説明したものと同じである。即ち、第１基板１００は、ＴＦＴ１１０と透明電極１２０を電気的に接続するためのコンタクトホール１５１が形成された第２絶縁膜を更に備える。

第７実施例による共通電極のパターン構造は、図１１ａ及び図１１ｂで説明された表示領域の構造にのみ限定されず、図２、図６、及び図８で前述した表示領域の構造にも勿論適用することができる。また、第７実施例による共通電極のパターン構造は反射透過型液晶表示装置にのみ限定されず、反射型又は透過型液晶表示装置にも勿論適用することができる。

以上、本発明の実施例によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離脱することなく、本発明を修正または変更できる。

本発明による液晶表示装置の平面図である。 本発明の第１実施例による液晶表示装置を反射透過型に適用した例を具体的に示した断面図である。 本発明の第２実施例による液晶表示装置を透過型に適用した例を具体的に示した断面図である。 本発明の第３実施例による液晶表示装置を具体的に示した断面図である。 図３に示したゲート駆動回路を具体的に示したブロック図である。 図４に示したゲート駆動回路の各ステージの内部構成を示した図面である。 本発明の第４実施例による液晶表示装置の表示領域の構造を具体的に示した断面図である。 本発明の第５実施例による液晶表示装置の表示領域の構造を示した断面図である。 本発明の第６実施例による液晶表示装置の表示領域の構造を示した断面図である。 本発明の第７実施例による液晶表示装置の表示領域の構造を示した断面図である。 本発明による液晶表示装置の平面図である。 本発明の第８実施例による液晶表示装置を反射透過型に適用した例を具体的に示した断面図である。 本発明の第９実施例による液晶表示装置を透過型に適用した例を具体的に示した断面図である。 本発明の第１０実施例による液晶表示装置を具体的に示した断面図である。 本発明の第１１実施例による液晶表示装置を具体的に示した断面図である。 本発明の第１２実施例による液晶表示装置を具体的に示した断面図である。

符号の説明

１００ 第１基板
１１０ ＴＦＴ
１１１ ゲート電極
１１２ ソース電極
１１３ ドレイン電極
１１４ 第１導電パターン
１１５ 第２導電パターン
１１７ 導電膜
１２０ 透明電極
１３０ 有機絶縁膜
１３１ 開口窓
１４０ 反射電極
１５０ 無機絶縁膜
１６０ ゲート駆動回路
１６５ 連結配線
２００ 第２基板
２１０ カラーフィルタ
２２０ 共通電極
３００ 液晶層
３５０ シーラント
４００ 液晶表示装置

Claims (19)

1. 画像を表示するための表示部及び前記表示部を駆動するための駆動部を含む第１基板と、
   前記第１基板と向い合う第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板との間に介在して、前記第１基板と前記第２基板を結合し、前記駆動部をカバーする結合部材と、
   前記第１基板と前記第２基板との間に介在する液晶層と、
   を含むことを特徴とする液晶表示装置。
2. 前記結合部材は、前記液晶層より低い誘電率を有することを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
3. 前記結合部材は、前記駆動部を部分的にカバーすることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
4. 前記結合部材は、前記駆動部を全体的にカバーすることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
5. 前記第１基板は、
   スイッチング素子、
   前記スイッチング素子と電気的に接続された透明電極と、
   前記透明電極上に配置され、前記スイッチング素子と透明電極との接合部をカバーし、前記透明電極の一部を露出させる開口窓が形成された第１絶縁膜と、
   前記第１絶縁膜上に配置され、前記開口窓で前記透明電極と電気的に接続される反射電極と、
   を含むことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
6. 前記結合部材は前記駆動部の第１領域をカバーし、前記第１絶縁膜は前記第１領域を除いた前記駆動部の第２領域をカバーすることを特徴とする請求項５記載の液晶表示装置。
7. 前記第１絶縁膜は、前記液晶層より低い誘電率を有する物質からなることを特徴とする請求項６記載の液晶表示装置。
8. 前記第１基板は、前記スイッチング素子と前記透明電極との間に介在され、前記スイッチング素子と前記透明電極を電気的に接続するためのコンタクトホールが形成された第２絶縁膜を更に具備することを特徴とする請求項５記載の液晶表示装置。
9. 前記透明電極はインジウムスズ酸化物又はインジウム亜鉛酸化物からなることを特徴とする請求項５記載の液晶表示装置。
10. 前記反射電極は、モリブデンタングステン（ＭｏＷ）からなる第１反射層及びアルミニウム−ネオジウム（ＡｌＮｄ）からなる第２反射層を含むことを特徴とする請求項５記載の液晶表示装置。
11. 前記第２電極は、前記透明電極及び反射電極と向い合い、前記駆動部を除いた残り領域に対応して前記第２電極上に形成された共通電極を更に含むことを特徴とする請求項５記載の液晶表示装置。
12. 前記結合部材は、前記駆動部を部分的にカバーすることを特徴とする請求項１１記載の液晶表示装置。
13. 前記結合部材は、前記駆動部を全体的にカバーすることを特徴とする請求項１１記載の液晶表示装置。
14. 前記駆動部は、前記第１基板上に集積されたことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
15. スイッチング素子と電気的に接続された透明電極と、前記透明電極上に配置され、前記スイッチング素子と前記透明電極との接合部をカバーし、前記透明電極の一部を露出させる開口窓が形成された第１絶縁膜、及び前記第１絶縁膜上に配置され、前記開口窓で前記透明電極と電気的に接続される反射電極を具備し、画像を表示するための表示部及び前記表示部を駆動するための駆動部を含む第１基板と、
    前記透明電極及び反射電極と向い合い、前記駆動部を除いた残り領域に対応して共通電極が具備された第２基板と、
    前記第１基板と前記第２基板との間に介在された液晶層と、
    を含むことを特徴とする液晶表示装置。
16. 前記第１絶縁膜は、前記駆動部をカバーすることを特徴とする請求項１５記載の液晶表示装置。
17. 前記第１絶縁膜は、前記液晶層より低い誘電率を有することを特徴とする請求項１５記載の液晶表示装置。
18. 前記第１基板は、前記スイッチング素子と前記透明電極との間に介在され、前記スイッチング素子と前記透明電極を電気的に接続するためのコンタクトホールが形成された第２絶縁膜を更に含むことを特徴とする請求項１５記載の液晶表示装置。
19. 前記第１基板と前記第２基板との間に介在して、前記第１基板と前記第２基板とを結合し、前記駆動部をカバーする結合部材を更に含むことを特徴とする請求項１５記載の液晶表示装置。

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