JP3119233B2 - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置及び
その製造方法に関し、特に、相互に対向する一対の基板
の少なくとも一方に画素電極及びスイッチング素子を備
えた液晶表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】図１２は、従来の液晶表示装置の構造を
示す断面図である。基板１１上には、金属膜、絶縁膜或
いは半導体膜に、フォトリソグラフィー（ＰＲ）工程及
びエッチング工程を施すことによって形成された、ゲー
ト電極２１と、ゲート絶縁膜２３と、半導体層２４と、
ドレイン電極２２からなる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
３０と、画素電極２５とが配設されている。基板１１上
には更に、ＴＦＴ素子３０を駆動するためのゲート配線
とドレイン配線とが形成されている。

【０００３】また、必要に応じて、画素電極２５との間
で蓄積容量７２を形成するための蓄積容量配線２６が形
成される。基板１１上の画素電極２５、ＴＦＴ３０、蓄
積容量配線２６等の素子間は、シリコン窒化膜、シリコ
ン酸化膜等の絶縁膜４０によって絶縁されている。この
ようにして形成された基板１１と、透明電極２０が形成
された透明基板１２との間に液晶１０が封入されてい
る。この液晶表示装置では、画素電極２５と透明電極２
０との間に所要の電圧を印加することにより、表示を行
っている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】以上のような構造の液
晶表示装置では、ドレイン電極２２とドレイン電極２２
に対向する透明電極２０との間に寄生容量７０が発生
し、ドレイン電極２２と画素電極２５との間に寄生容量
７１が発生する。また、ゲート配線と対向電極２０との
間、ゲート配線と画素電極２５との間、ゲート配線とド
レイン配線との間にも寄生容量が夫々発生する。このよ
うに、配線と電極との間に寄生容量が発生すると、液晶
１０への電圧印加後に、寄生容量の影響によって画素電
極の電圧が変動する。更に、前記寄生容量により、配線
を伝わる信号電圧が遅延して、液晶への書込み率が低下
する等の課題がある。また、ゲート電極電圧の遅延が生
じると、ゲート電極オフ後も書き込みが行われることに
なり、フィードスルー電圧差が生じるといった課題があ
る。従って、良好な表示を行うためには、各寄生容量値
を小さくする必要がある。

【０００５】ところで、液晶に長時間直流電圧を印加す
ると、材料物性が変化し抵抗率が減少する等の劣化現象
が現れる。このため、液晶表示装置では一般に、液晶パ
ネルの寿命の観点から駆動電圧の極性を反転して交流駆
動している。

【０００６】フィードスルー現象は、ゲートパルスがオ
ンのときに上記各寄生容量に充電された各電荷が、ゲー
トパルスがオフになった瞬間に各容量に再配分されるこ
とに起因して生じる。フィードスルー電圧ΔＶｐは、正
書込みと負書込みのいずれにおいても電位が０Ｖの方向
へ減衰するので、正負の表示信号電位がΔＶｐだけ異な
ることになり、このままでは正負の書込み電位が異なっ
て、双方の間に直流のオフセット成分が発生する。オフ
セット成分は焼付き等の画質劣化の原因になり、また、
正負の画素電位のアンバランスはフリッカー発生の原因
ともなる。従って、対向電極である透明電極２０の電位
をオフセット電位分だけ補正することによって正負のバ
ランスをとり、画質劣化を防止する必要がある。

【０００７】これを実現するため、図１２に示した液晶
表示装置では、画素容量（液晶容量）と並列になるよう
に蓄積容量７２を付加し、フィードスルー電圧差を抑制
している。蓄積容量７２を大きくすることによって、フ
ィードスルー電圧ΔＶｐの低減を図ることができる。こ
こで、蓄積容量７２を大きくすれば、フィードスルー電
圧ΔＶｐの低減効果を大きくすることはできるが、これ
に伴って蓄積容量配線２６の面積も大きくなる。

【０００８】蓄積容量配線２６の面積が大きくなると、
以下の不都合が生じる。すなわち、図１２の液晶表示装
置が反射型液晶表示装置であれば、蓄積容量配線２６
が、画素電極２５によって表示側から隠れる位置になる
ため、開口率に対する問題は無い。しかし、透過型液晶
表示装置である場合には、透明基板１２側から進入する
光が、この状況下では透明化されている画素電極２５を
透過して基板１１側に向かうとき、画素電極２５とオー
バーラップし且つ面積が大きな蓄積容量配線２６の部分
を通ることになる。通常、蓄積容量配線２６は、ゲート
電極２１と同一の金属層から形成されて光を遮ることに
なるため、液晶表示における画素の開口率が低下すると
いう問題が生じる。

【０００９】本発明は、上記に鑑み、寄生容量値を低減
し、書込み後の画素電圧の変動、画素へ書込む信号電圧
の遅延を減少でき、従来に比して良好な表示を行うこと
ができる液晶表示装置及びその製造方法を提供すること
を目的とする。本発明は更に、画素の開口率を向上でき
る液晶表示装置を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の液晶表示装置は、相互に対向する一対の基
板を有し、該一対の基板相互間に液晶が封入され、前記
一対の基板の少なくとも一方に、液晶に電圧を印加する
ための画素電極と、該印加電圧を制御するためのスイッ
チング素子とを備えた液晶表示装置において、前記スイ
ッチング素子を駆動するための配線上に配設され第１及
び第２の絶縁膜から成る複合絶縁層を有し、前記第２の
絶縁膜が、前記配線上に選択的に形成された前記第１の
絶縁膜よりも誘電率が低い物質から成り、前記第１の絶
縁膜が前記第２の絶縁膜上に形成されることを特徴とす
る。

【００１１】本発明の液晶表示装置では、スイッチング
素子を駆動するための配線上に第２の絶縁膜を形成する
ことにより寄生容量値を低減できるので、書込み後の画
素電圧の変動、画素へ書込む信号電圧の遅延を従来に比
して減少できる。

【００１２】また、本発明の液晶表示装置は、相互に対
向する一対の基板を有し、該一対の基板相互間に液晶が
封入され、前記一対の基板の少なくとも一方に、液晶に
電圧を印加するための画素電極と、該印加電圧を制御す
るためのスイッチング素子とを備えた液晶表示装置にお
いて、前記スイッチング素子を駆動するための配線上に
選択的に、比誘電率が４以下の低誘電率物質を含む絶縁
層が配設されることを特徴とする。

【００１３】本発明の液晶表示装置では、スイッチング
素子を駆動するための配線上に低誘電率物質層を形成す
ることにより寄生容量値を低減できるので、書込み後の
画素電圧の変動、画素へ書込む信号電圧の遅延を従来に
比して減少させることができる。本発明における低誘電
率物質は、例えばシリコン窒化膜やシリコン酸化膜より
も誘電率が低い物質を意味しており、有機物質でも無機
物質でもよく、例えばポリエステル系樹脂やアクリル系
樹脂等が挙げられる。

【００１４】ここで、前記低誘電率物質を含む絶縁層
が、低誘電率物質と該低誘電率物質を保持する高分子樹
脂とを含む混合層として形成されていることが好まし
い。これにより、低誘電率物質層の形成が確実になる。

【００１５】本発明の製造方法は、前記液晶表示装置を
製造する製造方法であって、前記スイッチング素子が形
成された基板を電解溶液中に浸漬させ、前記スイッチン
グ素子を駆動するための配線を直流電源の陽極側に接続
し、電解溶液中に浸漬させた導電性電極を直流電源の陰
極側に接続し、前記スイッチング素子を駆動するための
配線上に選択的に、前記第２の絶縁膜、又は前記低誘電
率物質を含む絶縁層を形成することを特徴とする。

【００１６】本発明の製造方法によると、特定の電極で
ある、スイッチング素子を駆動するための配線上にのみ
第２の絶縁膜、又は低誘電率物質を含む絶縁層を形成す
ることができるので、従来所望パターンの膜形成で必要
とされていたＰＲ工程及びエッチング工程が不要にな
る。

【００１７】本発明の液晶表示装置は、相互に対向する
一対の基板を有し、該一対の基板相互間に液晶が封入さ
れ、前記一対の基板の少なくとも一方に、液晶に電圧を
印加するための画素電極を備えた液晶表示装置におい
て、蓄積容量を形成するための蓄積容量配線を備え、前
記蓄積容量配線上に配設され第１及び第２の絶縁膜から
成る複合絶縁層を有し、前記第２の絶縁膜が、前記蓄積
容量配線上に選択的に形成された前記第１の絶縁膜より
も誘電率が高い物質から成り、前記第１の絶縁膜が前記
第２の絶縁膜上に形成されることを特徴とする。

【００１８】また、本発明の液晶表示装置は、相互に対
向する一対の基板を有し、該一対の基板相互間に液晶が
封入され、前記一対の基板の少なくとも一方に、液晶に
電圧を印加するための画素電極を備えた液晶表示装置に
おいて、蓄積容量を形成するための蓄積容量配線を備
え、前記蓄積容量配線上に選択的に、比誘電率が７以上
の高誘電率物質を含む絶縁層が配設されることを特徴と
する。

【００１９】本発明の液晶表示装置によると、蓄積容量
の電極面積が１／２、或いは１／３となった場合でも、
蓄積容量間の誘電率を従来の２倍或いは３倍とすること
ができるので、従来と同様の容量値をもつ蓄積容量を形
成することができる。言い換えると、小面積で大容量の
蓄積容量を形成することが可能になるので、画素電極と
オーバーラップしている蓄積容量配線の面積を小さくす
ることができ、画素の開口率の低下を防ぎ、開口率を向
上できる。このような本発明を液晶表示装置に適用する
ことで、従来よりも良好な表示を行うことができる。

【００２０】本発明における高誘電率物質は、例えばシ
リコン窒化膜やシリコン酸化膜よりも誘電率が高い物質
を意味しており、有機物質でも無機物質でもよく、例え
ばアルミナやチタン酸バリウム等が挙げられる。

【００２１】好ましくは、前記高誘電率物質を含む絶縁
層が、高誘電率物質と該高誘電率物質を保持する高分子
樹脂とを含む混合層として形成されている。これによ
り、高誘電率物質層の形成が確実になる。

【００２２】本発明の製造方法は、前記液晶表示装置を
製造する製造方法であって、前記蓄積容量配線が形成さ
れた基板を電解溶液中に浸漬させ、前記蓄積容量配線を
直流電源の陽極側に接続し、電解溶液中に浸漬させた導
電性電極を直流電源の陰極側に接続し、前記蓄積容量配
線上に選択的に、前記第２の絶縁膜、又は前記高誘電率
物質を含む絶縁層を形成することを特徴とする。

【００２３】本発明の製造方法によると、特定の電極で
ある蓄積容量配線上にのみ第２の絶縁膜、又は前記高誘
電率物質を含む絶縁層を形成することができるので、従
来所望パターンの膜形成で必要とされていたＰＲ工程及
びエッチング工程が不要になる。

【００２４】

【発明の実施の形態】図面を参照して本発明を更に詳細
に説明する。図１は、本発明の一実施形態例に係る液晶
表示装置を示す断面図である。この液晶表示装置は、透
過型及び反射型液晶表示装置の双方に適用可能なもので
あり、以下のように製作される。まず、基板１１上に、
金属等の導電性膜にフォトリソグラフィー（ＰＲ）工程
及びエッチング工程を施すことによってゲート電極２１
を形成する。次いで、絶縁層と半導体層との積層膜に、
ＰＲ工程及びエッチング工程を施して、ゲート絶縁膜２
３と半導体層２４とを形成する。更に、導電性膜に、Ｐ
Ｒ工程及びエッチング工程を施すことによってドレイン
配線２２を形成し、スイッチング素子である薄膜トラン
ジスタ（ＴＦＴ）３０を形成する。

【００２５】基板１１上には、導電性膜及び絶縁膜にＰ
Ｒ工程及びエッチング工程を施すことによって、画素電
極２５自身の絶縁、画素電極２５とＴＦＴ３０との間、
或いは画素電極２５と各配線との間の絶縁を図るための
絶縁層４０が形成される。基板１１と対向する透明基板
１２上には、透明電極２０が形成されており、基板１１
と透明基板１２との間に液晶１０が封入されている。そ
して、透明電極２０と画素電極２５との間に電圧を印加
することにより表示を行う。

【００２６】ドレイン配線２２の表面には、従来の液晶
表示装置において絶縁膜として用いられていたシリコン
窒化膜やシリコン酸化膜よりも誘電率が低い、低誘電率
物質層４１が形成されている。ここで、ドレイン配線２
２と、これに対向する透明基板１２上の透明電極２０と
の間には寄生容量７０が、ドレイン配線２２と画素電極
２５との間には寄生容量７１が夫々形成されている。寄
生容量値は、低誘電率物質層４１の誘電率が低いほど、
また、低誘電率物質層４１の厚みが厚いほど小さい値と
なる。なお、本発明の低誘電率物質層４１は、絶縁層４
０を兼ねていてもよい。すなわち、絶縁層４０が低誘電
率物質層４１と同一物質で形成されていてもよい。

【００２７】また、図１のスイッチング素子に代えて、
図２に示すような構造の順スタガ型ＴＦＴ３１、或い
は、図３に示すような画素電極２３、信号配線３３及び
絶縁膜３４からなるＭＩＭ（Metal Insulator Metal）
素子３２を用いることもできる。画素電極２５は、その
表面に凹凸形状を有する構造の電極であってもよい。な
お、画素電極２５は、ドレイン配線２２、ゲート配線２
１とオーバーラップしない構造でもよく、透明基板１２
は、カラー表示を行うために着色素子が形成されたもの
でもよい。

【００２８】更に、透明基板１２上の透明電極２０は、
単に平坦状に形成したベタ膜でも、パターニングを施し
たものでもよい。また、低誘電率物質層４１は、有機物
質でも無機物質でもよく、複数の物質の混合物であって
もよい。本発明の低誘電率物質層の誘電率は、従来画素
電極、配線間を絶縁するために用いられているシリコン
窒化膜や、シリコン酸化膜の誘電率よりも小さい値であ
り、比誘電率４以下であることが望ましい。このような
材料として、ポリエステル系樹脂、アクリル系樹脂等が
ある。

【００２９】図４は本発明の第２実施形態例を示した液
晶表示装置の断面図である。本実施形態例は、画素容量
と並列になるように蓄積容量を付加した例である。基板
１１上には、第１実施形態例と同様、ゲート電極２１、
ゲート絶縁膜２３、半導体層２４及びドレイン配線２２
から構成されたＴＦＴ３０と、画素電極２５と、絶縁層
４０と、低誘電率物質層４１とが形成されている。更
に、基板１１上には、ゲート電極２１と同一の導電性
を、同一のＰＲ工程及びエッチング工程によって形成し
た蓄積容量配線２６が配設されている。これにより、画
素電極２５と蓄積容量配線２６との間に蓄積容量７２が
形成される。

【００３０】蓄積容量配線２６上には、従来の液晶表示
装置において絶縁膜として用いられていたシリコン窒化
膜や、シリコン酸化膜よりも誘電率が高い、高誘電率物
質層４２が形成されている。このため、蓄積容量７２の
電極面積が２分の１、３分の１となった場合でも、蓄積
容量間の誘電率を従来の２倍、３倍とすることにより、
従来と同様の容量値をもつ蓄積容量を形成することがで
きる。そのため、画素電極とオーバーラップしている蓄
積容量配線２６の面積を小さくすることができる。よっ
て、本液晶表示装置が透過型の場合等に、画素の開口率
の低下を防ぐことができる。このことは、画素面積を大
きくすることが困難な、画素数の多い液晶表示装置にお
いて特に有効である。高誘電率物質層４２は、従来画素
電極と蓄積容量配線との間を絶縁するために形成されて
いるシリコン窒化膜や、シリコン酸化膜の誘電率よりも
大きな値であり、比誘電率７以上の物質であることが望
ましい。このような材料として、アルミナ、チタン酸バ
リウム等がある。

【００３１】

【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例につい
て説明する。実施例１ 図５及び図６は夫々、本実施例における液晶表示装置の
製造方法を説明するための断面図である。まず、ガラス
などの基板３２の表面に、クロム（Ｃｒ）などの金属層
をスパッタリングにより成膜し、この金属膜にレジスト
を塗布し、露光・現像を行ってゲート電極パターンを形
成した。更に、レジストをマスクとしてＣｒ膜をエッチ
ングし、ゲート電極２１を形成した（図５(ａ)）。

【００３２】次に、化学的気相成長（ＣＶＤ）法を用い
て、シリコン窒化膜、及びアモルファスシリコン層の積
層膜を成膜した。更に、この積層膜に、ＰＲ工程及びエ
ッチング工程を施すことにより、ゲート絶縁膜２３及び
アモルファスシリコン層２４のアイランドパターンを形
成した（図５(ｂ)）。次いで、スパッタリングによって
Ｃｒなどの金属層を成膜し、この膜にＰＲ工程及びＣｒ
エッチング工程を施すことにより、ドレイン電極２２を
形成した（図５(ｃ)）。

【００３３】以上のような工程を経て形成したＴＦＴ３
０を有する基板３２に、図６に示す装置を用いて次のよ
うな処理を加える。例えば、界面活性材５２等によりミ
セル化させた、低誘電率のポリエステル系の樹脂６１
と、この低誘電率の樹脂６１を保持するためのポリエス
テル樹脂等の高分子樹脂６３とを含む電解溶液中に基板
３２を浸漬させる。また、電解溶液に浸した導電性の電
極５１を陰極側、ドレイン電極２２と電気的に導通して
いる金属層５５を陽極側として、直流電源５３に接続し
て電圧を印加した。

【００３４】このとき、電解溶液中に浸漬しているドレ
イン電極２２上には、電解溶液中の低誘電率物質６１を
ミセル化させている界面活性材５２との間で電子の授受
が行われ、ドレイン電極２２上に、電解溶液中の樹脂６
１（低誘電率物質）と、この樹脂６１を保持する高分子
樹脂６３とが堆積して、低誘電率物質層４１を形成し
た。なお、ドレイン電極２２上に堆積する低誘電率物質
層４１の膜厚は、電流及び時間を調整することによって
容易に制御することができる。

【００３５】このような方法で形成される本発明の低誘
電率物質層４１は、特定の電極上にのみ選択的に形成で
きるため、従来、所望パターンの膜形成で必要とされて
いたＰＲ工程及びエッチング工程が不要になる。

【００３６】図７は、本発明の液晶表示装置の基板及び
その周辺を示す断面図である。本発明の低誘電率物質４
１が形成された基板３２上に、シリコン窒化膜のような
絶縁層４０を成膜し、この絶縁層４０にＰＲ工程及びエ
ッチング工程を施し、コンタクトホール３５を形成し、
更に、例えばＩＴＯのような導電性物質を成膜し、ＰＲ
工程及びエッチング工程を施して画素電極２５を形成し
た。本基板３２を、透明基板１２（図１）と張り合わ
せ、金属層５５を含む周辺の不要部分を切断することに
よって、図１に示すような液晶表示装置を形成した。

【００３７】実施例２ 図８及び図９は夫々、本実施例における液晶表示装置の
製造方法を説明するための図である。ガラス基板３２上
に、Ｃｒ等の金属を成膜した。この金属膜に、ＰＲ工程
及びＣｒエッチング工程を施すことにより、ドレイン電
極２２を形成した（図８(ａ)）。次いで、アモルファス
シリコン層２４、シリコン窒化膜３６、及びＣｒ膜３７
を成膜し（図８(ｂ)）、この積層膜にＰＲ工程及びエッ
チング工程を施すことにより、ゲート電極２１、及び、
ゲート絶縁膜２３とアモルファスシリコン２４のアイラ
ンドを形成した（図８(ｃ)）。

【００３８】以上のような工程で形成されたＴＦＴ３１
を有する基板３２に、図９に示す装置を用いて次のよう
な処理を加える。例えば、界面活性材５２等によりミセ
ル化させた、低誘電率のポリエステル系の樹脂６１と、
この低誘電率の樹脂６１を保持するためのポリエステル
樹脂等の高分子樹脂６３とを含む電解溶液中に基板３２
を浸漬させる。更に、ゲート電極２１、ドレイン電極２
２と電気的に導通している金属層５６及び金属層５５を
夫々陽極側とし、電解溶液中に浸漬させた電極５１を陰
極側として、直流電源５３に接続した。

【００３９】これにより、実施例１においてドレイン電
極２２上に形成した場合と同様、低誘電率物質６１及び
高分子樹脂６３から成る低誘電率物質層４１をゲート電
極２１上、及びドレイン電極２２上に夫々形成すること
ができた。

【００４０】実施例３ 図１０及び図１１は夫々、本実施例における液晶表示装
置の製造方法を説明するための図である。図１０では、
図６における電解溶液中の低誘電率物質６１をチタン酸
バリウム等の高誘電率物質６２に置き換えている。電解
溶液中には、実施例１及び２と同様、高分子樹脂６３を
添加している。まず、基板３２上に、実施例１で示した
方法と同様にしてＴＦＴ３０を形成し、また、ＴＦＴ３
０のゲート電極２１と同じＣｒ層を用いて蓄積容量配線
２６を形成した。この蓄積容量配線２６は、基板３２の
周辺部に形成された金属層５７と電気的に導通してい
る。

【００４１】例えば、界面活性材５２等によりミセル化
させた、チタン酸バリウムのような高誘電率物質６２
と、この高誘電率物質６２を保持するためのポリエステ
ル樹脂等の高分子樹脂６３とを含む電解溶液中に、上記
基板３２を浸漬させた。金属層５７を陽極側、電解溶液
中に浸した導電性の電極５１を陰極側として、直流電源
５３に接続して電圧を印加した。このとき、蓄積容量配
線２６上に、電解溶液中の高誘電率物質６２と、この高
誘電率物質６２を保持する高分子樹脂６３とが堆積し
て、高誘電率物質層４２を形成した。このようにして、
蓄積容量配線２６上に高誘電率物質層４２を形成した
後、図１１に示すように、絶縁膜４０を形成し、コンタ
クトホール３５を形成し、画素電極２５を形成した。

【００４２】以上のように、本発明を適用した実施形態
例及び実施例によると、配線と画素電極との間、配線と
対向電極との間、ゲート配線とドレイン配線との間等
に、絶縁性物質による低誘電率物質層が形成されるの
で、寄生容量値を低減できる。これにより、駆動時の液
晶表示装置において、ドレイン配線やゲート配線電圧が
変化することによる画素電極電圧の変動の変動幅を抑制
できる。従って、書込み後の画素電圧の変動、画素電極
に供給される（画素へ書込む）信号電圧の遅延を従来に
比して減少でき、良好な表示を行うことができる。

【００４３】以上、本発明をその好適な実施形態例に基
づいて説明したが、本発明の液晶表示装置及びその製造
方法は、上記実施形態例及び実施例にのみ限定されるも
のではなく、上記実施形態例及び実施例から種々の修正
及び変更を施した液晶表示装置及びその製造方法も、本
発明の範囲に含まれる。

【００４４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の液晶表示
装置及びその製造方法によると、寄生容量値を低減し、
書込み後の画素電圧の変動、画素へ書込む信号電圧の遅
延を減少することができ、従来に比して良好な表示を行
うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態例における液晶表示装置
を示す断面図である。

【図２】第１実施形態例における液晶表示装置のスイッ
チング素子を順スタガ型ＴＦＴとした場合の例を示す断
面図である。

【図３】第１実施形態例における液晶表示装置のスイッ
チング素子をＭＩＭ素子とした場合の例を示す断面図で
ある。

【図４】本発明の第２実施形態例における液晶表示装置
を示す断面図である。

【図５】本発明の実施例１における液晶表示装置の製造
方法を説明するための断面図であり、(ａ)、(ｂ)、(ｃ)
は夫々異なる製造段階を示している。

【図６】実施例１における液晶表示装置の製造方法を説
明するための模式図である。

【図７】実施例１における液晶表示装置の基板及びその
周辺を示す断面図である。

【図８】本発明の実施例２における液晶表示装置の製造
方法を説明するための断面図であり、(ａ)、(ｂ)、(ｃ)
は夫々異なる製造段階を示している。

【図９】実施例２における液晶表示装置の製造方法を説
明するための模式図である。

【図１０】本発明の実施例３における液晶表示装置の製
造方法を説明するための模式図である。

【図１１】実施例３における液晶表示装置の基板及びそ
の周辺を示す断面図である。

【図１２】従来の液晶表示装置の構造を示す断面図であ
る。

【符号の説明】

１０液晶 １１、３２基板 １２透明基板 ２１ゲート電極 ２２ドレイン電極 ２３ゲート絶縁膜 ２４アモルファスシリコン層 ２５画素電極 ２６蓄積容量配線 ３０、３１ 薄膜トランジスタ ３３配線 ３４ＭＩＭ素子絶縁層 ３５コンタクトホール ４０絶縁層 ４１低誘電率物質層 ４２高誘電率物質層 ５１電極 ５２界面活性材 ５３直流電源 ５５、５６、５７ 金属層 ６１低誘電率物質 ６２高誘電率物質 ６３高分子樹脂 ７０、７１ 寄生容量 ７２蓄積容量

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平９−127556（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−48667（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−242433（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−90669（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−96837（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−152625（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−90404（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−223804（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−237435（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−203912（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−270163（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−104315（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−75034（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−70818（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−203912（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G02F 1/1368 G02F 1/1333 505

Claims (7)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 相互に対向する一対の基板を有し、該一
   対の基板相互間に液晶が封入され、前記一対の基板の少
   なくとも一方に、液晶に電圧を印加するための画素電極
   と、該印加電圧を制御するためのスイッチング素子とを
   備えた液晶表示装置において、 前記スイッチング素子を駆動するための配線上に配設さ
   れ第１及び第２の絶縁膜から成る複合絶縁層を有し、前
   記第２の絶縁膜が、前記配線上に選択的に形成された前
   記第１の絶縁膜よりも誘電率が低い物質から成り、前記
   第１の絶縁膜が前記第２の絶縁膜上に形成されることを
   特徴とする液晶表示装置。
2. 【請求項２】 相互に対向する一対の基板を有し、該一
   対の基板相互間に液晶が封入され、前記一対の基板の少
   なくとも一方に、液晶に電圧を印加するための画素電極
   と、該印加電圧を制御するためのスイッチング素子とを
   備えた液晶表示装置において、 前記スイッチング素子を駆動するための配線上に選択的
   に、比誘電率が４以下の低誘電率物質を含む絶縁層が配
   設されることを特徴とする液晶表示装置。
3. 【請求項３】 前記低誘電率物質を含む絶縁層が、低誘
   電率物質と該低誘電率物質を保持する高分子樹脂とを含
   む混合層として形成されていることを特徴とする請求項
   ２に記載の液晶表示装置。
4. 【請求項４】 請求項１乃至３の内の何れか１項に記載
   の液晶表示装置を製造する製造方法であって、 前記スイッチング素子が形成された基板を電解溶液中に
   浸漬させ、 前記スイッチング素子を駆動するための配線を直流電源
   の陽極側に接続し、 電解溶液中に浸漬させた導電性電極を直流電源の陰極側
   に接続し、 前記スイッチング素子を駆動するための配線上に選択的
   に、前記第２の絶縁膜、又は前記低誘電率物質を含む絶
   縁層を形成することを特徴とする製造方法。
5. 【請求項５】 相互に対向する一対の基板を有し、該一
   対の基板相互間に液晶が封入され、前記一対の基板の少
   なくとも一方に、液晶に電圧を印加するための画素電極
   を備えた液晶表示装置において、 蓄積容量を形成するための蓄積容量配線を備え、 前記蓄積容量配線上に選択的に、比誘電率が７以上の高
   誘電率物質を含む絶縁層が配設されることを特徴とする
   液晶表示装置。
6. 【請求項６】 前記高誘電率物質を含む絶縁層が、高誘
   電率物質と該高誘電率物質を保持する高分子樹脂とを含
   む混合層として形成されていることを特徴とする請求項
   ５に記載の液晶表示装置。
7. 【請求項７】 請求項５乃至６の内の何れか１項に記載
   の液晶表示装置を製造する製造方法であって、 前記蓄積容量配線が形成された基板を電解溶液中に浸漬
   させ、 前記蓄積容量配線を直流電源の陽極側に接続し、 電解溶液中に浸漬させた導電性電極を直流電源の陰極側
   に接続し、 前記蓄積容量配線上に選択的に、前記第２の絶縁膜、又
   は前記高誘電率物質を含む絶縁層を形成することを特徴
   とする製造方法。