JPH11194367A - 表示装置 - Google Patents

表示装置

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JPH11194367A
JPH11194367A JP28708398A JP28708398A JPH11194367A JP H11194367 A JPH11194367 A JP H11194367A JP 28708398 A JP28708398 A JP 28708398A JP 28708398 A JP28708398 A JP 28708398A JP H11194367 A JPH11194367 A JP H11194367A
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JP
Japan
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display
display device
drive circuit
thin film
film transistor
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Application number
JP28708398A
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English (en)
Inventor
Masashi Jinno
優志 神野
Kyoko Hirai
恭子 平井
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Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ドライバーを内蔵したLCDにおいて、周縁
シール材によりドライバーが動作不良となることを防
ぐ。 【解決手段】 シール材3が水平シフトレジスタ61及
びサンプリング部62からなるドレインドライバー上を
通過するが、水平シフトレジスタ61上領域においてシ
ール材3の縁線が直線状にされている。シール材3直下
ではTFT素子の動作特性が変化するので、シール材3
の領域外のTFT素子と動作特性が異なるが、段間で動
作特性が異なることが無くなり、表示に悪影響がでるこ
とが防がれる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶等の光学部材
を用いた表示装置に関し、特に、駆動回路を内蔵した表
示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】所定の電極配線が形成された一組の基板
を細隙をもって貼り合わせ、その細隙に液晶を封入する
ことで、表示画素として液晶を誘電層とした容量を構成
してなる液晶表示装置(LCD)、あるいは、電流量に
より発光量が制御できる有機エレクトロルミネッセンス
(EL)を用いた有機EL表示装置は、小型、薄型、低
消費電力の利点から、OA機器、AV機器の分野におい
て、ディスプレイとして広く用いられている。特に、L
CDにおいて、各表示画素容量に表示信号電圧の書き込
みと保持を制御するためにスイッチング素子として薄膜
トランジスタ(TFT)を接続形成したアクティブマト
リクス型は、高精細な表示を行うことができ、主流とな
っている。
【0003】図11は、LCDの全容を示す平面図であ
る。(1)は紙面向こう側に位置するTFT基板、
(2)は紙面手前に位置する対向基板、(3)は基板
(1)と基板(2)とを貼り合わせる周縁シール材であ
り、エポキシ樹脂等の熱硬化性の接着材、UV光の照射
により硬化する樹脂等からなる。TFT基板(1)と対
向基板(2)との間には、不図示のスペーサにより支持
された細隙があり、また、シール材(3)は一部が切り
欠かれて注入孔(31)となっている。この注入孔(3
1)より内部の細隙に液晶を注入し、注入孔(31)を
封止材(32)で塞ぐことにより液晶が密封されてい
る。
【0004】TFT基板(1)は、基板上にチャンネル
層として多結晶シリコン(p−Si)を用いたTFTが
形成されてなる。この基板(1)上には、複数のゲート
ライン(GL)とドレインライン(DL)が交差配置さ
れ、これらの交差部には画素TFT(SE)及び画素T
FT(SE)に接続された表示画素容量の一方を成す画
素電極(PX)が形成されてなる表示領域(4)と、表
示領域(4)の周辺に、主として双方向シフトレジスタ
からなり画素TFT(SE)に走査信号を供給するゲー
トドライバー(5)、および、主として双方向シフトレ
ジスタとアナログスイッチからなりゲートドライバー
(5)の走査に同期して画素TFT(SE)に表示信号
電圧を供給するドレインドライバー(6)、さらには、
シフトレジスタのシフト方向を切り換えて各ドライバー
(5,6)の動作方向を切り換える制御回路(7)が形
成されている。これらドライバー(5,6)は、表示領
域(4)と同じ構造のp−SiTFTから構成される
が、p−SiTFTは動作速度が十分に速いため、この
ように画素TFT(SE)としてのみならず、これを駆
動するための周辺ドライバーをも構成することができ、
ドライバーを表示パネルに内蔵形成したドライバー内蔵
型LCDが可能となっている。これらのTFTはアクリ
ル樹脂、SOG(SPIN ON GLASS)、BPSG(BORO-PH
OSPHO SILICATE GLASS)等の平坦化絶縁膜により覆われ
ており、表示領域(4)においては、画素電極(PX)
がこの上に形成されて、平坦化絶縁膜に開けられたコン
タクトホールを介して画素TFT(SE)に接続された
構造となっている。(8)はこれらドライバーの信号入
力端子である。
【0005】対向基板(2)は、表示画素容量の他方を
成す共通電極(9)が表示領域(4)に対応して全面的
に形成されている。表示画素容量は、液晶および共通電
極(9)が画素電極に区画された形で構成されている。
共通電極(9)の一部は、基板(2)の角部に引き出さ
れて第2の対極接続端子(91)とされている。また、
TFT基板(1)には、共通電極(9)用の対極信号入
力端子(91)が設けられており、引き回し線(82)
により対極接続端子(91)に対応する領域に形成され
た第1の対極接続端子(83)へと引き回され、これら
第1および第2の対極接続端子(91,83)が導電性
接着材(92)により接続されている。
【0006】図12は、LCDの一部拡大平面図であ
る。ゲートドライバー(5)は、図の縦辺に沿って設け
られた垂直シフトレジスタ(51)とバッファ部(5
2)からなる。ドレインドライバー(6)は、図の横辺
に沿って設けられた水平シフトレジスタ(61)と、各
列毎に対応したアナログスイッチからなるサンプリング
部(629からなる。アナログスイッチは、水平シフト
レジスタ(61)の各出力段によりオン/オフを制御さ
れ、各水平期間内における各列に割り当てられたドット
期間に同期して、外部から供給された原画信号より表示
信号電圧をサンプリングして各列に出力する。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】シール材(3)である
エポキシ樹脂やUV樹脂中には、塗布時の乾燥後に残る
水分や、外気中の水分や不純物イオン等が含まれている
ことがあり、シール材(3)の下地となっている平坦化
絶縁膜に分極を発生させ、平坦化絶縁膜下にあるTFT
のバックチャネル効果を招いて閾値の変動をさせる。こ
のため、図11に示すように、シール材(3)が、ゲー
トドライバー(5)やドレインドライバー(6)の領域
上を通過する構成において、特に、シフトレジスタのよ
うな論理回路がシール材(3)直下にあり、それらの各
TFT素子の動作特性が変わると、誤動作、更には、不
動作の問題を招く。
【0008】更に、TFT素子の特性変化が僅かであっ
ても、図12に示すように、シール材(3)の特に外側
縁線が湾曲した部分がドレインドライバー(6)上にあ
るような形状になっている場合、ドレインドライバー
(6)の各出力段の中で、シール材(3)下にあるもの
とそれ以外のものとで動作に違いが生じる。この結果、
シール材(3)下にある出力段に対応する表示領域
(4)の列と、シール材(3)以外の領域にある列とで
は、表示特性が異なってしまう。ゲートドライバー
(5)側に関しても同様に、ゲートドライバー(5)の
対応する段がシール材(3)の直下にある行と、シール
材(3)以外の領域にある行とでも表示特性異なる。図
において、影部を付した領域は、ゲートドライバー
(5)またはドレインドライバー(6)の対応する段が
シール材(3)以外の領域にあり、影部を付さない領域
は対応する段がシール材(3)の直下にある。影部を付
した領域は表示特性の変動が無い領域であり、影部を付
さない領域には表示特性の変動がある領域であるが、表
示上は、影部を付した領域が他の領域と異なって見え
る。また、シール材(3)の湾曲した外側の縁部には大
きな力がかかり、その下にあるTFT素子の特性に影響
を与えるため、対応するドライバー(5,6)の段がシ
ール材(3)の湾曲部分にある領域は、他の領域と異な
って見える。このように、表示領域(4)内に、表示特
性の異なる領域が混在すると、表示品位を低下させる。
【0009】また、制御回路(7)が動作不良となる
と、ドライバー(5,6)の動作方向の切り換えを行う
ことができず、ドライバーを内蔵したLCDにあって汎
用性が低下する問題がある。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明は、前述の課題を
解決するために成され、対向面上に、行列状に配列され
た画素電極群と各画素電極に表示信号電圧を供給する第
1の薄膜トランジスタ群が形成された表示領域、前記表
示領域の周辺に形成された第2の薄膜トランジスタ群か
らなり前記第1の薄膜トランジスタを駆動する複数の駆
動回路領域及び前記駆動回路を制御するための制御回路
領域とが設けられた第1の基板と、共通電極が形成され
た第2の基板とが、周縁に設けられた接着材により光学
部材を間に挟んで貼り合わせてなる表示装置において、
前記接着材は、前記駆動回路領域上にある縁線が、前記
駆動回路領域の長辺方向に延びる直線状にされている構
成である。
【0011】これにより、駆動回路内において段間で接
着材により異なる影響を受けることが防がれ、表示領域
内で表示が異なる領域が混在することを無くせる。
【0012】特に、前記接着材は、前記制御回路領域を
回避している構成である。
【0013】これにより、駆動回路の動作方向の切り換
えが良好に行われる。
【0014】また、対向面上に、行列状に配列された画
素電極群と各画素電極に表示信号電圧を供給する第1の
薄膜トランジスタ群が形成された表示領域、前記表示領
域の周辺に形成された第2の薄膜トランジスタ群からな
り前記第1の薄膜トランジスタを駆動する複数の駆動回
路領域が設けられた第1の基板と、共通電極が形成され
た第2の基板とが、周縁に設けられた接着材により光学
部材を間に挟んで貼り合わせてなる表示装置において、
前記接着材は、前記駆動回路領域上にある前記接着材の
縁線が、前記駆動回路領域の長辺方向に延びる直線状に
設けられている構成である。
【0015】これにより、駆動回路内において段間で接
着材により異なる影響を受けることが防がれ、表示領域
内で表示が異なる領域が混在することを無くせる。
【0016】また、対向面上に、行列状に配列された画
素電極群と各画素電極に表示信号電圧を供給する第1の
薄膜トランジスタ群が形成された表示領域、前記表示領
域の周辺に形成された第2の薄膜トランジスタ群からな
り前記第1の薄膜トランジスタを駆動する複数の駆動回
路領域が設けられた第1の基板と、共通電極が形成され
た第2の基板とが、周縁に設けられた接着材により光学
部材を間に挟んで貼り合わせてなる表示装置において、
前記接着材は、前記駆動回路領域上を回避して設けられ
ている構成である。
【0017】これにより、シフトレジスタが接着材によ
る影響を受けて動作不良となることが防がれる。
【0018】また、対向面上に、行列状に配列された画
素電極群と各画素電極に表示信号電圧を供給する第1の
薄膜トランジスタ群が形成された表示領域、前記表示領
域の周辺に形成された第2の薄膜トランジスタ群からな
り前記第1の薄膜トランジスタを駆動する複数の駆動回
路領域及び前記駆動回路を制御するための制御回路領域
とが設けられた第1の基板と、共通電極が形成された第
2の基板とが、周縁に設けられた接着材により光学部材
を間に挟んで貼り合わせてなる表示装置において、前記
接着材は、前記駆動回路領域上または/及び前記制御回
路領域上を回避して設けられている構成である。
【0019】これにより、シフトレジスタや制御回路が
接着材による影響を受けて動作不良となることが防がれ
る。
【0020】特に、前記駆動回路は、少なくともシフト
レジスタ及びシフトレジスタの各出力段からの出力に基
づく駆動信号出力部とからなり、前記接着材は、前記シ
フトレジスタ領域または/及び前記制御回路領域を回避
して設けられている構成である。
【0021】これにより、シフトレジスタや制御回路が
接着材による影響を受けて動作不良となることが防がれ
る。
【0022】更に、対向面上に、行列状に配列された画
素電極群と各画素電極に表示信号電圧を供給する第1の
薄膜トランジスタ群が形成された表示領域、前記表示領
域の周辺に形成された第2の薄膜トランジスタ群からな
り前記第1の薄膜トランジスタを駆動する複数の駆動回
路領域及び前記駆動回路を制御するための制御回路領域
とが設けられた第1の基板と、共通電極が形成された第
2の基板とが、周縁に設けられた接着材により光学部材
を間に挟んで貼り合わせてなる表示装置において、前記
駆動回路は、少なくともシフトレジスタ及びシフトレジ
スタの各出力段からの出力に基づく駆動信号出力部とか
らなり、前記接着材は、前記シフトレジスタ領域または
前記駆動信号出力部のいずれかの領域を全て覆う構成で
ある。
【0023】これにより、シフトレジスタ内の全ての段
に関して、接着材により受ける影響が等しくなり、全て
の段の動作特性が均一になるので、表示領域内において
表示が異なる領域が混在することが防がれる。
【0024】特に、前記接着材は、前記駆動回路領域の
全てを覆う構成である。
【0025】これにより、駆動回路内の全ての段に関し
て、接着材により受ける影響が等しくなり、全ての段の
動作特性が均一になるので、表示領域内において表示が
異なる領域が混在することが防がれる。
【0026】
【発明の実施の形態】図1は、本発明の第1の実施の形
態にかかる液晶表示装置の一部平面図である。(1)及
び(2)は各々、p−SiTFTが形成されたTFT基
板と対向基板で、平面的にエッジを一致させている。T
FT基板(1)は、複数のゲートライン(GL)及びド
レインライン(DL)が互いに交差して配置され、それ
らの交差部には画素TFT(SE)及び画素TFT(S
E)に接続され表示画素容量の一方を成す画素電極(P
X)がマトリクス状に配列されてなる表示領域(4)を
有している。また、表示領域(4)の周辺には、双方向
の垂直シフトレジスタ(51)とその出力部であるバッ
ファ部(52)からなるゲートドライバー、及び、双方
向の水平シフトレジスタ(61)とこれに制御される出
力部であるサンプリング部(52)からなるドレインド
ライバーが設けられている。更に、表示領域(49の周
辺には、これらシフトレジスタ(51,61)のシフト
方向を切り換えて、ドライバーの動作方向を正逆に切り
換えるための制御回路(7)が設けられている。対向基
板(2)には不図示である共通電極が設けられている。
図2は、ゲートドライバー部(51,52)の等価回路
図である。下段が垂直シフトレジスタ(51)部であ
り、上段が出力バッファ部(52)である。垂直シフト
レジスタ(51)の各段は、第1のクロックドインバー
タ(53)とインバータ(54)及びインバータ(5
4)に逆方向に並列接続された第2のクロックドインバ
ータ(55)からなる。これら隣接する各段からの出力
はANDゲート(56)により論理積が取られて出力さ
れる。これらの垂直シフトレジスタ(51)からの各出
力段からの段出力は、複数のインバータ(57)が直列
接続されてなるバッファ部(52)を介して、所望の振
幅を有した走査信号として、表示領域(4)の対応する
各行のゲートライン(GL)へと出力され、同一行の各
画素TFT(SE)のゲートへ共通に入力される。
【0027】図3は、ドレインドライバー部(61,6
2)の等価回路図である。下段が双方向の水平シフトレ
ジスタ(61)、上段がサンプリング部(62)であ
る。水平シフトレジスタ(61)の各段は、第1のクロ
ックドインバータ(63)とインバータ(64)及びイ
ンバータ(64)に逆方向に並列接続された第2のクロ
ックドインバータ(65)からなる。これら各出力段か
らの出力は、複数のインバータ(66)が直列接続され
てなるバッファ部を介してサンプリング部(62)へと
送られる。サンプリング部(62)は、ゲートをバッフ
ァ部(66)の対応する各段に接続したアナログスイッ
チ(67)と、外部からの原画信号が乗せられたビデオ
ライン(68)とよりなる。アナログスイッチ(67)
はビデオライン(68)に接続されているとともに、水
平シフトレジスタ(61)部の各段からの出力によりオ
ン/オフが制御され、原画信号から各表示画素へ供給す
べき表示信号をサンプリングし、表示領域(4)の対応
する各列のドレインライン(DL)へ出力し、同一列の
画素TFT(SE)へ供給される。
【0028】本発明では、図1に示されるように、シー
ル材(3)は、一部がドレインドライバー、特に、水平
シフトレジスタ(61)上を通過するが、その縁線は、
水平シフトレジスタ(61)上の領域においては直線状
になっている。水平シフトレジスタ(61)は、一つの
シフトレジスタ回路が図における表示領域(4)の横辺
について全域にわたって設けられているか、複数のシフ
トレジスタ回路が直列に接続された形で横辺の全域にわ
たって設けられている。いずれにしても、シール材
(3)は、同一辺に関して水平シフトレジスタ(61)
上の全域にわたって、直線状の縁線をもって水平シフト
レジスタ(61)上を通過している。このため、たとえ
シール材(3)直下のTFT素子の特性が変動して、シ
ール材(3)直下とそれ以外の領域のTFT素子の特性
に違いが生じても、水平シフトレジスタ(61)の段間
で動作特性が異なることは防がれる。従って、表示領域
(4)においても列間方向に関して表示が異なる領域が
混在することが無くされる。
【0029】同様に、ゲートドライバー側についても、
シール材(3)は、一部が図における表示領域(4)の
縦辺の全域にわたって垂直シフトレジスタ(51)上を
通過するが、その縁線は垂直シフトレジスタ(51)上
では直線状になっている。このため、シール材(3)直
下のTFT素子の特性が変動しても、垂直シフトレジス
タ(51)の段間で動作特性が異なることが防がれ、表
示領域(4)においても行間方向に関して表示が異なる
領域が混在することが無くされる。
【0030】また、シール材(3)は、制御回路(7)
上を回避しているので、制御回路(7)の動作不良とな
ることが防がれ、ドライバー(5,6)の動作方向の切
り換えを自在に行うことができる。
【0031】更に、シール材(3)の湾曲部分が、ドラ
イバー(5,6)上、制御回路(7)上のいずれの領域
にも無いので、シール材(3)の湾曲部分に応力がかか
っても表示に影響を及ぼすことが防がれる。
【0032】図4は、本発明の第2の実施の形態にかか
る液晶表示装置の一部平面図である。本実施の形態で
は、シール材(3)は、全幅が、水平シフトレジスタ
(61)とサンプリング部(62)からなるドレインド
ライバー上を通過しているが、これらドレインドライバ
ー(61,62)上領域におけるシール材(3)の縁線
は直線状とされている。このため、シール材(3)の直
下領域とそれ以外の領域でTFT素子の特性が異なって
いても、ドレインドライバー(61,62)の段間での
動作に差が生じることは無く、表示領域(4)内におい
て列間で表示が異なることが防がれる。
【0033】特に、本実施の形態では、図4におけるシ
ール材(3)の外側の縁線は、より詳細には図3のX線
にて示すように水平シフトレジスタ(61)部のシフト
レジスタ回路部(63,64,65)とバッファ部(6
6)の間に位置している。即ち、バッファ部(66)は
シール材(3)の直下領域にあり、シフトレジスタ回路
部(63,64,65)はシール材(3)の領域外にあ
る。シール材(3)の直下においてTFT素子の閾値が
変動すると論理動作に影響を及ぼすことがあるが、バッ
ファ部(66)では、段間で差が無い限りにおいて、シ
フトレジスタ回路部(63,64,65)程には閾値変
動の影響を受けない。また、サンプリング部(67)も
同様に、閾値の変動の影響を受けにくい。このため、た
とえシール材(3)がドレインドライバー(61,6
2)上を通過しても、シフトレジスタ回路(63,6
4,65)上を回避している場合は特に、シフトレジス
タ回路(63,64,65)の正常な論理動作が行われ
るとともに、バッファ部(66)及びサンプリング部
(62)において正確な振幅の表示信号の出力が行わ
れ、ドレインドライバー(61,62)全体として良好
な動作が行われる。
【0034】ゲートドライバー側においても同様に、シ
ール材(3)は、全幅が、垂直シフトレジスタ(51)
とサンプリング部(52)からなるゲートドライバー上
を通過しているが、これらゲートドライバー(51,5
2)上領域におけるシール材(3)の縁線は直線状とさ
れている。従って、シール材(3)直下とそれ以外の領
域とでTFT素子の特性が異なっていても段間で動作に
違いが生じることが無く、表示領域(4)内において行
間で表示が異なることが防がれる。また、特に、図2に
おいてX線にて示すようにシール材(3)の外側の縁線
は、シフトレジスタ回路部(53,54,55)よりも
内側にされている。従って、TFT素子の閾値変動がシ
フトレジスタ(53,54,55)の論理動作に影響を
及ぼすことが防がれる。更に、シール材(3)の外側縁
線がANDゲート(56)よりも内側とすることでより
安定性がより高まる。また、シール材(3)がバッファ
部(52)上にかかっていても閾値変動の影響は無い。
【0035】図5は本発明の第3の実施の形態にかかる
液晶表示装置の一部平面図である。本実施の形態では、
シール材(3)はドレインドライバー上を通過している
が、特に、全幅が水平シフトレジスタ(61)上に位置
しており、かつ、水平シフトレジスタ(61)上領域に
おいてはシール材(3)の縁線が直線状とされている。
ゲートドライバー側においても同様に、シール材(3)
は、全幅が、垂直シフトレジスタ(51)上に位置して
おり、かつ垂直シフトレジスタ(51)上領域において
はシール材(3)の縁線は直線状とされている。従っ
て、シール材(3)直下とそれ以外の領域とでTFT素
子の特性が異なっていても段間で動作に違いが生じるこ
とが無く、表示領域(4)内で表示が異なることが防が
れる。
【0036】図6は本発明の第4の実施の形態にかかる
液晶表示装置の一部平面図である。本実施の形態では、
シール材(3)はドレインドライバー上を通過している
が、特に、サンプリング部(62)上を全て覆うように
位置している。アナログスイッチ(67)の動作が段間
で違いが生じない限り、閾値が変動してもサンプリング
に影響を及ぼすことはなく、表示が列間で異なることが
防がれる。また、シール材(3)はゲートドライバーの
バッファ部(52)上を全て覆うように位置している
が、この場合も、インバータ(57)を構成するTFT
素子の閾値が変動しても表示に影響を及ぼすことはな
い。
【0037】更に、シール材(3)は制御回路(7)上
を回避しているので、ドライバーの切換動作が不良とな
ることが防がれる。
【0038】図7は本発明の第5の実施の形態にかかる
液晶表示装置の一部平面図である。本実施の形態では、
シール材(3)はドレインドライバー上を通過している
が、水平シフトレジスタ(61)を全て覆うように設け
られている。このため、水平シフトレジスタ(61)内
の全てのTFT素子が同様の閾値変動の影響を受けるの
で、段間で動作に違いが生じることが無く、結果的に、
表示領域(4)内において列間で表示の異なる領域が混
在することが防がれる。また、ゲートドライバーについ
ても同様に垂直シフトレジスタ(51)を全て覆うよう
に設けられているので、表示領域(4)において行間で
表示の異なる領域が混在することが防がれる。
【0039】図8は本発明の第6の実施の形態にかかる
液晶表示装置の一部平面図である。本実施の形態では、
シール材(3)は、水平シフトレジスタ(61)及びサ
ンプリング部(62)からなるドレインドライバーの全
てを覆うように設けられている。このため、ドレインド
ライバー(61,62)内の全てのTFT素子が同様の
閾値変動の影響を受けるので、段間で動作に違いが生じ
ることが無く、結果的に、表示領域(4)内において列
間で表示の異なる領域が混在することが防がれる。ま
た、シール材(3)は、垂直シフトレジスタ(51)及
びバッファ部(66)からなるゲートドライバーの全て
を覆うように設けられている。このため、ゲートドライ
バー(51,52)内の全てのTFT素子が同様の閾値
変動の影響を受けるので、段間で動作に違いが生じるこ
とが無く、結果的に、表示領域(4)内において行間で
表示の異なる領域が混在することが防がれる。
【0040】図9は本発明の第7の実施の形態にかかる
液晶表示装置の一部平面図である。本実施の形態では、
シール材(3)はドレインドライバー(61,62)あ
るいはゲートドライバー(51,52)の外側を迂回し
て設けられているので、シール材(3)によるTFT素
子の閾値変動が全くなく、表示に悪影響を及ぼすことが
完全に防がれる。また、シール材(3)は制御回路
(7)上を回避しているので、ドライバーの動作方向の
切換が不能となることが防がれる。
【0041】図10は本発明の第8の実施の形態にかか
る液晶表示装置の一部平面図である。本実施の形態で
は、シール材(3)はドレインドライバー(61,6
2)あるいはゲートドライバー(51,52)の内側を
迂回して設けられているので、シール材(3)によるT
FT素子の閾値変動が全く無く、表示に悪影響を及ぼす
ことが完全に防がれる。また、シール材(3)は制御回
路(7)上を回避しているので、ドライバーの動作方向
の切換が不能となることが防がれる。
【0042】なお、上述の本発明の各実施の形態におい
ては制御回路を設けた場合について説明したが、制御回
路を設けない場合においてもシフトレジスタが接着材に
よる影響を受けて動作不良となることが防止できるとい
う本発明の効果を奏することができる。
【0043】
【発明の効果】本発明により、駆動回路を内蔵した表示
装置において、対向する一組の電極基板を貼り合わせる
ための接着材により、駆動回路が動作不良となることが
防がれ、良好な表示を行うことができるようになった。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態にかかる液晶表示装
置の一部平面図である。
【図2】本発明の実施の形態にかかる液晶表示装置の一
部等価回路図である。
【図3】本発明の実施の形態にかかる液晶表示装置の一
部等価回路図である。
【図4】本発明の第2の実施の形態にかかる液晶表示装
置の一部平面図である。
【図5】本発明の第3の実施の形態にかかる液晶表示装
置の一部平面図である。
【図6】本発明の第4の実施の形態にかかる液晶表示装
置の一部平面図である。
【図7】本発明の第5の実施の形態にかかる液晶表示装
置の一部平面図である。
【図8】本発明の第6の実施の形態にかかる液晶表示装
置の一部平面図である。
【図9】本発明の第7の実施の形態にかかる液晶表示装
置の一部平面図である。
【図10】本発明の第8の実施の形態にかかる液晶表示
装置の一部平面図である。
【図11】液晶表示装置の平面図である。
【図12】従来の液晶表示装置の一部平面図である。
【符号の説明】
1 TFT基板 2 対向基板 3 シール材 4 表示領域 5 ゲートドライバー 6 ドレインドライバー 7 制御回路 8 入力端子 9 共通電極 51 垂直シフトレジスタ 52 出力バッファ部 61 水平シフトレジスタ 62 サンプリング部

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 対向面上に、行列状に配列された画素電
    極群と各画素電極に表示信号電圧を供給する第1の薄膜
    トランジスタ群が形成された表示領域、前記表示領域の
    周辺に形成された第2の薄膜トランジスタ群からなり前
    記第1の薄膜トランジスタを駆動する複数の駆動回路領
    域及び前記駆動回路を制御するための制御回路領域とが
    設けられた第1の基板と、共通電極が形成された第2の
    基板とが、周縁に設けられた接着材により光学部材を間
    に挟んで貼り合わせてなる表示装置において、 前記接着材は、前記駆動回路領域上にある前記接着材の
    縁線が、前記駆動回路領域の長辺方向に延びる直線状に
    設けられていることを特徴とする表示装置。
  2. 【請求項2】 前記接着材は、前記制御回路領域を回避
    していることを特徴とする請求項1記載の表示装置。
  3. 【請求項3】 対向面上に、行列状に配列された画素電
    極群と各画素電極に表示信号電圧を供給する第1の薄膜
    トランジスタ群が形成された表示領域、前記表示領域の
    周辺に形成された第2の薄膜トランジスタ群からなり前
    記第1の薄膜トランジスタを駆動する複数の駆動回路領
    域が設けられた第1の基板と、共通電極が形成された第
    2の基板とが、周縁に設けられた接着材により光学部材
    を間に挟んで貼り合わせてなる表示装置において、 前記接着材は、前記駆動回路領域上にある前記接着材の
    縁線が、前記駆動回路領域の長辺方向に延びる直線状に
    設けられていることを特徴とする表示装置。
  4. 【請求項4】 対向面上に、行列状に配列された画素電
    極群と各画素電極に表示信号電圧を供給する第1の薄膜
    トランジスタ群が形成された表示領域、前記表示領域の
    周辺に形成された第2の薄膜トランジスタ群からなり前
    記第1の薄膜トランジスタを駆動する複数の駆動回路領
    域が設けられた第1の基板と、共通電極が形成された第
    2の基板とが、周縁に設けられた接着材により光学部材
    を間に挟んで貼り合わせてなる表示装置において、 前記接着材は、前記駆動回路領域上を回避して設けられ
    ていることを特徴とする表示装置。
  5. 【請求項5】 対向面上に、行列状に配列された画素電
    極群と各画素電極に表示信号電圧を供給する第1の薄膜
    トランジスタ群が形成された表示領域、前記表示領域の
    周辺に形成された第2の薄膜トランジスタ群からなり前
    記第1の薄膜トランジスタを駆動する複数の駆動回路領
    域及び前記駆動回路を制御するための制御回路領域とが
    設けられた第1の基板と、共通電極が形成された第2の
    基板とが、周縁に設けられた接着材により光学部材を間
    に挟んで貼り合わせてなる表示装置において、 前記接着材は、前記駆動回路領域上または/及び前記制
    御回路領域上を回避して設けられていることを特徴とす
    る表示装置。
  6. 【請求項6】 前記駆動回路は、少なくともシフトレジ
    スタ及びシフトレジスタの各出力段からの出力に基づく
    駆動信号出力部とからなり、前記接着材は、前記シフト
    レジスタ領域または/及び前記制御回路領域を回避して
    設けられていることを特徴とする請求項3乃至5のうち
    いずれか1項記載の表示装置。
  7. 【請求項7】 対向面上に、行列状に配列された画素電
    極群と各画素電極に表示信号電圧を供給する第1の薄膜
    トランジスタ群が形成された表示領域、前記表示領域の
    周辺に形成された第2の薄膜トランジスタ群からなり前
    記第1の薄膜トランジスタを駆動する複数の駆動回路領
    域及び前記駆動回路を制御するための制御回路領域とが
    設けられた第1の基板と、共通電極が形成された第2の
    基板とが、周縁に設けられた接着材により光学部材を間
    に挟んで貼り合わせてなる表示装置において、 前記駆動回路は、少なくともシフトレジスタ及びシフト
    レジスタの各出力段からの出力に基づく駆動信号出力部
    とからなり、前記接着材は、前記シフトレジスタ領域ま
    たは前記駆動信号出力部のいずれかの領域を全て覆うこ
    とを特徴とする表示装置。
  8. 【請求項8】 前記接着材は、前記駆動回路領域の全て
    を覆うことを特徴とする請求項7記載の表示装置。
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