JP6891514B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

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Description

本発明は、液晶表示装置に係り、特に透過表示と反射表示とを両立する半透過型液晶表示装置に関する。
屋外視認性を向上させる液晶表示装置として、透過モード及び反射モードの双方で画像を表示可能な半透過型液晶表示装置が知られている。この半透過型液晶表示装置は、液晶セル内部に設ける反射金属膜をパターニングして反射領域と透過領域とを形成し、1つの表示画素を反射領域と透過領域とに分割する。そして、反射領域と透過領域との割合を変えることにより、光学特性の最適化を図っている。さらに、反射領域に透明段差膜等を設けて反射領域と透過領域とのセルギャップを変え(マルチギャップ化)、光学特性の最適化を図っている。
このようなマルチギャップを有する液晶表示装置では、反射領域と透過領域との間に段差が形成されるため、この段差の境界に配向不良が生じ、光漏れが起こる。このため、コントラスト比が低下してしまう。また、コントラスト比の低下を防ぐために、その段差部分を遮光した場合には、有効開口率が低下してしまう。
また、セルギャップを変えるために反射領域に透明段差膜が必要となるため、透過型液晶表示装置などと比較して製造工程が増加してしまう。さらに、反射領域に透明段差膜を形成する際に、反射領域を一部分に集めて配置するなど、反射領域の配置にも制約が生じてしまう。特に、300ppi(pixels per inch)を超える高精細パネルにおいては上記影響が大きく、高精細パネルを半透過型にすることは非常に困難である。
特許第5029266号公報
本発明は、反射表示と透過表示とを両立させつつ、表示特性を向上させることが可能な液晶表示装置を提供する。
本発明の一態様に係る液晶表示装置は、第1及び第2基板と、前記第1及び第2基板間に充填された液晶層と、赤、緑、青、及び白をそれぞれ表示可能な第1乃至第4サブ画素を備え、前記第1乃至第4サブ画素の各々は、反射領域及び透過領域を有し、前記反射領域における液晶層の厚さと前記透過領域における液晶層の厚さとが同じである、画素と、前記サブ画素に対応するようにして前記第1基板に設けられたスイッチング素子と、前記反射領域に設けられ、前記スイッチング素子の上方に絶縁膜を介して設けられた反射膜と、前記反射領域及び前記透過領域に設けられ、前記反射膜の上方に絶縁膜を介して設けられた画素電極と、前記第1乃至第4サブ画素にそれぞれ対応するようにして前記第2基板に設けられた赤フィルタ、緑フィルタ、青フィルタ、及び白フィルタと、前記第1基板の前記液晶層と反対側に設けられ、第1位相差板と、第1偏光板とを含む第1積層部材と、前記第2基板の前記液晶層と反対側に設けられ、第2位相差板と、光を拡散する拡散部材と、第2偏光板とを含む第2積層部材とを具備する。
本発明によれば、反射表示と透過表示とを両立させつつ、表示特性を向上させることが可能な液晶表示装置を提供することができる。
第1実施形態に係る液晶表示装置のブロック図。 第1実施形態に係る表示パネルの回路図。 第1実施形態に係る表示パネルの平面図。 第1実施形態に係る表示パネルの平面図。 第1実施形態に係る表示パネルの平面図。 図3のA−A´線に沿った表示パネルの断面図。 図3のB−B´線に沿った表示パネルの断面図。 画素の配列例を示す概略図。 画素の配列例を示す概略図。 画素の配列例を示す概略図。 画素の配列例を示す概略図。 階調データの変換動作を説明する図。 第1実施形態に係る液晶表示装置の仕様の一例を説明する図。 第1実施形態に係る液晶表示装置の特性を説明する図。 階調データの変換動作を説明する図。 階調データの変換動作を説明する図。 第2実施形態に係る表示パネルの平面図。 図17のA−A´線に沿った表示パネルの断面図。 図17のB−B´線に沿った表示パネルの断面図。 第2実施形態に係る液晶表示装置の仕様の一例を説明する図。 第2実施形態に係る液晶表示装置の特性を説明する図。
以下、実施形態について図面を参照して説明する。ただし、図面は模式的または概念的なものであり、各図面の寸法および比率等は必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、図面の相互間で同じ部分を表す場合においても、互いの寸法の関係や比率が異なって表される場合もある。特に、以下に示す幾つかの実施形態は、本発明の技術思想を具体化するための装置および方法を例示したものであって、構成部品の形状、構造、配置等によって、本発明の技術思想が特定されるものではない。なお、以下の説明において、同一の機能及び構成を有する要素については同一符号を付し、重複説明は必要な場合にのみ行う。
[第1実施形態]
[1]液晶表示装置の全体構成
図1は、本発明の第1実施形態に係る液晶表示装置10のブロック図である。液晶表示装置10は、表示パネル11、バックライト(照明装置)12、走査ドライバ(走査線駆動回路)13、信号ドライバ(信号線駆動回路)14、共通電極ドライバ(共通電極駆動回路)15、電圧発生回路16、照度センサ17、メモリ部18、及び制御部19を備える。
表示パネル11は、複数のサブ画素がマトリクス状に配列された画素アレイを備える。後述するように、1つの表示要素(画素)は、赤、緑、青、及び白の4つのサブ画素から構成される。表示パネル11には、それぞれがロウ方向(X方向)に延びる複数の走査線GLと、それぞれがカラム方向(Y方向)に延びる複数の信号線SLとが配設される。走査線GLと信号線SLとの交差領域には、サブ画素が配置される。
バックライト12は、表示パネル11の背面に光を照射する面光源である。バックライト12としては、例えば、直下型又はサイドライト型(エッジライト型)のLEDバックライトが用いられる。
走査ドライバ13は、複数の走査線GLに接続される。走査ドライバ13は、制御部19から送られる垂直制御信号に基づいて、サブ画素に含まれるスイッチング素子をオン/オフするための走査信号を表示パネル11に送る。
信号ドライバ14は、複数の信号線SLに接続される。信号ドライバ14は、制御部19から水平制御信号、及び表示データを受ける。信号ドライバ14は、水平制御信号に基づいて、表示データに対応する階調信号(駆動電圧)を表示パネル11に送る。
共通電極ドライバ15は、共通電圧Vcomを生成し、この共通電圧Vcomを表示パネル11に供給する。電圧発生回路16は、液晶表示装置10の動作に必要な各種電圧を生成して各回路に供給する。
照度センサ17は、液晶表示装置10の周囲環境の照度を測定する。照度センサ17は、任意の位置に取り付けることが可能である。
メモリ部18は、例えば揮発性メモリ、及び不揮発性メモリを備える。メモリ部18は、制御部19の作業領域として機能する。また、メモリ部18は、制御部19が実行する制御に用いられるプログラムを不揮発に記憶する。制御部19は、メモリ部18に格納されたプログラムを用いて、後述する制御を実行することができる。
制御部19は、外部から映像データDATを受ける。制御部19は、映像データDATに基づいて、各種制御信号を生成し、これら制御信号を各回路に送る。制御部19は、データ変換部19A、及びパラメータ設定部19Bを備える。
データ変換部19Aは、映像データDATを用いて、サブ画素の表示動作に必要な階調データを生成する。具体的には、映像データDATには、画素ごとに赤、緑、及び青の3色階調データが含まれる。データ変換部19Aは、赤、緑、及び青の3色階調データを、赤、緑、青、及び白の4色階調データに変換する。複数の画素は、4色階調データに基づいて駆動される。
パラメータ設定部19Bは、照度センサ17が測定した照度データを受ける。パラメータ設定部19Bは、照度データ用いて、映像を表示するためのパラメータαを設定する。
[2]画素の回路構成
次に、表示パネル11に含まれる画素の回路構成について説明する。図2は、図1に示した表示パネル11の回路図である。図2では、4つのサブ画素を抽出して示している。
サブ画素20は、スイッチング素子(アクティブ素子)21、液晶容量(液晶素子)Clc、及び蓄積容量Csを備える。スイッチング素子21としては、例えばTFT(Thin Film Transistor)が用いられ、またnチャネルTFTが用いられる。
TFT21のソースは、信号線SLに電気的に接続され、そのゲートは、走査線GLに電気的に接続され、そのドレインは、液晶容量Clcに電気的に接続される。液晶素子としての液晶容量Clcは、画素電極と、共通電極と、これらに挟まれた液晶層とにより構成される。
蓄積容量Csは、液晶容量Clcに並列接続される。蓄積容量Csは、画素電極に生じる電位変動を抑制するとともに、画素電極に印加された駆動電圧を次の信号に対応する駆動電圧が印加されるまでの間保持する機能を有する。蓄積容量Csは、画素電極と、蓄積電極(蓄積容量線)と、これらに挟まれた絶縁膜とにより構成される。共通電極及び蓄積電極には、共通電極ドライバ15により共通電圧Vcomが印加される。
[3]表示パネル11の構成
次に、表示パネル11の構成について説明する。本実施形態では、半透過型表示パネルを例に挙げて説明する。半透過型表示パネルは、外光を反射することによって画像を表示する反射領域と、バックライト光を透過することによって画像を表示する透過領域とを1つのサブ画素内に有する。
図3乃至図5は、第1実施形態に係る表示パネル11の平面図である。図3は、TFT基板側の構成を主として示した平面図であり、図4は、蓄積電極を抽出して示した平面図であり、図5は、CF基板側の構成を主として示した平面図である。図6は、図3乃至図5のA−A´線に沿った表示パネル11の断面図である。図7は、図3乃至図5のB−B´線に沿った表示パネル11の断面図である。なお、図4及び図5において、一点鎖線で示した補助線は、サブ画素を区分けする境界を示している。
バックライト12は、発光素子12A、及び導光部材12Bを備える。発光素子12Aは、例えば白色LED(light-emitting diode)から構成される。導光部材12Bは、発光素子12Aからの照明光を面光源として表示パネル11に照射する。導光部材12Bは、例えば、順に積層された反射シート、導光板、及び拡散シートを備える。
発光素子12Aは、高演色LEDで構成してもよい。高演色LEDは、自然光(太陽光)により近い白色光を発光できる。具体的には、高演色LEDのスペクトル(分光分布)は、青、緑、及び赤のそれぞれにおいて光強度のピークを有する。高演色LEDは、例えば、青色LEDに緑蛍光体及び赤蛍光体を組み合わせて構成される。高演色LEDを用いることで、液晶表示装置10の表示特性を向上させることができる。
表示パネル11は、スイッチング素子(TFT)及び画素電極等が形成されるTFT基板30と、カラーフィルタ等が形成されかつTFT基板30に対向配置されるカラーフィルタ基板(CF基板)31とを備える。TFT基板30及びCF基板31の各々は、透明基板(例えば、ガラス基板、又はプラスチック基板)から構成される。TFT基板30は、バックライト12に対向配置され、バックライト12からの照明光は、TFT基板30側から表示パネル11に入射する。
液晶層32は、TFT基板30及びCF基板31間に充填される。具体的には、液晶層32は、TFT基板30及びCF基板31と、シール材(図示せず)とによって包囲された表示領域内に封入される。シール材は、例えば、紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂、又は紫外線・熱併用型硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてTFT基板30又はCF基板31に塗布された後、紫外線照射、又は加熱等により硬化させられる。
液晶層32を構成する液晶材料は、TFT基板30及びCF基板31間に印加された電界に応じて液晶分子の配向が操作されて光学特性が変化する。本実施形態の表示パネル11は、垂直配向(VA:Vertical Alignment)型液晶を用いたVAモードである。すなわち、液晶層32として負の誘電率異方性を有するネガ型(N型)のネマティック液晶が用いられ、液晶分子は、無電圧(無電界)時には基板面に対してほぼ垂直に配向する。VAモードの液晶分子配列は、無電圧時に液晶分子の長軸(ダイレクタ)が垂直に配向し、電圧印加(電界印加)時に液晶分子のダイレクタが水平方向に向かって傾く。なお、液晶モードは、ホモジニアスモード又はTN(Twisted Nematic)モードでも良いが、コントラスト比(白(最大輝度)/黒(最小輝度))を向上させる観点からは、VAモードの方が最適である。
TFT基板30の液晶層32側には、複数のサブ画素20に対応するようにして、複数のTFT21が設けられる。後述するように、TFT21は、走査線GLに電気的に接続されたゲート電極と、ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた半導体層と、半導体層上に互いに離間して設けられたソース電極及びドレイン電極とを備える。ソース電極は、信号線SLに電気的に接続される。
TFT基板30上には、それぞれがX方向に延びる複数のゲート電極33が設けられる。X方向に並んだ1行分の複数のサブ画素20は、1本のゲート電極33を共有する。ゲート電極33は、走査線GLとして機能する。ゲート電極33上及びTFT基板30上には、ゲート絶縁膜34が設けられる。
ゲート絶縁膜34上には、複数のサブ画素20に対応した数の複数の半導体層35が設けられる。半導体層35としては、例えばアモルファスシリコン層が用いられる。
1つの半導体層35上及びゲート絶縁膜34上には、Y方向において互いに離間したソース電極36A及びドレイン電極37Aが設けられる。具体的には、ソース電極36Aは、半導体層35の一部に重なるようにして、Y方向に延びるように形成される。ドレイン電極37Aは、半導体層35の一部に重なるようにして、ソース電極36Aと反対方向に延びるように形成される。図3に示すように、例えば、ソース電極36Aは、Y方向に延びる延在部に比べて半導体層35と重なる端部の幅が太いT字形状を有し、同様に、ドレイン電極37Aは、Y方向に延びる延在部に比べて半導体層35と重なる端部の幅が太い逆T字形状を有する。
ゲート絶縁膜34上には、それぞれがY方向に延びる複数の信号線SLが設けられる。信号線SLは、X方向に隣接するサブ画素20の境界部分に配置される。Y方向に並んだ1列分の複数のサブ画素20は、1本の信号線SLに共通接続される。接続電極36Bは、X方向に延びるようにしてゲート絶縁膜34上に設けられ、ソース電極36Aと信号線SLとを電気的に接続する。
ゲート絶縁膜34上には、ドレイン電極37Aの端部に電気的に接続され、Y方向に延びる接続電極37Bが設けられる。接続電極37Bは、例えば製造工程における合わせズレが発生した場合でも、画素電極43との電気的接続を確実に補償するために、その端部の面積が大きくなっている。ソース電極36A、接続電極36B、信号線SL、ドレイン電極37A、及び接続電極37B上、かつゲート絶縁膜34上には、絶縁膜38が設けられる。
絶縁膜38上には、蓄積電極39が設けられる。図3の平面図が煩雑になるのを避けるために、蓄積電極39を抽出して図4に示している。蓄積電極39は、画素電極に部分的に重なってさえいれば、任意の形状にすることができる。蓄積電極39と画素電極とが重なる面積が大きくなるにつれて、蓄積容量Csが大きくなる。蓄積電極39には、後述する共通電極に印加される共通電圧と同じ電圧が印加される。蓄積電極39は、サブ画素20ごとに開口部39Aを有する。
蓄積電極39上には、それぞれがX方向に延びる複数の反射膜40が設けられる。反射膜40は、液晶層32側から入射する光を反射する。反射膜40は、TFT21を覆うように配置される。これにより、TFT21は、反射膜40によって遮光されるため、TFT21が誤動作するのを抑制できる。反射膜40には、共通電極に印加される共通電圧と同じ電圧が印加される。
サブ画素20のうち反射膜40が設けられた領域が反射領域RAとなり、それ以外の領域が透過領域TAとなる。図3の構成例では、サブ画素20は、中央部の透過領域TAと、透過領域TAの上下の2つの反射領域RA1、RA2とを備える。すなわち、サブ画素20の反射領域RAは、反射領域RA1、RA2を合計した領域である。本実施形態では、反射領域RA及び透過領域TAの液晶層32の厚さ(セルギャップ)を同じに(フラットギャップ化)している。セルギャップは、後述するスペーサ57を用いることで、表示領域全体にわたって均一性が保持される。
本実施形態では、例えば、透過領域TAの面積は、反射領域RAの面積より大きい。また、反射領域RAの面積は、透過領域TAの面積の1割以上であることが望ましい。透過領域TAによる表示(透過表示)を重視する場合は、反射膜40は、TFT21を覆う最小の面積で形成される。これにより、透過領域TAの面積を大きくできるので、透過による表示特性を向上できる。セルギャップは、透過表示が最適になるように設定することが望ましい。
反射膜40、蓄積電極39、及び絶縁膜38上には、絶縁膜41が設けられる。絶縁膜41上には、Y方向に延びる画素電極43が設けられる。本実施形態のサブ画素20は、概略、画素電極43の領域に対応する。画素電極43は、コンタクトプラグ42を介して、接続電極37Bの端部に電気的に接続される。コンタクトプラグ42は、蓄積電極39に設けられた開口部39Aを通る。
画素電極43上には、液晶層32の配向を制御する配向膜44が設けられる。配向膜44は、初期状態(液晶層32に電圧を印加していない状態)において、液晶層32の液晶分子を概略垂直に配向させる材料で構成される。
次に、CF基板31側の構成について説明する。CF基板31の液晶層32側には、遮光用のブラックマトリクス(ブラックマスク、遮光膜ともいう)45が設けられる。ブラックマトリクス45は、X方向に隣接する2つのサブ画素20の境界部に配置される。ブラックマトリクス45は、色の異なるカラーフィルタ間の不要な光を遮蔽することで、コントラストを向上させる機能を有する。
CF基板31上及びブラックマトリクス45上には、複数のカラーフィルタ46が設けられる。複数のカラーフィルタ(カラー部材)46は、複数の赤フィルタ46R、複数の白フィルタ46W、複数の緑フィルタ46G、及び複数の青フィルタ46Bを備える。本実施形態のカラーフィルタは、光の三原色である赤(R)、緑(G)、及び青(B)に、さらに白(W)を加えて構成される。隣接した赤、白、緑、及び青の4色のセットが表示の単位(画素)となっており、1つの画素中の赤、白、緑、及び青のいずれか単色の部分はサブ画素(サブピクセル)と呼ばれる最小駆動単位である。TFT21及び画素電極43は、サブ画素ごとに設けられる。赤、白、緑、及び青をそれぞれ表示可能なサブ画素を、20R、20W、20G、及び20Bと表記する。
赤フィルタ46R、白フィルタ46W、緑フィルタ46G、及び青フィルタ46Bは、X方向に沿って周期的に配置され、これらのセットがマトリクス状に配置されている。なお、本実施形態では、画素の配列として、ストライプ配列を例示しているが、もちろん他の配列を適用してもよい。画素の配列については、後述する。
カラーフィルタ46及びブラックマトリクス45上には、共通電極47が設けられる。共通電極47は、全画素に共通して平面状に形成される。共通電極47には、共通電極ドライバ15から共通電圧Vcomが印加される。なお、カラーフィルタ46及びブラックマトリクス45上には、平坦性を向上させるために、透明な絶縁材料からなるオーバーコート膜(平坦化膜)が設けられていてもよい。
共通電極47上には、複数の突起48が設けられる。複数の突起48はそれぞれ、複数のサブ画素(すなわち、複数の画素電極43)に対応して設けられる。突起48は、サブ画素(又は、画素電極43)の中央付近に配置される。突起48の形状は、例えば、円錐、先端が丸まった円柱、円錐台、又は上面が丸まった円錐台である。突起48は、透明な樹脂から構成される。突起48は、液晶層32の配向を制御する。
本実施形態の液晶表示装置10は、マルチドメイン方式が適用される。マルチドメイン方式では、1つのサブ画素を複数の領域(ドメイン)に分割し、複数の領域で液晶分子が傾く方向を変える。共通電極47に形成された突起48は、液晶分子が傾く方向を制御する。すなわち、複数の液晶分子は、突起48を中心として放射状に傾く。マルチドメイン方式を採用することで、視野角依存性を大幅に低減でき、視野角を大きくできる。
共通電極47及び突起48上には、液晶層32の配向を制御する配向膜49が設けられる。配向膜49は、初期状態(液晶層32に電圧を印加していない状態)において、液晶層32の液晶分子を概略垂直に配向させる材料で構成される。
液晶層32の厚さ(セルギャップ)は、複数のスペーサ57によって最適に設定される。スペーサ57の数及び配置は、任意に設定可能である。スペーサ57は、絶縁膜41と共通電極47との間に、これらに接するようにして配置される。スペーサ57は、円柱形状を有し、透明な樹脂から構成される。
TFT基板30の液晶層32と反対側には、位相差板50、偏光板51、拡散部材52、及び輝度向上フィルム53が順に積層される。CF基板31の液晶層32と反対側には、位相差板54、拡散部材55、及び偏光板56が順に積層される。位相差板50及び偏光板51は、円偏光板を構成し、位相差板54及び偏光板56は、円偏光板を構成する。
偏光板(直線偏光子)51、56の各々は、光の進行方向に直交する平面内において、互いに直交する透過軸及び吸収軸を有する。偏光板51、56の各々は、ランダムな方向の振動面を有する光のうち、透過軸に平行な振動面を有する直線偏光(直線偏光した光成分)を透過し、吸収軸に平行な振動面を有する直線偏光(直線偏光した光成分)を吸収する。偏光板51、56は、互いの透過軸が直交するように、すなわち直交ニコル状態で配置される。
位相差板50、54の各々は、屈折率異方性を有しており、光の進行方向に直交する平面内において、互いに直交する遅相軸及び進相軸を有する。位相差板50、54の各々は、遅相軸と進相軸とをそれぞれ透過する所定波長の光の間に所定のリタデーション(λを透過する光の波長としたとき、λ/4の位相差)を与える機能を有する。すなわち、位相差板50、54は、1/4波長板(λ/4板)から構成される。位相差板50の遅相軸は、偏光板51の透過軸に対して概略45°の角度をなすように設定される。位相差板54の遅相軸は、偏光板56の透過軸に対して概略45°の角度をなすように設定される。
なお、前述した偏光板及び位相差板を規定する角度は、所望の動作を実現可能な誤差、及び製造工程に起因する誤差を含むものとする。例えば、前述した概略45°は、45°±5°の範囲を含むものとする。例えば、前述した直交は、90°±5°の範囲を含むものとする。
拡散部材52、55は、透過光をランダムな方向に拡散(散乱)することで、透過光を均一化する機能を有する。拡散部材52、55は、拡散粘着材、拡散フィルム、又は拡散板などから構成される。拡散部材52、55として拡散粘着材を用いた場合、拡散粘着材は、入射光を拡散する機能に加えて、この両側の部材を接着する機能を有する。なお、拡散部材55と位相差板54との積層順序は逆でもよい。
拡散部材55は、特に、反射膜40で反射された反射光を拡散し、この拡散された反射光が観察者に観察される。拡散部材55を用いることで、反射領域RAにおける反射表示に関して、反射率及び視野角を向上させることができる。
輝度向上フィルム53は、バックライト12からの光の利用効率を向上させ、液晶表示装置10の輝度を向上させる機能を有する。輝度向上フィルム53は、反射型偏光フィルム、又はプリズムシートなどから構成される。輝度向上フィルム53は、偏光板51で吸収されるはずの光(偏光板51の吸収軸に平行な光)をバックライト12側に反射する。輝度向上フィルム53によってバックライト12側に反射された光は、バックライト12によって反射されて再利用される。
(材料の例示)
ゲート電極33、ソース電極36A、接続電極36B、信号線SL、ドレイン電極37A、及び接続電極37Bとしては、例えば、アルミニウム(Al)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、タングステン(W)のいずれか、又はこれらの1種類以上を含む合金等が用いられる。反射膜40としては、例えばアルミニウム(Al)が用いられる。蓄積電極39、コンタクトプラグ42、画素電極43、及び共通電極47は、透明電極から構成され、例えばITO(インジウム錫酸化物)が用いられる。ゲート絶縁膜34、絶縁膜38、及び絶縁膜41は、透明な絶縁材料から構成され、例えばシリコン窒化物(SiN)が用いられる。
(画素の配列)
本実施形態では、1つの表示要素(画素)22は、赤色(R)を表示するサブ画素20R、白色(W)を表示するサブ画素20W、緑色(G)を表示するサブ画素20G、及び青色(B)を表示するサブ画素20Bを備える。サブ画素20R、サブ画素20W、サブ画素20G、及びサブ画素20Bはそれぞれ、赤フィルタ46R、白フィルタ46W、緑フィルタ46G、及び青フィルタ46Bによってカラー表示を行う。
図8乃至図11は、画素22の配列例を示す概略図である。図8乃至図11では、画素22を実線で囲んで示している。
図8は、ストライプ配列である。サブ画素20R、サブ画素20W、サブ画素20G、及びサブ画素20Bは、X方向に周期的に配置される。各列には、同じ色のサブ画素が配置される。すなわち、サブ画素20R、サブ画素20W、サブ画素20G、及びサブ画素20Bは、縦ストライプ状に配置される。サブ画素20R、サブ画素20W、サブ画素20G、及びサブ画素20Bからなる1つの画素22は、概略正方形になるように構成される。
図9に示した配列例では、奇数行と偶数行とでサブ画素の並びを変えている。例えば、奇数行では、サブ画素20R、サブ画素20W、サブ画素20G、及びサブ画素20Bの順に配置され、偶数行では、サブ画素20G、サブ画素20B、サブ画素20R、及びサブ画素20Wの順に配置される。サブ画素20R、サブ画素20W、サブ画素20G、及びサブ画素20Bからなる1つの画素22は、概略正方形になるように構成される。
図10に示した配列例では、サブ画素20R、サブ画素20W、サブ画素20G、及びサブ画素20Bが2行2列に並べられる。そして、2行2列からなる画素22がマトリクス状に配置される。サブ画素20R、サブ画素20W、サブ画素20G、及びサブ画素20Bからなる1つの画素22は、概略正方形になるように構成される。
図11に示した配列例では、奇数行と偶数行とでサブ画素の並びを変えている。例えば、奇数行では、サブ画素20R、サブ画素20W、サブ画素20G、及びサブ画素20Bの順に配置され、偶数行では、サブ画素20B、サブ画素20R、サブ画素20W、及びサブ画素20Gの順に配置される。さらに、奇数行と偶数行とは、互いに1/2ピッチずれている。サブ画素20R、サブ画素20W、サブ画素20G、及びサブ画素20Bからなる1つの画素22は、概略正方形になるように構成される。
なお、カラーフィルタの配列例は、図8乃至図11の配列に限定されず、行方向及び/又は列方向に隣接する4色のカラーフィルタで1つの表示要素を構成していればよい。また、サブ画素20R、サブ画素20W、サブ画素20G、及びサブ画素20Bの並びは、任意に設定可能である。
[4]動作
次に、上記のように構成された液晶表示装置10の動作について説明する。本実施形態に係る液晶表示装置10は、画素ごとに、赤(R)、緑(G)、及び青(B)の3色階調データを外部装置から受ける。そして、液晶表示装置10は、3色階調データを、赤(R)、緑(G)、青(B)、及び白(W)の4色階調データに変換した後、この4色階調データを用いて映像の表示を行うようにしている。赤(R)、緑(G)、及び青(B)の3色を“RGB”と表記し、赤(R)、緑(G)、青(B)、及び白(W)の4色を“RGBW”と表記する場合がある。以下に、第1及び第2実施例に分けて、液晶表示装置10の動作を説明する。
[4−1]第1実施例
制御部19は、外部装置から映像信号DATを受ける。映像信号DATには、画素ごとに、赤(R)、緑(G)、及び青(B)の3色(RGB)階調データ(階調値)d、d、dが含まれる。データ変換部19Aは、3色階調データd、d、dを、赤(R)、緑(G)、青(B)、及び白(W)の4色(RGBW)階調データD、D、D、Dに変換する。
3色階調データ(入力信号)d、d、dから4色階調データ(変換信号)D、D、D、Dへの変換は、データ変換部19Aにより、下記の式のように行われる。

=d
=d
=d
=[d・d・d/(Z−1)

“Z”は、階調数である。括弧“[ ]”は、整数(整数化された値)、すなわち、整数化の演算を意味する。整数化は、小数点以下の値を切り捨てる演算、すなわち、括弧内の値を超えない最大の整数を算出する(例えば、[1.2]=1)。また、整数化は、例えば、小数点以下の値を四捨五入する演算、又は、小数点以下の値を切り上げる演算であってもよい。なお、データ変換用の式やプログラムは、メモリ部18に不揮発に格納される。
例えば64階調(Z=64)である場合、4色階調データD、D、D、Dは、図12のように算出される。一例として、“(d,d,d)→(D,D,D,D)”は、“(0,0,0)→(0,0,0,0)”、“(63,0,0)→(63,0,0,0)”、“(63,63,0)→(63,63,0,0)”、“(63,63,63)→(63,63,63,63)”となる。
以下の説明における表示色は、サブ画素20R、20W、20G、20Bからなる画素22が表示する色である。制御部19は、画素22が赤(R)、緑(G)、及び青(B)からなる光の三原色のいずれかを最大階調で表示する場合、白の階調をゼロにする。また、制御部19は、画素22がシアン(C)、マゼンタ(M)、及びイエロー(Y)からなる色の三原色のいずれかを最大階調で表示する場合、白の階調をゼロにする。赤の最大階調は、“(D,D,D,D)=(63,0,0,0)”である。緑の最大階調は、“(D,D,D,D)=(0,63,0,0)”である。青の最大階調は、“(D,D,D,D)=(0,0,63,0)”である。シアンの最大階調は、“(D,D,D,D)=(0,63,63,0)”である。マゼンタの最大階調は、“(D,D,D,D)=(63,0,63,0)”である。イエローの最大階調は、“(D,D,D,D)=(63,63,0,0)”である。換言すると、制御部19は、1つの画素22において、3色階調データ(入力信号)d、d、dの少なくとも1つがゼロである場合、白の階調をゼロにする。
また、制御部19は、画素22を基準にして、赤(R)、緑(G)、及び青(B)からなる光の三原色の各々の色純度が低くなるにつれて、白の強度を大きくする。さらに、制御部19は、画素22を基準にして、シアン(C)、マゼンタ(M)、及びイエロー(Y)からなる色の三原色の各々の色純度が低くなるにつれて、白の強度を大きくする。換言すると、画素22を基準にして、原色(赤、緑、青、シアン、マゼンタ、及びイエローを含む)の各々の色純度が最も大きい(最大階調である)場合、D=0となり、それ以外では、白が加えられる。また、xy色度図において、赤(R)、緑(G)、及び青(B)からなる光の三原色の色度座標を直線で結んだ三角形のうち、原色(赤、緑、青、シアン、マゼンタ、及びイエロー)を表す周縁部では、白の階調が小さく、白色点(白座標)に近づくにつれて、白の階調が大きくなる。
白表示の場合、RGBWがすべて最大階調、すなわち、“(D,D,D,D)=(63,63,63,63)”である。
このような表示制御により、原色の色再現性を向上させつつ、白の強度を上げることができる。
図13は、第1実施形態に係る液晶表示装置10の仕様の一例を説明する図である。図13では、カラーフィルタの構成(CF構成)、反射領域と透過領域との比率、カラーフィルタの色仕様(CF色仕様)、及び液晶層厚(セルギャップ)を示している。第1比較例は、RGB3色のカラーフィルタを用いた液晶表示装置であり、第1実施形態は、RGBW4色のカラーフィルタを用いた液晶表示装置である。反射領域と透過領域との比率における“A”は、サブ画素における反射領域の面積を表しており、具体的には、トランジスタ領域(TFTが占める領域)に形成された反射膜の面積を表している。透過領域“B”は、サブ画素からトランジスタ領域“A”を差し引いた領域である。図13では、サブ画素のうち透過領域Bが占める面積を最大にしている。カラーフィルタの色仕様では、カラーフィルタの色再現性をNTSC(National Television Standards Committee)比で表している。液晶層厚は、例えば3.8μmであり、透過表示を重視した値である。
図14は、第1実施形態に係る液晶表示装置10の特性を説明する図である。図14の特性は、図13の仕様を適用した液晶表示装置に対応している。図14では、反射率、透過率、及び色再現性(NTSC比)を示している。反射率及び透過率は、第1比較例を“1.0”とした場合に、第1実施形態の相対比を表している。色再現性(NTSC比)は、透過領域における特性を示している。
図14から理解できるように、第1実施形態に係る液晶表示装置10は、第1比較例に比べて、反射率及び透過率をそれぞれ、1.3倍程度、向上させることができる。換言すると、第1実施形態で第1比較例の反射率及び透過率を実現する場合、反射率及び透過率が向上した分だけカラーフィルタの色純度を上げることができ、結果として、表示パネルの色再現性を高くすることができる。また、バックライトの輝度を下げても良く、この場合は、消費電力を軽減することが可能となる。
[4−2]第2実施例
第2実施例は、液晶表示装置10の周囲の照度に応じて、映像の明るさを変えるようにしている。換言すると、屋内及び屋外の両方で画面を見た場合に、表示特性を向上させるようにしている。
照度センサ17は、液晶表示装置10の周囲の照度を測定する。パラメータ設定部19Bは、照度センサ17から照度データを受ける。パラメータ設定部19Bは、照度データを用いてパラメータαを設定する。パラメータ設定部19Bは、照度が低い場合(屋内を想定している)、色純度を重視してパラメータαを小さくし、照度が高い場合(屋外を想定している)、画面の明るさを重視してパラメータαを大きくする。
データ変換部19Aは、RGB3色の階調データd、d、dを、RGBW4色の階調データD、D、D、Dに変換する。3色階調データ(入力信号)d、d、dから4色階調データ(変換信号)D、D、D、Dへの変換は、データ変換部19Aにより、下記の式のように行われる。

=d
=d
=d
=[−αX+{1+α(Z−1)}X]
X=d・d・d/(Z−1)

パラメータαは、“0≦α≦{1/(Z−1)}”の関係を有する。
例えば64階調(Z=64)、パラメータα=0.0048である場合(屋内を想定)、4色階調データD、D、D、Dは、図15のように算出される。一例として、“(d,d,d)→(D,D,D,D)”は、“(43,56,43)→(43,56,43,30)”、“(23,3,60)→(23,3,60,1)”、となる。
例えば64階調(Z=64)、パラメータα=0.0159である場合(屋外を想定)、4色階調データD、D、D、Dは、図16のように算出される。一例として、“(d,d,d)→(D,D,D,D)”は、“(43,56,43)→(43,56,43,41)”、“(23,3,60)→(23,3,60,2)”、となる。
第2実施例では、液晶表示装置10の周囲環境の照度(パラメータα)に応じて、白の階調データDを変化させることができる。具体的には、周囲環境が暗いときは、白の縛りを強く、すなわち階調データDを小さくする。周囲環境が明るいときは、白の縛りを弱く、すなわち階調データDを大きくする。周囲環境が明るいと、画面が暗く見えるので、白の輝度を大きくして、画面をより明るくする。
さらに、第1実施例と同様に、制御部19は、画素22が赤(R)、緑(G)、及び青(B)からなる光の三原色のいずれかを最大階調で表示する場合、白の階調をゼロにする。また、制御部19は、画素22がシアン(C)、マゼンタ(M)、及びイエロー(Y)からなる色の三原色のいずれかを最大階調で表示する場合、白の階調をゼロにする。
また、制御部19は、画素22を基準にして、赤(R)、緑(G)、及び青(B)からなる光の三原色の各々の色純度が低くなるにつれて、白の強度を大きくする。さらに、制御部19は、画素22を基準にして、シアン(C)、マゼンタ(M)、及びイエロー(Y)からなる色の三原色の各々の色純度が低くなるにつれて、白の強度を大きくする。白表示の場合、RGBWがすべて最大階調、すなわち、“(D,D,D,D)=(63,63,63,63)”である。
このような表示制御により、原色の色再現性を向上させつつ、白の強度を上げることができる。
[5]第1実施形態の効果
以上詳述したように第1実施形態では、液晶表示装置10は、赤、緑、青、及び白をそれぞれ表示可能な4つのサブ画素20R、20G、20B、20Wからなる画素22を備える。サブ画素20R、20G、20B、20Wの各々は、反射領域RA及び透過領域TAを有し、反射領域RAにおける液晶層32の厚さと透過領域TAにおける液晶層32の厚さとが同じである。TFT基板30の反射領域RAには、スイッチング素子21を覆うように反射膜40が設けられる。反射領域RA及び透過領域TA、かつ反射膜40の上方には、絶縁膜41を介して画素電極43が設けられる。サブ画素20R、20G、20B、20Wにそれぞれ対応するようにして、CF基板31には、赤フィルタ46R、緑フィルタ46G、青フィルタ46B、及び白フィルタ46Wが設けられる。TFT基板30の液晶層32と反対側には、位相差板50と、偏光板51とを含む第1積層部材が設けられ、CF基板31の液晶層32と反対側には、位相差板54と、光を拡散する拡散部材55と、偏光板56とを含む第2積層部材が設けられる。
従って第1実施形態によれば、反射表示と透過表示とを両立させつつ、表示特性を向上させることができる。また、赤フィルタ、緑フィルタ、及び青フィルタの3色に白フィルタを加えた4色で表示を行う。よって、3色で表示を行う場合に比べて、明るい表示を実現できる。また、色純度を低下させずに、反射率及び透過率を向上させることができる。
また、制御部19は、画素ごとに、赤、緑、及び青の3色階調データd、d、dを外部装置から受け、この3色階調データを、赤、緑、青、及び白の4色階調データD、D、D、Dに変換している。これにより、外部装置の仕様を変更することなく、4色を用いた映像表示を実現できる。
また、照度センサ17によって周囲環境の照度を測定し、この測定された照度データを用いて、白を表示するサブ画素20Wの階調を変化させている。これにより、液晶表示装置10を屋外及び屋内の両方で使用する場合でも、液晶表示装置10の表示特性を向上させることができる。
また、反射領域と透過領域とのセルギャップを変えず(フラットギャップ)に、最適な反射表示及び透過表示を実現することができる。これにより、従来(マルチギャップ)において反射領域と透過領域との境界に生じていた配向不良が生じることがなく、光漏れ対策による遮光が必要ないため、開口率の低下を防ぐことができる。また、反射領域と透過領域とのセルギャップを変えるための透明段差膜等を形成する必要がないため、プロセス工程が削減でき、コストダウンが実現できる。
また、本実施形態の構造は、300ppiを超えるような高精細パネルに非常に有効で、高精細パネルにおいても半透過型を適用することが可能となる。
また、λ/4板からなる位相差板50、54を配置することにより、反射表示の光学設計を最適化できるとともに、透過表示においても、直線偏光板では取り出せなかった偏光板の軸方向に倒れている液晶分子のエリアの光も取り出すことができる。これにより、透過領域の透過率を向上させることができる。
また、CF基板31側に拡散部材55を設けている。拡散部材55は、反射膜40で反射された反射光を拡散し、この拡散された反射光が観察者に観察される。拡散部材55を用いることで、反射領域における反射表示に関して、反射率及び視野角を向上させることができる。
[第2実施形態]
第2実施形態は、反射領域による表示特性を向上させた液晶表示装置の構成例であり、屋外で液晶表示装置を使用した場合に、より表示特性を向上させるようにしている。
図17は、本発明の第2実施形態に係る表示パネル11の平面図である。図18は、図17のA−A´線に沿った表示パネル11の断面図である。図19は、図17のB−B´線に沿った表示パネル11の断面図である。なお、第1実施形態で説明した図4(蓄積電極を抽出して示した平面図)、及び図5(CF基板側の構成を主として示した平面図)は、第2実施形態にも適用される。
蓄積電極39上には、それぞれがX方向に延びる複数の反射膜40が設けられる。第2実施形態では、第1実施形態と比べて、反射膜40の面積が大きい。反射膜40は、サブ画素20の反射領域RAを構成する。反射膜40の構成以外は、第1実施形態と同じである。
サブ画素20は、中央部の透過領域TAと、透過領域TAの上下の2つの反射領域RA1、RA2とを備える。すなわち、画素20の反射領域RAは、反射領域RA1、RA2から構成される。第2実施形態では、反射領域RAの面積を透過領域TAの面積より大きくしているため、反射による表示特性を向上できる。すなわち、第2実施形態は、反射領域RAによる表示を重視した構成例である。第2実施形態は、主に屋外で使用されることを想定した屋外重視用の液晶表示装置である。セルギャップは、反射表示が最適になるように設定することが望ましい。第2実施形態におけるセルギャップは、第1実施形態におけるセルギャップより小さく設定される。
図20は、第2実施形態に係る液晶表示装置10の仕様の一例を説明する図である。第2比較例は、RGB3色のカラーフィルタを用いた液晶表示装置であり、第2実施形態は、RGBW4色のカラーフィルタを用いた液晶表示装置である。カラーフィルタの色仕様は、例えばNTSC比20%である。液晶層厚は、例えば2.0μmであり、反射表示を重視した値である。
反射領域と透過領域との比率は、“(A+0.75B):0.25B”に設定される。第1実施形態と同様に、“A”は、トランジスタ領域(TFTが占める領域)の面積であり、“B”は、サブ画素からトランジスタ領域“A”を差し引いた透過領域の面積である。第2実施形態では、第1実施形態の透過領域の3/4をさらに反射領域に振り分けている。
図21は、第2実施形態に係る液晶表示装置10の特性を説明する図である。図21の特性は、図20の仕様を適用した液晶表示装置に対応している。反射率及び透過率は、第2比較例を“1.0”とした場合に、第2実施形態の相対比を表している。色再現性(NTSC比)は、透過領域における特性を示している。
図21から理解できるように、第2実施形態に係る液晶表示装置10は、第2比較例に比べて、反射率及び透過率をそれぞれ、1.3倍程度、向上させることができる。換言すると、第2実施形態で第2比較例の反射率及び透過率を実現する場合、反射率及び透過率が向上した分だけカラーフィルタの色純度を上げることができ、結果として、表示パネルの色再現性を高くすることができる。また、バックライトの輝度を下げても良く、この場合は、消費電力を軽減することが可能となる。
以上詳述したように、第2実施形態によれば、半透過型の液晶表示装置を実現しつつ、反射による表示特性をより向上させることができる。その他の効果は、第1実施形態と同じである。
上記各実施形態は、半透過型液晶表示装置の構成例を示しているが、反射膜を有しない透過型液晶表示装置に適用することも可能である。
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。また、各実施形態は適宜組み合わせて実施してもよく、その場合組み合わせた効果が得られる。更に、上記実施形態には種々の発明が含まれており、開示される複数の構成要件から選択された組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば、実施形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、課題が解決でき、効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
10…液晶表示装置、11…表示パネル、12…バックライト、13…走査ドライバ、14…信号ドライバ、15…共通電極ドライバ、16…電圧発生回路、17…照度センサ、18…メモリ部、19…制御部、20…サブ画素、21…スイッチング素子、22…画素、30…TFT基板、31…CF基板、32…液晶層、33…ゲート電極、34…ゲート絶縁膜、35…半導体層、36A…ソース電極、37A…ドレイン電極、38,41…絶縁膜、39…蓄積電極、40…反射膜、42…コンタクトプラグ、43…画素電極、44,49…配向膜、45…ブラックマトリクス、46…カラーフィルタ、47…共通電極、48…突起、50,54…位相差板、51,56…偏光板、52,55…拡散部材、53…輝度向上フィルム、57…スペーサ

Claims (8)

  1. 第1及び第2基板と、
    前記第1及び第2基板間に充填された液晶層と、
    赤、緑、青、及び白をそれぞれ表示可能な第1乃至第4サブ画素を備え、前記第1乃至第4サブ画素の各々は、反射領域及び透過領域を有し、前記反射領域における液晶層の厚さと前記透過領域における液晶層の厚さとが同じである、画素と、
    前記サブ画素に対応するようにして前記第1基板に設けられたスイッチング素子と、
    前記反射領域に設けられ、前記スイッチング素子の上方に絶縁膜を介して設けられた反射膜と、
    前記反射領域及び前記透過領域に設けられ、前記反射膜の上方に絶縁膜を介して設けられた画素電極と、
    前記第1乃至第4サブ画素にそれぞれ対応するようにして前記第2基板に設けられた赤フィルタ、緑フィルタ、青フィルタ、及び白フィルタと、
    前記第1基板の前記液晶層と反対側に設けられ、第1位相差板と、第1偏光板とを含む第1積層部材と、
    前記第2基板の前記液晶層と反対側に設けられ、第2位相差板と、光を拡散する拡散部材と、第2偏光板とを含む第2積層部材と
    を具備する液晶表示装置。
  2. 赤、緑、及び青の3色階調データを受け、前記3色階調データを、赤、緑、青、及び白の4色階調データに変換し、前記4色階調データを用いて前記第1乃至第4サブ画素を駆動する制御部をさらに具備し、
    前記制御部は、赤、緑、青、シアン、マゼンタ、及びイエローからなる原色を表示する場合に、前記第4サブ画素の階調をゼロにし、白を表示する場合、前記第1乃至第4サブ画素の各々を最大階調にする
    請求項1に記載の液晶表示装置。
  3. 前記制御部は、前記原色の各々の色純度が低くなるにつれて、前記第4サブ画素の階調を大きくする
    請求項2に記載の液晶表示装置。
  4. 周囲環境の照度を測定するセンサをさらに具備し、
    前記制御部は、前記照度が大きくなるにつれて、前記第4サブ画素の階調を大きくする
    請求項2又は3に記載の液晶表示装置。
  5. 赤、緑、及び青の3色階調データd 、d 、d を受け、前記3色階調データを、赤、緑、青、及び白の4色階調データD 、D 、D 、D に変換し、前記4色階調データを用いて前記第1乃至第4サブ画素を駆動する制御部をさらに具備し、
    最大階調Zとすると、前記制御部は、以下の演算を実行する
    =d
    =d
    =d
    =d ・d ・d /(Z−1)
    請求項1に記載の液晶表示装置。
  6. 赤、緑、及び青の3色階調データd 、d 、d を受け、前記3色階調データを、赤、緑、青、及び白の4色階調データD 、D 、D 、D に変換し、前記4色階調データを用いて前記第1乃至第4サブ画素を駆動する制御部をさらに具備し、
    最大階調Z、周囲環境の照度のパラメータαとすると、前記制御部は、以下の演算を実行する
    =d
    =d
    =d
    =−αX +{1+α(Z−1)}X
    X=d ・d ・d /(Z−1)
    0≦α≦{1/(Z−1)
    請求項1に記載の液晶表示装置。
  7. 前記拡散部材は、前記第2位相差板及び前記第2偏光板の間、又は前記第2基板と前記第2位相差板との間に配置される
    請求項1乃至のいずれかに記載の液晶表示装置。
  8. 前記液晶層は、垂直配向(VA)モードである
    請求項1乃至7のいずれかに記載の液晶表示装置。
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