JP2006352087A - 薄膜トランジスタ及び半導体デバイスの作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】液滴吐出法等のマスクレスプロセスを用いて、基板上に同心円状の薄膜を積層し、円形の電極を有する円形薄膜トランジスタを形成する。また、液滴吐出法等のマスクレスプロセスを用いて、基板上に同心円状の薄膜を積層し、円形の半導体層を有する円形薄膜トランジスタを形成してもよい。
【選択図】図1
Description
T.Shimoda,Ink−jet Technology for Fabrication Processes of Flat Panel Displays,SID 03 DIGEST,p.1178−p1181
本発明の円形薄膜トランジスタの構造およびその作製方法について、図1〜図4を用いて説明する。
本発明の円形薄膜トランジスタの構造およびその作製方法について、図5〜図7を用いて説明する。なお、本実施の形態2において、撥液塗布法を用いる場合には実施の形態1に示す方法を用いることができる。また、絶縁層(本実施の形態2における第1の絶縁層〜第4の絶縁層を含む)、撥液層(本実施の形態2における第1の撥液層〜第5の撥液層を含む)、導電層(本実施の形態2における第1の導電層〜第5の導電層を含む)の形成に用いる材料として、実施の形態1に示した材料を用いることができる。
本発明の円形薄膜トランジスタの構造およびその作製方法について、図8〜図11を用いて説明する。なお、本実施の形態3において、撥液塗布法を用いる場合には実施の形態1に示す方法を用いることができる。また、絶縁層(本実施の形態3における第1の絶縁層〜第4の絶縁層を含む)、撥液層(本実施の形態3における第1の撥液層〜第6の撥液層を含む)、導電層(本実施の形態3における第1の導電層〜第6の導電層を含む)の形成に用いる材料として、実施の形態1に示した材料を用いることができる。
本発明の円形薄膜トランジスタの構造およびその作製方法について、図12〜図14を用いて説明する。なお、本実施の形態4において、撥液塗布法を用いる場合には実施の形態1に示す方法を用いることができる。また、絶縁層(本実施の形態4における第1の絶縁層〜第4の絶縁層を含む)、撥液層(本実施の形態4における第1の撥液層〜第6の撥液層を含む)、導電層(本実施の形態4における第1の導電層〜第6の導電層を含む)の形成に用いる材料として、実施の形態1に示した材料を用いることができる。
本発明の円形薄膜トランジスタの構造およびその作製方法について、図15〜図18を用いて説明する。なお、本実施の形態5において、撥液塗布法を用いる場合には実施の形態1に示す方法を用いることができる。また、絶縁層(本実施の形態5における第1の絶縁層〜第2の絶縁層を含む)、撥液層(本実施の形態5における第1の撥液層〜第6の撥液層を含む)、導電層(本実施の形態5における第1の導電層〜第6の導電層を含む)の形成に用いる材料として、実施の形態1に示した材料を用いることができる。
本発明の円形薄膜トランジスタの構造およびその作製方法について、図19〜図21を用いて説明する。なお、本実施の形態6において、撥液塗布法を用いる場合には実施の形態1に示す方法を用いることができる。また、絶縁層(本実施の形態6における第1の絶縁層〜第2の絶縁層を含む)、撥液層(本実施の形態6における第1の撥液層〜第6の撥液層を含む)、導電層(本実施の形態6における第1の導電層〜第5の導電層を含む)の形成に用いる材料として、実施の形態1に示した材料を用いることができる。
本発明の円形薄膜トランジスタの構造およびその作製方法について、図22〜図26を用いて説明する。なお、本実施の形態7において、撥液塗布法を用いる場合には実施の形態1に示す方法を用いることができる。また、絶縁層(本実施の形態7における第1の絶縁層〜第2の絶縁層を含む)、撥液層(本実施の形態7における第1の撥液層〜第7の撥液層を含む)、導電層(本実施の形態7における第1の導電層〜第6の導電層を含む)の形成に用いる材料として、実施の形態1に示した材料を用いることができる。
本発明の円形薄膜トランジスタの構造およびその作製方法について、図27〜図29を用いて説明する。なお、本実施の形態8において、撥液塗布法を用いる場合には実施の形態1に示す方法を用いることができる。また、絶縁層(本実施の形態8における第1の絶縁層〜第2の絶縁層を含む)、撥液層(本実施の形態8における第1の撥液層〜第6の撥液層を含む)、導電層(本実施の形態8における第1の導電層〜第5の導電層を含む)の形成に用いる材料として、実施の形態1に示した材料を用いることができる。
本実施の形態9では、本発明の円形薄膜トランジスタを液晶表示装置や発光装置などの表示装置の画素部に用いた場合について説明する。なお、画素部におけるトランジスタの配置について特に限定はないが、例えば図30の上面図に表すように配置することができる。なお、本実施の形態の場合には、実施の形態1で示した円形薄膜トランジスタを用いた場合について説明する。
102 第1の絶縁層
103 第1の導電層
104 第2の絶縁層
105 第2の導電層
106 第3の絶縁層
107 半導体層
108 半導体層
109 第3の導電層
110 第4の導電層
111 第5の導電層
112 第4の絶縁層
113 第6の導電層
Claims (22)
- 基板上の一部に第1の絶縁層を液滴吐出法により形成し、
前記第1の絶縁層上に第1の撥液層を液滴吐出法により形成し、
前記基板上の一部に前記第1の絶縁層に接して第1の導電層を液滴吐出法により形成し、
前記第1の撥液層及び前記第1の導電層上の一部に第2の撥液層を液滴吐出法により形成し、
前記第1の導電層及び前記基板上であり、前記第2の撥液層に接するように第2の絶縁層を液滴吐出法により形成し、
前記第1の撥液層及び前記第2の撥液層を除去し、前記第1の絶縁層上の一部に第3の撥液層を形成し、
前記第1の導電層及び前記第2の絶縁層上の一部であり、前記第1の絶縁層及び前記第3の撥液層と接して第2の導電層を形成し、
前記第3の撥液層を除去し、前記第1の絶縁層、前記第2の導電層、及び前記第2の絶縁層上に第3の絶縁層を液滴吐出法により形成し、
前記第3の絶縁層上に第1の半導体層を形成し、
前記第1の半導体層上に一導電型が付与された第2の半導体層を形成し、
前記第2の半導体層上の一部に第1のマスクを液滴吐出法により形成し、
前記第1のマスクを用いて、前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層をエッチングして第3の半導体層及び第4の半導体層を形成し、
前記第1のマスクを除去し、前記第4の半導体層上の一部に第3の導電層を液滴吐出法により形成し、
前記第3の導電層上と前記第4の半導体層上の一部に第4の撥液層を液滴吐出法により形成し、
前記第3の半導体層及び前記第4の撥液層と接して前記第4の半導体層上、及び前記第3の絶縁層上の一部に第4の導電層を液滴吐出法により形成し、
前記第4の導電層と接して前記第3の絶縁層上の一部に第5の導電層を液滴吐出法により形成し、
前記第4の撥液層を除去し、前記第3の導電層及び前記第4の導電層をマスクとして前記第3の半導体層の一部及び前記第4の半導体層をエッチングし、第5の半導体層及び第6の半導体層を形成し、
前記第3の導電層上に第5の撥液層を液滴吐出法により形成し、
前記第3の絶縁層、前記第4の導電層、前記第5の導電層、及び前記第5の半導体層上であり、前記第5の撥液層に接して第4の絶縁層を液滴吐出法により形成し、
前記第5の撥液層を除去し、前記第3の導電層及び前記第4の絶縁層に接して第6の導電層を液滴吐出法により形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 基板上の一部に第1の絶縁層を液滴吐出法により形成し、
前記第1の絶縁層上に第1の撥液層を液滴吐出法により形成し、
前記基板上の一部に前記第1の絶縁層に接して第1の導電層を液滴吐出法により形成し、
前記第1の撥液層及び前記第1の導電層上の一部に第2の撥液層を液滴吐出法により形成し、
前記第1の導電層及び前記基板上であり、前記第2の撥液層に接するように第2の絶縁層を液滴吐出法により形成し、
前記第1の撥液層及び前記第2の撥液層を除去し、前記第1の絶縁層上の一部に第3の撥液層を形成し、
前記第1の導電層及び前記第2の絶縁層上の一部であり、前記第1の絶縁層及び前記第3の撥液層と接して第2の導電層を形成し、
前記第3の撥液層を除去し、前記第1の絶縁層、前記第2の導電層、及び前記第2の絶縁層上に第3の絶縁層を液滴吐出法により形成し、
前記第3の絶縁層上に第1の半導体層を形成し、
前記第1の半導体層上に一導電型が付与された第2の半導体層を形成し、
前記第2の半導体層上の一部に第1のマスクを液滴吐出法により形成し、
前記第1のマスクを用いて、前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層をエッチングして第3の半導体層及び第4の半導体層を形成し、
前記第1のマスクを除去し、前記第4の半導体層上の一部に第2のマスクを液滴吐出法により形成し、
前記第2のマスク上と前記第4の半導体層上の一部に第4の撥液層を液滴吐出法により形成し、
前記第3の半導体層及び前記第4の撥液層と接して前記第4の半導体層上、及び前記第3の絶縁層上の一部に第3の導電層を液滴吐出法により形成し、
前記第3の導電層と接して前記第3の絶縁層上の一部に第4の導電層を液滴吐出法により形成し、
前記第4の撥液層を除去し、前記第2のマスク及び前記第3の導電層をマスクとして前記第3の半導体層の一部及び前記第4の半導体層をエッチングし、第5の半導体層及び第6の半導体層を形成し、
前記第2のマスク上に第5の撥液層を液滴吐出法により形成し、
前記第3の絶縁層、前記第3の導電層、前記第4の導電層、及び前記第6の半導体層上であり、前記第5の撥液層に接して第4の絶縁層を液滴吐出法により形成し、
前記第5の撥液層及び前記第2のマスクを除去し、前記第6の半導体層及び前記第4の絶縁層に接して第5の導電層を液滴吐出法により形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 基板上の一部に第1の絶縁層を液滴吐出法により形成し、
前記第1の絶縁層上に第1の撥液層を液滴吐出法により形成し、
前記基板上の一部に前記第1の絶縁層に接して第1の導電層を液滴吐出法により形成し、
前記第1の撥液層及び前記第1の導電層上の一部に第2の撥液層を液滴吐出法により形成し、
前記第1の導電層及び前記基板上であり、前記第2の撥液層に接するように第2の絶縁層を液滴吐出法により形成し、
前記第1の撥液層及び前記第2の撥液層を除去し、前記第1の絶縁層上の一部に第3の撥液層を形成し、
前記第1の導電層及び前記第2の絶縁層上の一部であり、前記第1の絶縁層及び前記第3の撥液層と接して第2の導電層を形成し、
前記第3の撥液層を除去し、前記第1の絶縁層、前記第2の導電層、及び前記第2の絶縁層上に第3の絶縁層を液滴吐出法により形成し、
前記第3の絶縁層上に第1の半導体層を形成し、
前記第1の半導体層上の一部に第1のマスクを液滴吐出法により形成し、
前記第1のマスクを用いて、前記第1の半導体層をエッチングして第2の半導体層を形成し、
前記第1のマスクを除去し、前記第2の半導体層上の一部に第4の撥液層を液滴吐出法により形成し、
前記第2の半導体層上の一部に、前記第4の撥液層に接して第2のマスクを液滴吐出法により形成し、
前記第4の撥液層を除去し、前記第2のマスクを介して前記第2の半導体層に一導電型を有する不純物を添加し、前記第2の半導体層の一部に第3の半導体層を形成し、
前記第2のマスクを除去し、前記第3の半導体層上の一部に第3の導電層を液滴吐出法により形成し、
前記第2の半導体層上及び前記第3の半導体層上の一部及び前記第3の導電層上に第5の撥液層を液滴吐出法により形成し、
前記第3の半導体層上及び前記第3の絶縁層上の一部に前記第5の撥液層と接して第4の導電層を液滴吐出法により形成し、
前記第4の導電層と接して前記第3の絶縁層上の一部に第5の導電層を液滴吐出法により形成し、
前記第5の撥液層を除去し、前記第3の導電層上に第6の撥液層を液滴吐出法により形成し、
前記第3の絶縁層、前記第2の半導体層、前記第3の半導体層、前記第4の導電層、及び前記第5の導電層上であり、前記第6の撥液層に接して第4の絶縁層を液滴吐出法により形成し、
前記第6の撥液層を除去し、前記第3の導電層上であり、前記第4の絶縁層に接して第6の導電層を液滴吐出法により形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 基板上の一部に第1の絶縁層を液滴吐出法により形成し、
前記第1の絶縁層上に第1の撥液層を液滴吐出法により形成し、
前記基板上の一部に前記第1の絶縁層に接して第1の導電層を液滴吐出法により形成し、
前記第1の撥液層及び前記第1の導電層上の一部に第2の撥液層を液滴吐出法により形成し、
前記第1の導電層及び前記基板上であり、前記第2の撥液層に接するように第2の絶縁層を液滴吐出法により形成し、
前記第1の撥液層及び前記第2の撥液層を除去し、前記第1の絶縁層上の一部に第3の撥液層を形成し、
前記第1の導電層及び前記第2の絶縁層上の一部であり、前記第1の絶縁層及び前記第3の撥液層と接して第2の導電層を形成し、
前記第3の撥液層を除去し、前記第1の絶縁層、前記第2の導電層、及び前記第2の絶縁層上に第3の絶縁層を液滴吐出法により形成し、
前記第3の絶縁層上に第1の半導体層を形成し、
前記第1の半導体層上の一部に第1のマスクを液滴吐出法により形成し、
前記第1のマスクを用いて、前記第1の半導体層をエッチングして第2の半導体層を形成し、
前記第1のマスクを除去し、前記第2の半導体層上の一部に第4の撥液層を液滴吐出法により形成し、
前記第2の半導体層上の一部に、前記第4の撥液層に接して第2のマスクを液滴吐出法により形成し、
前記第4の撥液層を除去し、前記第2のマスクを介して前記第2の半導体層に一導電型を有する不純物を添加し、前記第2の半導体層の一部に第3の半導体層を形成し、
前記第2のマスクを除去し、 前記第2の半導体層上及び前記第3の半導体層上の一部に第5の撥液層を液滴吐出法により形成し、
前記第3の半導体層上及び前記第3の絶縁層上の一部に前記第5の撥液層と接して第3の導電層を液滴吐出法により形成し、
前記第3の導電層と接して前記第3の絶縁層上の一部に第4の導電層を液滴吐出法により形成し、
前記第5の撥液層を除去し、前記第3の半導体層上に第6の撥液層を液滴吐出法により形成し、
前記第3の絶縁層、前記第2の半導体層、前記第4の導電層、及び前記第5の導電層上であり、前記第6の撥液層に接して第4の絶縁層を液滴吐出法により形成し、
前記第6の撥液層を除去し、前記第3の半導体層上であり、前記第4の絶縁層に接して第6の導電層を液滴吐出法により形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 基板上に第1の半導体層を形成し、
前記第1の半導体層上に第2の半導体層を形成し、
前記第2の半導体層上の一部に第1のマスクを液滴吐出法により形成し、
前記第1のマスクを用いて、前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層をエッチングして第3の半導体層及び第4の半導体層を形成し、
前記第1のマスクを除去し、前記第4の半導体層上の一部に第1の導電層を液滴吐出法により形成し、
前記第1の導電層上と前記第4の半導体層上の一部に第1の撥液層を液滴吐出法により形成し、
前記第4の半導体層及び前記基板上の一部に前記第3の半導体層及び前記第1の撥液層と接して第2の導電層を液滴吐出法により形成し、
前記第2の導電層と接して第3の導電層を前記基板上の一部に液滴吐出法により形成し、
前記第1の撥液層を除去し、前記第1の導電層及び前記第2の導電層をマスクとして前記第3の半導体層の一部及び前記第4の半導体層をエッチングし、第5の半導体層及び第6の半導体層を形成し、
前記第1の導電層上の一部に第2の撥液層を液滴吐出法により形成し、
前記基板、前記第2の導電層、及び前記第3の導電層上であり、前記第2の撥液層に接して第1の絶縁層を液滴吐出法により形成し、
前記第2の撥液層及び前記第1の絶縁層上の一部に第3の撥液層を液滴吐出法により形成し、
前記第1の絶縁層上の一部に、前記第3の撥液層に接して第4の導電層を液滴吐出法により形成し、
前記第2の撥液層及び前記第3の撥液層を除去し、
前記第1の導電層上の一部に第4の撥液層を、前記第4の導電層上の一部に第5の撥液層をそれぞれ液滴吐出法により形成し、
前記第1の絶縁層、前記第4の導電層、及び前記第1の導電層上であって、前記第4の撥液層及び前記第5の撥液層に接して第2の絶縁層を形成し、
前記第4の撥液層及び前記第5の撥液層を除去し、前記第1の導電層に接して第5の導電層を、前記第4の導電層に接して第6の導電層をそれぞれ液滴吐出法により形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 基板上に第1の半導体層を形成し、
前記第1の半導体層上に第2の半導体層を形成し、
前記第2の半導体層上の一部に第1のマスクを液滴吐出法により形成し、
前記第1のマスクを用いて、前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層をエッチングして第3の半導体層及び第4の半導体層を形成し、
前記第1のマスクを除去し、前記第4の半導体層上の一部に第2のマスクを液滴吐出法により形成し、
前記第2のマスク上と前記第4の半導体層上の一部に第1の撥液層を液滴吐出法により形成し、
前記第4の半導体層及び前記基板上の一部に前記第3の半導体層及び前記第1の撥液層と接して第1の導電層を液滴吐出法により形成し、
前記第1の導電層と接して前記基板上の一部に第2の導電層を液滴吐出法により形成し、
前記第1の撥液層を除去し、前記第2のマスク及び前記第1の導電層をマスクとして前記第3の半導体層の一部及び前記第4の半導体層をエッチングし、第5の半導体層及び第6の半導体層を形成し、
前記第2のマスク上に第2の撥液層を液滴吐出法により形成し、
前記基板、前記第1の導電層、前記第2の導電層、及び前記第3の半導体層上であり、前記第2の撥液層に接して第1の絶縁層を液滴吐出法により形成し、
前記第2の撥液層及び前記第1の絶縁層上の一部に第3の撥液層を液滴吐出法により形成し、
前記第1の絶縁層上の一部に、前記第3の撥液層に接して第3の導電層を液滴吐出法により形成し、
前記第2の撥液層及び前記第3の撥液層を除去し、前記第2のマスク上に第4の撥液層を、前記第3の導電層上の一部に第5の撥液層をそれぞれ液滴吐出法により形成し、
前記第1の絶縁層、前記第3の導電層上であって、前記第4の撥液層及び前記第5の撥液層に接して第2の絶縁層を形成し、
前記第4の撥液層及び前記第5の撥液層、及び前記第2のマスクを除去し、前記第6の半導体層に接して第4の導電層を、前記第3の導電層に接して第5の導電層をそれぞれ液滴吐出法により形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 基板上に第1の半導体層を形成し、
前記第1の半導体層上の一部に第1のマスクを液滴吐出法により形成し、
前記第1のマスクを用いて、前記第1の半導体層をエッチングして第2の半導体層を形成し、
前記第1のマスクを除去し、前記第2の半導体層上の一部に第1の撥液層を液滴吐出法により形成し、
前記第2の半導体層上の一部に、前記第1の撥液層に接して第2のマスクを液滴吐出法により形成し、
前記第1の撥液層を除去し、前記第2のマスクを介して前記第2の半導体層に一導電型を有する不純物を添加し、前記第2の半導体層の一部に第3の半導体層を形成し、
前記第2のマスクを除去し、前記第3の半導体層上の一部に第1の導電層を液滴吐出法により形成し、
前記第2の半導体層及び前記第1の導電層上に第2の撥液層を液滴吐出法により形成し、
前記第3の半導体層及び前記基板上の一部に前記第2の撥液層と接して第2の導電層を液滴吐出法により形成し、
前記第2の導電層と接して前記基板上の一部に第3の導電層を液滴吐出法により形成し、
前記第2の撥液層を除去し、前記第1の導電層上の一部に第3の撥液層を液滴吐出法により形成し、
前記基板、前記第2の半導体層、前記第1の導電層、前記第2の導電層、及び前記第3の導電層上であり、前記第3の撥液層に接して第1の絶縁層を液滴吐出法により形成し、
前記第3の撥液層及び前記第1の絶縁層上の一部に第4の撥液層を液滴吐出法により形成し、
前記第1の絶縁層上の一部に、前記第4の撥液層に接して第4の導電層を液滴吐出法により形成し、
前記第3の撥液層及び前記第4の撥液層を除去し、前記第4の導電層上の一部に第5の撥液層を、前記第1の導電層上に第6の撥液層をそれぞれ液滴吐出法により形成し、
前記第1の絶縁層、前記第4の導電層上であって、前記第5の撥液層及び前記第6の撥液層に接して第2の絶縁層を形成し、
前記第5の撥液層及び前記第6の撥液層を除去し、前記第1の導電層に接して第5の導電層を、前記第4の導電層に接して第6の導電層をそれぞれ液滴吐出法により形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 基板上に第1の半導体層を形成し、
前記第1の半導体層上の一部に第1のマスクを液滴吐出法により形成し、
前記第1のマスクを用いて、前記第1の半導体層をエッチングして第2の半導体層を形成し、
前記第1のマスクを除去し、前記第2の半導体層上の一部に第1の撥液層を液滴吐出法により形成し、
前記第2の半導体層上の一部に、前記第1の撥液層に接して第2のマスクを液滴吐出法により形成し、
前記第1の撥液層を除去し、前記第2のマスクを介して前記第2の半導体層に一導電型を有する不純物を添加し、前記第2の半導体層の一部に第3の半導体層を形成し、
前記第2のマスクを除去し、前記第2の半導体層及び前記第3の半導体層上の一部に第2の撥液層を液滴吐出法により形成し、
前記第3の半導体層及び前記基板上の一部に前記第2の撥液層と接して第1の導電層を液滴吐出法により形成し、
前記第1の導電層と接して前記基板上の一部に第2の導電層を液滴吐出法により形成し、
前記第2の撥液層を除去し、前記第3の半導体層上の一部に第3の撥液層を液滴吐出法により形成し、
前記基板、前記第2の半導体層、前記第1の導電層、及び前記第2の導電層上であり、前記第3の撥液層に接して第1の絶縁層を液滴吐出法により形成し、
前記第3の撥液層及び前記第1の絶縁層上の一部に第4の撥液層を液滴吐出法により形成し、
前記第1の絶縁層上の一部に、前記第4の撥液層に接して第3の導電層を液滴吐出法により形成し、
前記第3の撥液層及び前記第4の撥液層を除去し、前記第3の導電層上の一部に第5の撥液層を、前記第3の半導体層上に第6の撥液層を、それぞれ液滴吐出法により形成し、
前記第1の絶縁層、前記第3の導電層上であって、前記第5の撥液層及び前記第6の撥液層に接して第2の絶縁層を形成し、
前記第5の撥液層及び前記第6の撥液層を除去し、前記第3の半導体層に接して第4の導電層を、前記第3の導電層に接して第5の導電層をそれぞれ液滴吐出法により形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一において、
前記第3の撥液層および前記第2の導電層の形成に用いる材料の液滴量を制御することで、ゲート電極の長さを制御することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 請求項1において、
前記第3の導電層および前記第4の撥液層の形成に用いる材料の液滴量を制御することでチャネルの長さを制御することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 請求項2乃至請求項4において、
前記第2のマスクおよび前記第4の撥液層の形成に用いる材料の液滴量を制御することでチャネルの長さを制御することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 請求項5において、
前記第1の導電層および前記第1の撥液層の形成に用いる材料の液滴量を制御することでチャネルの長さを制御することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 請求項5において、
前記第3の撥液層および前記第4の導電層の形成に用いる材料の液滴量を制御することで、ゲート電極の長さを制御することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 請求項6乃至請求項8において、
前記第2のマスクおよび前記第1の撥液層の形成に用いる材料の液滴量を制御することでチャネルの長さを制御することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 請求項6において、
前記第3の撥液層および前記第3の導電層の形成に用いる材料の液滴量を制御することで、ゲート電極の長さを制御することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 請求項7において、
前記第4の撥液層および前記第4の導電層の形成に用いる材料の液滴量を制御することで、ゲート電極の長さを制御することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 請求項8において、
前記第4の撥液層および前記第3の導電層の形成に用いる材料の液滴量を制御することで、ゲート電極の長さを制御することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 請求項1乃至請求項4において、
前記第1のマスクは、第1の半導体層、第2の半導体層を介して、第1の絶縁層及び第2の導電層と接する第3の絶縁層の上に形成されることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 請求項3において、
前記第3の導電層は、前記第4の撥液層が除去された領域に形成されることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 請求項7において、
前記第1の導電層は、前記第1の撥液層が除去された領域に形成されることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 第1の領域、第2の領域、第3の領域を有する表面において、
前記第1の領域上に第1の層を形成し、
前記第1の層上に第1の撥液材料からなる第1の撥液層を形成し、
前記第1の撥液層上に第2の撥液材料を滴下して、前記第1の層の側面及び前記第1の撥液層の側面に接するように第2の撥液層を形成し、
前記第2の領域は第2の撥液層によって覆われ、
前記第1の領域及び前記第2の領域に隣接する第3の領域上に第2の層を形成し、
前記第2の層を形成した後、第2の撥液層を除去し、
前記第1の層と前記第2の層との間の空間に、第3の層を形成することを特徴とする半導体デバイスの作製方法。 - 請求項21において、
前記第1の層は、絶縁層であることを特徴とする半導体デバイスの作製方法。
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