JP2006344994A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】裏面に外部電極4が形成された基板2と、電極パッド3を有する半導体素子1と、外部電極4と電極パッド3とを開口部5を介して接続するワイヤ6と、半導体素子1およびワイヤ6とを封止する樹脂7とを有する半導体素子封止体を準備する工程と、樹脂7の表面を、レーザにより、半導体素子1およびワイヤ6の頂点に対応するように樹脂7の表面に規定される第1の領域を避けるように削ることで、樹脂7の表面に捺印8を施す工程と、を有する。
【選択図】 図1
Description
一般にレーザー捺印は、樹脂表面を数十um削ることにより行われる。このため、半導体素子上の樹脂の厚さが薄くなると、このレーザー捺印で削られる樹脂の深さが無視できなくなり、外部から圧力が加えられたときに、捺印の場所から樹脂が割れてしまう場合がある。
図1(A)は本発明の第1の実施形態における半導体装置の平面図であり、図1(B)は、図1(A)におけるA−A'断面図である。
図1において、半導体素子1は基板2の表面に図示しない接着剤を用いて固定されている。基板2は例えばガラスエポキシ樹脂等から構成される。この半導体素子1の表面には電極パッド3が複数形成されている。
これら半導体素子1、ワイヤ6は樹脂7により封止される。ICカードに用いられる場合は、基板2を含めた全体としての薄型化が望まれるため、樹脂7を厚く形成することができない。本実施形態においては、半導体素子1上の樹脂7の厚さはおよそ0.2mmである。
また、捺印が2列の場合は、封止樹脂の両端に分けてそれぞれ捺印する。このように2列に分けて捺印することで、樹脂の厚さの最も厚い部分に全ての捺印を施すことが可能となり、樹脂の強度をより向上することが可能となる。
この図2に示される本発明の第2の実施形態において、第1の実施形態と同一の構成には同一符号を付してある。
第2の実施形態では、捺印10が施されている位置について第1の実施形態とは異なっている。すなわち、ワイヤ6および半導体素子1を避けるという点では共通しているが、この第2の実施形態ではワイヤ6が張られている方向とは異なる方向に存在する樹脂の辺に沿って捺印10が施されている点で相違している。本実施形態においても捺印10はレーザーにより樹脂7の表面を10um以上削ることにより行う。
一般に封止樹脂の表面は梨地形状に形成されるが、これら第1および第2の実施形態においては、樹脂7の表面を鏡面とすることにより、レーザー捺印の掘り込み深さを浅くしても判読しやすくなる。鏡面とする領域は、樹脂表面全面であってもよいが、捺印の周辺部分のみであっても判読は容易になる。
この図3に示される本発明の第3の実施形態において、第1の実施形態と同一の構成には同一符号を付してある。
第3の実施形態では、捺印12を封止樹脂7の表面には行わず、基板2の表面に施している点で第1の実施形態とは異なっている。
このように、基板2の表面に捺印する領域が空いている場合は、樹脂7の表面に捺印を行わず、基板2の表面に捺印12を施すことが可能となる。
この場合、樹脂7の表面には捺印による凹部が形成されず、樹脂7の強度を低下させることがない。
2 基板
3 電極パッド
4 外部電極
5 開口部
6 ワイヤ
7 樹脂
8 捺印
Claims (10)
- 表面と裏面とを有し、前記裏面に外部電極が形成された基板と、前記基板の前記表面上に搭載された、電極パッドを有する半導体素子と、前記基板の前記外部電極と前記半導体素子の前記電極パッドとを、前記基板に設けられた開口部を介して接続するワイヤと、前記半導体素子および前記ワイヤとを封止する、前記基板の前記表面側に形成された封止樹脂とを有する半導体素子封止体を準備する工程と、
前記基板の前記表面側に形成された前記封止樹脂の表面を、レーザにより、前記半導体素子および前記ワイヤの頂点に対応するように前記封止樹脂の前記表面に規定される第1の領域を避けるように削ることで、前記封止樹脂の表面に捺印を施す工程とを有することを特徴とする捺印された半導体装置の製造方法。 - ワイヤボンディングが施された半導体素子を樹脂封止してなる半導体素子封止体を準備する工程と、
前記樹脂の前記半導体素子および前記ワイヤを覆う側の表面を、レーザにより、前記ワイヤの頂点および前記半導体素子に対応するように前記樹脂の前記表面に規定される第1の領域を避けるように削ることで、前記樹脂の前記半導体素子および前記ワイヤを覆う側の表面に捺印を施す工程とを有することを特徴とする捺印された半導体装置の製造方法。 - 表面と、この表面と反対側の裏面とを有する基板と、前記基板の前記裏面に形成され、前記基板に設けられた開口部を介して前記表面側に一部が露出する外部電極と、表面に複数の電極パッドを有する、前記基板の前記表面に搭載された半導体素子と、前記外部電極と前記半導体素子の前記複数の電極パッドとを接続するワイヤと、前記半導体素子と前記ワイヤとを封止する封止樹脂とを有する半導体素子封止体を準備する工程と、
前記基板の前記表面側に設けられた前記封止樹脂の前記ワイヤの頂点および前記半導体素子に対応するように前記封止樹脂の前記表面に規定される第1の領域を除く端部近傍の前記封止樹脂の表面を、レーザにより削ることで、前記封止樹脂の表面に捺印を施す工程とを有することを特徴とする捺印された半導体装置の製造方法。 - 前記捺印を施す工程は、前記封止樹脂の辺に沿って行われることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の捺印された半導体装置の製造方法。
- 前記捺印を施す工程は、前記封止樹脂の表面を10um以上削ることにより行われることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の捺印された半導体装置の製造方法。
- 前記捺印が施された前記封止樹脂の表面は鏡面であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の捺印された半導体装置の製造方法。
- 表面と裏面とを有する基板と、前記基板の前記表面に搭載された半導体素子と、前記半導体素子を封止する封止樹脂とを有する半導体素子封止体を準備する工程と、
前記基板の前記表面側に形成された前記封止樹脂の表面を、レーザにより、前記半導体素子に対応するように前記封止樹脂の前記表面に規定される第1の領域を避けるように削ることで、前記封止樹脂の表面に捺印を施す工程とを有することを特徴とする捺印された半導体装置の製造方法。 - 前記捺印を施す工程は、前記封止樹脂の辺に沿って行われることを特徴とする請求項7記載の捺印された半導体装置の製造方法。
- 前記捺印を施す工程は、前記封止樹脂の表面を10um以上削ることにより行われることを特徴とする請求項7又は8記載の捺印された半導体装置の製造方法。
- 前記基板の前記裏面には、外部電極が形成されていることを特徴とする請求項7〜9のいずれか1項に記載の半導体装置。
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JP2006344994A true JP2006344994A (ja) | 2006-12-21 |
Family
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