JP3680065B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3680065B2 JP3680065B2 JP2003147123A JP2003147123A JP3680065B2 JP 3680065 B2 JP3680065 B2 JP 3680065B2 JP 2003147123 A JP2003147123 A JP 2003147123A JP 2003147123 A JP2003147123 A JP 2003147123A JP 3680065 B2 JP3680065 B2 JP 3680065B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- substrate
- semiconductor element
- marking
- wire
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54433—Marks applied to semiconductor devices or parts containing identification or tracking information
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54473—Marks applied to semiconductor devices or parts for use after dicing
- H01L2223/54486—Located on package parts, e.g. encapsulation, leads, package substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
- H01L2224/48228—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item the bond pad being disposed in a recess of the surface of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、封止樹脂の表面に捺印の施された半導体装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体素子を樹脂で封止した後、この樹脂の表面には製品名等の捺印が施される。捺印方法としては、捺印の処理スピードが速いことから、レーザーによる捺印が主流となっている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
近年、樹脂封止型の半導体装置、特にICカードに用いられる半導体装置においては、薄型化が望まれており、半導体素子の表面を封止する樹脂の厚さが薄くなる傾向にある。
一般にレーザー捺印は、樹脂表面を数十μm削ることにより行われる。このため、半導体素子上の樹脂の厚さが薄くなると、このレーザー捺印で削られる樹脂の深さが無視できなくなり、外部から圧力が加えられたときに、捺印の場所から樹脂が割れてしまう場合がある。
【0004】
【課題を解決するための手段】
本願発明では、上記課題を解決するために、電極を持つ基板と、基板に搭載された、電極パッドを持つ半導体素子と、基板の電極と半導体素子の電極パッドとを接続するワイヤと、半導体素子および前記ワイヤとを封止する封止樹脂とを含む半導体装置において、半導体素子およびワイヤの頂点に対応する樹脂の表面を避けて捺印を施す構成としている。
【0005】
【発明の実施の形態】
以下、図1(A)および図1(B)を参照して本発明の第1の実施形態を詳細に説明する。
図1(A)は本発明の第1の実施形態における半導体装置の平面図であり、図1(B)は、図1(A)におけるA−A’断面図である。
図1において、半導体素子1は基板2の表面に図示しない接着剤を用いて固定されている。基板2は例えばガラスエポキシ樹脂等から構成される。この半導体素子1の表面には電極パッド3が複数形成されている。
【0006】
基板2の裏面には、外部電極4が形成されている。この外部電極4は、基板に銅箔などを貼付け、その表面にメッキをすることにより形成することができる。基板2には開口部5が設けられており、この開口部5から露出する外部電極4と電極パッド3とがワイヤ6により接続される。
【0007】
これら半導体素子1、ワイヤ6は樹脂7により封止される。ICカードに用いられる場合は、基板2を含めた全体としての薄型化が望まれるため、樹脂7を厚く形成することができない。本実施形態においては、半導体素子1上の樹脂7の厚さはおよそ0.2mmである。
【0008】
樹脂7により半導体素子1およびワイヤ6を封止した後、ワイヤ6のループの頂点と樹脂7の端部との間の領域にレーザによる捺印8が施される。この捺印により、樹脂7の表面には、その周囲と判別可能な深さとして、10μm以上の深さの凹部が形成される。本発明において、ワイヤ6の頂点とは、電極パッド3と外部端子4との間をループを描いて接続するワイヤ6において、基板から見て最も離れた部分、すなわち、樹脂7の表面からもっとも近い部分を意味している。
【0009】
捺印をレーザで行う場合、樹脂7の表面が10μm以上削られる。従って、捺印を施す位置によって樹脂の強度に影響を及ぼす可能性がある。すなわち、例えば、ICカードにおいては、外部端子4は外部から接触されて用いられるため、外部端子4には圧力が加えられる。このため、樹脂7の厚さがもっとも薄い半導体素子1上、あるいは、ワイヤ6の頂点上に捺印を施した場合に、最も樹脂7の強度が低下すると考えられる。
【0010】
従って、この半導体素子1上およびワイヤ6の頂点上に対応する樹脂7の表面を避けて捺印を施すことにより、樹脂7の強度の低下を防ぐことが可能となる。
また、捺印が2列の場合は、封止樹脂の両端に分けてそれぞれ捺印する。このように2列に分けて捺印することで、樹脂の厚さの最も厚い部分に全ての捺印を施すことが可能となり、樹脂の強度をより向上することが可能となる。
【0011】
図2は本発明の第2の実施形態を示す図であり、図2(a)は上面図、図2(b)は図2(a)におけるB−B’断面図である。
この図2に示される本発明の第2の実施形態において、第1の実施形態と同一の構成には同一符号を付してある。
【0012】
第2の実施形態では、捺印10が施されている位置について第1の実施形態とは異なっている。すなわち、ワイヤ6および半導体素子1を避けるという点では共通しているが、この第2の実施形態ではワイヤ6が張られている方向とは異なる方向に存在する樹脂の辺に沿って捺印10が施されている点で相違している。本実施形態においても捺印10はレーザにより樹脂7の表面を10μm以上削ることにより行う。
【0013】
このように、ワイヤ6が張られていない側の辺に沿って捺印を施すことにより、樹脂厚さの薄い部分を避けて捺印することが可能となり、樹脂の強度を維持することが可能となる。
一般に封止樹脂の表面は梨地形状に形成されるが、これら第1および第2の実施形態においては、樹脂7の表面を鏡面とすることにより、レーザ捺印の掘り込み深さを浅くしても判読しやすくなる。鏡面とする領域は、樹脂表面全面であってもよいが、捺印の周辺部分のみであっても判読は容易になる。
【0014】
図3は本発明の第3の実施形態を説明する図であり、図3(a)は上面図、図3(b)は図3(a)におけるC−C’断面図である。
この図3に示される本発明の第3の実施形態において、第1の実施形態と同一の構成には同一符号を付してある。
第3の実施形態では、捺印12を封止樹脂7の表面には行わず、基板2の表面に施している点で第1の実施形態とは異なっている。
【0015】
このように、基板2の表面に捺印する領域が空いている場合は、樹脂7の表面に捺印を行わず、基板2の表面に捺印12を施すことが可能となる。
この場合、樹脂7の表面には捺印による凹部が形成されず、樹脂7の強度を低下させることがない。
【0016】
図4は本発明の第4の実施形態を説明する図であり、図4(a)は上面図、図4(b)は図4(a)におけるC−C’断面図である。
この図4に示される本発明の第4の実施形態において、第1の実施形態と同一の構成には同一符号を付してある。
第4の実施形態では、樹脂7の表面に行う捺印の方法について第1の実施形態と異なっている。
【0017】
すなわち、半導体素子1およびワイヤ6を避けた樹脂7の表面に捺印を施す領域がない場合、この捺印をレーザで行わず、インクによりおこなう。なお、ここで、インクによる捺印とは、インクによる転写捺印あるいは印刷捺印のことを意味する。
【0018】
一般に、捺印の処理速度の点から、レーザにより捺印を行うことが望ましいが、半導体素子1上の樹脂の厚さが0.2mm以下になると、レーザ捺印による凹部の影響が無視できなくなる。このため、半導体素子1上の樹脂の厚さが0.2mm以下の場合に限り、インクによる捺印が有効となる。
【0019】
【発明の効果】
本発明に係る半導体装置によれば、半導体素子およびワイヤに対応する封止樹脂表面を避けて捺印を施している。このため、樹脂の強度を維持したまま樹脂の表面に捺印を施すことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態における平面図および断面図である。
【図2】本発明の第2の実施形態における平面図および断面図である。
【図3】本発明の第3の実施形態における平面図および断面図である。
【図4】本発明の第4の実施形態における平面図および断面図である。
【符号の説明】
1 半導体素子
2 基板
3 電極パッド
4 外部電極
5 開口部
6 ワイヤ
7 樹脂
8 捺印
Claims (3)
- 基板と、
前記基板の表面に搭載された半導体素子と、
前記基板の前記表面の端部を露出させて前記半導体素子を封止する封止樹脂とを含み、
前記封止樹脂から露出した前記基板の前記表面に捺印が施され、前記半導体素子上に位置する前記封止樹脂面には捺印が施されていないことを特徴とする半導体装置。 - 前記基板の前記表面とは反対側の裏面には外部電極が形成されており、前記基板に設けられた開口部を介して前記半導体素子が前記外部電極と電気的に接続されることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記外部電極と前記半導体素子とはワイヤを介して電気的に接続されることを特徴とする請求項2記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003147123A JP3680065B2 (ja) | 2003-05-26 | 2003-05-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003147123A JP3680065B2 (ja) | 2003-05-26 | 2003-05-26 | 半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP34317699A Division JP3644859B2 (ja) | 1999-12-02 | 1999-12-02 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003309195A JP2003309195A (ja) | 2003-10-31 |
JP3680065B2 true JP3680065B2 (ja) | 2005-08-10 |
Family
ID=29398367
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003147123A Expired - Lifetime JP3680065B2 (ja) | 2003-05-26 | 2003-05-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3680065B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2023031660A (ja) * | 2021-08-25 | 2023-03-09 | キオクシア株式会社 | 半導体装置及び電子機器 |
-
2003
- 2003-05-26 JP JP2003147123A patent/JP3680065B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003309195A (ja) | 2003-10-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3644859B2 (ja) | 半導体装置 | |
US7851902B2 (en) | Resin-sealed semiconductor device, manufacturing method thereof, base material for the semiconductor device, and layered and resin-sealed semiconductor device | |
JP2008186891A (ja) | モールドパッケージおよびその製造方法ならびにモールドパッケージの実装構造 | |
KR960019688A (ko) | 디바이스 에지에서 기계적 스트레스를 줄이기 위한 개별 영역 리드 프레임 주조법 또는 하프 에칭법 | |
JP6936963B2 (ja) | リードフレーム | |
JP3680065B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2006344994A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2004128526A (ja) | 半導体装置 | |
JP2006156674A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP3881658B2 (ja) | 中継部材、中継部材を用いたマルチチップパッケージ、及びその製造方法 | |
JP4836854B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP7068640B2 (ja) | リードフレームおよび半導体装置の製造方法 | |
JP2003179193A (ja) | リードフレームおよびその製造方法ならびに樹脂封止型半導体装置およびその製造方法ならびに樹脂封止型半導体装置の検査方法 | |
JP4522802B2 (ja) | Icモジュール | |
US20220301985A1 (en) | Semiconductor device | |
US20220301990A1 (en) | Semiconductor device | |
US20220301991A1 (en) | Semiconductor device | |
JP7249533B2 (ja) | リードフレームおよび半導体装置の製造方法 | |
JP2800335B2 (ja) | 半導体ダイオード | |
JPS61217298A (ja) | Icカ−ド | |
JP7073637B2 (ja) | リードフレームおよび半導体装置 | |
CN108364873B (zh) | 引线框的制造方法和引线框 | |
JPH11260972A (ja) | 薄型半導体装置 | |
JP3793752B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2001358276A (ja) | 半導体装置およびリードフレーム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20041203 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20050203 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050208 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050510 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050516 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3680065 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080520 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090520 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090520 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100520 Year of fee payment: 5 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100520 Year of fee payment: 5 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110520 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110520 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120520 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120520 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130520 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140520 Year of fee payment: 9 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |