JP2004128526A

JP2004128526A - 半導体装置

Info

Publication number: JP2004128526A
Application number: JP2004025058A
Authority: JP
Inventors: Tsutomu Koizumi; 小泉　力
Original assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Current assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date: 2004-02-02
Filing date: 2004-02-02
Publication date: 2004-04-22

Abstract

【課題】　捺印による封止樹脂の強度の低下を防ぐことを目的とする。
【解決手段】　裏面に外部電極４が形成された基板２と、半導体素子１と、封止樹脂７とを備えた半導体装置において、半導体素子１の表面における封止樹脂７の厚さが０．２ｍｍ以下であり、封止樹脂７の表面に施される捺印１４がレーザーでは行われずインクにより行われる。
【選択図】　　　図４

Description

　本発明は、封止樹脂の表面に捺印の施された半導体装置に関するものである。

　従来、半導体素子を樹脂で封止した後、この樹脂の表面には製品名等の捺印が施される。捺印方法としては、捺印の処理スピードが速いことから、レーザーによる捺印が主流となっている。

　近年、樹脂封止型の半導体装置、特にＩＣカードに用いられる半導体装置においては、薄型化が望まれており、半導体素子の表面を封止する樹脂の厚さが薄くなる傾向にある。
　一般にレーザー捺印は、樹脂表面を数十μm削ることにより行われる。このため、半導体素子上の樹脂の厚さが薄くなると、このレーザー捺印で削られる樹脂の深さが無視できなくなり、外部から圧力が加えられたときに、捺印の場所から樹脂が割れてしまう場合がある。

　本発明の代表的なものは、半導体素子の表面における封止樹脂の厚さが０．２ｍｍ以下であり、封止樹脂の表面に施される捺印がレーザーでは行われずインクにより行われる。

　本発明に係る半導体装置によれば、樹脂の強度を維持したまま樹脂の表面に捺印を施すことが可能となる。

　以下、図面を参照して、発明を実施するための最良の形態について説明する。

　以下、図１（Ａ）および図１（Ｂ）を参照して本発明の第１の実施形態を詳細に説明する。
　図１（Ａ）は本発明の第１の実施形態における半導体装置の平面図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）におけるＡ−Ａ’断面図である。
　図１において、半導体素子１は基板２の表面に図示しない接着剤を用いて固定されている。基板２は例えばガラスエポキシ樹脂等から構成される。この半導体素子１の表面には電極パッド３が複数形成されている。

　基板２の裏面には、外部電極４が形成されている。この外部電極４は、基板に銅箔などを貼付け、その表面にメッキをすることにより形成することができる。基板２には開口部５が設けられており、この開口部５から露出する外部電極４と電極パッド３とがワイヤ６により接続される。
　これら半導体素子１、ワイヤ６は樹脂７により封止される。ＩＣカードに用いられる場合は、基板２を含めた全体としての薄型化が望まれるため、樹脂７を厚く形成することができない。本実施形態においては、半導体素子１上の樹脂７の厚さはおよそ０．２ｍｍである。

　樹脂７により半導体素子１およびワイヤ６を封止した後、ワイヤ６のループの頂点と樹脂７の端部との間の領域にレーザーによる捺印８が施される。この捺印により、樹脂７の表面には、その周囲と判別可能な深さとして、１０μｍ以上の深さの凹部が形成される。本発明において、ワイヤ６の頂点とは、電極パッド３と外部端子４との間をループを描いて接続するワイヤ６において、基板から見て最も離れた部分、すなわち、樹脂７の表面からもっとも近い部分を意味している。

　捺印をレーザーで行う場合、樹脂７の表面が１０μｍ以上削られる。従って、捺印を施す位置によって樹脂の強度に影響を及ぼす可能性がある。すなわち、例えば、ＩＣカードにおいては、外部端子４は外部から接触されて用いられるため、外部端子４には圧力が加えられる。このため、樹脂７の厚さがもっとも薄い半導体素子１上、あるいは、ワイヤ６の頂点上に捺印を施した場合に、最も樹脂７の強度が低下すると考えられる。

　従って、この半導体素子１上およびワイヤ６の頂点上に対応する樹脂７の表面を避けて捺印を施すことにより、樹脂７の強度の低下を防ぐことが可能となる。
　また、捺印が２列の場合は、封止樹脂の両端に分けてそれぞれ捺印する。このように２列に分けて捺印することで、樹脂の厚さの最も厚い部分に全ての捺印を施すことが可能となり、樹脂の強度をより向上することが可能となる。

　図２は本発明の第２の実施形態を示す図であり、図２（ａ）は上面図、図２（ｂ）は図２（ａ）におけるＢ−Ｂ’断面図である。
　この図２に示される本発明の第２の実施形態において、第１の実施形態と同一の構成には同一符号を付してある。
　第２の実施形態では、捺印１０が施されている位置について第１の実施形態とは異なっている。すなわち、ワイヤ６および半導体素子１を避けるという点では共通しているが、この第２の実施形態ではワイヤ６が張られている方向とは異なる方向に存在する樹脂の辺に沿って捺印１０が施されている点で相違している。本実施形態においても捺印１０はレーザーにより樹脂７の表面を１０μｍ以上削ることにより行う。

　このように、ワイヤ６が張られていない側の辺に沿って捺印を施すことにより、樹脂厚さの薄い部分を避けて捺印することが可能となり、樹脂の強度を維持することが可能となる。
　一般に封止樹脂の表面は梨地形状に形成されるが、これら第１および第２の実施形態においては、樹脂７の表面を鏡面とすることにより、レーザー捺印の掘り込み深さを浅くしても判読しやすくなる。鏡面とする領域は、樹脂表面全面であってもよいが、捺印の周辺部分のみであっても判読は容易になる。

　図３は本発明の第３の実施形態を説明する図であり、図３（ａ）は上面図、図３（ｂ）は図３（ａ）におけるＣ−Ｃ’断面図である。
　この図３に示される本発明の第３の実施形態において、第１の実施形態と同一の構成には同一符号を付してある。
　第３の実施形態では、捺印１２を封止樹脂７の表面には行わず、基板２の表面に施している点で第１の実施形態とは異なっている。
　このように、基板２の表面に捺印する領域が空いている場合は、樹脂７の表面に捺印を行わず、基板２の表面に捺印１２を施すことが可能となる。
　この場合、樹脂７の表面には捺印による凹部が形成されず、樹脂７の強度を低下させることがない。

　図４は本発明の第４の実施形態を説明する図であり、図４（ａ）は上面図、図４（ｂ）は図４（ａ）におけるＣ−Ｃ’断面図である。
　この図４に示される本発明の第４の実施形態において、第１の実施形態と同一の構成には同一符号を付してある。
　第４の実施形態では、樹脂７の表面に行う捺印の方法について第１の実施形態と異なっている。
　すなわち、半導体素子１およびワイヤ６を避けた樹脂７の表面に捺印を施す領域がない場合、この捺印をレーザーで行わず、インクによりおこなう。なお、ここで、インクによる捺印とは、インクによる転写捺印あるいは印刷捺印のことを意味する。

　一般に、捺印の処理速度の点から、レーザーにより捺印を行うことが望ましいが、半導体素子１上の樹脂の厚さが０．２ｍｍ以下になると、レーザー捺印による凹部の影響が無視できなくなる。このため、半導体素子１上の樹脂の厚さが０．２ｍｍ以下の場合に限り、インクによる捺印が有効となる。

本発明の第１の実施形態における平面図および断面図である。本発明の第２の実施形態における平面図および断面図である。本発明の第３の実施形態における平面図および断面図である。本発明の第４の実施形態における平面図および断面図である。

符号の説明

　１　半導体素子
　２　基板
　３　電極パッド
　４　外部電極
　５　開口部
　６　ワイヤ
　７　樹脂
　８　捺印

Claims

表面と裏面とを有し、前記裏面に外部電極が形成された基板と、
前記基板の前記表面上に搭載された、表面に電極パッドを有する半導体素子と、
　前記半導体素子の前記表面を封止する封止樹脂とを備えた半導体装置において、
　前記半導体素子の前記表面における封止樹脂の厚さが０．２ｍｍ以下であり、前記封止樹脂の表面に施される捺印がレーザーでは行われずインクにより行われることを特徴とする半導体装置。
前記半導体素子の前記電極パッドと前記外部電極とを接続するワイヤを備えたことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
前記インクによる前記捺印は、転写捺印であることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置。
前記インクによる前記捺印は、印刷捺印であることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置。