JP3644859B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、封止樹脂の表面に捺印の施された半導体装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体素子を樹脂で封止した後、この樹脂の表面には製品名等の捺印が施される。捺印方法としては、捺印の処理スピードが速いことから、レーザーによる捺印が主流となっている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
近年、樹脂封止型の半導体装置、特にICカードに用いられる半導体装置においては、薄型化が望まれており、半導体素子の表面を封止する樹脂の厚さが薄くなる傾向にある。
【0004】
一般にレーザー捺印は、樹脂表面を数十μm削ることにより行われる。このため、半導体素子上の樹脂の厚さが薄くなると、このレーザー捺印で削られる樹脂の深さが無視できなくなり、外部から圧力が加えられたときに、捺印の場所から樹脂が割れてしまう場合がある。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本願発明では、上記課題を解決するために、基板の表面側に形成された封止樹脂の表面には、半導体素子およびワイヤの頂点に対応するように封止樹脂の表面に規定される第1の領域を避けて捺印を施す構成としている。
【0006】
【発明の実施の形態】
以下、図1(A)および図1(B)を参照して本発明の第1の実施形態を詳細に説明する。
【0007】
図1(A)は本発明の第1の実施形態における半導体装置の平面図であり、図1(B)は、図1(A)におけるA−A’断面図である。
【0008】
図1において、半導体素子1は基板2の表面に図示しない接着剤を用いて固定されている。基板2は例えばガラスエポキシ樹脂等から構成される。この半導体素子1の表面には電極パッド3が複数形成されている。
【0009】
基板2の裏面には、外部電極4が形成されている。この外部電極4は、基板に銅箔などを貼付け、その表面にメッキをすることにより形成することができる。基板2には開口部5が設けられており、この開口部5から露出する外部電極4と電極パッド3とがワイヤ6により接続される。
【0010】
これら半導体素子1、ワイヤ6は樹脂7により封止される。ICカードに用いられる場合は、基板2を含めた全体としての薄型化が望まれるため、樹脂7を厚く形成することができない。本実施形態においては、半導体素子1上の樹脂7の厚さはおよそ0.2mmである。
【0011】
樹脂7により半導体素子1およびワイヤ6を封止した後、ワイヤ6のループの頂点と樹脂7の端部との間の領域にレーザによる捺印8が施される。この捺印により、樹脂7の表面には、その周囲と判別可能な深さとして、10μm以上の深さの凹部が形成される。本発明において、ワイヤ6の頂点とは、電極パッド3と外部端子4との間をループを描いて接続するワイヤ6において、基板から見て最も離れた部分、すなわち、樹脂7の表面からもっとも近い部分を意味している。
【0012】
捺印をレーザで行う場合、樹脂7の表面が10μm以上削られる。従って、捺印を施す位置によって樹脂の強度に影響を及ぼす可能性がある。すなわち、例えば、ICカードにおいては、外部端子4は外部から接触されて用いられるため、外部端子4には圧力が加えられる。このため、樹脂7の厚さがもっとも薄い半導体素子1上、あるいは、ワイヤ6の頂点上に捺印を施した場合に、最も樹脂7の強度が低下すると考えられる。
【0013】
従って、この半導体素子1上およびワイヤ6の頂点上に対応する樹脂7の表面を避けて捺印を施すことにより、樹脂7の強度の低下を防ぐことが可能となる。
【0014】
また、捺印が2列の場合は、封止樹脂の両端に分けてそれぞれ捺印する。このように2列に分けて捺印することで、樹脂の厚さの最も厚い部分に全ての捺印を施すことが可能となり、樹脂の強度をより向上することが可能となる。
【0015】
図2は本発明の第2の実施形態を示す図であり、図2(a)は上面図、図2(b)は図2(a)におけるB−B’断面図である。
【0016】
この図2に示される本発明の第2の実施形態において、第1の実施形態と同一の構成には同一符号を付してある。
【0017】
第2の実施形態では、捺印10が施されている位置について第1の実施形態とは異なっている。すなわち、ワイヤ6および半導体素子1を避けるという点では共通しているが、この第2の実施形態ではワイヤ6が張られている方向とは異なる方向に存在する樹脂の辺に沿って捺印10が施されている点で相違している。本実施形態においても捺印10はレーザにより樹脂7の表面を10μm以上削ることにより行う。
【0018】
このように、ワイヤ6が張られていない側の辺に沿って捺印を施すことにより、樹脂厚さの薄い部分を避けて捺印することが可能となり、樹脂の強度を維持することが可能となる。
【0019】
一般に封止樹脂の表面は梨地形状に形成されるが、これら第1および第2の実施形態においては、樹脂7の表面を鏡面とすることにより、レーザ捺印の掘り込み深さを浅くしても判読しやすくなる。鏡面とする領域は、樹脂表面全面であってもよいが、捺印の周辺部分のみであっても判読は容易になる。
【0020】
図3は本発明の第3の実施形態を説明する図であり、図3(a)は上面図、図3(b)は図3(a)におけるC−C’断面図である。
【0021】
この図3に示される本発明の第3の実施形態において、第1の実施形態と同一の構成には同一符号を付してある。
【0022】
第3の実施形態では、捺印12を封止樹脂7の表面には行わず、基板2の表面に施している点で第1の実施形態とは異なっている。
【0023】
このように、基板2の表面に捺印する領域が空いている場合は、樹脂7の表面に捺印を行わず、基板2の表面に捺印12を施すことが可能となる。
【0024】
この場合、樹脂7の表面には捺印による凹部が形成されず、樹脂7の強度を低下させることがない。
【0025】
図4は本発明の第4の実施形態を説明する図であり、図4(a)は上面図、図4(b)は図4(a)におけるC−C’断面図である。
【0026】
この図4に示される本発明の第4の実施形態において、第1の実施形態と同一の構成には同一符号を付してある。
【0027】
第4の実施形態では、樹脂7の表面に行う捺印の方法について第1の実施形態と異なっている。
【0028】
すなわち、半導体素子1およびワイヤ6を避けた樹脂7の表面に捺印を施す領域がない場合、この捺印をレーザで行わず、インクによりおこなう。なお、ここで、インクによる捺印とは、インクによる転写捺印あるいは印刷捺印のことを意味する。
【0029】
一般に、捺印の処理速度の点から、レーザにより捺印を行うことが望ましいが、半導体素子1上の樹脂の厚さが0.2mm以下になると、レーザ捺印による凹部の影響が無視できなくなる。このため、半導体素子1上の樹脂の厚さが0.2mm以下の場合に限り、インクによる捺印が有効となる。
【0030】
【発明の効果】
本発明に係る半導体装置によれば、半導体素子およびワイヤに対応する封止樹脂表面を避けて捺印を施している。このため、樹脂の強度を維持したまま樹脂の表面に捺印を施すことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態における平面図および断面図である。
【図2】本発明の第2の実施形態における平面図および断面図である。
【図3】本発明の第3の実施形態における平面図および断面図である。
【図4】本発明の第4の実施形態における平面図および断面図である。
【符号の説明】
1 半導体素子
2 基板
3 電極パッド
4 外部電極
5 開口部
6 ワイヤ
7 樹脂
8 捺印
Claims (12)
- 表面と裏面とを有し、前記裏面に外部電極が形成された基板と、
前記基板の前記表面上に搭載された、電極パッドを有する半導体素子と、
前記基板の前記外部電極と前記半導体素子の前記電極パッドとを、前記基板に設けられた開口部を介して接続するワイヤと、
前記半導体素子および前記ワイヤとを封止する、前記基板の前記表面側に形成された封止樹脂とを含み、
前記基板の前記表面側に形成された前記封止樹脂の表面には、前記半導体素子および前記ワイヤの頂点に対応するように前記封止樹脂の前記表面に規定される第1の領域を避けて捺印が施されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記捺印はレーザにより行われた捺印であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記捺印の深さは10μm以上であることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体装置。
- 前記封止樹脂の表面は鏡面であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- ワイヤボンディングが施された半導体素子を樹脂封止してなる半導体装置において、
前記樹脂の前記半導体素子および前記ワイヤを覆う側の表面には、前記ワイヤの頂点および前記半導体素子に対応するように前記樹脂の前記表面に規定される第1の領域を避けて捺印が施されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記捺印は前記樹脂の表面に形成された凹部よりなることを特徴とする請求項5記載の半導体装置。
- 表面と、この表面と反対側の裏面とを有する基板と、
前記基板の前記裏面に形成され、前記基板に設けられた開口部を介して前記表面側に一部が露出する外部電極と、
表面に複数の電極パッドを有する、前記基板の前記表面に搭載された半導体素子と、
前記外部電極と前記半導体素子の前記複数の電極パッドとを接続するワイヤと、
前記半導体素子と前記ワイヤとを封止する封止樹脂とを含み、
前記基板の前記表面側に設けられた前記封止樹脂の前記ワイヤの頂点および前記半導体素子に対応するように前記封止樹脂の前記表面に規定される第1の領域を除く端部近傍の前記封止樹脂の表面に捺印が施されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記捺印は前記封止樹脂表面に形成された凹部からなることを特徴とする請求項7記載の半導体装置。
- 表面と裏面とを有する基板と、
前記基板の前記表面に搭載された半導体素子と、
前記半導体素子を封止する封止樹脂とを含み、
前記基板の前記表面側に形成された前記封止樹脂の表面には、前記半導体素子に対応するように前記封止樹脂の前記表面に規定される第1の領域を避けて捺印が施されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記捺印は、レーザにより行われた捺印であることを特徴とする請求項9記載の半導体装置。
- 前記捺印の深さは、10μm以上であることを特徴とする請求項9又は10記載の半導体装置。
- 前記基板の前記裏面には、外部電極が形成されていることを特徴とする請求項9〜11のいずれか1項に記載の半導体装置。
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