JPH0661374A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH0661374A
JPH0661374A JP4210029A JP21002992A JPH0661374A JP H0661374 A JPH0661374 A JP H0661374A JP 4210029 A JP4210029 A JP 4210029A JP 21002992 A JP21002992 A JP 21002992A JP H0661374 A JPH0661374 A JP H0661374A
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JP
Japan
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semiconductor device
resin
semiconductor chip
semiconductor
main body
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Pending
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JP4210029A
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Shuichi Yamamoto
秀一 山本
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 エッチング工程で半導体装置を破壊させるこ
とがなく、部分的樹脂開封することができる半導体装置
を提供する。 【構成】 半導体装置の樹脂５本体の表面に周辺樹脂よ
り中央部に窪み部６を設けて、エッチング工程が容易に
できるようにする。又、半導体装置の樹脂５本体の表面
に窪み部６を設けているのでマーキングが削去されなく
なる。したがって半導体装置の半導体チップ１上の部分
的樹脂開封が容易にでき、効率の良い解析を行うことが
可能であり、また外観によるマーキング不良についても
軽減できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体チップを樹脂で覆
った半導体装置の解析法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置は、ワイヤボンディン
グ装置により金線を用いて半導体チップ上のＡｌ電極と
リードフレームによって保持されているリード線の一端
とを電気的に接続し、エポキシ樹脂で封止することによ
ってパッケージングが行われて完成するものである。
【０００３】図４は、従来の半導体装置全体の構造を示
しており、半導体チップ１は、ダイパッド２の上に載置
され、金線などのワイヤ３によって半導体チップ１上に
設けられたＡｌ電極（図示せず）と外部リード４とを接
線し、その全体がエポキシ樹脂などのパッケージ樹脂５
で被覆されている。
【０００４】このように形成された半導体装置において
不良品が発生した場合については、品質改善し高信頼性
を確保するため半導体装置の半導体チップ１上のパッケ
ージ５樹脂のみエッチング液により、部分的樹脂開封で
半導体チップ１を露出させた後、液晶等により電気的解
析を行い異常箇所を特定する必要がある。
【０００５】そのために、従来、図５に示すように半導
体装置の半導体チップ１上のパッケージ樹脂５を機械的
にあらかじめ加工した後、エッチング液により半導体チ
ップ１を露出させ電気的解析を行っていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体装置の構造では、小型化・薄型化の進む半導体装
置においては、部分的樹脂開封ができず、電気的評価解
析が困難である課題があった。
【０００７】本発明は、このような従来の課題を解決す
るものであり、小型化・薄型化された半導体装置の半導
体チップ表面を容易に樹脂開封できる構造を有する半導
体装置を提供することを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、半導体装置成形のため、窪み部を有した金
型により樹脂封止を行うことにより、半導体装置の樹脂
本体に窪み部を設けることを特徴とする。不良品の部分
的樹脂開封を行う場合においては、その窪み部を利用
し、エッチングすることにより半導体チップ上の樹脂を
容易に除去できる。
【０００９】
【作用】したがって本発明に係る半導体装置では、半導
体チップ上の樹脂厚が薄いため、半導体装置を破壊する
こともなく半導体チップ上の樹脂が容易に除去でき、液
晶等により、電気的解析が可能となる。又、樹脂表面が
窪みに形成されているためマーキングが削去されにくく
なる利点もある。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図１，図２
および図３とともに図４，図５と同一部分については同
一番号を付して詳しい説明を省略し、相違する点につい
てのみ説明する。図１に示すように、ＳＯＪ（ＳＭＡＬ
Ｌ ＯＵＴＬＩＮＥ Ｊ−ＢＥＮＤ）タイプの半導体装
置の樹脂本体の表面に半導体チップ１面積とほぼ同等の
窪み部６を形成するため、図２に示すような半導体製造
装置つまり樹脂封止用金型７を使用し、形成した半導体
装置外観を図３で示す。形成された窪み部６に加熱（約
７０〜８０℃）したエッチング液である発煙硝酸を塗布
し、窪み部６を利用して半導体装置を破壊せず半導体チ
ップ１表面全体が露出するまでエッチングを行い、水洗
し、アセトンによる洗浄工程、および乾燥工程を経て評
価試料を得る。このようにして得られた試料の半導体チ
ップ１上に液晶を塗布し、外部リード４に電圧を加える
ことにより液晶が異常部に反応して、異常部が検出でき
る。検出した異常部については、平面・断面方向から詳
細に解析を実施し、異常部の原因を究明し、品質改善を
図り、高信頼性の半導体装置を形成することができる。
【００１１】なお上記実施例において半導体装置のタイ
プとして、ＳＯＪを使用して行ったが、ＤＩＬ（ＤＵＡ
Ｌ ＩＮＬＩＮＥ ＰＡＣＫＡＧＥ），ＳＯＰ（ＳＭＡ
ＬＬＯＵＴＬＩＮＥ ＰＡＣＫＡＧＥ），ＦＰＰ（ＦＬ
ＡＴ ＰＬＡＳＴＩＣ ＰＡＣＫＡＧＥ）等の全半導体
装置に実施できるものである。又、異常部の検出方法と
して液晶を用いたが、フォトエミッション顕微鏡を使用
しても本発明の実施ができるものである。
【００１２】
【発明の効果】本発明は上記実施例から明らかなよう
に、半導体装置の樹脂本体の表面に窪み部を設けること
により、不良品の解析時において、エッチングによる半
導体樹脂を部分的に開封ができ、電気的解析を容易に行
い、品質、信頼性の向上を図ることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例に係る半導体装置の断面図
【図２】本発明の一実施例に係る半導体装置の製造方法
を示す断面図
【図３】本発明の一実施例に係る半導体装置の斜視図
【図４】従来の半導体装置の断面図
【図５】従来の半導体装置の樹脂開封を示す図
【符号の説明】
１ 半導体チップ ２ ダイパッド ３ ワイヤ ４ 外部リード ５ 樹脂 ６ 窪み部 ７ 樹脂封止用金型

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】樹脂封入された半導体素子の外部リード樹
    脂本体に沿わせて、成形した半導体装置において、樹脂
    本体の表面に半導体チップ面積とほぼ同等の窪み部を設
    けたことを特徴とする半導体装置。
JP4210029A 1992-08-06 1992-08-06 半導体装置 Pending JPH0661374A (ja)

Priority Applications (1)

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JP4210029A JPH0661374A (ja) 1992-08-06 1992-08-06 半導体装置

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4210029A JPH0661374A (ja) 1992-08-06 1992-08-06 半導体装置

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JPH0661374A true JPH0661374A (ja) 1994-03-04

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ID=16582637

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JP4210029A Pending JPH0661374A (ja) 1992-08-06 1992-08-06 半導体装置

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JP (1) JPH0661374A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08252348A (ja) * 1995-01-20 1996-10-01 Karsten Mfg Corp ゴルフバッグカバー
US6420790B1 (en) * 1999-12-02 2002-07-16 Oki Electric Industry Co., Ltd. Semiconductor device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08252348A (ja) * 1995-01-20 1996-10-01 Karsten Mfg Corp ゴルフバッグカバー
US6420790B1 (en) * 1999-12-02 2002-07-16 Oki Electric Industry Co., Ltd. Semiconductor device

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