JP2006295162A - 垂直構造3族窒化物発光素子およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明に伴う垂直構造3族窒化物発光素子は、導電性基板と;上記導電性基板上に順次積層されたp型クラッド層、活性層、n-ドープAlxGayIn(1-x-y)N(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)層、アンドープGaN層及びn側電極を含み、上記アンドープGaN層の上面には凸凹パターンが形成されている。
【選択図】図2
Description
105 p型クラッド層 107 活性層
109 n-ドープAlxGayIn(1-x-y)N層
111 アンドープGaN層
110 n型クラッド層 121 凸凹パターン
123 n側電極
Claims (26)
- 導電性基板及び
上記導電性基板上に順次積層されたp型クラッド層、活性層、n-ドープAlxGayIn(1-x-y)N(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)層、アンドープGaN層及びn側電極を含み、
上記アンドープGaN層上面には凸凹パターンが形成されていることを特徴とする垂直構造3族窒化物発光素子。 - 上記アンドープGaN層上面のうち上記n側電極が形成された領域には凸凹パターンが形成されていないことを特徴とする請求項1に記載の垂直構造3族窒化物発光素子。
- 上記導電性基板と上記p型クラッド層との間には反射層をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の垂直構造3族窒化物発光素子。
- 上記アンドープGaN層上面に形成された透明電極層をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の垂直構造3族窒化物発光素子。
- 上記導電性基板と上記p型クラッド層との間に形成された導電性接着層をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の垂直構造3族窒化物発光素子。
- 上記導電性接着層はAu、Au-Sn、Sn、In、Au-Ag及びPb-Snを含むグループから選択された物質からなることを特徴とする請求項5に記載の垂直構造3族窒化物発光素子。
- 上記導電性接着層と上記p型クラッド層との間には反射層をさらに含むことを特徴とする請求項5に記載の垂直構造3族窒化物発光素子。
- 上記反射層はCuInO2/Ag層、CuInO2/Al層またはNi/Ag/Pt層であることを特徴とする請求項3または請求項7に記載の垂直構造3族窒化物発光素子。
- 上記導電性基板は金属基板またはシリコン基板であることを特徴とする請求項1に記載の垂直構造3族窒化物発光素子。
- 上記金属基板はタングステン、銅、ニッケル、チタン及びこれらのうち2以上の合金で構成されたグループから選択された物質からなることを特徴とする請求項9に記載の垂直構造3族窒化物発光素子。
- 上記凸凹パターンの間隔と幅そして高さは20nmないし100μmであることを特徴とする請求項1に記載の垂直構造3族窒化物発光素子。
- 上記凸凹パターンの間隔と幅そして高さは200nmないし3μmであることを特徴とする請求項1に記載の垂直構造3族窒化物発光素子。
- 上記凸凹パターンは光子結晶を形成することを特徴とする請求項1に記載の垂直構造3族窒化物発光素子。
- 上記凸凹パターンは半球形、直四角形または鋸歯形の断面形状を有することを特徴とする請求項1に記載の垂直構造3族窒化物発光素子。
- 母基板上面に凸凹パターンを形成する段階と、
凸凹パターンが形成された上記母基板上面にAlxGayIn(1-x-y)N(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)からなるn型クラッド層、活性層およびp型クラッド層を順次形成する段階と、
上記p型クラッド層上に導電性基板を形成する段階と、
上記n型クラッド層に形成された凸凹パターンを露出させるよう上記母基板を除去する段階及び
上記n型クラッド層の露出面の一部領域上にn側電極を形成する段階を含むことを特徴とする垂直構造3族窒化物発光素子の製造方法。 - 上記母基板は、サファイア基板、SiC基板、GaN基板またはAlN基板であることを特徴とする請求項15に記載の垂直構造3族窒化物発光素子の製造方法。
- 上記母基板上面に凸凹パターンを形成する時、上記母基板上面のうちn側電極に相応する領域には凸凹パターンを形成しないことを特徴とする請求項15に記載の垂直構造3族窒化物発光素子の製造方法。
- 上記母基板上面にn型クラッド層を形成する段階は、
上記母基板上面にアンドープGaN層を形成する段階及び
上記アンドープGaN層上にn-ドープAlxGayIn(1-x-y)N(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)層を形成する段階を含むことを特徴とする請求項15に記載の垂直構造3族窒化物発光素子の製造方法。 - 上記導電性基板を形成する段階は、導電性接着層を利用し上記p型クラッド層上に導電性基板を接合する段階を含むことを特徴とする請求項15に記載の垂直構造3族窒化物発光素子の製造方法。
- 上記導電性基板を形成する段階は、上記p型クラッド層上にメッキ、蒸着またはスパッタリングを通じ導電性金属基板を形成する段階を含むことを特徴とする請求項15に記載の垂直構造3族窒化物発光素子の製造方法。
- 上記p型クラッド層を形成する段階と上記導電性基板を形成する段階との間に、上記p型クラッド層上に反射層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項15または請求項19に記載の垂直構造3族窒化物発光素子の製造方法。
- 上記反射層はCuInO2/Ag層、CuInO2/Al層またはNi/Ag/Pt層で形成されることを特徴とする請求項21に記載の垂直構造3族窒化物発光素子の製造方法。
- 上記母基板を除去する段階の後に、上記n型クラッド層上に透明電極層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項15に記載の垂直構造3族窒化物発光素子の製造方法。
- 上記母基板に形成される凸凹パターンの間隔と幅そして高さは20nmないし100μmであることを特徴とする請求項15に記載の垂直構造3族窒化物発光素子の製造方法。
- 上記母基板に形成される凸凹パターンの間隔と幅そして高さは200nmないし3μmであることを特徴とする請求項15に記載の垂直構造3族窒化物発光素子の製造方法。
- 上記母基板上面に凸凹パターンを形成する段階において、上記凸凹パターンは半球形、直四角形または鋸歯形の断面形状を有するよう形成されることを特徴とする請求項15に記載の垂直構造3族窒化物発光素子の製造方法。
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---|---|---|---|
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Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010232627A Division JP2011061219A (ja) | 2005-04-07 | 2010-10-15 | 垂直構造3族窒化物発光素子およびその製造方法 |
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---|---|
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---|---|---|---|
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Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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TW (1) | TWI307972B (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008153669A (ja) * | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Cree Inc | 発光ダイオードのための反射性マウント基板 |
JP2008166678A (ja) * | 2006-12-29 | 2008-07-17 | Shogen Koden Kofun Yugenkoshi | 発光ダイオード及びその製造方法 |
JP2009010215A (ja) * | 2007-06-28 | 2009-01-15 | Nichia Corp | 半導体発光素子 |
JP2009170655A (ja) * | 2008-01-16 | 2009-07-30 | Sharp Corp | 窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法 |
US8129711B2 (en) | 2007-07-12 | 2012-03-06 | Samsung Led Co., Ltd. | Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof |
KR101161409B1 (ko) | 2011-06-29 | 2012-07-02 | 삼성엘이디 주식회사 | 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
JP2012529772A (ja) * | 2009-06-10 | 2012-11-22 | ブリッジラックス インコーポレイテッド | 基板から電気的に絶縁されたp型およびn型のコンタクトをもつ薄膜LED |
WO2014034762A1 (ja) * | 2012-08-31 | 2014-03-06 | ウシオ電機株式会社 | 窒化物半導体素子 |
KR101381988B1 (ko) * | 2012-06-21 | 2014-04-07 | 서울바이오시스 주식회사 | 수직형 발광 다이오드 제조방법 |
KR101393785B1 (ko) * | 2007-05-21 | 2014-05-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광 소자 및 그 제조방법 |
Families Citing this family (50)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100638730B1 (ko) * | 2005-04-14 | 2006-10-30 | 삼성전기주식회사 | 수직구조 3족 질화물 발광 소자의 제조 방법 |
KR100588377B1 (ko) * | 2005-05-10 | 2006-06-09 | 삼성전기주식회사 | 수직구조 질화갈륨계 발광다이오드 소자 및 그 제조방법 |
JP4854566B2 (ja) * | 2006-06-15 | 2012-01-18 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体発光素子の製造方法および窒化物半導体発光素子 |
US7777240B2 (en) * | 2006-10-17 | 2010-08-17 | Epistar Corporation | Optoelectronic device |
KR100826412B1 (ko) * | 2006-11-03 | 2008-04-29 | 삼성전기주식회사 | 질화물 반도체 발광 소자 및 제조방법 |
KR101282775B1 (ko) * | 2006-11-03 | 2013-07-05 | 엘지이노텍 주식회사 | 수직형 발광 소자 및 그 제조방법 |
KR101316115B1 (ko) | 2007-03-29 | 2013-10-11 | 서울바이오시스 주식회사 | 수직형 발광 다이오드 제조방법 |
US7759146B2 (en) * | 2007-05-04 | 2010-07-20 | SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. | Method of making high efficiency UV VLED on metal substrate |
TWI462324B (zh) * | 2007-05-18 | 2014-11-21 | Delta Electronics Inc | 發光二極體裝置及其製造方法 |
EP2003702A1 (en) * | 2007-06-13 | 2008-12-17 | High Power Optoelectronics Inc. | Semiconductor light emitting device and method of fabricating the same |
KR100826287B1 (ko) * | 2007-08-23 | 2008-04-30 | (주)에피플러스 | 발광 다이오드 및 그 제조방법 |
TW200921943A (en) * | 2007-11-14 | 2009-05-16 | Univ Nat Central | Light emitting diode and light source composed of light emitting diode array |
US7985979B2 (en) | 2007-12-19 | 2011-07-26 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Semiconductor light emitting device with light extraction structures |
KR101438818B1 (ko) * | 2008-04-01 | 2014-09-05 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광다이오드 소자 |
KR100974776B1 (ko) * | 2009-02-10 | 2010-08-06 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
TW201104921A (en) * | 2009-07-31 | 2011-02-01 | Tekcore Co Ltd | Method of manufacturing a vertical type light-emitting diode |
KR101114794B1 (ko) | 2009-10-26 | 2012-03-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 |
KR101712094B1 (ko) * | 2009-11-27 | 2017-03-03 | 포항공과대학교 산학협력단 | 질화물갈륨계 수직 발광다이오드 및 그 제조 방법 |
KR100993094B1 (ko) * | 2010-02-01 | 2010-11-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 발광소자 패키지 |
KR101658838B1 (ko) * | 2010-02-04 | 2016-10-04 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 그 제조방법 |
KR101081062B1 (ko) | 2010-03-09 | 2011-11-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 |
KR101125449B1 (ko) * | 2010-04-06 | 2012-03-27 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
KR101064020B1 (ko) | 2010-04-23 | 2011-09-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 그 제조방법 |
KR101671793B1 (ko) * | 2010-07-01 | 2016-11-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
JP2012033537A (ja) * | 2010-07-28 | 2012-02-16 | Toshiba Corp | 発光素子 |
JP5185344B2 (ja) * | 2010-09-06 | 2013-04-17 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子の製造方法および半導体発光素子 |
US20120104556A1 (en) * | 2010-10-27 | 2012-05-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Power device and method for manufacturing the same |
KR20130140048A (ko) | 2010-11-02 | 2013-12-23 | 코닌클리케 필립스 엔.브이. | 향상된 추출 효율을 가진 발광 디바이스 |
US20120138981A1 (en) * | 2010-12-02 | 2012-06-07 | Chung-Shan Institute of Science and Technology, Armaments, Bureau, Ministry of National Defense | Light-Emitting Diode Apparatus and Method for Making the Same |
JP5679869B2 (ja) * | 2011-03-07 | 2015-03-04 | スタンレー電気株式会社 | 光半導体素子の製造方法 |
TWI470829B (zh) * | 2011-04-27 | 2015-01-21 | Sino American Silicon Prod Inc | 磊晶基板的製作方法、發光二極體,及其製作方法 |
KR101259999B1 (ko) | 2011-04-28 | 2013-05-06 | 서울옵토디바이스주식회사 | 반도체 기판 및 그 제조방법 |
JP5875249B2 (ja) * | 2011-04-28 | 2016-03-02 | ソウル バイオシス カンパニー リミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd. | 半導体基板、半導体装置及びその製造方法 |
US9012921B2 (en) * | 2011-09-29 | 2015-04-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting devices having light coupling layers |
TWI458127B (zh) * | 2011-10-31 | 2014-10-21 | Sino American Silicon Prod Inc | 圖案基板的製造方法及其成品 |
US20140339566A1 (en) * | 2011-12-14 | 2014-11-20 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
TWI540768B (zh) * | 2012-12-21 | 2016-07-01 | 鴻海精密工業股份有限公司 | 發光晶片組合及其製造方法 |
US9559259B2 (en) | 2012-12-31 | 2017-01-31 | Epistar Corporation | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
JP2015061010A (ja) * | 2013-09-20 | 2015-03-30 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物半導体発光素子とその製造方法と実装体の製造方法 |
CN103966621B (zh) * | 2014-01-21 | 2016-07-13 | 南京大学 | 一种布拉格反射镜增强InGaN电极、制备与利用 |
WO2015115685A1 (ko) * | 2014-01-29 | 2015-08-06 | 광전자 주식회사 | 요철형 질화갈륨층을 가진 알루미늄갈륨인듐인계 발광다이오드 및 그 제조 방법 |
CN104201268A (zh) * | 2014-08-29 | 2014-12-10 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 一种具有嵌入式扩展电极的红外发光二极管制作方法 |
CN104201264A (zh) * | 2014-09-10 | 2014-12-10 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 一种具有高可靠性电极的红外发光二极管制作方法 |
CN104201265A (zh) * | 2014-09-10 | 2014-12-10 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 一种具有高可靠性电极的红外发光二极管 |
CN104393138B (zh) * | 2014-10-17 | 2018-01-26 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 一种具有电极出光的发光二极管 |
US10756234B2 (en) * | 2017-05-12 | 2020-08-25 | Crystal Is, Inc. | Aluminum nitride substrate removal for ultraviolet light-emitting devices |
JP6719424B2 (ja) * | 2017-06-26 | 2020-07-08 | 日機装株式会社 | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 |
US11695100B2 (en) * | 2020-01-21 | 2023-07-04 | Nanosys, Inc. | Light emitting diode containing a grating and methods of making the same |
CN113363360B (zh) * | 2021-05-21 | 2022-09-09 | 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 | 垂直结构led芯片及其制造方法 |
CN117438515B (zh) * | 2023-12-21 | 2024-03-29 | 江西乾照半导体科技有限公司 | 一种led芯片粗化方法及led芯片 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0992878A (ja) * | 1995-09-25 | 1997-04-04 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JPH11145511A (ja) * | 1997-11-05 | 1999-05-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
JP2000138396A (ja) * | 1998-10-29 | 2000-05-16 | Kokuren Koden Kagi Kofun Yugenkoshi | 高輝度の発光ダイオード |
JP2004186268A (ja) * | 2002-11-29 | 2004-07-02 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子 |
JP2004296796A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子および発光素子の製造方法 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3675234B2 (ja) * | 1999-06-28 | 2005-07-27 | 豊田合成株式会社 | 半導体発光素子の製造方法 |
DE19943406C2 (de) * | 1999-09-10 | 2001-07-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lichtemissionsdiode mit Oberflächenstrukturierung |
JP2001160627A (ja) * | 1999-11-30 | 2001-06-12 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子 |
DE10051465A1 (de) * | 2000-10-17 | 2002-05-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements auf GaN-Basis |
JP2002016312A (ja) | 2000-06-27 | 2002-01-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体素子およびその製造方法 |
TW466784B (en) * | 2000-09-19 | 2001-12-01 | United Epitaxy Co Ltd | Method to manufacture high luminescence LED by using glass pasting |
US6987613B2 (en) * | 2001-03-30 | 2006-01-17 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Forming an optical element on the surface of a light emitting device for improved light extraction |
TW564584B (en) * | 2001-06-25 | 2003-12-01 | Toshiba Corp | Semiconductor light emitting device |
TW523939B (en) * | 2001-11-07 | 2003-03-11 | Nat Univ Chung Hsing | High-efficient light emitting diode and its manufacturing method |
US6455340B1 (en) * | 2001-12-21 | 2002-09-24 | Xerox Corporation | Method of fabricating GaN semiconductor structures using laser-assisted epitaxial liftoff |
JP4233268B2 (ja) * | 2002-04-23 | 2009-03-04 | シャープ株式会社 | 窒化物系半導体発光素子およびその製造方法 |
US6878969B2 (en) * | 2002-07-29 | 2005-04-12 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Light emitting device |
US7485902B2 (en) * | 2002-09-18 | 2009-02-03 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Nitride-based semiconductor light-emitting device |
JP2005005557A (ja) | 2003-06-13 | 2005-01-06 | Hitachi Cable Ltd | 半導体発光素子の製造方法 |
US7189591B2 (en) * | 2003-12-19 | 2007-03-13 | Nitto Denko Corporation | Process for producing light-emitting semiconductor device |
KR100568297B1 (ko) * | 2004-03-30 | 2006-04-05 | 삼성전기주식회사 | 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 |
US7977695B2 (en) * | 2007-09-21 | 2011-07-12 | Lg Innotek Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same |
-
2005
- 2005-04-07 KR KR1020050029044A patent/KR100631981B1/ko active IP Right Grant
-
2006
- 2006-04-04 TW TW095111913A patent/TWI307972B/zh active
- 2006-04-04 JP JP2006103246A patent/JP2006295162A/ja active Pending
- 2006-04-06 US US11/398,713 patent/US20060225644A1/en not_active Abandoned
-
2008
- 2008-11-14 US US12/271,464 patent/US8664019B2/en active Active
-
2010
- 2010-10-15 JP JP2010232627A patent/JP2011061219A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0992878A (ja) * | 1995-09-25 | 1997-04-04 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JPH11145511A (ja) * | 1997-11-05 | 1999-05-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
JP2000138396A (ja) * | 1998-10-29 | 2000-05-16 | Kokuren Koden Kagi Kofun Yugenkoshi | 高輝度の発光ダイオード |
JP2004186268A (ja) * | 2002-11-29 | 2004-07-02 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子 |
JP2004296796A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子および発光素子の製造方法 |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008153669A (ja) * | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Cree Inc | 発光ダイオードのための反射性マウント基板 |
US9178121B2 (en) | 2006-12-15 | 2015-11-03 | Cree, Inc. | Reflective mounting substrates for light emitting diodes |
JP2008166678A (ja) * | 2006-12-29 | 2008-07-17 | Shogen Koden Kofun Yugenkoshi | 発光ダイオード及びその製造方法 |
KR101393785B1 (ko) * | 2007-05-21 | 2014-05-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광 소자 및 그 제조방법 |
JP2009010215A (ja) * | 2007-06-28 | 2009-01-15 | Nichia Corp | 半導体発光素子 |
US8129711B2 (en) | 2007-07-12 | 2012-03-06 | Samsung Led Co., Ltd. | Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof |
KR101164026B1 (ko) * | 2007-07-12 | 2012-07-18 | 삼성전자주식회사 | 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
US8866167B2 (en) | 2007-07-12 | 2014-10-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof |
US8440996B2 (en) | 2007-07-12 | 2013-05-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof |
JP2009170655A (ja) * | 2008-01-16 | 2009-07-30 | Sharp Corp | 窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法 |
JP2012529772A (ja) * | 2009-06-10 | 2012-11-22 | ブリッジラックス インコーポレイテッド | 基板から電気的に絶縁されたp型およびn型のコンタクトをもつ薄膜LED |
US8871539B2 (en) | 2009-06-10 | 2014-10-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Thin-film LED with P and N contacts electrically isolated from the substrate |
KR101161409B1 (ko) | 2011-06-29 | 2012-07-02 | 삼성엘이디 주식회사 | 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
KR101381988B1 (ko) * | 2012-06-21 | 2014-04-07 | 서울바이오시스 주식회사 | 수직형 발광 다이오드 제조방법 |
WO2014034762A1 (ja) * | 2012-08-31 | 2014-03-06 | ウシオ電機株式会社 | 窒化物半導体素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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