JP2006245177A - 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】OTPメモリのセルトランジスタのドレイン領域D内にキャパシタの下部電極となる埋め込み層8(BN+)を形成させ、この埋め込み層8上にデータ線DLから印加される所定の電圧によって絶縁破壊され得る膜厚の薄いキャパシタ絶縁膜7a,7bを形成させ、このキャパシタ絶縁膜7a,7b上,フィールド酸化膜2上にキャパシタの上部電極となる導電層10を形成した。また、埋め込み層8(BN+)と高濃度のドレイン領域13(N+)を一部オーバーラップさせた。
【選択図】図2
Description
なお、本発明に関連する技術文献としては、以下の特許文献が挙げられる。
通常、一つの半導体装置に内蔵されるOTPメモリセルの個数は少なく、半導体製品の全面積に対してOTPメモリセルが占める面積は大きくないが、一般的なOTPメモリセルが不揮発性の特性を有するためには、上述のとおり積層構造を有していた(この積層構造は一般的にポリシリコン層,絶縁層,ポリシリコン層が順次形成されているので便宜上PIP構造と称す)。
3 Pウェル領域 4 低濃度のソース領域
5 低濃度のドレイン領域 6 シリコン酸化膜、ゲート絶縁膜
7 シリコン酸化膜 7a,7b キャパシタ絶縁膜
8 埋め込み層 9 ゲート電極
10 導電層 11 スペーサ膜
12 高濃度のソース領域 13 高濃度のドレイン領域
14 層間絶縁膜 15 プラグ
16 プラグ 20 チャネル領域
S ソース領域 D ドレイン領域
FC1 第1のコンタクトホール FC2 第2のコンタクトホール
C1 第1のキャパシタ C2 第2のキャパシタ
T1 第1のセルトランジスタ T2 第2のセルトランジスタ
WLL,WLR ワード線 DL データ線
GNDL 接地線 BF 出力バッファ
VS 電圧供給回路 R1 セルトランジスタ形成領域
R2 キャパシタ形成領域
Claims (14)
- セルトランジスタとキャパシタを含むメモリセルを備えた不揮発性半導体記憶装置において、
前記セルトランジスタのゲート電極に電気的に接続されたワード線と、
前記セルトランジスタのドレイン領域内に形成され、キャパシタの下部電極となる埋め込み層と、
前記埋め込み層上に形成されたキャパシタ絶縁膜と、
前記キャパシタ絶縁膜上に形成され、キャパシタの上部電極となる導電層と、
前記導電層に電気的に接続されたデータ線と、
前記データ線から前記キャパシタ絶縁膜に所定の電圧を印加する電圧供給回路とを備え、
前記キャパシタ絶縁膜が絶縁破壊されることによりデータが書き込まれ、
前記キャパシタ絶縁膜が絶縁破壊されているか否かによってデータを読み出すことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 前記セルトランジスタのドレイン領域は第1の不純物濃度のドレイン領域及び第2の不純物濃度のドレイン領域から成り、前記第2の不純物濃度のドレイン領域は前記第1の不純物濃度のドレイン領域内に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記埋め込み層の不純物濃度は、前記第1の不純物濃度よりも高く、前記第2の不純物濃度よりも低いことを特徴とする請求項2に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記キャパシタ絶縁膜は前記セルトランジスタのゲート絶縁膜よりも膜厚が薄いことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記埋め込み層は、前記第2の不純物濃度のドレイン領域と一部がオーバーラップして成ることを特徴とする請求項2乃至請求項4のいずれかに記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記半導体基板上の活性領域を分離する素子分離膜を有し、前記素子分離膜上に前記導電層を備えたことを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記埋め込み層は前記素子分離膜と隣接していることを特徴とする請求項6に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記セルトランジスタのソース領域は接地されていることを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれかに記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 半導体基板上にキャパシタとセルトランジスタを含むメモリセルを備えた不揮発性半導体記憶装置の製造方法において、
前記半導体基板の表面に第1の不純物濃度のドレイン領域を形成する工程と、
前記第1の不純物濃度のドレイン領域上にキャパシタ絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の不純物濃度のドレイン領域内に前記キャパシタの下部電極となる埋め込み層を形成する工程と、
前記キャパシタ絶縁膜上に前記キャパシタの上部電極となる導電層を形成する工程とを含むことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。 - 前記第1の不純物濃度のドレイン領域内に第2の不純物濃度のドレイン領域を形成する工程を含み、前記第2の不純物濃度は前記埋め込み層の不純物濃度よりも高く、前記第1の不純物濃度は前記埋め込み層の不純物濃度よりも低いことを特徴とする請求項9に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
- 前記キャパシタ絶縁膜は前記セルトランジスタのゲート絶縁膜の膜厚よりも膜厚が薄いことを特徴とする請求項9または請求10に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
- 前記第2の不純物濃度のドレイン領域を形成する工程は、前記埋め込み層と一部がオーバーラップするようにイオン注入して形成すること特徴とする請求項10または請求項11に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
- 前記第1の不純物濃度のドレイン領域を形成する工程の前に、前記メモリセルを素子分離する素子分離膜を形成する工程をし、その後、
前記素子分離膜に隣接して前記第1の不純物濃度のドレイン領域を形成する工程と、
前記素子分離膜上に前記導電層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項9乃至請求項12のいずれかに記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。 - 半導体基板上にキャパシタとセルトランジスタを含むメモリセルを備えた不揮発性半導体記憶装置の製造方法において、
前記半導体基板のメモリセルを素子分離する素子分離膜を形成する工程と、
前記セルトランジスタの形成領域に不純物イオンを注入して、前記素子分離絶縁膜に隣接した第1の不純物濃度のドレイン領域、及び第1の不純物濃度のソース領域を形成する工程と、
前記半導体基板上に第1の膜厚を有する第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記セルトランジスタのゲート電極形成領域以外の領域の前記第1の絶縁膜をエッチング除去する工程と、
前記半導体基板上に第2の膜厚を有する第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の不純物濃度のドレイン領域内に不純物イオンを注入して前記キャパシタの下部電極となる埋め込み層を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、
前記第2の絶縁膜上及び前記素子分離膜上に前記キャパシタの上部電極となる導電層を形成する工程と、
前記ゲート電極及び導電層をマスクとして不純物イオンを注入して、第2の不純物濃度のソース領域及びドレイン領域を形成する工程とを含むことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
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