JP2006156762A - ウエハ処理装置及びウエハ処理方法並びにイオン注入装置 - Google Patents

ウエハ処理装置及びウエハ処理方法並びにイオン注入装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2006156762A
JP2006156762A JP2004346170A JP2004346170A JP2006156762A JP 2006156762 A JP2006156762 A JP 2006156762A JP 2004346170 A JP2004346170 A JP 2004346170A JP 2004346170 A JP2004346170 A JP 2004346170A JP 2006156762 A JP2006156762 A JP 2006156762A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
load lock
chamber
processed
vacuum
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2004346170A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4907077B2 (ja
Inventor
Keiji Okada
慶二 岡田
Fumiaki Sato
佐藤  文昭
Hiroaki Nakaoka
浩章 中岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Eaton Nova Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Eaton Nova Corp filed Critical Sumitomo Eaton Nova Corp
Priority to JP2004346170A priority Critical patent/JP4907077B2/ja
Priority to TW094136701A priority patent/TWI405291B/zh
Priority to US11/254,854 priority patent/US8096744B2/en
Priority to DE602005013893T priority patent/DE602005013893D1/de
Priority to EP05256671A priority patent/EP1662548B1/en
Priority to KR1020050102858A priority patent/KR101311885B1/ko
Publication of JP2006156762A publication Critical patent/JP2006156762A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4907077B2 publication Critical patent/JP4907077B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67213Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one ion or electron beam chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26Bombardment with radiation
    • H01L21/263Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/265Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67201Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices

Abstract

【課題】 ウエハ処理能力を向上させることのできるウエハ処理装置を提供する。
【解決手段】 プラテン装置を備えた真空処理室に隣接して、ロードロック台を有する2つのロードロック室を真空中間室を介して設けるとともに前記真空処理室と前記真空中間室との間に連絡開口を設ける。前記プラテン装置と前記真空中間室との間には前記2つのロードロック室に対応させて2つのウエハ保持アームを配設し、該2つのウエハ保持アームは、対応するロードロック台と前記プラテン装置との間を、前記連絡開口を通過するとともに上下で立体交差しながら往復動作可能に構成する。一方のウエハ保持アームで処理前ウエハを保持し、他方のウエハ保持アームで処理済ウエハを保持することにより、一方のロードロック台から前記プラテン装置への処理前ウエハの搬入と、前記プラテン装置から他方のロードロック台への処理済ウエハの搬出とを並行させることができるよう構成した。
【選択図】 図1a

Description

本発明はウエハ処理装置に関し、例えば半導体製造技術等に利用されるイオン注入装置において、その端部ステーションであるイオン注入室内にウエハを搬送する搬送技術の改良に関する。
イオン注入装置は、イオンビーム(以下、ビームと略称する)を生成するためのイオン源を備えている。イオン源から引出し電極によりイオンビームが引き出され、質量分析磁石装置や質量分析スリット等により必要なイオン種のみが選択される。選択されたイオン種から成るイオンビームは、偏向走査装置、加速/減速電極等を経由してイオン注入室内のウエハをスキャンするように照射される。ウエハ処理装置はイオン注入室(真空室)を有し、ウエハはロードロック室を介してイオン注入室内に導入される。
この種のウエハ処理装置の一例を、図12、図13を参照して説明する。
図12は、従来のウエハ処理装置におけるウエハ搬送装置200の概略構成図であり、図示しないイオン注入装置の端部ステーションとして配置されている。図12において、ウエハ搬送装置200は、イオンを注入してウエハを処理する真空室203(破断線でハウジング断面の一部のみを示す)ヘロードロック室204を介してウエハ205を給排するローディング部206からなっている。
ローディング部206は、大気中に置かれたプラットフォーム208上に、ほぼ中央に位置するアライナ212と、これに対向配置された2つのウエハ搬送用の第1、第2のロボット214、215と、各ロボットに対応して隣接配置された一対のカセットステーション216、217を備えている。
アライナ212は、ウエハをイオン注入に適した角度方向に位置合わせするための装置である。簡単に言えば、アライナ212は、回転可能なポジショナーに対して装置本体に固定配置されたセンサ発光側プレート及びセンサ受光側プレートを介してウエハの位置決め用カット面やノッチを検出して位置合わせを行う。
第1、第2のロボット214、215は同じ構成、機能を有しているので、第1のロボット214のみについて説明する。第1のロボット214は3軸アームロボットであり、プラットフォーム208上の所定位置に固定されている。第1のロボット214は、ウエハを保持してロードロック室204及びカセットステーション216内にウエハを給排するためのアーム構造を有し、上下移動、回転及び前後移動が可能になっている。
カセットステーション216、217は、多数のウエハ205を積み重ねて格納する取り外し自在のカセット218を備え、対応する第1、第2のロボット214、215に対面する位置に回転可能な構造を有している。カセットステーション216、217は、対応するロボットが当該カセットステーションから未処理のウエハ205を取り出す時、あるいはまた、対応するロボットが処理済のウエハ205を当該カセットステーションに格納する時に、開口部が対応するロボットに対面する方向に向くように所定角度旋回する。
この例では、カセットステーション216、217は、プラットフォーム208上の一端部側に各ロボットに対して2つずつ隣接配置され、全体として4つ設けられている。なお、カセットステーション216、217は、各ロボットに対して必要な数だけ配置できるので、ローディング部206のスペースに余裕のある限り、4つ以上設置可能である。
図13は、ウエハの搬送工程におけるロボットの動作原理を示すものである。ロボットの動作によるウエハの搬送は、先ず、予めカセットAから1枚の未処理のウエハ205´が第1のロボット214によってアライナ212上に載置される準備工程(第1工程S1)から開始される。この準備工程の動作は、最初のウエハを処理する際の前段階として実行される。また、その後に続く連続作業の動作時において、処理済ウエハ205がカセットヘ格納された後に、続行される未処理ウエハ205´のアライナ212への載置動作として第1のロボット214が行う一連の第1動作S2−S1に組み込まれる。
連続作業時において、第1のロボット214は、ロードロック室204から処理済のウエハ205を受け取り、それをカセットAに格納(第2工程S2)する。続いて、第1のロボット214は、カセットAから別のウエハを取り出してアライナ212上に載置する(第1工程S1)。一方、第2のロボット215は、アライナ212上で既に所定の角度位置合わせを行った未処理のウエハを保持して待機している。第2のロボット215は、第1のロボット214による処理済のウエハ205の排出後、直ちに、第1のロボット214が次のウエハをアライナ212に供給する前に、未処理ウエハ205´をロードロック室204内に供給する(第3工程S3)。
このような第1、第2、第3工程を逐次2つのロボットにより実行し、カセットAのウエハが全部イオン注入処理されたウエハになってカセットAに格納されると、今度は、カセットBのウエハの処理を行うようになっている。この場合、第1のロボット214と第2のロボット215の動作は逆転する。
図14を参照して、ロードロック室204は上側ロードロック室231と下側ロードロック室232とに分割されている。上側ロードロック室231には第1、第2のロボット214、215のアームが挿入できるようにされており、これらのアームの挿入部にはロックドア234、235が設けられている。ロードロック室204内には、上面にウエハ205、205´を載置するためのウエハ受取りプラテン240を備える支持台241が設けられている。支持台241はその周囲にシール243を有し、底部に支軸242が連結されている。シール243は、ロードロック室204内の隔壁245との間で上側ロードロック室231と下側ロードロック室232とを遮断するためのものである。支軸242は、下側ロードロック室232の底壁を貫通し、ロードロック室204の下側に配置された駆動機構(図示せず)に連結されて垂直方向に可動となっている。
真空室203内には、上下動及び回転可能なI型のトランスファアーム220が設けられ、トランスファアーム220の両端にはウエハを保持するための略C形状の保持部251が設けられている。トランスファアーム220は、ウエハ受取りプラテン240に載置された未処理のウエハ205´が下側ロードロック室232に下動してくると、一方の保持部251がそれを保持して180度回転し未処理のウエハ205´をビーム照射側に移動させる。これと同時に、他方の保持部251はビーム照射側において処理済みとなっているウエハ205を保持し、180度回転してウエハ受取りプラテン240に搭載する。すると、処理済みのウエハ205を搭載したウエハ受取りプラテン240は上側ロードロック室231に上動し、ロックドア234(あるいは235)が開放されて第1(あるいは第2)のロボット214(あるいは215)のアームによる取り出しが行われる。なお、ロックドア234、235が開閉される時には、支持台241は必ず上側ロードロック室231と下側ロードロック室232との間をシールしていることは言うまでも無い(例えば、特許文献1参照)。
特開2000−12647号公報
ところで、上記のような2つのロードロックドアを有する1つのロードロック室、1つのI型のトランスファアーム220によるウエハ搬送では、ウエハの処理時間、つまりイオン注入時間に比べてロードロック室の給排気時間、特に排気時間が長いのでロードロック室での待機時間が多くなるという問題がある。また、2つのロードロックドアを有する1つのロードロック室においては、2つのロードロックドアの開放時間が長くなるため、ロスタイムが多いという問題もあった。このため、ウエハ処理装置としての処理能力に制限があり、さらなる処理能力の向上が望まれている。
そこで、本発明の課題は、ウエハ処理能力を向上させることのできるウエハ処理装置及びウエハ処理方法を提供することにある。
本発明の他の課題は、上記ウエハ処理装置を備えたイオン注入装置を提供することにある。
本発明によれば、真空処理室内にプラテン装置を設け、該プラテン装置に被処理ウエハを載置して加工処理を行うウエハ処理装置において、前記真空処理室に隣接して、ロードロック台を有する2つのロードロック室を真空中間室を介して設けるとともに前記真空処理室と前記真空中間室との間に連絡開口を設け、前記真空処理室内のプラテン装置と前記真空中間室との間に前記2つのロードロック室に対応させて2つのウエハ保持アームを配設し、該2つのウエハ保持アームは、対応するロードロック台と前記プラテン装置との間を、前記連絡開口を通過するとともに上下で立体交差しながら往復動作可能に構成し、一方のウエハ保持アームで処理前ウエハを保持し、他方のウエハ保持アームで処理済ウエハを保持することにより、一方のロードロック台から前記プラテン装置への処理前ウエハの搬入と、前記プラテン装置から他方のロードロック台への処理済ウエハの搬出とを並行させることができるよう構成したことを特徴とするウエハ処理装置が提供される。
本発明によればまた、真空処理室内にプラテン装置を設け、該プラテン装置に被処理ウエハを載置して加工処理を行うウエハ処理装置において、前記真空処理室に隣接して、ロードロック台を有する2つのロードロック室を真空中間室を介して設けるとともに前記真空処理室と前記真空中間室との間に連絡開口を設け、前記真空処理室内のプラテン装置と前記真空中間室との間に前記2つのロードロック室に対応させて2つのウエハ保持アームを配設し、該2つのウエハ保持アームは、対応するロードロック台と前記プラテン装置との間を、前記連絡開口を通過するとともに上下で立体交差しながら往復動作可能に構成し、各ロードロック室には真空排気及び吸気機構を設け、一方のウエハ保持アームで処理前ウエハを保持し、他方のウエハ保持アームで処理済ウエハを保持することにより、真空状態の一方のロードロック台から前記プラテン装置への処理前ウエハの搬入と、前記プラテン装置から真空状態の他方のロードロック台への処理済ウエハの搬出とを並行させることができるよう構成したことを特徴とするウエハ処理装置が提供される。
なお、各ロードロック室は、処理済ウエハ、処理前ウエハのロードロック室外のウエハ搬送用ロボットによる出し入れを行うための開閉扉部材と、当該ロードロック室と前記真空中間室との間を開閉するためのロックプレートを備えた上下動式のロードロック台とにより構成される。
また、ロードロック室がロードロック台の上動によってロックプレートにより閉じられている間は、2つのウエハ保持アームは前記真空中間室内に待機するよう構成される。
更に、一方のウエハ保持アームで対応するロードロック台から処理前ウエハをプラテン装置に搬入するとともに、他方のウエハ保持アームでプラテン装置から対応するロードロック台へ処理済ウエハを搬出する過程において、一方のウエハ保持アームと他方のウエハ保持アームの上下位置がそれぞれが干渉しない高さに保持され、2つのウエハ保持アームが同時に往復動作するとき上下で立体交差するように構成されていても良い。
更に、各ウエハ保持アームは、対応するロードロック台とプラテン装置との間を回転軸を中心に回転運動することにより往復動作するように構成されていても良い。
更に、各ウエハ保持アームは、対応するロードロック台とプラテン装置との間を直動部材により直線運動することにより往復動作するように構成されていても良い。
更に、各ウエハ保持アームは、前記回転軸を中心に下限位置から上限位置に移動する時に、対応するロードロック台からの処理前ウエハの受け取り、あるいは前記プラテン装置からの処理済ウエハの受け取りを行うように構成されていても良い。
更に、各ウエハ保持アームは、前記回転軸を中心に上限位置から下限位置に移動する時に、前記プラテン装置への処理前ウエハの渡し、あるいは対応するロードロック台への処理済ウエハの渡しを行うように構成されていても良い。
更に、前記連絡開口をウエハ保持アームが通過できる開口高さに構成し、前記2つのウエハ保持アームの上下交差は、互いに接近した上下間隔で行なわれるとともに、前記連絡開口を上下で立体交差しながら通過するよう構成されても良い。
更に、2つのロードロック室はそれぞれロードロック台の上動によってロックプレートにより閉じられている間に、前記吸気機構により真空状態から大気圧とされ、続いて前記開閉扉部材を開とすることにより、外部にあるロボットによって、一方のロードロック台への処理前ウエハの搬入と他方のロードロック台からの処理済ウエハの搬出とを同時に行うように構成されていても良い。
更に、各ウエハ保持アームは互いに向かい合う内回りの回転運動を行うように構成される。
本発明によれば更に、真空処理室内にプラテン装置を設け、該プラテン装置に被処理ウエハを載置して加工処理を行うウエハ処理装置において、前記真空処理室に隣接して、ロードロック台を有する2つのロードロック室を真空中間室を介して設けるとともに前記真空処理室と前記真空中間室との間に連絡開口を設け、前記真空処理室内のプラテン装置と前記真空中間室との間に前記2つのロードロック室に対応させて2つのウエハ保持アームを配設し、該2つのウエハ保持アームは、対応するロードロック台と前記プラテン装置との間を、前記連絡開口を通過するとともに、各ウエハ保持アームは互いに外回りの回転運動を行い、プラテン装置における処理済ウエハ受け取りと処理前ウエハの受け渡し時に立体交差しながら往復動作可能に構成し、一方のウエハ保持アームで処理前ウエハを保持し、他方のウエハ保持アームで処理済ウエハを保持することにより、一方のロードロック台から前記プラテン装置への処理前ウエハの搬入と、前記プラテン装置から他方のロードロック台への処理済ウエハの搬出とを並行させることができるよう構成したことを特徴とするウエハ処理装置が提供される。
本発明によるウエハ処理装置においては、各ウエハ保持アームは、対応するロードロック台とプラテン装置との間を回転軸を中心に内回りの回転運動で、プラテン装置における処理済ウエハ受け取りと処理前ウエハの受け渡し時に立体交差しながら往復動作を行うように構成されていることが好ましい。
本発明によるウエハ処理装置は更に、前記真空処理室の外に、前記2つのロードロック室に対応して設置された2つのウエハ搬送用のロボットと、該2つのロボットの間に設置されたウエハの位置合わせ用のアライナと、ウエハを収容するための一つ以上のウエハカセットとを備え、一方のロードロック室はこれに対応する一方のロボットによる処理前ウエハの搬入専用、他方のロードロック室はこれに対応する他方のロボットによる処理済ウエハの搬出専用とし、前記アライナへの処理前ウエハの搬送を前記一方及び他方のロボットにより交互に行うことにより、前記一方のロボットにより前記一方のロードロック室への処理前ウエハの搬入を行っている間に前記他方のロボットにより前記アライナ上に次の処理前ウエハが搬送され、かつ前記他方のロボットにより前記他方のロードロック室からの処理済ウエハの搬出及びカセットへの収納と次の処理前ウエハを取り出しアライナへの供給とを行っている間に前記一方のロボットにより前記アライナ上の次の処理前ウエハを受け取って待機するように構成し、前記プラテン装置上のウエハに対してイオン注入が行われている間は、アライナ−一方のロードロック室−一方もしくは他方のロボット−プラテン装置−他方のロードロック室−アライナの経路上に、合計4つの処理前ウエハ及び処理済ウエハが存在するようにしても良い。
本発明によれば更に、真空処理室内にプラテン装置を設け、該プラテン装置に被処理ウエハを載置して加工処理を行うウエハ処理装置において、前記真空処理室に隣接して、ロードロック台を有する3つのロードロック室を真空中間室を介して設けるとともに前記真空処理室と前記真空中間室との間に連絡開口を設け、前記ロードロック室のうち2つのロードロック室を処理前ウエハの搬入専用とし、当該2つのロードロック室の間には第3のロードロック室を処理済ウエハの搬出専用として設け、該第3のロードロック室は、処理済ウエハを出すための開閉扉部材と、当該第3のロードロック室と前記真空中間室との間を開閉するためのロックプレートを備えた上下動式のロードロック台とにより構成し、一方のウエハ保持アームが対応するロードロック台から前記プラテン装置へ処理前ウエハを搬送する間に、他方のウエハ保持アームは前記プラテン装置から処理済ウエハを搬出専用のロードロック台へ搬送し、他方のウエハ保持アームが対応するロードロック台から前記プラテン装置へ処理前ウエハを搬送する間に、一方のウエハ保持アームは前記プラテン装置から処理済ウエハを搬出専用のロードロック台へ搬送するようにしたことを特徴とするウエハ処理装置が提供される。
この場合、当該ウエハ処理装置は更に、前記真空処理室の外に、2つのウエハ搬送用のロボットと、処理前ウエハ及び処理済ウエハを収容するための複数のウエハカセットとを備え、前記2つのロボットはそれぞれ、ウエハの位置合わせ用のアライナを備えるとともに3つのロードロック室に沿って移動可能にされていることにより、搬入専用のロードロック室及び搬出専用のロードロック室に対して処理前ウエハの搬入及び処理済ウエハの搬出が可能にされていることが好ましい。
また、各ロードロック室の真空排気及び吸気機構には、スロー粗排気及びスロー大気開放吸気機構を設けられても良い。
本発明によれば更に、上記のいずれかのウエハ処理装置を備えたことを特徴とするイオン注入装置が提供される。
本発明によれば更に、真空処理室内にプラテン装置を設け、該プラテン装置に被処理ウエハを載置して加工処理を行うウエハ処理装置におけるウエハ処理方法において、前記真空処理室に隣接してロードロック台を有する2つのロードロック室を設けるとともに前記真空処理室内に前記2つのロードロック室に対応させて2つのウエハ保持アームを配設し、該2つのウエハ保持アームは、対応するロードロック台と前記プラテン装置との間を上下で立体交差しながら往復動作可能とし、一方のウエハ保持アームで処理前ウエハを保持し、他方のウエハ保持アームで処理済ウエハを保持することにより、一方のロードロック台から前記プラテン装置への処理前ウエハの搬入と、前記プラテン装置から他方のロードロック台への処理済ウエハの搬出とを並行させることを特徴とするウエハ処理方法が提供される。
本発明によるウエハ処理方法においては更に、前記ウエハ処理装置が更に、前記真空処理室の外に、前記2つのロードロック室に対応して設置された2つのウエハ搬送用のロボットと、該2つのロボットの間に設置されたウエハの位置合わせ用のアライナと、ウエハを収容するための一つ以上のウエハカセットとを備える場合、一方のロードロック室はこれに対応する一方のロボットによる処理前ウエハの搬入を行い、他方のロードロック室はこれに対応する他方のロボットによる処理済ウエハの搬出を行い、前記アライナへの処理前ウエハの搬送を前記一方及び他方のロボットにより交互に行うことにより、前記一方のロボットにより前記一方のロードロック室への処理前ウエハの搬入を行っている間に前記他方のロボットにより前記アライナ上に次の処理前ウエハを搬送し、かつ前記他方のロボットにより前記他方のロードロック室からの処理済ウエハの搬出及びカセットへの収納と次の処理前ウエハを取り出しアライナへの供給とを行っている間に前記一方のロボットは前記アライナ上の次の処理前ウエハを受け取って待機し、前記プラテン装置上のウエハに対してイオン注入が行われている間は、アライナ−一方のロードロック室−一方もしくは他方のロボット−プラテン装置−他方のロードロック室−アライナの経路上に、合計4つの処理前ウエハ及び処理済ウエハが存在するようにされる。
本発明によれば、大気側に2つのロボットを配置し、ロードロック室を少なくとも2つ備えるとともに、これに対応させて真空室側に2つのウエハ保持アームを独立して動作可能に設け、しかも2つのウエハ保持アームを上下で立体交差しながら往復動作可能に構成したことにより、1つのロードロック室及び1つのI型ウエハ保持アームによるウエハ処理装置に比べて大幅にウエハ処理能力を向上させることができる。
はじめに、図11(a),(b)を参照して、本発明によるウエハ処理装置の適用例について説明する。この適用例は、イオンビームを含む荷電粒子ビームによるビーム処理装置のうち、特に枚葉式イオン注入装置に適用した例である。図11aは枚葉式イオン注入装置の概略構成を平面図にて示し、図11(b)は図11aの側面図である。
図11(a),(b)において、イオンソース111で発生されたイオンは、図示しない引出し電極によりイオンビーム(以下、ビームと呼ぶ)として引き出される。引き出されたビームは、質量分析磁石装置112により質量分析されて必要なイオン種のみが選択される。必要なイオン種のみから成るビームは、ビーム整形装置113により所望の断面形状に整形される。ビーム整形装置113は、Q(Quadrant)−レンズ等により構成される。整形された断面形状を持つビームは、偏向走査装置120により図11(a)の面に平行な方向にスキャンされる。偏向走査装置120はその上流側、下流側にそれぞれ配置された遮蔽電極125、126を有する。
スキャンされたビームは、P−レンズ114により再平行化され、偏向角0度の軸に平行にされる。図11(a)では、偏向走査装置120によるビーム110のスキャン範囲を黒の太い線と破線とで示している。P−レンズ114からのビームは、1つ以上の加速/減速電極115を経由して角度エネルギーフィルター116に送られる。角度エネルギーフィルター116では、ビームのエネルギーに関する分析が行われ、必要なエネルギー種のイオンのみが選択される。図11(b)に示されるように、角度エネルギーフィルター116においては選択されたイオン種のみがやや下方に偏向される。このようにして選択されたイオン種のみから成るビームが被照射物である半導体ウエハ117に照射される。半導体ウエハ117に照射されなかったビームは、ビームストッパ118に入射してエネルギーが消費される。通常、イオンソース111から半導体ウエハ117が収容されている真空処理室までの間の構成はイオンビームラインと呼ばれる。
なお、図11(a)において半導体ウエハ117に隣接して示した矢印はビームがこれらの矢印の方向にスキャンされることを示す。一方、図11(b)において半導体ウエハ117に隣接して示した矢印は、半導体ウエハ117が真空処理室に設置されたプラテン装置によりこれらの矢印の方向に往復移動、すなわち機械走査されることを示している。つまり、ビームが、例えば一軸方向に往復スキャンされるものとすると、半導体ウエハ117は、プラテン装置により上記一軸方向に直角な方向に往復するように移動する。
また、ビームの経路はすべて外気とは遮断され、高真空状態が維持され、以下に説明するように、半導体ウエハ117はウエハ処理装置のうちの真空処理室に収容される。
次に、図1、図2を参照して、本発明によるウエハ処理装置の実施の形態について説明する。図1aは枚葉式のウエハ処理装置の概略構成を示す一部断面平面図、図1bは断面側面図である。図2はウエハ処理装置の主要部の構成を図1の左側から見た縦断面図である。図1、図2において、プラテン装置10を備えた真空処理室20に、真空中間室30を介して2つのロードロック室40A、40Bが設けられている。プラテン装置10は半導体素子製造用のウエハを搭載、保持するためのプラテンを備え、プラテン上のウエハに対してイオン注入等の物理加工処理が行われる。プラテン装置10はまた、プラテンを回転させるための回転駆動機構、回転しているプラテンを回転面上の少なくとも一軸方向に移動させるためのスキャン駆動機構、プラテンを傾斜させるためのチルト駆動機構等を備えるが、これらはいずれも周知であるので、一括して10−1で示している。簡単に説明すると、回転駆動機構は、ウエハを保持しているプラテンおよびスキャン駆動機構、チルト駆動機構全体を図1bに矢印で示す方向に回転させることができる。スキャン駆動機構はボールネジユニット等を備えることによりウエハを保持しているプラテンを図1bに直線の矢印で示す方向に往復移動させることができる。チルト駆動機構もプラテンを傾斜させることでウエハ面を傾斜させる。
ロードロック室40A、40Bはそれぞれ、外部(大気側)からウエハWの出し入れを行うための開閉扉41A、41Bと、ロードロック台42A、42Bと、ロードロック室40A、40Bと真空中間室30との間を開閉するためのロックプレート43A、43Bとを備える。ロードロック台42Aとロックプレート43Aは、真空中間室30外に配置された上下駆動機構44Aによりロードロック室40Aと真空中間室30との間を一体的に上下動可能に構成されている。同様に、ロードロック台42Bとロックプレート43Bは、真空中間室30外に配置された上下駆動機構44Bによりロードロック室40Bと真空中間室30との間を一体的に上下動可能に構成されている。勿論、上下駆動機構44A、44Bの各駆動軸と真空中間室30の壁との間にはシール機構が施される。なお、図2では、開閉扉41A、41Bを図1に示された位置とは異なる位置に示しているが、これは以後の説明を理解し易くするためであり、開閉扉41A、41Bはロードロック室40A、40Bの側面に設けられていれば良い。
ロードロック台42Aは、ロードロック室40A内に上昇した高さ位置(以下、これを上昇位置と呼ぶ)と、真空中間室30内に下降した高さ位置(以下、これを下降位置と呼ぶ)との間で上下動する。ロードロック台42Bも同様に構成される。
ロードロック室40A、40Bはそれぞれ、ウエハの出し入れに際して大気開放、真空排気が行われる。このために、図示していないが、ロードロック室40A、40Bにはそれぞれ、真空排気及び吸気機構が設けられるとともに、パーティクル舞い上がり防止のために少し時間をかけて排気及び吸気を行うためのスロー粗排気及びスロー大気開放吸気機構が設けられる。
ロードロック室40A、40Bはそれぞれ、図2に現れている開口40A−1、40B−1のみで真空中間室30と連通可能であり、これらの開口40A−1、40B−1をロックプレート43A、43Bで開閉するようになっている。このため、ロックプレート43A、43Bの上面周縁部と、これに対応する開口40A−1、40B−1の周縁部にはシール機構(図示省略)が施される。真空処理室20と真空中間室30との間は連絡開口20−1で連通している。
プラテン装置10と真空中間室30との間にはロードロック室40A、40Bに対応させて2つのウエハ保持アーム50A、50Bが配設されている。ウエハ保持アーム50A、50Bはそれぞれ、先端にウエハチャック機構を備える。本例では、略C形状のウエハチャック機構を備えるが、形状は任意であり、チャック形態もウエハ搭載式、掴み式、吸引式等、周知のどのようなものでも良い。ウエハ保持アーム50A、50Bはそれぞれ、駆動機構51A、51Bにより垂直方向に延びる回転軸を中心に水平回転可能であるとともに、上下動可能に構成されている。
特に、本例では、ウエハ保持アーム50Aの回転を、ウエハ保持アーム50Aの回転軸とウエハ保持アーム50Bの回転軸とを結ぶ線分上を通過してプラテン装置10とロードロック室40A側との間を往復するような回転としている。同様に、ウエハ保持アーム50Bの回転を、ウエハ保持アーム50Aの回転軸とウエハ保持アーム50Bの回転軸とを結ぶ線分上を通過してプラテン装置10とロードロック室40B側との間を往復するような回転としている。以下ではこれを内回りの回転運動と呼ぶ。逆に、ウエハ保持アーム50Aの回転軸とウエハ保持アーム50Bの回転軸とを結ぶ線分上を通過せずに、プラテン装置10とロードロック室40A側との間、プラテン装置10とロードロック室40B側との間を往復するような回転を外回りの回転運動と呼ぶ。
ここで、本例の特徴は、ウエハ保持アーム50Aの上限位置をウエハ保持アーム50Aの上限位置より低くなるようにするとともに、ウエハ保持アーム50Aの下限位置をウエハ保持アーム50Bの下限位置より低くなるように構成している。加えて、ウエハ保持アーム50A、50Bが回転する時には、ウエハ保持アーム50Aが常にウエハ保持アーム50Bより低い高さ位置で回転するようにし、それぞれの回転動作に際して衝突することが無いようにしている。いずれにしても、ウエハ保持アーム50A、50Bは、高さ方向に関しては上限位置と下限位置との間で上下動する。勿論、ウエハ保持アーム50Aと50Bの高さの関係は、上記と逆であっても良い。ウエハ保持アーム50A、50Bを個別に回転動作及び上下動作させるために個別に駆動機構が備えられるが、このような駆動機構は周知技術を利用して実現できるので図示は省略している。
図3にはウエハ保持アーム50A、ロードロック台42A、ロックプレート43Aの一例を示す。図3(a)に示すように、ウエハ保持アーム50Aは、その先端に略C形状のウエハチャック機構を備える。ウエハチャック機構は、略C形状のフレーム50−1Aと、フレーム50−1Aにその内周側に向けて設けられた複数(ここでは、4個)のチャック部50−2Aとから成る。
図3(b)に示すように、ロードロック台42Aは、台板42−1Aと、その外周縁部に設置された複数(ここでは、4個)のチャック部42−2Aとから成る。チャック部42−2Aは、一点鎖線で示すウエハW1の外周に対応する箇所に設置されるが、ウエハ保持アーム50Aのチャック部50−2Aとは重ならないようにされる。
図3(c)は、ロックプレート43Aを示す。ロックプレート43Aは、開口40A−1の形状に合わせ、本例では円形に作られている。
図3(d)は、ウエハ保持アーム50Aのウエハチャック機構でウエハW1を保持した状態を示す。ウエハW1は、4つのチャック部50−2Aで保持されている。本例では、ウエハ保持アーム50Aのフレーム50−1Aをロードロック台42Aの台板42−1Aの外形よりやや大きくしている。これにより、下降位置にあるロードロック台42AがウエハW1を保持している時には、台板42−1Aの直下(ロックプレート43Aよりは上)の下限位置にあるフレーム50−1Aが上動することにより、チャック部50−2AでウエハW1を掴む。一方、ロードロック台42Bが下降位置にある時に、上限位置にあってウエハを保持しているウエハ保持アーム50Bのウエハチャック機構がロードロック台42Bの真上から下限位置に下降することにより、ウエハはロードロック台42Bに渡される。つまり、本例では、ウエハチャック機構がロードロック台に対して上動することによりロードロック台からウエハを受け取り、ウエハチャック機構がロードロック台に対して下動することによりロードロック台へウエハを渡す。勿論、これは一例にすぎない。なお、プラテン装置10も静電クランプ等のウエハチャック機構を備えており、ウエハ保持アーム50A、50Bとプラテン装置10のウエハチャック機構との間でのウエハの受け渡しも、上記と同様の構成で実現される。
図1aに戻って、本例においても、ロードロック室40A、40Bに対してウエハを給排するためのローディング部60を備えている。ローディング部60は、大気中に置かれたプラットフォーム(図示せず)上に、ほぼ中央に位置するアライナ61と、これに対向配置された2つのウエハ搬送用の第1、第2のロボット63、64と、各ロボットに対応して隣接配置された一対のカセットステーション71、72を備えている。
アライナ61はウエハをイオン注入に適した角度方向に位置合わせするための装置であり、図12で説明したものと同じである。簡単に言えば、アライナ61は、ウエハを載せるための三叉状のウエハステーの中心部に、ウエハを保持した状態で上下動及び回転の可能な保持部を有する。ウエハステーにウエハが搭載されると、保持部が上動するととともに所定角度回転してウエハの位置合わせが行なわれ、終了すると下動してウエハを再びウエハステー上に載せる。第1、第2のロボット63、64も図12で説明したロボットと同じ構成、機能を有している。つまり、第1のロボット63は複数軸アームのロボットであり、プラットフォーム上の所定位置に固定されている。第1のロボット63は、ウエハを保持してロードロック室40A及びカセットステーション71内にウエハを給排するためのアーム構造を有し、上下移動、回転及び前後移動が可能になっている。第2のロボット64も同様である。
カセットステーション71、27は、プラットフォーム上の一端部側に各ロボットに対して2つずつ隣接配置され、全体として4つ設けられている。勿論、カセットステーション71、72は、各ロボットに対して必要な数だけ配置できるので、ローディング部60のスペースに余裕のある限り、4つ以上設置可能である。
なお、図2は、ウエハ保持アーム50A、50Bがいずれも上限位置で立体交差して待機状態にあることを示している。いずれにしても、図1aでは、破線で示すように、待機状態は真空中間室30寄りで行われているが、待機は真空中間室30内で行われるのが好ましい。また、ロードロック室40Aには第1のロボット63により処理前のウエハ80が導入されつつあり、ロードロック室40Bではロードロック台42Bに保持された処理済のウエハ80´が第2のロボット64で取り出されつつあることを示している。また、図2に示すように、ロードロック台42Aとロックプレート43Aとの間にスペースができる場合には、このスペースにスペーサ45Aを設置することが望ましい。これは、ロードロック台42Aとロックプレート43Aとの間にスペースがあると、ロードロック室40A内で排気する空気量が増え、その分だけ排気時間が長くなるからである。ロードロック台42Bとロックプレート43Bとの間にも同様にスペーサ45Bが設けられる。但し、スペーサ45Aについては、下降位置にあるロードロック台42Aとロックプレート43Aとの間をウエハ保持アーム50Aが回転に伴って通過することがあるのでロードロック台42Aの下面側に設ける。一方、スペーサ45Bについては、下降位置にあるロードロック台42Bとロックプレート43Bとの間をウエハ保持アーム50Bが回転に伴って通過することがあるのでロックプレート43Bの上面側に設ける。これは、前述したようにウエハ保持アーム50Aと50Bの下限位置には差があるからである。
第1のロボット63で処理前のウエハ80を供給し、第2のロボット64で処理済のウエハ80´を取り出す場合についてウエハ1枚のみの流れを説明すると以下の通りである。
第1ステップ:第1のロボット63がカセットステーション71(72からでも良い)から処理前のウエハを取ってアライナ61へ置く。
第2ステップ:アライナ61でノッチ合わせによるウエハの位置合わせを行う。
第3ステップ:第1のロボット63がアライナ61上で位置合わせされたウエハを取って開閉扉41Aが開となっているロードロック室40A内に導入する。この時、ロードロック室40Aではロードロック台42Aが上昇位置にあり、ロックプレート43Aが開口40A−1を塞いでいる。
第4ステップ:開閉扉41Aを閉じ、ロードロック室40A内を排気する。
第5ステップ:ロードロック室40A内の排気完了後、ロードロック台42Aが下降位置まで下降してロードロック室40Aと真空中間室30とを連通させる。この時、ウエハ保持アーム50Aは下限位置で待機状態にある。
第6ステップ:ウエハ保持アーム50Aがロードロック台42A側に回転してウエハチャック機構がロードロック台42Aの直下域に移動し、上限位置まで上動することによりウエハを掴む。続いてウエハ保持アーム50Aは反対方向へ回転してプラテン装置10のウエハチャック機構の上方位置まで移動し、その後下限位置まで下動することによりウエハをプラテン装置10に渡す。
第7ステップ:プラテン装置10上のウエハにイオン注入を行う。この時、ウエハ保持アーム50Bは下限位置で待機状態にあり、ロードロック台42Bは下降位置にある。
第8ステップ:イオン注入が完了すると、ウエハ保持アーム50Bがプラテン装置10側へ回転してプラテン装置10のウエハチャック機構の下方位置まで移動し、その後上限位置まで上動して処理済のウエハを掴む。続いて、ウエハ保持アーム50Bは反対方向へ回転してロードロック台42Bの真上まで移動し、下限位置まで下動することで掴んだウエハがロードロック台42Bに渡される。
第9ステップ:ウエハ保持アーム50Bが回転して待機状態に戻り、ロードロック台42Bが上動してロードロック室40B内に入ると、ロックプレート43Bが開口40B−1を塞ぐ。
第10ステップ:ロードロック室40Bを大気開放し、開閉扉41Bを開く。
第11ステップ:第2のロボット64によりロードロック室40B内のロードロック台42B上にある処理済のウエハを掴み、カセットステーション72に置く。
上記第1〜第11ステップはウエハ1枚のみの流れを示している。実際には、処理が始まると各構成要素が並行動作する。このことにより、アライナ61−ロードロック室40A−プラテン装置10−ロードロック室40B−アライナ61の経路に、常に3枚のウエハ(処理前のウエハと処理済のウエハを含む)が存在する搬送処理(以下、3枚出しと呼ぶ)が行われる。あるいはまた、上記経路に常に4枚のウエハ(処理前のウエハと処理済のウエハを含む)が存在する搬送処理(以下、4枚出しと呼ぶ)を行うこともできる。いずれにしても、ウエハの搬送処理は図示しない制御装置の制御下で実行される。
図4〜図8をも参照して、本ウエハ処理装置の動作を3枚出しの場合について説明する。図4(a)〜図4(g)は、ウエハ処理装置の各構成要素の動作状態を説明するための図である。
図4(a)は、ウエハ搬送処理がスタートする前の状態を示し、第1のロボット63がカセットステーション72へ処理前のウエハ80−1を取りにゆく。図5は、この時のロードロック室40A、40B内の状態及びウエハ保持アーム50A、50Bの状態を示す。ロードロック室40A、40Bではそれぞれ開閉扉41A、41Bが閉じ、ロードロック台42A、42Bがロードロック室40A、40B内の上昇位置にある。一方、ウエハ保持アーム50A、50Bは下限位置で待機状態にある。
図4(b)では、第1のロボット63によりウエハ80−1がアライナ61上に置かれ、ウエハ80−1の位置合わせが行われる。
図4(c)では、ロードロック室40Aの開閉扉41Aが開かれ、第1のロボット63はアライナ61上のウエハ80−1を掴んでロードロック室40A内のロードロック台42A上に置く。続いて開閉扉41Aが閉じられ、ロードロック室40A内の排気が行われる。排気が完了するとロードロック台42Aが下降位置まで下動する。すると、ウエハ保持アーム50Aが回転してウエハチャック機構がロードロック台42Aの直下域まで移動し、続いて上限位置まで上昇してロードロック台42A上のウエハ80−1を掴む。ウエハ保持アーム50Aは上限位置でプラテン装置10側に回転した後下限位置まで下動することにより、ウエハ80−1がウエハ保持アーム50Aのウエハチャック機構からプラテン装置10のウエハチャック機構に渡される。この間に、第1のロボット63はカセットステーション72に戻って次の処理前のウエハ80−2を掴み、アライナ61上に置く。
図4(d)では、プラテン装置10のウエハ80−1に対してイオン注入が開始される。この間に、ロードロック台42Aはロードロック室40A内に上動し、ロードロック室40Aの大気開放後開閉扉41Aが開かれる。一方、第1のロボット63はアライナ61上のウエハ80−2を掴み、ロードロック台42A上に置く。続いて、開閉扉41Aが閉じられてロードロック室40Aの排気が行われる。排気が完了するとロードロック台42Aが下降位置に下動する。排気の間に、第1のロボット63は、ウエハステーション72から次のウエハ80−3を掴んでアライナ61の上に置く。
図4(e)において、ウエハ80−1に対するイオン注入が完了すると、下限位置にあるウエハ保持アーム50Bがプラテン装置10側へ回転してウエハチャック機構がプラテン装置10のウエハチャック機構の直下域まで移動し、続いて上限位置まで上動して処理済のウエハ80−1を掴む。続いて、ウエハ保持アーム50Bは下降位置にあるロードロック台42B側に回転し、ウエハ保持アーム50Bのウエハチャック機構がロードロック台42Bの真上に移動する。続いて、ウエハ保持アーム50Bは下限位置まで下動する。これにより、ウエハ保持アーム50Bのウエハチャック機構から処理済のウエハ80−1がロードロック台42Bに渡される。なお、ウエハ保持アーム50Bがプラテン装置10上の処理済のウエハ80−1をロードロック台42Bに渡す時に、ウエハ保持アーム50Aはロードロック台42Aから処理前のウエハ80−2を受け取ってプラテン装置10側に回転し、プラテン装置10に処理前のウエハ80−2を渡す。
図6は、この時のロードロック室40A、40B内の状態及びウエハ保持アーム50A、50Bの状態を示す。ロードロック室40A、40Bではそれぞれ開閉扉41A、41Bが閉じている。ロードロック台42A上のウエハ80−2がウエハ保持アーム50Aのウエハチャック機構で掴まれてプラテン装置10に搬送される。一方、プラテン装置10から取り出された処理済のウエハ80−1はウエハ保持アーム50Bによりロードロック台42Bの真上に搬送される。ウエハ保持アーム50Bは、その後下限位置まで下動し、これによって処理済のウエハ80−1がロードロック台42Bに渡される。この後、ロードロック台42A、42Bはロードロック室40A、40B内に上昇する。
図4(f)では、プラテン装置10に渡されたウエハ80−2に対してイオン注入が行われている間に、開閉扉41Aが開かれて第1のロボット63によりウエハ80−3がロードロック室40A内のロードロック台42Aに渡される。一方、開閉扉41Bが開かれてロードロック室40B内のロードロック台42Bから処理済のウエハ80−1が第2のロボット64により取り出され、カセットステーション72に収容される。
図7は、この時のロードロック室40A、40B内の状態及びウエハ保持アーム50A、50Bの状態を示す。ロードロック室40A、40Bではそれぞれ開閉扉41A、41Bが開いている。そして、ロードロック台42A上には処理前のウエハ80−3が渡され、ロードロック台42B上から処理済のウエハ80−1が取り出されようとしている。ウエハ保持アーム50A、50Bは下限位置の待機状態にある。
図4(f)において、ロードロック室40A、40Bの開閉扉41A、41Bが閉じられ、ロードロック台42A、42Bは下降位置に下動する。そして、ウエハ80−2に対するイオン注入が完了すると、ウエハ保持アーム50Bによりプラテン装置10上のウエハ80−2が取り出されてロードロック台32Bの真上の位置に搬送される。これに並行して、ウエハ保持アーム50Aによりロードロック台42A上のウエハ80−3がプラテン装置10に搬送される。この間に、第1のロボット63は、カセットステーション72から次の処理前のウエハ80−4をアライナ61の上に載せる。
図8は、この時のロードロック室40A、40B内の状態及びウエハ保持アーム50A、50Bの状態を示す。ロードロック室40A、40Bではそれぞれ開閉扉41A、41Bが閉じている。ウエハ保持アーム50Aは下限位置でロードロック室40A側に回転してウエハチャック機構がロードロック台42Aの直下域にある。一方、ウエハ保持アーム50Bは下限位置でプラテン装置10側に回転してウエハチャック機構がプラテン装置10のウエハチャック機構の直下域にある。この後、ウエハ保持アーム50Bは上限位置まで上動し、ロードロック台42B側に回転して処理済のウエハ80−2をロードロック台42B側に搬送する。これに並行して、ウエハ保持アーム50Aは上限位置まで上動してウエハ80−3を受取り、続いてプラテン装置10側に回転する。その結果、図6に示したような状態になる。但し、図6に示すウエハ80−2はウエハ80−3に代わり、ウエハ80−1はウエハ80−2に代わる。
以後、図4(e)〜図4(g)が繰り返されるが、図4(e)〜図4(g)から明らかなように、カセットステーション72を出てからカセットステーション72に戻るまでの経路には、必ず3枚のウエハが存在している。このような搬送処理動作によれば、図13で説明した1つのロードロック室、1つのI型ウエハ保持アームによる必ず2枚のウエハが存在している搬送処理動作に比べて大幅にスループット、つまりウエハ処理能力が向上する。これは、イオン注入時間に比べて、ロードロック室の給排気時間、特に排気時間が長いので、ロードロック室が2つになればロードロック室での待ち時間は図13の場合の半分になるからである。
図9は、4枚出しの場合のウエハ搬送処理動作を示した図であり、図9(a)〜図9(d)は図8(a)〜図8(d)とまったく同じであるので説明は省略する。つまり、図9(a)〜図9(d)はイオン注入開始直後の動作であるので、3枚出しの場合とまったく同じとなる。しかし、図9(e)〜図9(g)に示すように、最初のウエハ80−1に対してイオン注入が始まると、カセットステーション72を出てからカセットステーション72に戻るまでの経路には必ず4枚のウエハが存在している。これは以下の理由による。
3枚出しの場合にはカセットステーション72から処理前のウエハを取り出す動作を第1のロボット63のみで行う。これに対し、4枚出しの場合にはカセットステーション72から処理前のウエハを取り出す動作を第1、第2のロボット63、64の両方で行うようにしている。そして、アライナ61上には第1、第2のロボット63、64のいずれかによって常にウエハが置かれるようにしている。
上記のような4枚出しの搬送処理動作は第1、第2のロボット63、64によって実現されるものである。それ故、ロードロック室40Aからプラテン装置10を経てロードロック室40Bに至るウエハの搬送形態は3枚出しの場合と変わらない。従って、以下では、第1、第2のロボット63、64によるウエハの搬送形態のみについて説明する。
図8(d)で説明したように、図9(d)では、第1のロボット63によりカセットステーション72から処理前のウエハ80−3が取り出され、アライナ61の上に置かれる。
図9(e)では、アライナ61によるウエハ80−3の位置合わせが終了すると、ウエハ80−3はロードロック室40Aに移すために第1のロボット63により掴まれる。これに並行して、第2のロボット64がカセットステーション72から次のウエハ80−4を取り出し、アライナ61の上に置く。
図9(f)では、第1のロボット63によりウエハ80−3がロードロック室40A内のロードロック台42A上に置かれる。これに並行して、第2のロボット64はロードロック室40Bから処理済のウエハ80−1を取り出し、カセットステーション72に収容する。この間に、アライナ61ではウエハ80−4の位置合わせが行われる。
図9(g)では、第1のロボット63によりアライナ61上のウエハ80−4が掴まれる。これに並行して、第2のロボット64はカセットステーション72から次の処理前のウエハ80−5を取り出し、アライナ61の上に置く。
以後、図9(e)〜図9(g)が繰り返される。
以上のように、図9に示した4枚出しの搬送処理動作では、一方のロードロック室40Aはこれに対応する第1のロボット63による処理前ウエハの搬入または搬出用、他方のロードロック室40Bはこれに対応する第2のロボット64による処理済ウエハの搬出または搬入用としている。そして、アライナ61への処理前ウエハの搬送を第1及び第2のロボット63及び64によって交互に行うことにより、第1のロボット63によりロードロック室40Aへの処理前ウエハの搬入を行っている間に第2のロボット64によりアライナ61上に次の処理前ウエハが搬送され、かつ第2のロボット64によりロードロック室40Bからの処理済ウエハの搬出を行っている間に第1のロボット63によりアライナ61上に次の処理前ウエハが搬送されるようにしている。その結果、プラテン装置10上のウエハに対してイオン注入が行われている間は、アライナ61−ロードロック室40A−プラテン装置10−ロードロック室40B−アライナ61の経路上に、合計4つの処理前ウエハ及び処理済ウエハが存在することになる。これは、4枚出しの搬送処理動作によれば、3枚出しの搬送処理動作に比べてロスタイムをより少なくでき、更にスループットが向上することを意味する。
本発明を好ましい実施の形態について説明したが、本発明は上記の形態に限定されるものではない。例えば、図1aは、ウエハ保持アーム50A、50Bを内回りとする例であるが、外回りでも良い。これを図1cに示す。本例は、ウエハ保持アーム50A、50Bが真空処理室20の内壁側に向かって往復回転する点以外は、図1aと同じである。図1cから明らかなように、ウエハ保持アーム50A、50Bを外回りとするスペースを確保するために、真空処理室20を少し大きくする必要がある。また、ウエハ保持アーム50A、50Bを互いに交差しない内回りとしても良い。この場合も、ウエハ保持アーム50A、50Bの回転軸の間隔を大きくとるために真空処理室20を少し大きくする必要がある。
図10aは、本発明によるウエハ処理装置の他の形態の概略構成を示す。本形態では、ロードロック室を3つ備える。つまり、図1aに示したものと同様の2つのロードロック室40A、40Bを処理前ウエハの搬入専用とし、ロードロック室40A、40Bの間には処理済ウエハの搬出専用の第3のロードロック室40Cを設ける。図示は省略するが、第3のロードロック室40Cも、ロードロック室40A、40Bと同様、処理済ウエハを出すための開閉扉41Cと、第3のロードロック室40Cとその下方の真空中間室30との間を開閉するためのロックプレートを備えた上下動式のロードロック台とにより構成される。後述する真空処理室20の外部の構成を除いて、他の構成は図1aのものと同じで良い。
本ウエハ処理装置においては、ウエハ保持アーム50Aがロードロック室40Aのロードロック台42Aからプラテン装置10へ処理前ウエハを搬送する間に、ウエハ保持アーム50Bはプラテン装置10から処理済ウエハをロードロック室40Cのロードロック台へ搬送する。一方、ウエハ保持アーム50Bがロードロック室40Bのロードロック台42Bからプラテン装置10へ処理前ウエハを搬送する間に、ウエハ保持アーム50Aはプラテン装置10から処理済ウエハをロードロック室40Cのロードロック台へ搬送する。
本ウエハ処理装置は更に、真空処理室20の外に、少なくとも1つのウエハ搬送用のロボット64´と、処理前ウエハ及び処理済ウエハを収容するための複数対のウエハカセット71、72とを備える。特に、ロボット64´は、ウエハの位置合わせ用のアライナ(図示せず)を備えるとともに3つのロードロック室40A、40B、40Cに沿ってレール90上を移動可能にされている。これにより、ロボット64´によって搬入専用のロードロック室40A、40B及び搬出専用のロードロック室40Cに対して処理前ウエハの搬入及び処理済ウエハの搬出が可能にされている。なお、アライナは、プラテン装置10側に設けられても良い。
図10bは、本発明によるウエハ処理装置の更に他の形態の概略構成を示す。本形態では、ウエハ保持アーム50A’、50B’をそれぞれ、直動機構52A、52Bにより、ロードロック台42Aとプラテン装置10との間、ロードロック台42Bとプラテン装置10との間との間を往復移動させるようにしている。ウエハ保持アーム50A’、50B’は、プラテンにて処理済と処理前の排出・供給を行う時に両アームを立体交差させる場合には、一方を他方より高くし、上下に駆動する機構を備えれば良い。その他の構成は上述した実施の形態と同じである。
なお、本発明は、ビーム断面形状が円形、長円形、楕円形等のいずれにも適用可能である。
本発明によるウエハ処理装置は、イオン注入装置の他、X線露光装置等の真空内処理装置のウエハ搬送系、特に高速処理が必要な装置のウエハ搬送系として適している。
図1aは本発明による枚葉式のウエハ処理装置の概略構成を示す一部断面平面図である。 図1bは図1aに示すウエハ処理装置の概略構成を示す側面断面図である。 図1cは図1aに示したウエハ処理装置のウエハ保持アームを外回りとした形態の概略構成を示す一部断面平面図である。 図2はウエハ処理装置の主要部の構成を図1の左側から見た縦断面図である。 図3は、本発明のウエハ処理装置に使用されるウエハ保持アーム、ロードロック台、ロックプレートの一例を示した図である。 図4は、本発明のウエハ処理装置によるウエハ搬送処理動作の流れをウエハ3枚出しの場合について順を追って説明するための図である。 図5は、本発明のウエハ処理装置における2つのロードロック室内の状態及び2つのウエハ保持アームのある時点での状態を説明するための縦断面図である。 図6は、本発明のウエハ処理装置における2つのロードロック室内の状態及び2つのウエハ保持アームの図5とは別の時点での状態を説明するための縦断面図である。 図7は、本発明のウエハ処理装置における2つのロードロック室内の状態及び2つのウエハ保持アームの図5、図6とは別の時点での状態を説明するための縦断面図である。 図8は、本発明のウエハ処理装置における2つのロードロック室内の状態及び2つのウエハ保持アームの図5、図6、図7とは別の時点での状態を説明するための縦断面図である。 図9は、本発明のウエハ処理装置によるウエハ4枚出しの搬送処理動作を説明するための図である。 図10aは、本発明によるウエハ処理装置の他の形態の概略構成を示した図である。 図10bは、本発明によるウエハ処理装置の他の形態の概略構成を示した図である。 図11は本発明によるウエハ処理装置が適用されるイオン注入装置の概略構成を平面図(図a)、側面図(図b)で示す。 図12は、従来のウエハ処理装置におけるウエハ搬送装置の概略構成図である。 図13は、図12に示されたウエハ処理装置によるウエハの搬送工程におけるロボットの動作原理を示す図である。 図14は、図12に示されたロードロック室の構造を説明するための断面図である。
符号の説明
10 プラテン装置
20 真空処理室
30 真空中間室
40A、40B ロードロック室
41A、41B 開閉扉
42A、42B ロードロック台
43A、43B ロックプレート
44A、44B 上下駆動機構
45A、45B スペーサ
50A、50B ウエハ保持アーム
60 ローディング部
61 アライナ
63、64 第1、第2のロボット
71、72 カセットステーション

Claims (21)

  1. 真空処理室内にプラテン装置を設け、該プラテン装置に被処理ウエハを載置して加工処理を行うウエハ処理装置において、
    前記真空処理室に隣接して、ロードロック台を有する2つのロードロック室を真空中間室を介して設けるとともに前記真空処理室と前記真空中間室との間に連絡開口を設け、
    前記真空処理室内のプラテン装置と前記真空中間室との間に前記2つのロードロック室に対応させて2つのウエハ保持アームを配設し、該2つのウエハ保持アームは、対応するロードロック台と前記プラテン装置との間を、前記連絡開口を通過するとともに上下で立体交差しながら往復動作可能に構成し、
    一方のウエハ保持アームで処理前ウエハを保持し、他方のウエハ保持アームで処理済ウエハを保持することにより、一方のロードロック台から前記プラテン装置への処理前ウエハの搬入と、前記プラテン装置から他方のロードロック台への処理済ウエハの搬出とを並行させることができるよう構成したことを特徴とするウエハ処理装置。
  2. 真空処理室内にプラテン装置を設け、該プラテン装置に被処理ウエハを載置して加工処理を行うウエハ処理装置において、
    前記真空処理室に隣接して、ロードロック台を有する2つのロードロック室を真空中間室を介して設けるとともに前記真空処理室と前記真空中間室との間に連絡開口を設け、
    前記真空処理室内のプラテン装置と前記真空中間室との間に前記2つのロードロック室に対応させて2つのウエハ保持アームを配設し、該2つのウエハ保持アームは、対応するロードロック台と前記プラテン装置との間を、前記連絡開口を通過するとともに上下で立体交差しながら往復動作可能に構成し、
    各ロードロック室には真空排気及び吸気機構を設け、
    一方のウエハ保持アームで処理前ウエハを保持し、他方のウエハ保持アームで処理済ウエハを保持することにより、真空状態の一方のロードロック台から前記プラテン装置への処理前ウエハの搬入と、前記プラテン装置から真空状態の他方のロードロック台への処理済ウエハの搬出とを並行させることができるよう構成したことを特徴とするウエハ処理装置。
  3. 各ロードロック室は、処理済ウエハ、処理前ウエハのロードロック室外のウエハ搬送用ロボットによる出し入れを行うための開閉扉部材と、当該ロードロック室と前記真空中間室との間を開閉するためのロックプレートを備えた上下動式のロードロック台とにより構成されることを特徴とする請求項1または2に記載のウエハ処理装置。
  4. ロードロック室がロードロック台の上動によってロックプレートにより閉じられている間は、2つのウエハ保持アームは前記真空中間室内に待機するよう構成したことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のウエハ処理装置。
  5. 一方のウエハ保持アームで対応するロードロック台から処理前ウエハをプラテン装置に搬入するとともに、他方のウエハ保持アームでプラテン装置から対応するロードロック台へ処理済ウエハを搬出する過程において、一方のウエハ保持アームと他方のウエハ保持アームの上下位置がそれぞれが干渉しない高さに保持され、2つのウエハ保持アームが同時に往復動作するとき上下で立体交差するように構成されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のウエハ処理装置。
  6. 各ウエハ保持アームは、対応するロードロック台とプラテン装置との間を回転軸を中心に回転運動することにより往復動作するように構成されていることを特徴とする請求項5に記載のウエハ処理装置。
  7. 各ウエハ保持アームは、対応するロードロック台とプラテン装置との間を直動部材により直線運動することにより往復動作するように構成されていることを特徴とする請求項5に記載のウエハ処理装置。
  8. 各ウエハ保持アームは、前記回転軸を中心に下限位置から上限位置に移動する時に、対応するロードロック台からの処理前ウエハの受け取り、あるいは前記プラテン装置からの処理済ウエハの受け取りを行うように構成されていることを特徴とする請求項6に記載のウエハ処理装置。
  9. 各ウエハ保持アームは、前記回転軸を中心に上限位置から下限位置に移動する時に、前記プラテン装置への処理前ウエハの渡し、あるいは対応するロードロック台への処理済ウエハの渡しを行うように構成されていることを特徴とする請求項6または8に記載のウエハ処理装置。
  10. 前記連絡開口をウエハ保持アームが通過できる開口高さに構成し、前記2つのウエハ保持アームの上下交差は、互いに接近した上下間隔で行なわれるとともに、前記連絡開口を上下で立体交差しながら通過するよう構成したことを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載のウエハ処理装置。
  11. 2つのロードロック室はそれぞれロードロック台の上動によってロックプレートにより閉じられている間に、前記吸気機構により真空状態から大気圧とされ、続いて前記開閉扉部材を開とすることにより、外部にあるロボットによって、一方のロードロック台への処理前ウエハの搬入と他方のロードロック台からの処理済ウエハの搬出とを同時に行うように構成されていることを特徴とする請求項3〜10のいずれかに記載のウエハ処理装置。
  12. 各ウエハ保持アームは互いに向かい合う内回りの回転運動を行うように構成されていることを特徴とする請求項6、8〜11のいずれかに記載のウエハ処理装置。
  13. 真空処理室内にプラテン装置を設け、該プラテン装置に被処理ウエハを載置して加工処理を行うウエハ処理装置において、
    前記真空処理室に隣接して、ロードロック台を有する2つのロードロック室を真空中間室を介して設けるとともに前記真空処理室と前記真空中間室との間に連絡開口を設け、
    前記真空処理室内のプラテン装置と前記真空中間室との間に前記2つのロードロック室に対応させて2つのウエハ保持アームを配設し、該2つのウエハ保持アームは、対応するロードロック台と前記プラテン装置との間を、前記連絡開口を通過するとともに、各ウエハ保持アームは互いに外回りの回転運動を行い、プラテン装置における処理済ウエハ受け取りと処理前ウエハの受け渡し時に立体交差しながら往復動作可能に構成し、
    一方のウエハ保持アームで処理前ウエハを保持し、他方のウエハ保持アームで処理済ウエハを保持することにより、一方のロードロック台から前記プラテン装置への処理前ウエハの搬入と、前記プラテン装置から他方のロードロック台への処理済ウエハの搬出とを並行させることができるよう構成したことを特徴とするウエハ処理装置。
  14. 各ウエハ保持アームは、対応するロードロック台とプラテン装置との間を回転軸を中心に内回りの回転運動で、プラテン装置における処理済ウエハ受け取りと処理前ウエハの受け渡し時に立体交差しながら往復動作を行うように構成されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のウエハ処理装置。
  15. 当該ウエハ処理装置は更に、前記真空処理室の外に、前記2つのロードロック室に対応して設置された2つのウエハ搬送用のロボットと、該2つのロボットの間に設置されたウエハの位置合わせ用のアライナと、ウエハを収容するための一つ以上のウエハカセットとを備え、
    一方のロードロック室はこれに対応する一方のロボットによる処理前ウエハの搬入専用、他方のロードロック室はこれに対応する他方のロボットによる処理済ウエハの搬出専用とし、
    前記アライナへの処理前ウエハの搬送を前記一方及び他方のロボットにより交互に行うことにより、前記一方のロボットにより前記一方のロードロック室への処理前ウエハの搬入を行っている間に前記他方のロボットにより前記アライナ上に次の処理前ウエハが搬送され、かつ前記他方のロボットにより前記他方のロードロック室からの処理済ウエハの搬出及びカセットへの収納と次の処理前ウエハを取り出しアライナへの供給とを行っている間に前記一方のロボットにより前記アライナ上の次の処理前ウエハを受け取って待機するように構成し、
    前記プラテン装置上のウエハに対してイオン注入が行われている間は、アライナ−一方のロードロック室−一方もしくは他方のロボット−プラテン装置−他方のロードロック室−アライナの経路上に、合計4つの処理前ウエハ及び処理済ウエハが存在するようにしたことを特徴とする請求項1〜14のいずれかに記載のウエハ処理装置。
  16. 真空処理室内にプラテン装置を設け、該プラテン装置に被処理ウエハを載置して加工処理を行うウエハ処理装置において、
    前記真空処理室に隣接して、ロードロック台を有する3つのロードロック室を真空中間室を介して設けるとともに前記真空処理室と前記真空中間室との間に連絡開口を設け、
    前記ロードロック室のうち2つのロードロック室を処理前ウエハの搬入専用とし、当該2つのロードロック室の間には第3のロードロック室を処理済ウエハの搬出専用として設け、
    該第3のロードロック室は、処理済ウエハを出すための開閉扉部材と、当該第3のロードロック室と前記真空中間室との間を開閉するためのロックプレートを備えた上下動式のロードロック台とにより構成し、
    一方のウエハ保持アームが対応するロードロック台から前記プラテン装置へ処理前ウエハを搬送する間に、他方のウエハ保持アームは前記プラテン装置から処理済ウエハを搬出専用のロードロック台へ搬送し、他方のウエハ保持アームが対応するロードロック台から前記プラテン装置へ処理前ウエハを搬送する間に、一方のウエハ保持アームは前記プラテン装置から処理済ウエハを搬出専用のロードロック台へ搬送するようにしたことを特徴とするウエハ処理装置。
  17. 当該ウエハ処理装置は更に、前記真空処理室の外に、2つのウエハ搬送用のロボットと、処理前ウエハ及び処理済ウエハを収容するための複数のウエハカセットとを備え、前記2つのロボットはそれぞれ、ウエハの位置合わせ用のアライナを備えるとともに3つのロードロック室に沿って移動可能にされていることにより、搬入専用のロードロック室及び搬出専用のロードロック室に対して処理前ウエハの搬入及び処理済ウエハの搬出が可能にされていることを特徴とする請求項16に記載のウエハ処理装置。
  18. 各ロードロック室の真空排気及び吸気機構には、スロー粗排気及びスロー大気開放吸気機構を設けたことを特徴とする請求項1〜16のいずれかに記載のウエハ処理装置。
  19. 請求項1〜18のいずれかに記載のウエハ処理装置を備えたことを特徴とするイオン注入装置。
  20. 真空処理室内にプラテン装置を設け、該プラテン装置に被処理ウエハを載置して加工処理を行うウエハ処理装置におけるウエハ処理方法において、
    前記真空処理室に隣接してロードロック台を有する2つのロードロック室を設けるとともに前記真空処理室内に前記2つのロードロック室に対応させて2つのウエハ保持アームを配設し、
    該2つのウエハ保持アームは、対応するロードロック台と前記プラテン装置との間を上下で立体交差しながら往復動作可能とし、
    一方のウエハ保持アームで処理前ウエハを保持し、他方のウエハ保持アームで処理済ウエハを保持することにより、一方のロードロック台から前記プラテン装置への処理前ウエハの搬入と、前記プラテン装置から他方のロードロック台への処理済ウエハの搬出とを並行させることを特徴とするウエハ処理方法。
  21. 前記ウエハ処理装置は更に、前記真空処理室の外に、前記2つのロードロック室に対応して設置された2つのウエハ搬送用のロボットと、該2つのロボットの間に設置されたウエハの位置合わせ用のアライナと、ウエハを収容するための一つ以上のウエハカセットとを備え、
    一方のロードロック室はこれに対応する一方のロボットによる処理前ウエハの搬入を行い、他方のロードロック室はこれに対応する他方のロボットによる処理済ウエハの搬出を行い、
    前記アライナへの処理前ウエハの搬送を前記一方及び他方のロボットにより交互に行うことにより、前記一方のロボットにより前記一方のロードロック室への処理前ウエハの搬入を行っている間に前記他方のロボットにより前記アライナ上に次の処理前ウエハを搬送し、かつ前記他方のロボットにより前記他方のロードロック室からの処理済ウエハの搬出及びカセットへの収納と次の処理前ウエハを取り出しアライナへの供給とを行っている間に前記一方のロボットは前記アライナ上の次の処理前ウエハを受け取って待機し、
    前記プラテン装置上のウエハに対してイオン注入が行われている間は、アライナ−一方のロードロック室−一方もしくは他方のロボット−プラテン装置−他方のロードロック室−アライナの経路上に、合計4つの処理前ウエハ及び処理済ウエハが存在することを特徴とする請求項20に記載のウエハ処理方法。

JP2004346170A 2004-11-30 2004-11-30 ウエハ処理装置及びウエハ処理方法並びにイオン注入装置 Expired - Fee Related JP4907077B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004346170A JP4907077B2 (ja) 2004-11-30 2004-11-30 ウエハ処理装置及びウエハ処理方法並びにイオン注入装置
TW094136701A TWI405291B (zh) 2004-11-30 2005-10-20 晶圓處理系統,晶圓處理方法,及離子佈植系統
US11/254,854 US8096744B2 (en) 2004-11-30 2005-10-21 Wafer processing system, wafer processing method, and ion implantation system
DE602005013893T DE602005013893D1 (de) 2004-11-30 2005-10-27 System und Verfahren zur Waferverarbeitung und zur Ionenimplantation
EP05256671A EP1662548B1 (en) 2004-11-30 2005-10-27 System and method of wafer processing and ion implantation
KR1020050102858A KR101311885B1 (ko) 2004-11-30 2005-10-31 웨이퍼 처리장치, 웨이퍼 처리방법, 및 이온주입장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004346170A JP4907077B2 (ja) 2004-11-30 2004-11-30 ウエハ処理装置及びウエハ処理方法並びにイオン注入装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006156762A true JP2006156762A (ja) 2006-06-15
JP4907077B2 JP4907077B2 (ja) 2012-03-28

Family

ID=35564248

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004346170A Expired - Fee Related JP4907077B2 (ja) 2004-11-30 2004-11-30 ウエハ処理装置及びウエハ処理方法並びにイオン注入装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8096744B2 (ja)
EP (1) EP1662548B1 (ja)
JP (1) JP4907077B2 (ja)
KR (1) KR101311885B1 (ja)
DE (1) DE602005013893D1 (ja)
TW (1) TWI405291B (ja)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009042459A1 (en) * 2007-09-27 2009-04-02 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Single wafer implanter for silicon-on-insulator wafer fabrication
WO2011007753A1 (ja) * 2009-07-14 2011-01-20 キヤノンアネルバ株式会社 基板処理装置
JP2011091160A (ja) * 2009-10-21 2011-05-06 Ulvac Japan Ltd 基板搬送装置及び基板処理装置
JP2011228559A (ja) * 2010-04-22 2011-11-10 Daihen Corp ワーク搬送システム
JP2011249726A (ja) * 2010-05-31 2011-12-08 Daihen Corp ワーク搬送システム
WO2012098871A1 (ja) * 2011-01-20 2012-07-26 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置
JP2013527609A (ja) * 2010-04-30 2013-06-27 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 縦型インラインcvdシステム
JP2014110375A (ja) * 2012-12-04 2014-06-12 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 前室アーム配置機構
KR101502130B1 (ko) * 2008-07-10 2015-03-13 주식회사 원익아이피에스 반송장치, 그가 설치된 반송챔버 및 이를 포함하는진공처리시스템
KR20150144701A (ko) 2014-06-17 2015-12-28 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤 이온주입장치 및 이온주입장치의 제어방법
KR20170017735A (ko) 2015-08-06 2017-02-15 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤 이온주입장치 및 그것을 이용한 복수 매의 웨이퍼의 처리방법

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7547897B2 (en) * 2006-05-26 2009-06-16 Cree, Inc. High-temperature ion implantation apparatus and methods of fabricating semiconductor devices using high-temperature ion implantation
JP4098338B2 (ja) * 2006-07-20 2008-06-11 川崎重工業株式会社 ウェハ移載装置および基板移載装置
WO2010073487A1 (ja) * 2008-12-22 2010-07-01 株式会社ニコン 保持部材管理装置、半導体製造装置、保持部材管理方法、及び、半導体装置の製造方法
US8563407B2 (en) * 2009-04-08 2013-10-22 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Dual sided workpiece handling
JP2011071293A (ja) * 2009-09-25 2011-04-07 Tokyo Electron Ltd プロセスモジュール、基板処理装置、および基板搬送方法
US8911554B2 (en) * 2010-01-05 2014-12-16 Applied Materials, Inc. System for batch processing of magnetic media
JP5168329B2 (ja) * 2010-08-31 2013-03-21 Tdk株式会社 ロードポート装置
JP5666361B2 (ja) 2011-03-29 2015-02-12 株式会社Screenセミコンダクターソリューションズ 基板処理装置
JP5810929B2 (ja) * 2012-01-13 2015-11-11 シンフォニアテクノロジー株式会社 ウェーハ搬送装置
US9287150B2 (en) 2012-10-09 2016-03-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Reticle transfer system and method
US9663854B2 (en) 2013-03-14 2017-05-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. High-throughput system and method for post-implantation single wafer warm-up
US10347516B2 (en) * 2014-11-11 2019-07-09 Applied Materials, Inc. Substrate transfer chamber
US10403533B2 (en) * 2015-05-04 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Substrate rotary loader
JP2017035743A (ja) * 2015-08-07 2017-02-16 日東電工株式会社 搬送装置
JP6477914B2 (ja) * 2015-11-20 2019-03-06 株式会社島津製作所 真空処理装置および質量分析装置
TWI765984B (zh) 2017-03-15 2022-06-01 美商蘭姆研究公司 具有線性真空傳送模組之降低的覆蓋區域平台架構
JP2018174186A (ja) * 2017-03-31 2018-11-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US20210143036A1 (en) * 2018-05-15 2021-05-13 Evatec Ag Substrate vacuum treatment apparatus and method therefor
JP2021086889A (ja) * 2019-11-27 2021-06-03 株式会社日立ハイテク 荷電粒子線装置
CN113276104A (zh) * 2020-02-19 2021-08-20 总督科技股份有限公司 晶圆转载机构的机械臂校准装置及其校准方法
US20240014053A1 (en) * 2020-08-21 2024-01-11 Asml Netherlands B.V. Charged-particle inspection apparatus

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58140961A (ja) * 1982-02-17 1983-08-20 Hitachi Ltd ウエ−ハ搬送装置
JPS6445543A (en) * 1987-08-17 1989-02-20 Toshiba Corp Transfer device
JPS6464231A (en) * 1987-09-03 1989-03-10 Toshiba Corp Conveyor
JPS6484428A (en) * 1987-09-25 1989-03-29 Teijin Ltd Magnetic recording medium
JPH03188277A (ja) * 1989-12-14 1991-08-16 Shimadzu Corp 真空プロセス装置
WO2003046958A2 (en) * 2001-11-29 2003-06-05 Diamond Semiconductor Group, Llc. Wafer handling apparatus and method
JP2003174069A (ja) * 2001-12-05 2003-06-20 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp ウェーハ搬送装置
WO2004086465A2 (en) * 2003-03-24 2004-10-07 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Method and apparatus for high speed wafer handling
JP2004289036A (ja) * 2003-03-25 2004-10-14 Tadamoto Tamai 真空処理装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0184428U (ja) 1987-11-27 1989-06-05
US5308989A (en) * 1992-12-22 1994-05-03 Eaton Corporation Fluid flow control method and apparatus for an ion implanter
TW297910B (ja) * 1995-02-02 1997-02-11 Tokyo Electron Co Ltd
US6752584B2 (en) * 1996-07-15 2004-06-22 Semitool, Inc. Transfer devices for handling microelectronic workpieces within an environment of a processing machine and methods of manufacturing and using such devices in the processing of microelectronic workpieces
US6002840A (en) * 1997-09-30 1999-12-14 Brooks Automation Inc. Substrate transport apparatus
JP2000012647A (ja) * 1998-06-19 2000-01-14 Sumitomo Eaton Noba Kk ウエハ搬送装置及びその方法
US6350097B1 (en) * 1999-04-19 2002-02-26 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for processing wafers
JP2001319885A (ja) * 2000-03-02 2001-11-16 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び半導体製造方法
US7431585B2 (en) * 2002-01-24 2008-10-07 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for heating substrates
US7010388B2 (en) * 2003-05-22 2006-03-07 Axcelis Technologies, Inc. Work-piece treatment system having load lock and buffer
JP4673548B2 (ja) * 2003-11-12 2011-04-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及びその制御方法
US7246985B2 (en) * 2004-04-16 2007-07-24 Axcelis Technologies, Inc. Work-piece processing system
US8668422B2 (en) * 2004-08-17 2014-03-11 Mattson Technology, Inc. Low cost high throughput processing platform

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58140961A (ja) * 1982-02-17 1983-08-20 Hitachi Ltd ウエ−ハ搬送装置
JPS6445543A (en) * 1987-08-17 1989-02-20 Toshiba Corp Transfer device
JPS6464231A (en) * 1987-09-03 1989-03-10 Toshiba Corp Conveyor
JPS6484428A (en) * 1987-09-25 1989-03-29 Teijin Ltd Magnetic recording medium
JPH03188277A (ja) * 1989-12-14 1991-08-16 Shimadzu Corp 真空プロセス装置
WO2003046958A2 (en) * 2001-11-29 2003-06-05 Diamond Semiconductor Group, Llc. Wafer handling apparatus and method
JP2005510870A (ja) * 2001-11-29 2005-04-21 ダイアモンド セミコンダクタ グループ エルエルシー ウエーハ取り扱い装置及び方法
JP2003174069A (ja) * 2001-12-05 2003-06-20 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp ウェーハ搬送装置
WO2004086465A2 (en) * 2003-03-24 2004-10-07 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Method and apparatus for high speed wafer handling
JP2006521704A (ja) * 2003-03-24 2006-09-21 バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド 高速で対象物を取り扱う方法および装置
JP2004289036A (ja) * 2003-03-25 2004-10-14 Tadamoto Tamai 真空処理装置

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009042459A1 (en) * 2007-09-27 2009-04-02 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Single wafer implanter for silicon-on-insulator wafer fabrication
KR101502130B1 (ko) * 2008-07-10 2015-03-13 주식회사 원익아이피에스 반송장치, 그가 설치된 반송챔버 및 이를 포함하는진공처리시스템
WO2011007753A1 (ja) * 2009-07-14 2011-01-20 キヤノンアネルバ株式会社 基板処理装置
US9245785B2 (en) 2009-07-14 2016-01-26 Canon Anelva Corporation Substrate processing apparatus
JP2011091160A (ja) * 2009-10-21 2011-05-06 Ulvac Japan Ltd 基板搬送装置及び基板処理装置
JP2011228559A (ja) * 2010-04-22 2011-11-10 Daihen Corp ワーク搬送システム
JP2013527609A (ja) * 2010-04-30 2013-06-27 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 縦型インラインcvdシステム
JP2011249726A (ja) * 2010-05-31 2011-12-08 Daihen Corp ワーク搬送システム
WO2012098871A1 (ja) * 2011-01-20 2012-07-26 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置
US9443749B2 (en) 2011-01-20 2016-09-13 Tokyo Electron Limited Vacuum processing apparatus
JP6006643B2 (ja) * 2011-01-20 2016-10-12 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置
KR101744372B1 (ko) 2011-01-20 2017-06-07 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 진공 처리 장치
JP2014110375A (ja) * 2012-12-04 2014-06-12 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 前室アーム配置機構
KR20150144701A (ko) 2014-06-17 2015-12-28 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤 이온주입장치 및 이온주입장치의 제어방법
KR20170017735A (ko) 2015-08-06 2017-02-15 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤 이온주입장치 및 그것을 이용한 복수 매의 웨이퍼의 처리방법
JP2017037717A (ja) * 2015-08-06 2017-02-16 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 イオン注入装置及びそれを用いた複数枚のウェハの処理方法
KR102440456B1 (ko) 2015-08-06 2022-09-07 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤 이온주입장치 및 그것을 이용한 복수 매의 웨이퍼의 처리방법

Also Published As

Publication number Publication date
DE602005013893D1 (de) 2009-05-28
US20060182532A1 (en) 2006-08-17
TWI405291B (zh) 2013-08-11
JP4907077B2 (ja) 2012-03-28
KR20060060562A (ko) 2006-06-05
KR101311885B1 (ko) 2013-09-25
TW200625506A (en) 2006-07-16
EP1662548A3 (en) 2006-08-09
EP1662548A2 (en) 2006-05-31
EP1662548B1 (en) 2009-04-15
US8096744B2 (en) 2012-01-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4907077B2 (ja) ウエハ処理装置及びウエハ処理方法並びにイオン注入装置
JP5273437B2 (ja) イオンビーム注入装置用のワークピース移送システム及びその処理方法
KR101276014B1 (ko) 워크피스 프로세싱 시스템
JP4935987B2 (ja) イオン注入機と共に使用するための移送装置及びその方法
US10468283B2 (en) Ion implantation apparatus and method for processing plurality of wafers using the same
TW200541009A (en) Vacuum processing system
JP4620214B2 (ja) ウェハ処理装置
JP2000012647A (ja) ウエハ搬送装置及びその方法
TW201601200A (zh) 離子植入裝置及離子植入裝置的控制方法
JP2797368B2 (ja) イオン注入装置
JPH07252653A (ja) イオン注入装置およびこれを用いたイオン注入方法
JPH11307036A (ja) イオン注入装置
JPH0754688B2 (ja) イオン注入装置およびイオン注入方法
JP2023118398A (ja) イオン注入装置、イオン注入方法
JPH0748363B2 (ja) イオン処理装置
JPH11111212A (ja) イオン注入装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20071112

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100623

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100630

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100827

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110105

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110303

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110629

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110824

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20111221

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150120

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 4907077

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees