WO2011007753A1 - 基板処理装置 - Google Patents

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chamber
arm
process chamber
processing apparatus
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征仁 田代
俊和 中澤
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キヤノンアネルバ株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a substrate processing apparatus for performing predetermined processing on the surface of a substrate.
  • Substrate processing apparatuses that perform predetermined processing on a substrate are known as thin film manufacturing apparatuses such as sputtering apparatuses and chemical vapor deposition (CVD) apparatuses, etching apparatuses, surface oxidation apparatuses, surface nitriding apparatuses, and the like.
  • Such a substrate processing apparatus includes an airtight processing chamber in order to process a substrate in a predetermined atmosphere.
  • the substrate processing apparatus often includes a plurality of processing chambers for the purpose of continuously performing different processes or enhancing productivity.
  • a substrate processing apparatus provided with a plurality of processing chambers (process chambers) as described above is generically referred to as a multi-chamber substrate processing apparatus.
  • One typical type of multi-chamber substrate processing apparatus is the cluster tool type as shown in FIG.
  • a plurality of vacuum processing chambers 13a, 13b and 13c and a load lock chamber 10 are airtightly connected around a transfer chamber 11 provided with a substrate transfer robot (hereinafter referred to as a transfer robot).
  • a transfer robot 12 of the transfer chamber 11 transfers a substrate (not shown) to the vacuum processing chamber 13a.
  • a substrate (not shown) is transferred to the vacuum processing chamber 13b by the transfer robot 12 of the transfer chamber 11.
  • a substrate (not shown) is transferred to the vacuum processing chamber 13 c by the transfer robot 12 of the transfer chamber 11.
  • the substrate (not shown) is unloaded by the transfer robot 12 of the transfer chamber 11, and returns to the original load lock chamber 10.
  • This cluster tool type multi-chamber substrate processing apparatus has the advantage of being able to provide a relatively large number of processing chambers in a relatively small footprint.
  • the circumferential length of the central transfer chamber (symbol 11 in FIG. 14) becomes long. Therefore, the transfer chamber becomes large, and as a result, the operating range of the transfer robot also becomes large. As the transfer chamber becomes larger, there is a problem that the time required for exhausting becomes longer. On the other hand, when the operating range of the transfer robot is increased, a larger transfer robot is required and there is a problem that the mechanism becomes complicated mechanically.
  • Patent Document 1 As a configuration that avoids such a problem, as disclosed in Patent Document 1, a configuration in which the substrate is transported in an in-line system is considered.
  • the present invention has been made to solve such a problem, and is an inline multi system capable of installing many processing chambers with a simple configuration and capable of reducing the influence of particles due to film peeling.
  • An object of the present invention is to provide a chamber substrate processing apparatus.
  • the present invention is a substrate processing apparatus including at least two chambers, which is an arm including a substrate holder capable of holding a substrate, and extends in a direction perpendicular to the rotation axis
  • a transport robot having an arm that can rotate while maintaining the length of the arm around the rotation axis, and a substrate when performing a predetermined process on the substrate and transferring the substrate to an adjacent chamber
  • a first chamber having a first position to be positioned, a second position different from the first position, and a first opening, and transfer of a substrate of the substrate processing apparatus of the first chamber
  • a second chamber provided adjacent to the first chamber on the upstream side of the target direction, the third position for positioning the substrate when transferring the substrate to the first chamber, and Second opening
  • a second chamber having an opening portion, and the first opening and the second opening are formed from the second chamber via the first opening and the second opening.
  • the first position, the second position, the third position, the first opening, and the second opening are respectively provided to transfer a substrate to the chamber.
  • the transfer robot is positioned so as to overlap the trajectory of the substrate holding unit when the arm rotates around the rotation axis, and the transfer robot performs a predetermined process on the substrate in the first chamber.
  • the first opening and the second opening when transferring the substrate from the second chamber to the first chamber such that the substrate holder is located on the second position
  • the substrate holding unit Enters the to the chamber, wherein the substrate holding portion to said third on position is configured to rotate the arm so as to be located.
  • a transport robot that carries out a rotational motion to horizontally move a substrate is installed in each chamber (for example, an evacuable vacuum chamber etc.) provided in the substrate processing apparatus while maintaining a predetermined arm length. Therefore, the transfer robot does not perform complex movements to extend and contract joints.
  • the thin film which may be attached to the transport robot can be peeled off with a simple configuration. Can be carried out to reduce the
  • FIG. 1 is a schematic plan view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • 1 is a schematic side view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. It is the perspective schematic showing the conveyance state of the board
  • FIG. 5A shows the conveyance state of the board
  • FIG. 8A showing the conveyance state of the board
  • FIG. 11A showing the conveyance state of the board
  • FIG. 1 is a schematic view of a conventional cluster tool type multi-chamber substrate processing apparatus.
  • One embodiment of the present invention is an in-line type substrate processing apparatus including at least two chambers such as an evacuable vacuum chamber (e.g., a process chamber capable of performing a predetermined process on a substrate). At least two adjacent ones of them each include a transfer robot having an arm on which a substrate holding portion capable of holding a substrate is formed.
  • the transfer robot is configured such that an arm is rotatable about a predetermined position (rotational axis serving as a rotation center) in a chamber. That is, the transport robot is configured such that the arm configured to extend in the direction perpendicular to the rotation axis rotates in a plane perpendicular to the rotation axis.
  • the substrate holder formed on the arm by the rotation also rotates around the rotation axis in the same manner as the arm.
  • the transfer robot is configured to perform the above-mentioned rotational movement while maintaining the arm length.
  • the length from the rotation center of the transfer robot to the farthest point from the rotation center of the substrate holding unit is referred to as an arm length.
  • the process chamber provided with the transfer robot has a first position at which the substrate is positioned when performing a predetermined process on the substrate and transferring the substrate to another process chamber, and the first position And a second position which is a separate position.
  • the transfer robot can operate to stop the substrate holder on the first position and the second position, and move between the first position and the second position, as desired. That is, the transfer robot operates such that the substrate holding unit is retracted to the second position when performing predetermined processing in the process chamber, and the substrate holding unit is disposed at the first position when transferring the substrate. can do.
  • the second position may be a position where the evacuation port is disposed in the vicinity thereof.
  • a line segment connecting the rotation axis and a predetermined point (for example, the center of the substrate holding surface) in the substrate holding surface of the substrate holding portion is a radius
  • the first arc is centered on the rotation axis.
  • the rotation axis, the first position, and the second position are positioned such that the second position and the second position are located. That is, the rotation axis, the first position, and the first position and the second position so that both the first position and the second position overlap the trajectory of the substrate holding unit when the arm rotates about the rotation axis.
  • the second position is positioned.
  • an opening is formed in each of the two adjacent process chambers, and the two adjacent process chambers are arranged in tandem so that the substrate can be moved back and forth through the openings. That is, the two adjacent process chambers are arranged to share an opening with each other.
  • the transfer robot for the process chamber (downstream process chamber) on the downstream side in the direction of substrate transfer in the in-line method is the process chamber on the upstream side in the above direction via the opening. It is configured to be able to enter the (upstream process chamber).
  • the upstream process chamber is a position corresponding to the first position (a “third position” viewed from the downstream process chamber to distinguish it from the first position of the downstream process chamber). (Sometimes called).
  • the substrate holder of the transfer robot in the downstream process chamber can be positioned on the third position of the upstream process chamber. That is, both the first position and the second position of the downstream process chamber, and the third position (when viewed from the downstream process chamber) of the upstream process chamber correspond to the substrate holder (arm) of the downstream process chamber.
  • the downstream process chamber and the upstream process chamber are configured so as to overlap with the trajectory of the substrate holding unit as it rotates about the rotation center.
  • the transfer robot of the downstream process chamber is configured such that the substrate holding unit of the downstream process chamber is the upstream process chamber via the openings of the upstream process chamber and the downstream process chamber. And arrange the substrate processed in the upstream process chamber on the transfer robot provided in the downstream process chamber by rotating the arm of the downstream process chamber so as to be positioned on the third position. can do.
  • the upstream process chamber is a transport robot similar to the transport robot of the downstream process chamber, and a position corresponding to the second position (as viewed from the downstream process chamber to distinguish it from the second position of the downstream process chamber). Can be referred to as “the fourth position”.
  • the third position and the fourth position overlap with the trajectory of the substrate holding portion formed on the arm when the arm of the transfer robot provided in the upstream process chamber rotates about the rotation axis of the arm. It is needless to say that it is positioned.
  • the transfer robot can be retracted to a position where an evacuation port separate from the substrate being applied is disposed in the vicinity thereof.
  • the second position is the arm retracted position
  • the first position is the substrate mounting position and the substrate transfer position
  • the operating position of the arm of the transfer robot will be described.
  • the arm retracted position as the second position, when processing such as film formation or etching is performed on a substrate in a process chamber provided in the substrate processing apparatus, the transfer robot to the processing performed on the substrate is performed. It refers to the retracted position of the transport robot to avoid film adhesion, erosion, and the like. That is, it is a position separate from the position (substrate holder or the like) at which the substrate is disposed during processing, and is a position for retracting the transport robot at least during processing.
  • the evacuation port may be arranged near the second position.
  • the second position is a position where an evacuation port for evacuating the transfer robot at least during processing is disposed in the vicinity thereof.
  • the substrate mounting position as the first position is the position of the substrate when processing is performed on the substrate in the process chamber, that is, on the holder in the process chamber in which the transfer robot is disposed.
  • the substrate transfer position as the third position viewed from the transfer robot disposed in the downstream process chamber is, for example, adjacent to the substrate in the upstream process chamber which is located on the upstream side of the predetermined processing.
  • the transport robot of the downstream process chamber transfers the substrate onto the holder (substrate mounting position) in the next downstream process chamber, the position at which the substrate is disposed in the upstream process chamber is said. Therefore, for the adjacent process chamber, the substrate transfer position of the process chamber viewed from the downstream side is the substrate mounting position of the process chamber viewed from the upstream side.
  • a transfer position), a second position of the downstream process chamber (arm retracted position), and a third position of the upstream process chamber (substrate transfer position) are provided. Therefore, by simply rotating the arm of the downstream process chamber, the substrate at the substrate transfer position of the upstream process chamber can be transported to the substrate mounting position of the downstream process chamber, and the transport robot of the downstream process chamber can be During processing of the substrate, the evacuation port can be retracted to a position located in the vicinity thereof, apart from the substrate subjected to the processing.
  • adhesion of particles due to the film peeling to the transport robot can be reduced.
  • adhesion of the etching gas and the etchant to the transfer robot is also reduced, so that the erosion of the transfer robot can be reduced.
  • the substrate transfer from the upstream process chamber to the downstream process chamber is realized in a simple configuration, in the processing on the substrate in the downstream process chamber, the processing of the upstream process chamber is performed.
  • the arm of the transfer robot may be configured to have joints or be configured to be jointless.
  • the arm length is maintained in consideration of providing the first position and the second position on the track of the substrate holder without causing the complication of the apparatus.
  • the arm (substrate holding unit) is rotated by the transfer robot. Therefore, although the arm of the transfer robot may have no joints or have joints, if the arms are jointless, the structure of the transfer robot can be further simplified, so it is possible to use an unjointed arm. More preferable.
  • the configuration of the process chamber as an example of the chamber in the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention is not particularly limited, and can be appropriately selected according to the content of the process. You may have only the function.
  • a (substrate) holder for mounting and holding a substrate on the upper surface and a target arranged to face the holder are provided in the process chamber.
  • a vacuum exhaust port for exhausting the process chamber and a gas introduction system for introducing a process gas into the process chamber are provided.
  • a magnet unit for achieving a magnetron discharge is arranged.
  • a process gas such as argon is introduced, and a negative high voltage or direct current voltage is applied to the target to cause sputtering discharge.
  • the material released from the target by sputtering reaches the substrate, and a predetermined thin film is formed on the surface of the substrate.
  • a (substrate) holder and an electrode for forming plasma are provided in the process chamber.
  • a vacuum exhaust port for evacuating the process chamber, a gas introduction system for introducing a source gas into the process chamber, and a high frequency power supply for applying a high frequency voltage to the electrodes to generate a high frequency discharge are provided.
  • a gas phase reaction occurs in the source gas in the plasma generated by the high frequency discharge, and a thin film is formed on the surface of the substrate.
  • a gas having an etching action such as a fluorine-based gas
  • a gas having an etching action is introduced into the process chamber although it has substantially the same configuration as plasma chemical vapor deposition.
  • Etching of the surface of the substrate is performed utilizing the action of fluorine active species and the like generated in plasma.
  • the arm of the transfer robot that transfers the substrate to the heat source of the holder and the heated substrate has a jointless structure, and it is considered against defects in the transfer system due to heat and contamination in vacuum such as grease. .
  • FIG. 1 is a schematic plan view of a process chamber 1 provided in a substrate processing apparatus 2 according to an embodiment of the present invention.
  • the process chamber 1 will be referred to as a first process chamber 1 for the sake of description.
  • any configuration described above can be adopted as the configuration required as the process chamber.
  • the first process chamber 1 is in communication with an exhaust chamber 3 having an evacuation port 9.
  • the first process chamber 1 is opened and closed by an opening 20 shared with an arm 4 of a transfer robot for transferring a substrate (not shown), a shutter arm 5 and an adjacent second process chamber (not shown)
  • a substrate lift mechanism 8 for positioning the substrate.
  • a substrate holding unit 4a is formed on an arm 4 of the transfer robot, and the arm 4 is configured to be capable of rotational movement about a rotation axis 4b as a rotation center.
  • the second position (arm retracted position) is provided in the exhaust chamber 3, and the holder 7 is at the first position (the substrate mounting position for the first process chamber 1).
  • the substrate transfer position is for the process chamber located downstream of the process chamber.
  • the arm retracted position and the position of the holder 7 are positioned so as to overlap with the path of the substrate holding portion 4a when the arm 4 of the transfer robot rotates about the rotation axis 4b. Further, since it is necessary to allow the substrate holding unit 4a of the arm 4 of the transfer robot to enter a process chamber (upstream process chamber) provided on the opening 20 side, the opening 20 is also positioned on the track of the substrate holding unit 4a. Let Therefore, the substrate holding unit 4a in the arm retracted position can be disposed on the holder 7 simply by rotating the arm 4 of the transfer robot about the rotating shaft 4b, and the upstream process chamber and the first process chamber The substrate can be transported between the two.
  • FIG. 2 is a schematic side view of the process chamber 1 constituting the substrate processing apparatus 2 of FIG.
  • the drive unit 16 of the arm (4 shown in FIG. 1) of the transfer robot for transferring the substrate (not shown) is a holder (7 shown in FIG. 1) centered on the rotation axis (corresponding to the rotation shaft 4b) of the drive unit.
  • the rotation mechanism, the adjustment mechanism, the detection mechanism, and the like are electrically connected to each other including the respective process chambers, and are controlled by a control system (not shown).
  • diagrams XA are schematic perspective views showing the transport state of the substrate 14 by the substrate processing apparatus 2 according to the present embodiment, and diagrams XB (XB to 3C).
  • X: 3 to 12) shows a side schematic view of FIG. XA (X: 3 to 12).
  • the first process chamber 1 provided in the substrate processing apparatus 2 is opened via an opening (not shown) where the gate valve 6 opens and closes. It represents a configuration in which the second process chamber 15 is adjacent.
  • the direction in which the substrate is transported in the inline method is the second process chamber 15.
  • the first process chamber 1 is a downstream process chamber
  • the second process chamber 15 is an upstream process chamber.
  • the opening of the first process chamber 1 and the opening 21 of the second process chamber 15 are disposed so as to overlap with each other.
  • the arm 4 of the transfer robot in the second process rotates around the rotation axis 4 b, whereby the substrate holding portion 4 a possessed by the arm 4 of the transfer robot in the first process chamber 1 is transferred through the openings 20 and 21 to the second process. It can be moved into the chamber 15 and placed so as to overlap the holder 7 (third position) of the second process chamber 15.
  • the arm retracted position of the first process chamber 1 in addition to the arm retracted position of the first process chamber 1, the position of the holder 7, and the position of the opening 20, the arm retracted position of the second process chamber 15 and the holder 7
  • the position and the position of the opening 21 are also positioned so as to overlap with the track of the substrate holding unit 4a when the arm 4 of the transfer robot of the first process chamber 1 rotates about the rotation axis 4b.
  • the substrate 14 is at the substrate mounting position in the second process chamber 15, and, for example, after the film forming process is completed in the second process chamber 15, the adjacent process chamber is It is in the state of being transported.
  • FIGS. 3A to 12B show the transfer of the substrate 14 from the second process chamber 15 to the first process chamber 1, the arm 4 of the first process chamber 1 is shown in FIG. 3A or 3B.
  • the substrate 14 is at a substrate transfer position as a position.
  • the arm 4 of the first process chamber 1 transfers the substrate 14 of the second process chamber 15 to place the substrate 14 at the substrate mounting position, and The operation of the arm retracted position for retracting the arm 4 when processing the substrate 14 in the process chamber 1 will be sequentially described.
  • the arm 4 of the transfer robot in the first process chamber 1 stands by at the arm retracted position of the first process chamber 1. That is, at this time, the arm 4 for transporting the substrate 14 is disposed in the exhaust chamber 3. Further, the substrate 14 is placed on the holder 7 of the adjacent second process chamber 15.
  • the substrate lift mechanism 8 is not operated (hereinafter, the state where the substrate lift mechanism 8 is operated and the pin supporting the substrate is protruded above the holder 7 is referred to as UP, and the state not projected is referred to as DOWN).
  • UP the state where the substrate lift mechanism 8 is operated and the pin supporting the substrate is protruded above the holder 7
  • DOWN the state not projected
  • a state in which the gate valve 6 blocks the openings 20 and 21 between the first process chamber 1 and the second process chamber 15 is referred to as CLOSE, and a state not closed is referred to as OPEN).
  • the arm 4 of the transfer robot of the first process chamber 1 which is the downstream process chamber is moved from the arm retracted position to move the substrate 14 from the second process chamber 15 which is the adjacent upstream process chamber. Shows the process of going out.
  • the gate valve 6 is open, and the arm 4 in the first process chamber 1 is rotated to a position where it passes through the gate valve 6.
  • FIG. 5A or 5B shows a state in which the substrate lift mechanism 8 is operated on the substrate 14 placed on the holder 7 of the adjacent second process chamber 15 to make the pins 17 UP.
  • FIGS. 6A and 6B show the substrate holding portion 4a of the arm 4 of the transfer robot in the first process chamber 1, the holder 7 of the adjacent second process chamber 15, and the substrate 14 supported by the pins 17.
  • the pin 17 supports the substrate 14 at three points, but the substrate holding portion 4 a which is a portion on which the substrate 14 of the arm 4 is placed is U-shaped. Therefore, the arm 4 of the transfer robot in the first process chamber 1 moves (rotates) horizontally, and the substrate holding portion 4a of the arm 4 of the transfer robot is the substrate 14 and the holder as shown in FIGS. 6A and 6B. Even if it rotates to between seven, it does not collide because three pins 17 can be avoided.
  • the substrate lift mechanism 8 of the adjacent second process chamber 15 is operated to set the pin 17 to DOWN, and the substrate lifter 8 of the arm 4 of the transfer robot in the first process chamber 1 is placed on the substrate holder 4a.
  • substrate 14 was mounted is shown.
  • FIGS. 8A and 8B shows a process of transferring the substrate 14 from the adjacent second process chamber 15 to the first process chamber 1.
  • the arm 4 carrying the substrate 14 rotates to the position of FIGS. 8A and 8B, and the gate valve 6 CLOSEs. At this time, the arm 4 may be temporarily put on standby.
  • 9A or 9B shows a state in which the arm 4 for transporting the substrate 14 has been rotated to the substrate mounting position on the holder 7 of the first process chamber 1, that is, stopped.
  • the substrate 14 on the substrate holding portion 4a of the arm 4 of the transfer robot in the first process chamber 1 is raised by using the substrate lift mechanism 8 of the first process chamber 1 with the pins 17 UP.
  • the state in which the pin 17 is in contact with the substrate 14 is shown.
  • 11A or 11B shows a state in which the arm 4 of the transfer robot in the first process chamber 1 is rotated to the exhaust chamber 3 and disposed at the arm retracted position, and the substrate 14 is supported by the pins 17. That is, the drive unit 16 rotates the arm 4 such that the arm 4 of the first process chamber is accommodated in the exhaust chamber 3 which is the arm retracted position.
  • the substrate lift mechanism 8 of the first process chamber 1 operates to turn the pin 17 down, and the substrate 14 is mounted on the holder 7 which is the substrate mounting position of the first process chamber 1. Show the condition. Thereafter, for example, the film forming process is started in the first process chamber 1.
  • the arm 4 of the transfer robot when the film forming process is performed on the substrate 14 placed on the holder 7 of the first process chamber 1, the arm 4 of the transfer robot is disposed in the exhaust chamber 3 which is the arm retracted position. . Therefore, the arm 4 of the transfer robot can be less susceptible to the film peeling off of the film formed on the substrate 14.
  • FIG. 13 shows another embodiment of the substrate processing apparatus 2 of the present invention.
  • the substrate processing apparatus 2 is provided with eleven process chambers 1 in a row, and is configured to be transported to sequentially process the substrates in each process chamber.

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Abstract

本発明は、簡便な構成で、膜剥がれによるパーティクルの影響を低減可能な、多くの処理チャンバーの設置を可能にするインライン方式のマルチチャンバー基板処理装置を提供する。本発明の一実施形態では、無関節で所定のアーム長を維持したまま回転運動を行う、基板保持部４ａを有する搬送ロボットのアーム（４）が、真空排気が可能な第１のプロセス室（１）の内部に配置されている。第１のプロセス室（１）は、開口部２０を介して搬送ロボットのアーム（４）により隣接する第２のプロセス室（１５）から基板を移送可能に構成されている。アーム退避位置および基板載置位置としてのホルダー（７）は、搬送ロボットのアーム（４）が回転軸４ｂを中心に回転する時の基板保持部４ａの軌道と重なるように位置決めされている。

Description

基板処理装置
　本発明は、基板の表面に所定の処理を施す基板処理装置に関する。
　基板に対し所定の処理を施す基板処理装置は、スパッタリング装置や化学蒸着（ＣＶＤ）装置等の薄膜作製装置、エッチング装置、表面酸化装置、表面窒化装置等として知られている。このような基板処理装置は、所定の雰囲気中で基板の処理を行うため、気密な処理チャンバーを備えている。そして、基板処理装置は、異なる処理を連続的に行ったり、生産性を高めたりする目的から、複数の処理チャンバーを備えることが多い。このように複数の処理チャンバー（プロセス室）を備えた基板処理装置を、本明細書では、マルチチャンバー基板処理装置と総称する。
　マルチチャンバー基板処理装置の一つの典型的なタイプは、図１４に示すようなクラスターツール型である。このタイプは、基板搬送用のロボット（以下、搬送ロボットという）を備えたトランスファ室１１の周囲に複数の真空処理室１３a、１３ｂ、１３ｃやロードロック室１０を気密に接続した構成である。
　ロードロック室１０が大気から真空に排気された後、トランスファ室１１の搬送ロボット１２により不図示の基板が真空処理室１３aに搬送される。真空処理室１３ａにてプロセス処理後、トランスファ室１１の搬送ロボット１２により不図示の基板が真空処理室１３ｂに搬送される。真空処理室１３ｂにてプロセス処理後、トランスファ室１１の搬送ロボット１２によって不図示の基板が真空処理室１３ｃに搬送される。真空処理室１３ｃにてプロセス処理後、トランスファ室１１の搬送ロボット１２により不図示の基板が搬出され、元のロードロック室１０に戻る。
　このクラスターツール型のマルチチャンバー基板処理装置は、比較的小さな占有面積において比較的多くの処理チャンバーを設けることができるメリットがある。上述した基板処理装置において、プロセス全体の複雑化や統合化、生産性の向上等の要請を背景として、さらに多くの処理チャンバーを設ける必要性が生じている。
　例えば、真空中で連続して行うべき処理が多くなると、その分だけ処理チャンバーの数も多くしなければならない。また、生産性の向上のため、同じ処理を並行して行うようにすると、やはりさらに多くの処理チャンバーが必要になる。
　クラスターツール型の装置において処理チャンバーをさらに多くしようとすると、中央のトランスファ室（図１４図示　符号１１）の周長が長くなってしまう。このため、トランスファ室が大きくなり、この結果、搬送ロボットの稼働範囲も大きくなってしまう。トランスファ室が大きくなると、排気に要する時間が長くなる問題がある。一方、搬送ロボットの稼働範囲が大きくなると、より大型の搬送ロボットが必要になって機構的に複雑になる問題がある。
　このような問題を避ける構成として、特許文献１に開示されているように、基板をインライン方式で搬送する構成が考えられている。
特開２００５-２８９５５６号公報
　しかし、従来のインライン方式のマルチチャンバー基板処理装置では、処理チャンバー間の基板の搬送の際に基板を基板トレイに搭載した搬送が一般的である。所定の処理を行っている各処理チャンバーでは、基板の搬送部材としての基板トレイも基板を搭載しつつ、該基板と共に処理チャンバー内に存在することになる。従って、例えば成膜処理等においては、基板に形成された膜からの膜剥がれによりパーティクルが発生することがあり、該パーティクルが基板トレイに付着することがある。従って、従来では、基板トレイに付着した膜剥がれによるパーティクル対策が必要であった。
　本願発明は、このような課題を解決するために成されたものであり、簡便な構成で、膜剥がれによるパーティクルの影響を低減可能な、多くの処理チャンバーの設置を可能にするインライン方式のマルチチャンバー基板処理装置を提供することを目的とするものである。
　このような目的を達成するために、本発明は、チャンバーを少なくとも２つ備える基板処理装置であって、基板を保持可能な基板保持部を含むアームであって、回転軸と垂直方向に延在し、該回転軸を中心に前記アームの長さを維持したまま回転可能なアームを有する搬送ロボットと、基板に対して所定の処理を施す際および隣接するチャンバーに基板を移送する際に基板を位置させる第１の位置と、該第１の位置とは異なる第２の位置と、第１の開口部とを有する第１のチャンバーと、前記第１のチャンバーの前記基板処理装置の基板の移送される方向の上流側において、前記第１のチャンバーに隣接して設けられた第２のチャンバーであって、前記第１のチャンバーに基板を移送する際に基板を位置させる第３の位置、および第２の開口部を有する第２のチャンバーとを備え、前記第１の開口部および第２の開口部は、該第１の開口部および第２の開口部を介して前記第２のチャンバーから前記第１のチャンバーに基板が移送されるように設けられており、前記第１の位置、前記第２の位置、前記第３の位置、前記第１の開口部、および前記第２の開口部はそれぞれ、前記アームが前記回転軸を中心に回転する時の前記基板保持部の軌道と重なるように位置決めされており、前記搬送ロボットは、前記第１のチャンバーにおいて基板に対して所定の処理を施す際には前記第２の位置上に前記基板保持部が位置するように、かつ前記第２のチャンバーから前記第１のチャンバーに基板を移送する際には前記第１の開口部および前記第２の開口部を介して前記基板保持部が前記第２のチャンバーに進入し、前記第３の位置上に前記基板保持部が位置するように前記アームを回転するように構成されていることを特徴とする。
　本発明の基板処理装置によれば、従来のインライン方式のマルチチャンバー型基板処理装置に使用されていた基板搬送用のトレイを使用する必要が無い。本発明では、基板処理装置が備える各チャンバー（例えば、排気可能な真空室等）に、所定のアーム長を維持したまま、基板を水平に移動させる回転運動を行う搬送ロボットを搭載する。従って、搬送ロボットが関節を伸縮する複雑な運動をすることが無い。また、縦列するチャンバー間で基板を搬送する際に、アームが有する基板保持部の回転軌道上に動作位置があるため、簡便な構成にて、搬送ロボットに付着する可能性のある薄膜の膜はがれを低減させて基板の搬送を行うことができる。
本願発明の実施形態の基板処理装置の平面概略図である。 本願発明の実施形態の基板処理装置の側面概略図である。 本願発明の実施形態の基板処理装置による基板の搬送状態を表す斜視概略図である。 本願発明の実施形態の基板処理装置による基板の搬送状態を表す図３Ａの側面概略図である。 本願発明の実施形態の基板処理装置による基板の搬送状態を表す斜視概略図である。 本願発明の実施形態の基板処理装置による基板の搬送状態を表す図４Ａの側面概略図である。 本願発明の実施形態の基板処理装置による基板の搬送状態を表す斜視概略図である。 本願発明の実施形態の基板処理装置による基板の搬送状態を表す図５Ａの側面概略図である。 本願発明の実施形態の基板処理装置による基板の搬送状態を表す斜視概略図である。 本願発明の実施形態の基板処理装置による基板の搬送状態を表す図６Ａの側面概略図である。 本願発明の実施形態の基板処理装置による基板の搬送状態を表す斜視概略図である。 本願発明の実施形態の基板処理装置による基板の搬送状態を表す図７Ａの側面概略図である。 本願発明の実施形態の基板処理装置による基板の搬送状態を表す斜視概略図である。 本願発明の実施形態の基板処理装置による基板の搬送状態を表す図８Ａの側面概略図である。 本願発明の実施形態の基板処理装置による基板の搬送状態を表す斜視概略図である。 本願発明の実施形態の基板処理装置による基板の搬送状態を表す図９Ａの側面概略図である。 本願発明の実施形態の基板処理装置による基板の搬送状態を表す斜視概略図である。 本願発明の実施形態の基板処理装置による基板の搬送状態を表す図１０Ａの側面概略図である。 本願発明の実施形態の基板処理装置による基板の搬送状態を表す斜視概略図である。 本願発明の実施形態の基板処理装置による基板の搬送状態を表す図１１Ａの側面概略図である。 本願発明の実施形態の基板処理装置による基板の搬送状態を表す斜視概略図である。 本願発明の実施形態の基板処理装置による基板の搬送状態を表す図１２Ａの側面概略図である。 本願発明の他の実施形態の構成を示す斜視概略図である。 従来のクラスターツール型のマルチチャンバー基板処理装置の概略図である。
　以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明するが、本発明は本実施形態に限定されるものではない。なお、以下で説明する図面で、同機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明を省略することもある。
　本発明の一実施形態は、排気可能な真空室（例えば、基板に対して所定の処理を実行可能なプロセス室）といったチャンバーを少なくとも２つ備えるインライン方式の基板処理装置であって、これらチャンバーのうちの互いに隣接する少なくとも２つはそれぞれ、基板を保持可能な基板保持部が形成されたアームを有する搬送ロボットを備えている。該搬送ロボットは、アームがチャンバー内の所定の位置（回転中心となる回転軸）を中心に回転可能に構成されている。すなわち、上記回転軸と垂直方向に延在するように構成されたアームが、該回転軸と垂直方向の面内で回転運動するように搬送ロボットは構成されている。従って、該回転によりアームに形成された基板保持部も上記回転軸を中心にアームと同様に回転する。また、搬送ロボットは、アーム長を維持したまま上記回転運動をするように構成されている。
　以下では、チャンバーとしてプロセス室を用いる場合について説明する。
　なお、本明細書では、搬送ロボットの回転中心から、基板保持部の該回転中心から最も遠い点までの長さをアーム長と呼ぶことにする。
　また、上記搬送ロボットを備えるプロセス室は、その内部に、基板に所定の処理を施す際および基板を他のプロセス室に移送する際に基板を位置させる第１の位置と、該第１の位置とは別個の位置である第２の位置とを有している。上記搬送ロボットは、所望に応じて、基板保持部が第１の位置および第２の位置上に停止し、かつ第１の位置および第２の位置間を移動するように動作することができる。すなわち、搬送ロボットは、プロセス室内にて所定の処理を行う際には、基板保持部が第２の位置に退避され、基板の移送時には基板保持部が第１の位置に配置されるように動作することができる。　
　なお、上記第２の位置は、真空排気用ポートをその近傍に配置した位置であっても良い。
　ここで、上記回転軸と基板保持部の基板保持面中の所定の点（例えば、基板保持面の中心）とを結ぶ線分を半径とし、上記回転軸を中心とした円弧上に上記第１の位置および第２の位置が位置するように上記回転軸、第１の位置、および第２の位置を位置決めする。すなわち、第１の位置および第２の位置の双方が、上記回転軸を中心にアームが回転するときの基板保持部の軌道（軌跡）と重なるように、上記回転軸、第１の位置、および第２の位置が位置決めされている。
　また、上記隣り合う２つのプロセス室にはそれぞれ開口部が形成されており、該開口部を介して基板を行き来できるように、該隣り合う２つのプロセス室は縦列に配置されている。すなわち、上記隣り合う２つのプロセス室は、互いに開口部を共有するように配置されている。また、上記隣り合う２つのプロセス室のうち、インライン方式において基板が移送される方向の下流側のプロセス室（下流プロセス室）の搬送ロボットは、開口部を介して上記方向の上流側のプロセス室（上流プロセス室）に進入できるように構成されている。
　本発明の一実施形態では、上流プロセス室は、上記第１の位置に相当する位置（下流プロセス室の第１の位置と区別するために、下流プロセス室から見て“第３の位置”と呼ぶこともある）を有している。上記下流プロセス室の搬送ロボットの回転により、該下流プロセス室の搬送ロボットが有する基板保持部を上記上流プロセス室の第３の位置上に位置させることができる。すなわち、上記下流プロセス室の第１の位置および第２の位置の双方、ならびに上流プロセス室の第３の位置（下流プロセス室から見た場合）が、上記下流プロセス室の基板保持部（アーム）が回転中心を中心に回転するときの該基板保持部の軌道と重なるように、上記下流プロセス室および上流プロセス室は構成されている。
　よって、上流プロセス室から下流プロセス室に基板を移送する際、上記下流プロセス室の搬送ロボットは、該下流プロセス室の基板保持部が上流プロセス室および下流プロセス室の開口部を介して上流プロセス室内に進入し、上記第３の位置上に位置するように、下流プロセス室のアームを回転することで、上流プロセス室にて処理が施された基板を、下流プロセス室が備える搬送ロボット上に配置することができる。
　なお、上記上流プロセス室は、下流プロセス室の搬送ロボットと同様の搬送ロボット、および上記第２の位置に相当する位置（下流プロセス室の第２の位置と区別するために、下流プロセス室から見て“第４の位置”と呼ぶこともある）を有することができる。このとき、第３の位置および第４の位置は、上流プロセス室が備える搬送ロボットのアームが該アームの回転軸を中心に回転する時の、該アームに形成された基板保持部の軌道と重なるように位置決めされていることは言うまでもない。
　本発明の一実施形態では、上述のように、該第２の位置を、基板の処理時や移送時に基板が位置する第１の位置と別個に設けているので、所定の処理中において処理が施されている基板と別個の、真空排気用ポートをその近傍に配置した位置に搬送ロボットを退避することができる。
　よって、本発明の一実施形態では、上記第２の位置がアーム退避位置であり、上記第１の位置が基板載置位置および基板移送位置である。
　ここで、搬送ロボットのアームの動作位置について、それぞれ説明する。
　まず、第２の位置としてのアーム退避位置とは、基板処理装置が備えるプロセス室内の基板に対して、成膜やエッチング等の処理を実施する場合、基板に施された処理による搬送ロボットへの膜付着や侵食等を回避するための搬送ロボットの退避位置をいう。すなわち、処理中において基板が配置される位置（基板ホルダーなど）とは別個の位置であり、少なくとも処理中において搬送ロボットを退避するための位置である。なお、第２の位置の近傍に真空排気用ポートを配置しても良い。この場合は、第２の位置は、少なくとも処理中において搬送ロボットを退避するための、真空排気用ポートをその近傍に配置した位置となる。
　次に、第１の位置としての基板載置位置とは、プロセス室内で基板に対して処理を実施するときの基板の位置であり、すなわち、搬送ロボットが配置されているプロセス室内にあるホルダー上のことをいう。
　最後に、下流プロセス室に配置した搬送ロボットから見た第３の位置としての基板移送位置とは、例えば、所定の処理がその上流側にある上流プロセス室内の基板に対して終了して、隣接する次の下流プロセス室内のホルダー（基板載置位置）上にその基板を下流プロセス室の搬送ロボットが移送する際に、上流プロセス室において基板が配置されている位置をいう。従がって、隣接するプロセス室にとっては、下流側から見たプロセス室の基板移送位置は上流側から見たプロセス室の基板載置位置となる。
　このように、本発明の一実施形態では、下流プロセス室の搬送ロボットの、アーム長が変化しない状態における基板保持部の軌道上に、下流プロセス室の第１の位置（基板載置位置および基板移送位置）、下流プロセス室の第２の位置（アーム退避位置）、および上流プロセス室の第３の位置（基板移送位置）を設けている。従って、下流プロセス室のアームを単に回転させるだけで、上流プロセス室の基板移送位置にある基板を、下流プロセス室の基板載置位置に搬送することができ、かつ下流プロセス室の搬送ロボットを、基板への処理中において、該処理が施されている基板とは離して真空排気用ポートをその近傍に配置した位置に退避させることができる。従って、例えば成膜処理において基板に形成された膜から膜剥がれが起きても、該膜剥がれによるパーティクルが搬送ロボットに付着するのを低減することができる。また、例えばエッチング処理においては、エッチングガスやエッチャントが搬送ロボットに付着することも低減されるので、搬送ロボットの侵食を低減することもできる。
　このように、本発明の一実施形態では、簡単な構成において、上流プロセス室から下流プロセス室への基板搬送を実現しつつ、下流プロセス室における基板への処理においては、上流プロセス室の該処理による影響を受け難くすることができる。
　なお、本発明の一実施形態では、搬送ロボットのアームは、関節を有する構成でも無関節の構成でも良い。上述のように、本発明の一実施形態では、装置の複雑化を招かずに基板保持部の軌道上に第１の位置および第２の位置を設けることを考慮すると、アーム長を維持したまま搬送ロボットによりアーム（基板保持部）を回転させることが好ましい。よって、搬送ロボットのアームは無関節であっても関節を有しても良いが、アームが無関節である場合は、搬送ロボットの構成をより簡略化できるので、無関節のアームを用いることはさらに好ましい。
　また、本発明の一実施形態の基板処理装置におけるチャンバーの一例としてのプロセス室の構成は、特に限定されず、処理の内容に応じて適宜選択することができ、上記チャンバーは例えば基板を搬送する機能のみ具備していてもかまわない。
　例えば、プロセス室でスパッタリング処理を行う場合、プロセス室内には、上面に基板を載置して保持する（基板）ホルダーと、ホルダーと対向するようにして配置されたターゲットとが設けられる。そして、プロセス室内を排気する真空排気用ポートと、プロセス室内にプロセスガスを導入するガス導入系が備えられる。
　ターゲットの背後には、マグネトロン放電を達成する磁石ユニットが配置される。アルゴン等のプロセスガスを導入して、ターゲットに負の高電圧又は直流電圧を印加してスパッタ放電を生じさせる。スパッタによってターゲットから放出された材料が基板に達して、その基板の表面に所定の薄膜が作製される。
　また、プロセス室でプラズマ化学蒸着（ＣＶＤ）により薄膜作製を行う場合、プロセス室内には、（基板）ホルダーと、プラズマを形成するための電極とが設けられる。プロセス室内を排気する真空排気用ポートと、プロセス室内に原料ガスを導入するガス導入系と、電極に高周波電圧を印加して高周波放電を生じさせる高周波電源とが備えられる。高周波放電により生じたプラズマ中で原料ガスに気相反応が生じ、基板の表面に薄膜が作製される。
　さらには、プロセス室でプラズマエッチングを行う場合、プラズマ化学蒸着とほぼ同様の構成であるが、プロセス室内に例えばフッ素系ガス等のエッチング作用のあるガスを導入するよう構成される。プラズマ中で生成されたフッ素活性種等の作用を利用して基板の表面のエッチングが行われる。
　また、ホルダーや加熱された基板の熱源に対し、基板を搬送する搬送ロボットのアームは関節が無い構造を採り、熱による搬送系の不具合、及びグリース等の真空内の汚染に対し考慮されている。
　本発明の一実施形態に係る基板処理装置およびその動作について以下で具体的に説明する。
　図１は、本発明の一実施形態の基板処理装置２が備えるプロセス室１の平面概略図を示す。なお、以下、説明上、プロセス室１を第１のプロセス室１と呼ぶこととする。また、プロセス室として必要な構成については、上述のいかなる構成も採用することができる。
　第１のプロセス室１は、真空排気用ポート９を具備する排気室３と連通している。第１のプロセス室１内には、基板（不図示）を搬送する搬送ロボットのアーム４と、シャッター用アーム５と、隣接する第２のプロセス室（不図示）と共有する開口部２０で開閉するゲートバルブ６と、基板（不図示）を載置するホルダー７と、基板（不図示）の受け渡し時にホルダー７上で基板（不図示）を支持するピン（不図示）と、前記ピンを上下させる基板リフト機構８とを配置している。上記搬送ロボットのアーム４には、基板保持部４ａが形成されており、該アーム４は、回転中心としての回転軸４ｂを中心に回転運動可能に構成されている。
　本実施形態では、排気室３中に第２の位置（アーム退避位置）が設けられており、ホルダー７が第１の位置（第１のプロセス室１にとっては基板載置位置であり、第１のプロセス室の下流側に位置するプロセス室にとっては基板移送位置である）となる。
　上記アーム退避位置およびホルダー７の位置は、搬送ロボットのアーム４が回転軸４ｂを中心に回転するときの基板保持部４ａの軌道と重なるように位置決めされている。また、開口部２０側に設けられたプロセス室（上流プロセス室）に搬送ロボットのアーム４の基板保持部４ａを進入させる必要があるので、開口部２０も上記基板保持部４ａの軌道上に位置させる。従って、単に搬送ロボットのアーム４を回転軸４ｂに回転させるだけで、アーム退避位置にある基板保持部４ａをホルダー７上に配置することができ、かつ上流プロセス室と第１のプロセス室との間で基板の搬送を行うことができる。
　図２は、図１の基板処理装置２を構成するプロセス室１における側面概略図を示す。基板（不図示）を搬送する搬送ロボットのアーム（図１図示　符号４）の駆動部１６には、駆動部の回転軸（回転軸４ｂに相当）を中心にして、ホルダー（図１図示　符号７）に平行な面内で基板を水平移動させる回転機構と、組立公差による隣接する第２のプロセス室（不図示）のホルダーとの中心位置のずれ量の調整機構とが設けられている。搬送中の基板ずれをセンサー(不図示)、またはＣＣＤ(不図示)にて検知し、基板ずれを補正することも可能である。　
　これらの回転機構、調整機構、検知機構等は、各プロセス室間も含め電気的に接続されており、不図示の制御系で制御されている。
　図３Ａから図１２Ｂのうち図ＸＡ（Ｘ：３～１２）は、本実施形態の基板処理装置２による基板１４の搬送状態を表す斜視概略図であり、図３Ａから図１２Ｂのうち図ＸＢ（Ｘ：３～１２）は、図ＸＡ（Ｘ：３～１２）の側面概略図を示す。図ＸＡ（Ｘ：３～１２）および図ＸＢ（Ｘ：３～１２）では、基板処理装置２が備える第１のプロセス室１に、ゲートバルブ６が開閉する不図示の開口部を介して、第２のプロセス室１５が隣接している構成を表している。なお、図３Ａ～図１２Ｂでは、第２のプロセス室１５にて処理された基板が第１のプロセス室１に搬送されるので、インライン方式において基板が搬送される方向は第２のプロセス室１５から第１のプロセス室１へと向う方向であり、第１のプロセス室１が下流プロセス室となり、第２のプロセス室１５が上流プロセス室となる。
　図３Ｂに示すように、第１のプロセス室１の開口部と第２のプロセス室１５の開口部２１とが重なるように配置されており、駆動部１６の駆動により、第１のプロセス室１の搬送ロボットのアーム４が回転軸４ｂを中心に回転することにより、第１のプロセス室１の搬送ロボットのアーム４が有する基板保持部４ａを、開口部２０、２１を介して第２のプロセス室１５内に移動させて、該第２のプロセス室１５のホルダー７（第３の位置）に重なるように配置することができる。従って、本実施形態では、第１のプロセス室１の、上記アーム退避位置、ホルダー７の位置、および開口部２０の位置に加え、第２のプロセス室１５の、上記アーム退避位置、ホルダー７の位置、および開口部２１の位置も、第１のプロセス室１の搬送ロボットのアーム４が回転軸４ｂを中心に回転するときの基板保持部４ａの軌道と重なるように位置決めされている。
　図３Ａまたは図３Ｂに示すように、基板１４は第２のプロセス室１５内で基板載置位置にあり、例えば、第２のプロセス室１５内で成膜処理の終了後、隣接するプロセス室に移送される状態にある。ただし、図３Ａから図１２Ｂでは、第２のプロセス室１５から第１のプロセス室１への基板１４の移送を表しているが、図３Ａまたは図３Ｂにおいて、第１のプロセス室１のアーム４から基板１４の位置を見た場合、基板１４は、位置としては基板移送位置にある。
　以下、図３Ａまたは図３Ｂより、第1のプロセス室１のアーム４が、第２のプロセス室１５の基板１４を移送して、基板載置位置に基板１４を載置する動作、及び、第１のプロセス室１内で基板１４を処理しているときにアーム４を退避させるアーム退避位置の動作について、順次説明する。
　図３Ａまたは図３Ｂは、第１のプロセス室１にある搬送ロボットのアーム４が第１のプロセス室１のアーム退避位置で待機している。すなわち、この時、基板１４を搬送するアーム４は排気室３に配置されている。また、基板１４は隣接する第２のプロセス室１５のホルダー７上に載置されている。基板リフト機構８は動作させず（以下、基板リフト機構８を動作させてホルダー７上に基板を支えるピンが突き出した状態をＵＰとし、突き出していない状態をＤＯＷＮという）、ゲートバルブ６はＣＬＯＳＥ（以下、第１のプロセス室１と第２のプロセス室１５間の開口部２０、２１をゲートバルブ６が塞いでいる状態をＣＬＯＳＥとし、塞いでいない状態をＯＰＥＮという）している。
　図４Ａまたは図４Ｂは、下流プロセス室である第１のプロセス室１の搬送ロボットのアーム４がアーム退避位置から移動して、隣接する上流プロセス室である第２のプロセス室１５から基板１４を搬出しに行く過程を示す。ゲートバルブ６がＯＰＥＮとなり、第１のプロセス室１にあったアーム４がゲートバルブ６を通過する位置まで回転している。
　図５Ａまたは図５Ｂは、隣接する第２のプロセス室１５のホルダー７上に載置された基板１４に対して基板リフト機構８を動作させてピン１７をＵＰにした状態を示す。
　図６Ａまたは図６Ｂは、第１のプロセス室１にある搬送ロボットのアーム４の基板保持部４ａを、隣接する第２のプロセス室１５のホルダー７と、ピン１７で支えられている基板１４の間まで回転した状態を示す。ここで、ピン１７は基板１４を三点で支持しているが、アーム４の基板１４が載置される部分である基板保持部４ａはＵ字の形状をしている。よって、第１のプロセス室１の搬送ロボットのアーム４が水平移動（回転して）をして、該搬送ロボットのアーム４の基板保持部４ａが図６Ａ、６Ｂに示すように基板１４とホルダー７の間まで回転しても三本のピン１７を回避できるため衝突することはない。
　図７Ａまたは図７Ｂは、隣接する第２のプロセス室１５の基板リフト機構８を動作させてピン１７をＤＯＷＮにし、第１のプロセス室１にある搬送ロボットのアーム４の基板保持部４ａ上に基板１４が載置された状態を示す。
　図８Ａまたは図８Ｂは、隣接する第２のプロセス室１５から第１のプロセス室１へ基板１４を搬送する過程である。基板１４を搬送するアーム４が図８Ａ、８Ｂの位置まで回転して、ゲートバルブ６がＣＬＯＳＥする。このときアーム４を一時待機させてもよい。
　図９Ａまたは図９Ｂは、基板１４を搬送するアーム４が、第１のプロセス室１のホルダー７上、すなわち基板載置位置まで回転し停止した状態を示す。
　図１０Ａまたは図１０Ｂは、第１のプロセス室１にある搬送ロボットのアーム４の基板保持部４ａ上の基板１４を、第１のプロセス室１の基板リフト機構８でピン１７をＵＰにして該ピン１７を基板１４に接触した状態を示す。
　図１１Ａまたは図１１Ｂは、第１のプロセス室１にある搬送ロボットのアーム４が排気室３まで回転してアーム退避位置に配置され、基板１４がピン１７に支持されている状態を示す。すなわち、駆動部１６は、第１のプロセス室のアーム４がアーム退避位置である排気室３内に収容されるように、上記アーム４を回転する。
　図１２Ａまたは図１２Ｂは、第１のプロセス室１の基板リフト機構８が動作してピン１７をＤＯＷＮにし、第１のプロセス室１の基板載置位置であるホルダー７に基板１４が載置された状態を示す。その後、例えば、第１のプロセス室１で成膜処理が開始される。
　本実施形態では、第１のプロセス室１のホルダー７に載置された基板１４に対して成膜処理を行う場合、搬送ロボットのアーム４はアーム退避位置である排気室３に配置されている。従って、搬送ロボットのアーム４について、基板１４に形成された膜の膜剥がれによる影響を受けにくくすることができる。
　図１３は、本発明の基板処理装置２の他の実施形態を示す。基板処理装置２はプロセス室１を縦列に１１基設けられており、各プロセス室内を順次基板に処理を施すため搬送されていく構成である。

Claims (5)

  1. 　チャンバーを少なくとも２つ備える基板処理装置であって、
    　基板を保持可能な基板保持部を含むアームであって、回転軸と垂直方向に延在し、該回転軸を中心に前記アームの長さを維持したまま回転可能なアームを有する搬送ロボットと、基板に対して所定の処理を施す際および隣接するチャンバーに基板を移送する際に基板を位置させる第１の位置と、該第１の位置とは異なる第２の位置と、第１の開口部とを有する第１のチャンバーと、
    　前記第１のチャンバーの前記基板処理装置の基板の移送される方向の上流側において、前記第１のチャンバーに隣接して設けられた第２のチャンバーであって、前記第１のチャンバーに基板を移送する際に基板を位置させる第３の位置、および第２の開口部を有する第２のチャンバーとを備え、
    　前記第１の開口部および第２の開口部は、該第１の開口部および第２の開口部を介して前記第２のチャンバーから前記第１のチャンバーに基板が移送されるように設けられており、
    　前記第１の位置、前記第２の位置、前記第３の位置、前記第１の開口部、および前記第２の開口部はそれぞれ、前記アームが前記回転軸を中心に回転する時の前記基板保持部の軌道と重なるように位置決めされており、
    　前記搬送ロボットは、前記第１のチャンバーにおいて基板に対して所定の処理を施す際には前記第２の位置上に前記基板保持部が位置するように、かつ前記第２のチャンバーから前記第１のチャンバーに基板を移送する際には前記第１の開口部および前記第２の開口部を介して前記基板保持部が前記第２のチャンバーに進入し、前記第３の位置上に前記基板保持部が位置するように前記アームを回転するように構成されていることを特徴とする基板処理装置。
  2. 　前記第３の位置は、基板に対して所定の処理を施す際および前記第１のチャンバーに基板を移送する際に基板を位置させる位置であり、
    　前記第２のチャンバーは、
    　基板を保持可能な第２の基板保持部を含む第２のアームであって、第２の回転軸と垂直方向に延在し、該第２の回転軸を中心に前記第２のアームの長さを維持したまま回転可能な第２のアームを有する第２の搬送ロボットと、
    　前記第３の位置とは異なる第４の位置とをさらに有し、
    　前記第３の位置、３および前記第４の位置はそれぞれ、前記第２のアームが前記第２の回転軸を中心に回転する時の前記第２の基板保持部の軌道と重なるように位置決めされていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 　前記第２の基板保持部を含む前記第２のアームが前記第２のチャンバーにおいて基板に対して所定の処理を施す際には、前記第２の基板保持部が前記第４の位置に位置することを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 　前記第２の位置又は前記第４の位置は、前記第１のチャンバー又は前記第２のチャンバーと連通する、真空排気用ポートが具備された排気室内に位置することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  5. 　前記アームは無関節であることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
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