CN102484090A - 基板处理设备 - Google Patents

基板处理设备 Download PDF

Info

Publication number
CN102484090A
CN102484090A CN2010800320211A CN201080032021A CN102484090A CN 102484090 A CN102484090 A CN 102484090A CN 2010800320211 A CN2010800320211 A CN 2010800320211A CN 201080032021 A CN201080032021 A CN 201080032021A CN 102484090 A CN102484090 A CN 102484090A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
arm
room
opening
processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2010800320211A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102484090B (zh
Inventor
田代征仁
中泽俊和
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Anelva Corp
Original Assignee
Canon Anelva Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Anelva Corp filed Critical Canon Anelva Corp
Publication of CN102484090A publication Critical patent/CN102484090A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102484090B publication Critical patent/CN102484090B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G49/00—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for
    • B65G49/05—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles
    • B65G49/07—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles for semiconductor wafers Not used, see H01L21/677
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67184—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the presence of more than one transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber

Abstract

本发明提供一种串列式多室基板处理设备，其具有简单的构造，能够降低膜剥离导致的粒子的影响，且能够安装多个处理室。在本发明的一个实施方式中，传送机器手的无关节的臂(4)布置在能够抽气的第一处理室(1)内，其中臂(4)具有基板保持部(4a)且在保持预定的臂长的状态下能执行转动运动。第一加工室(1)构造成能够通过传送机器手的臂(4)从邻接的第二加工室(15)经由开口(20)传送基板。作为臂退避位置和基板安装位置的保持件(7)以与当传送机器手的臂(4)绕转动轴(4b)转动时基板保持部(4a)的轨迹重叠的方式定位。

Description

基板处理设备
技术领域
本发明涉及一种用于在基板表面施加预定处理的基板处理设备。
背景技术
用于对基板执行预定处理的基板处理设备已知为例如溅射设备和化学气相沉积(CVD)设备的薄膜沉积设备、蚀刻设备、表面氧化设备、表面氮化设备和类似设备。为了在预定的气氛中处理基板，这些基板处理设备包括气密处理室。另外，基于连续执行不同的处理和提高生产率的目的，基板处理设备经常具有多个处理室。在本说明书中，这些具有多个处理室(加工室)的基板处理设备统称为多室基板处理设备。
多室设备的一个典型的类型是图14中示出的集群工具类型(cluster tool type)。这种类型被构造成将多个真空处理室13a、13b、13c和装载锁定室10气密地联接于传送室11的周围，该传送室11包括用于传送基板的机器手(以下称为传送机器手)。
在装载锁定室10从大气到被抽气至真空后，传送室11中的传送机器手12将基板(未示出)传送到真空处理室13a。在真空处理室13a中处理后，传送室11中的传送机器手12将基板(未示出)传送到真空处理室13b。在真空处理室13b中处理后，传送室11中的传送机器手12将基板(未示出)传送到真空处理室13c。在真空处理室13c中处理后，基板(未示出)被搬出并返回到装载锁定室10。
集群工具类型多室基板处理设备可具有以较小的占地面积设置较大量的处理室的优点。在需要提高生产率等的背景下，在上述的基板处理设备中，产生了在整个处理中以增加的复杂性和集成性提供更多的处理室的需求。
例如，随着在真空下连续执行的处理增加，可能同样需要相应增加多个处理室。当并行执行相同的处理以提高生产率时，同样需要更多的处理室。
为了在集群工具类型设备中增加处理室的数量，中心的传送室(图14中所示的附图标记11)的周长增加。这增加了传送室的尺寸，且导致了传送机器手的大的操作范围。传送室的大尺寸使得抽气时间较长。同时，传送室的大操作范围需要大尺寸的传送机器手，这产生了设备在机械上变得复杂的问题。
如在专利文献1中披露的一样，考虑一种用于通过串列式(in-line)系统传送基板的机构以避免上述问题。
专利文献1：日本特开2005-289556号公报
发明内容
然而，在传统的串列式多室基板处理设备中，当基板在处理室间传送时，一般执行安装在基板盘上的基板的传送。在执行预定处理每个处理室中，当安装基板时，与处理室中的基板一起，也存在作为基板传送构件的基板盘，因此，例如在成膜等处理中，从形成在基板上的膜剥离的膜可能导致粒子产生且粒子可能粘附在基板盘上。因此，在传统设备中，需要针对膜剥离导致的粒子粘附在基板盘上的对策。
为解决这些问题，设计了本发明，且本发明的目的在于提供一种串列式多室基板处理设备，其具有简单的构造，能够降低膜剥离导致的粒子的影响和能够安装多个处理室。
为了实现上述目的，本发明提供一种具有至少两个室的基板处理设备，其包括：第一室，其包括具有臂的传送机器手、第一位置、第二位置和第一开口，所述臂包括能够保持基板的基板保持部，所述臂在与转动轴垂直的方向上延伸，且所述臂能在保持所述臂的长度的状态下绕所述转动轴转动，所述第一位置用于当对所述基板执行预定的处理和当向邻接的室传送所述基板时定位所述基板，所述第二位置不同于所述第一位置；和第二室，所述第二室设置为在所述基板处理设备的传送所述基板的方向上的上游侧与所述第一室邻接，所述第二室包括第三位置和第二开口，所述第三位置用于当向所述第一室传送所述基板时定位所述基板，其中所述第一开口和所述第二开口设置成能经由所述第一开口和所述第二开口从所述第二室向所述第一室传送所述基板，所述第一位置、所述第二位置、所述第三位置、所述第一开口和所述第二开口以使得所述第一位置、所述第二位置、所述第三位置、所述第一开口和所述第二开口与所述臂绕所述转动轴转动时所述基板保持部的轨迹重叠的方式被分别定位；所述传送机器手被构造成能转动所述臂，以使得当在所述第一室中对所述基板执行所述预定的处理时，所述基板保持部位于所述第二位置，当从所述第二室向所述第一室传送所述基板时，所述基板保持部经由所述第一开口和所述第二开口进入所述第二室而位于所述第三位置。
根据本发明的基板处理设备，不需要传统的串列式多室型基板处理设备所用的传送基板的盘。根据本发明，传送机器手安装于基板处理设备的每个室(例如可抽气真空室等)，其中所述传送机器手在保持预定臂长的状态下，水平地执行用于移动基板的转动运动。因此传送机器手不执行伸缩其关节的复杂运动。另外，当在串联的室之间传送基板时，操作位置位于臂的基板保持部的转动轨迹上。因此，能够借助于简单的构造在减少薄膜的可能粘附于传送机器手的膜剥离的情况下传送基板。
附图说明
图1是本发明的实施方式的基板处理设备的平面示意图；
图2是本发明的实施方式的基板处理设备的侧视示意图；
图3A是表示通过本发明的实施方式的基板处理设备进行的基板传送状态的立体示意图；
图3B是图3A的侧视示意图，其表示通过本发明的实施方式的基板处理设备进行的基板传送状态；
图4A是表示通过本发明的实施方式的基板处理设备进行的基板传送状态的立体示意图；
图4B是图4A的侧视示意图，其表示通过本发明的实施方式的基板处理设备进行的基板传送状态；
图5A是表示通过本发明的实施方式的基板处理设备进行的基板传送状态的立体示意图；
图5B是图5A的侧视示意图，其表示通过本发明的实施方式的基板处理设备进行的基板传送状态；
图6A是表示通过本发明的实施方式的基板处理设备进行的基板传送状态的立体示意图；
图6B是图6A的侧视示意图，其表示通过本发明的实施方式的基板处理设备进行的基板传送状态；
图7A是表示通过本发明的实施方式的基板处理设备进行的基板传送状态的立体示意图；
图7B是图7A的侧视示意图，其表示通过本发明的实施方式的基板处理设备进行的基板传送状态；
图8A是表示通过本发明的实施方式的基板处理设备进行的基板传送状态的立体示意图；
图8B是图8A的侧视示意图，其表示通过本发明的实施方式的基板处理设备进行的基板传送状态；
图9A是表示通过本发明的实施方式的基板处理设备进行的基板传送状态的立体示意图；
图9B是图9A的侧视示意图，其表示通过本发明的实施方式的基板处理设备进行的基板传送状态；
图10A是表示通过本发明的实施方式的基板处理设备进行的基板传送状态的立体示意图；
图10B是图10A的侧视示意图，其表示通过本发明的实施方式的基板处理设备进行的基板传送状态；
图11A是表示通过本发明的实施方式的基板处理设备进行的基板传送状态的立体示意图；
图11B是图11A的侧视示意图，其表示通过本发明的实施方式的基板处理设备进行的基板传送状态；
图12A是表示通过本发明的实施方式的基板处理设备进行的基板传送状态的立体示意图；
图12B是图12A的侧视示意图，其表示通过本发明的实施方式的基板处理设备进行的基板传送状态；
图13是本发明的另一实施方式的构造的立体示意图；
图14是传统的集群工具类型多室基板处理设备的示意图。
具体实施方式
以下将参照附图对本发明的实施方式进行解释，但是本发明不限于所述实施方式。在以下附图中，相同的附图标记表示具有相同功能的元件且可能不再重复描述。
根据本发明的一个实施方式，串列式基板处理设备包括至少两个例如为可抽气真空室的室(例如能够对基板执行预定处理的加工室)，其中这些室的至少每两个彼此相邻的室包括具有臂的传送机器手，在该臂中形成能够保持基板的基板保持部。传送机器手被构造成使得臂在室中能够绕预定的位置(作为转动中心的转动轴)转动。即，传送机器手被构造成使得臂在垂直于转动轴的平面中执行转动运动，其中臂被构造成在垂直于转动轴的方向上延伸。因此，形成在臂上的基板保持部由于该转动运动也绕转动轴转动。另外，传送机器手被构造成在保持臂长的状态下执行转动运动。
下面将描述用作室的加工室。
在本说明书中，从传送机器手的转动中心到基板保持部的距离转动中心最远的点的长度称为臂长。
包括传送机器手的加工室中具有第一位置和不同于第一位置的第二位置，第一位置用于当对基板执行预定处理和将基板传送到另外的加工室时定位基板。传送机器手能够以使得基板保持部根据需要在第一和第二位置停止和在第一和第二位置之间移动的方式操作。即，传送机器手能够以下述方式操作：当在加工室中执行预定处理时，基板保持部退避在第二位置处，当基板被传送时，基板保持部位于第一位置。
第二位置可以是位于真空抽气口附近的位置。
在此，转动轴、第一位置和第二位置被定位成使得第一位置和第二位置位于如下圆弧上：该圆弧以转动轴和基板保持部的基板保持面上的预定点(例如基板保持面的中心)的连接线段为半径，且以转动轴为中心。即，转动轴、第一位置和第二位置被定位成使得第一位置和第二位置两者均与当臂绕转动轴转动时基板保持部的轨迹(迹线)重叠。
另外，在两个相邻的加工室中分别设置开口。两个相邻的加工室串联地定位以使得基板能够经由开口在两个室之间移动。即，两个相邻的加工室以彼此共享开口的方式定位。另外，在串列系统中基板被传送的方向的下游侧的加工室(下游加工室)中的传送机器手被构造成能够经由开口进入上游侧的加工室(上游加工室)。
根据本发明的一个实施方式，上游室具有与第一位置对应的位置(为了与下游加工室的第一位置区分开，从下游加工室观察，常称之为“第三位置”)。下游加工室中的传送机器手的转动能够将下游加工室中的传送机器手的基板保持部定位到上游加工室中的第三位置。即，下游和上游加工室被构造成使得下游加工室中的第一和第二位置和上游加工室中的第三位置(从下游加工室观察)都与当下游加工室中的基板保持部(臂)绕转动中心转动时基板保持部的轨迹重叠。
因此，当基板从上游加工室被传送到下游加工室时，通过转动下游加工室中的臂使得下游加工室中的基板保持部经由上游加工室和下游加工室的开口进入上游加工室且被定位在第三位置，下游加工室中的传送机器手能够将已经在上游加工室中处理过的基板定位到包含于下游加工室中的传送机器手。
上游加工室能够具有与下游加工室中的传送机器手相同的传送机器手以及与第二位置对应的位置(为了与下游加工室中的第二位置区分开，从下游加工室观察，可称之为“第四位置”)。此时，显然第三和第四位置被定位成与当包含于上游加工室中的传送机器手的臂绕臂的转动轴转动时形成于臂的基板保持部的轨迹重叠。
如上所述，根据本发明的一个实施方式，由于第二位置与在处理和传送基板期间基板所位于的第一位置分离地设置，因此与在预定处理期间被处理的基板不同，传送机器手能退避到附近设置有真空抽气口的位置。
因此，根据本发明的一个实施方式，第二位置是臂退避位置，第一位置是基板安装位置和基板传送位置。
在此，以下将分别描述传送机器手的臂操作位置。首先，作为第二位置的臂退避位置是传送机器手的退避位置，以避免当对基板处理设备的加工室中的基板执行例如成膜或蚀刻等处理时，由于对基板执行的处理而导致膜粘附于传送机器手、腐蚀等。即，臂退避位置是至少在处理期间退避传送机器手的位置，且不同于在处理期间基板所布置的位置(基板保持件等)。真空抽气口可设置在第二位置附近。这种情况下，第二位置是至少在处理期间退避传送机器手、附近设置真空抽气口的位置。
接着，作为第一位置的基板安装位置是当对加工室中的基板执行处理时基板的位置，即，是布置有传送机器手的加工室中的保持件上的位置。
最后，在上游加工室中的基板上完成预定的处理之后，当下游加工室中的传送机器手传送邻接的下一个下游加工室中的保持件上的基板时，作为从布置在下游加工室中的传送机器手观察的第三位置的基板传送位置例如是上游加工室中基板所布置的位置，其中上游加工室布置于下游加工室的上游侧。因此，对于相邻的加工室，从下游侧观察的加工室中的基板传送位置是从上游侧观察的加工室中的基板安装位置。
因此，根据本发明的一个实施方式，在臂长不改变的状态下，下游加工室中的第一位置(基板安装位置和基板传送位置)、下游加工室中的第二位置(臂退避位置)和上游加工室中的第三位置(基板传送位置)设置在下游加工室中的传送机器手的基板保持部的轨迹上。因此，仅通过转动下游加工室中的臂，在上游加工室中的基板传送位置的基板能够被传送到下游加工室中的基板安装位置，且下游加工室中的传送机器手能够在基板处理期间与被处理的基板分离地退避到附近设置有真空抽气口的位置。因此，例如即使在成膜处理中形成在基板上的膜被剥离，也能减少膜剥离导致的粒子对传送机器手的粘附。另外，例如也可以减小在蚀刻处理中蚀刻气体和蚀刻剂对传送机器手的粘附；因此也可减小传送机器手的腐蚀。
因此，根据本发明的一个实施方式，能够用简化的机构实现基板的从上游加工室到下游加工室的传送，同时，在对下游处理室中的基板的处理期间，不容易受到上游处理室中的处理导致的影响。
根据本发明的一个实施方式，传送机器手的臂可具有关节机构和无关节机构两者。如上所述，根据本发明的一个实施方式，考虑到第一和第二位置设置在基板保持部的轨迹上而不导致设备的复杂性，优选的是保持臂长的同时由传送机器手来转动臂(基板保持部)。因此，传送机器手的臂可具有无关节机构和关节机构，且如果臂具有无关节机构，可简化传送机器手的构造；因此使用无关节臂更优选。
作为根据本发明的一个实施方式的基板处理设备中的室的示例的加工室的构造不受限，且能够对应于所处理的内容物而任意地选择，例如室可以仅包括传送基板的功能。
例如，当在加工室中执行溅射处理时，用于在其上表面安装和保持基板的(基板)保持件和面对保持件布置的靶材设置在加工室中。然后，设置用于对加工室抽气的真空抽气口和用于将处理气体引入加工室的气体引导系统。
用于实现磁控放电的磁性单元设置在靶材后方。引入例如氩气等处理气体，且通过对靶材施加负的高电压或直流电压而产生溅射放电。通过溅射从靶材溅射的材料到达基板，且预定的薄膜形成在基板的表面上。
在加工室中通过化学气相沉积(CVD)形成薄膜的情况下，(基板)保持件和用于产生等离子体的电极设置在加工室中。设置了用于对加工室抽气的真空抽气口、用于将处理气体引入加工室的气体引导系统和高频电源，其中高频电源用于通过对电极施加高频电压而产生高频放电。在通过高频放电产生的等离子体中引起气相反应，以在基板的表面上形成薄膜。
另外，当在加工室中执行等离子体蚀刻时，具有与CVD的构造几乎相同构造的设备被构造成将例如氟基气体的具有蚀刻作用的气体导入加工室中。通过等离子体中产生的氟活性种(fluorine-activated species)的反应蚀刻基板的表面。
考虑到由于热导致的传送系统的故障和由于油脂等导致的真空中的污染，用于传送基板的传送机器手的臂被构造成设置有用于诸如保持件和加热的基板等热源的无关节机构。
以下将描述根据本发明的一个实施方式的基板处理设备和其操作。
图1示出了根据本发明的一个实施方式的设置在基板处理设备2中的加工室1的平面示意图。为了便于描述，加工室1以后被称为第一加工室1。前述任意构造可被用于加工室所需要的构造。
第一加工室1与包括真空抽气口9的抽气室3连通。在第一加工室1中，设置用于传送基板(未示出)的传送机器手的臂4、用于遮蔽件的臂5、在开口20处开闭的闸阀6、用于安装基板(未示出)的保持件7、用于在递送基板(未示出)时支撑保持件7上的基板(未示出)的销(未示出)和用于上下移动销的基板升降机构8，其中开口20是与邻接的第二加工室(未示出)共用的。基板保持部4a形成于传送机器手的臂4且臂4被构造成能够绕作为转动中心的转动轴4b转动运动。
在本实施方式中，第二位置(臂退避位置)设置在抽气室3中，且保持件7是第一位置(对于第一加工室1来说，该位置是基板安装位置，且对于位于第一加工室下游侧的加工室来说，该位置是基板传送位置)。
臂退避位置和保持件7的位置被定位成与传送机器手的臂4绕转动轴4b转动时基板保持部4a的轨迹重叠。由于需要使传送机器手的基板保持部4a进入设置在开口20侧的加工室(上游加工室)，开口20也被定位在基板保持部4a的轨迹上。因此，仅通过使传送机器手的臂4绕转动轴4b转动，臂退避位置处的基板保持部4a就能够布置在保持件7上，且能够在上游加工室和第一加工室之间传送基板。
图2示出了加工室1的侧视示意图，该加工室1组成了图1所示的基板处理设备2。用于传送基板(未示出)的传送机器手的臂(示于图1，附图标记4)的驱动部分16设置有转动机构和调整机构，其中转动机构用于在平行于保持件(示于图1，附图标记7)的平面中水平地移动基板，转动机构以驱动部分的转动轴(对应于转动轴4b)为中心，调整机构用于调整邻接的第二加工室(未示出)的保持件由于安装公差导致的从中心位置的偏移量。借助于传感器(未示出)或CCD(未示出)通过检测基板在传送期间的偏移，能够修正基板的移位。包括每个加工室之间的连接的该转动机构、调整机构、检测机构等机构是电连接的且由控制系统(未示出)控制。
图3A到图12B中的图XA(X：3-12)是表示借助于根据本实施方式的基板处理设备2的传送状态的立体示意图。图3A到图12B中的图XB(X：3-12)示出图XA(X：3-12)的侧视示意图。图XA(X：3-12)和图XB(X：3-12)示出如下构造：第二加工室15通过开口(未示出)与设置在基板处理设备2中的第一加工室1邻接，其中闸阀6在开口处开闭。另外，在图3A至图12B中，在第二加工室15中处理过的基板被传送至第一加工室1，因此，基板在串列式系统中的传送方向被取向为从第二加工室15至第一加工室1的方向，且第一加工室1成为下游加工室，第二加工室15成为上游加工室。
如图3B所示，第一加工室1的开口被布置成与第二加工室的开口21重叠，且第一加工室1中的传送机器手的臂4的基板保持部4a可布置成以下述方式与第二加工室15的保持件7(第三位置)重叠：借助于驱动部分16的驱动，通过使第一加工室1中的传送机器手的臂4绕转动轴4b转动，使第一加工室1中的传送机器手的臂4的基板保持部4a经由开口20和21移入第二加工室15。因此，在本实施方式中，第一加工室1中的臂退避位置、保持件7的位置和开口20的位置以及第二加工室15中的臂退避位置、保持件7的位置和开口21的位置被定位成与第一加工室1中的传送机器手的臂4绕转动轴4b转动的情况下基板保持部4a的轨迹重叠。
如图3A或图3B所示，基板14位于第二加工室15中的基板安装位置，且例如，在第二加工室15中完成成膜处理后，基板14保持在向邻接的加工室的传送状态。就这点而言，图3A至图12B示出了基板14从第二加工室15向第一加工室1传送，然而，在图3A和图3B中，基板14的位置位于从第一加工室1中的臂4观察的基板传送位置。
现在参照图3A或图3B，下面将依次描述关于臂4在第一加工室1中的操作以及当在第二加工室15中处理基板14时臂4在退避臂4用的臂退避位置处的操作，其中臂4在第一加工室1中的操作用于移送第二加工室15中的基板14并且用于将基板14安装在基板安装位置。
图3A或图3B中，第一加工室1中的传送机器手的臂4在第一加工室1中的臂退避位置处等待。即，此时用于传送基板14的臂4布置在抽气室3中，且基板14安装在邻接的第二加工室15中的保持件7上。禁用基板升降机构8(以下，通过操作基板升降机构8用于支撑保持件7上的基板的销的突出状态称为“上”，销的不突出状态称为“下”)，闸阀6关闭(以下，“关”表示闸阀6阻挡第一加工室1和第二加工室15之间的开口20、21的状态，“开”表示闸阀6不阻挡开口20、21的状态)。
图4A或图4B示出了如下的过程：与下游加工室对应的第一加工室1中的传送机器手的臂4从臂退避位置移动，且企图将基板14搬出与邻接的上游加工室对应的第二加工室15。闸阀6变成“开”状态且第一加工室1中的臂4转动到通过闸阀6的位置。
图5A或图5B示出了如下状态：相对于安装在邻接的第二加工室15中的保持件7上的基板14，通过操作基板升降机构8，销17保持“上”状态。
图6A或图6B示出了如下状态：第一加工室1中的传送机器手的臂4的基板保持部4a转动到邻接的第二加工室15的保持件7和由销17支撑的基板14之间。此处，销17在三个点处支撑基板14，且与臂4的安装基板14的部分对应的基板保持部4a是U型的。因此，由于臂4能够避免与三个销17冲突，所以即使如图6A、6B所示的第一加工室1中的传送机器手的臂4的水平运动(通过转动)导致基板保持部4a转动到基板14和保持件7之间，传送机器手的臂4的基板保持部4a也不会碰撞。
图7A或图7B示出了如下状态：通过操作邻接的第二加工室15中的基板升降机构8并将销17设置到“下”状态，基板14被安装到第一加工室1中的传送机器手的臂4的基板保持部4a上。
图8A或图8B示出了将基板14从邻接的第二加工室15传送到第一加工室1的过程。通过将用于传送基板14的臂4转动至图8A或图8B所示的位置，闸阀6变成关闭状态。此时，可允许臂4临时等待。
图9A或图9B示出了如下状态：用于传送基板14的臂4转动至第一加工室1中的保持件7上方，即基板安装位置，并停止转动。
图10A或图10B示出了如下状态：通过第一加工室1中的基板升降机构8使销17上升为“上”状态，销17与第一加工室1中的传送机器手的臂4的基板保持部4a上的基板14接触。
图11A或图11B示出了如下状态：第一加工室1中的传送机器手的臂4转动至抽气室3并布置在臂退避位置，且基板14由销17支撑。即，驱动部分16转动臂4，使得第一加工室中的臂收纳于与臂退避位置对应的抽气室3中。
图12A或图12B示出了如下状态：通过操作第一加工室1中的基板升降机构8并将销17设置到“下”状态，基板14被安装在第一加工室1中的基板安装位置处的保持件7上。此后，在第一加工室1中开始例如成膜处理。
在本实施方式中，对安装于第一加工室1中的保持件7上的基板14执行成膜处理的情况下，传送机器手的臂4布置在抽气室3中。因此，传送机器手的臂4不容易受到形成在基板14上的膜的膜剥离的影响。
图13示出了根据本发明的另一实施方式的基板处理设备2。基板处理设备2包括一组(11个)串联布置的加工室1，且基板被依次传送过每个加工室以进行处理。
权利要求书(按照条约第19条的修改)
1.一种具有至少两个室的基板处理设备，其包括：
第一室，其包括具有固定转动轴和臂的传送机器手、第一位置、第二位置和第一开口，所述臂包括能够保持基板的基板保持部，所述臂在与所述固定转动轴垂直的方向上延伸，且所述臂能在保持所述臂的长度的状态下绕所述固定转动轴转动，所述第一位置用于当对所述基板执行预定的处理和当向邻接的室传送所述基板时定位所述基板，所述第二位置不同于所述第一位置；和
第二室，所述第二室设置为在所述基板处理设备的传送所述基板的方向上的上游侧与所述第一室邻接，所述第二室包括第三位置和第二开口，所述第三位置用于当向所述第一室传送所述基板时定位所述基板，其中
所述第一开口和所述第二开口设置成能经由所述第一开口和所述第二开口从所述第二室向所述第一室传送所述基板，
所述第一位置、所述第二位置、所述第三位置、所述第一开口和所述第二开口以使得所述臂与所述臂绕所述固定转动轴转动时所述基板保持部的轨迹重叠的方式被分别定位；
所述传送机器手被构造成能转动所述臂，以使得当在所述第一室中对所述基板执行所述预定的处理时，所述基板保持部位于所述第二位置，当从所述第二室向所述第一室传送所述基板时，所述基板保持部经由所述第一开口和所述第二开口进入所述第二室而位于所述第三位置。
2.根据权利要求1所述的基板处理设备，其特征在于，
所述第三位置是当对所述基板执行预定的处理和当向所述第一室传送所述基板时用于定位所述基板的位置，其中
所述第二室进一步包括：
具有第二臂的第二传送机器手，所述第二臂包括能够保持所述基板的第二基板保持部，所述第二臂在与第二转动轴垂直的方向上延伸，且所述第二臂能在保持所述第二臂的长度的状态下绕所述第二转动轴转动；和
不同于所述第三位置的第四位置，
所述第三位置和所述第四位置以与当所述第二臂绕所述第二转动轴转动时所述第二基板保持部的轨迹重叠的方式被分别定位。
3.根据权利要求2所述的基板处理设备，其特征在于，当包括所述第二基板保持部的所述第二臂在所述第二室中对所述基板执行预定的处理时，所述第二基板保持部位于所述第四位置。
4.根据权利要求1所述的基板处理设备，其特征在于，所述第二位置或所述第四位置位于具有真空抽气口的抽气室中，所述抽气室与所述第一室或所述第二室连通。
5.根据权利要求1所述的基板处理设备，其特征在于，所述臂是无关节的。

Claims (5)

1.一种具有至少两个室的基板处理设备，其包括：
第一室，其包括具有臂的传送机器手、第一位置、第二位置和第一开口，所述臂包括能够保持基板的基板保持部，所述臂在与转动轴垂直的方向上延伸，且所述臂能在保持所述臂的长度的状态下绕所述转动轴转动，所述第一位置用于当对所述基板执行预定的处理和当向邻接的室传送所述基板时定位所述基板，所述第二位置不同于所述第一位置；和
第二室，所述第二室设置为在所述基板处理设备的传送所述基板的方向上的上游侧与所述第一室邻接，所述第二室包括第三位置和第二开口，所述第三位置用于当向所述第一室传送所述基板时定位所述基板，其中
所述第一开口和所述第二开口设置成能经由所述第一开口和所述第二开口从所述第二室向所述第一室传送所述基板，
所述第一位置、所述第二位置、所述第三位置、所述第一开口和所述第二开口以使得所述第一位置、所述第二位置、所述第三位置、所述第一开口和所述第二开口与所述臂绕所述转动轴转动时所述基板保持部的轨迹重叠的方式被分别定位；
所述传送机器手被构造成能转动所述臂，以使得当在所述第一室中对所述基板执行所述预定的处理时，所述基板保持部位于所述第二位置，当从所述第二室向所述第一室传送所述基板时，所述基板保持部经由所述第一开口和所述第二开口进入所述第二室而位于所述第三位置。
2.根据权利要求1所述的基板处理设备，其特征在于，
所述第三位置是当对所述基板执行预定的处理和当向所述第一室传送所述基板时用于定位所述基板的位置，其中
所述第二室进一步包括：
具有第二臂的第二传送机器手，所述第二臂包括能够保持所述基板的第二基板保持部，所述第二臂在与第二转动轴垂直的方向上延伸，且所述第二臂能在保持所述第二臂的长度的状态下绕所述第二转动轴转动；和
不同于所述第三位置的第四位置，
所述第三位置和所述第四位置以与当所述第二臂绕所述第二转动轴转动时所述第二基板保持部的轨迹重叠的方式被分别定位。
3.根据权利要求2所述的基板处理设备，其特征在于，当包括所述第二基板保持部的所述第二臂在所述第二室中对所述基板执行预定的处理时，所述第二基板保持部位于所述第四位置。
4.根据权利要求1所述的基板处理设备，其特征在于，所述第二位置或所述第四位置位于具有真空抽气口的抽气室中，所述抽气室与所述第一室或所述第二室连通。
5.根据权利要求1所述的基板处理设备，其特征在于，所述臂是无关节的。
CN201080032021.1A 2009-07-14 2010-07-12 基板处理设备 Active CN102484090B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009-165876 2009-07-14
JP2009165876 2009-07-14
PCT/JP2010/061766 WO2011007753A1 (ja) 2009-07-14 2010-07-12 基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102484090A true CN102484090A (zh) 2012-05-30
CN102484090B CN102484090B (zh) 2015-01-07

Family

ID=43449361

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201080032021.1A Active CN102484090B (zh) 2009-07-14 2010-07-12 基板处理设备

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9245785B2 (zh)
JP (1) JP5603333B2 (zh)
KR (1) KR101381832B1 (zh)
CN (1) CN102484090B (zh)
WO (1) WO2011007753A1 (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5843602B2 (ja) 2011-12-22 2016-01-13 キヤノンアネルバ株式会社 プラズマ処理装置
JP6086254B2 (ja) * 2014-09-19 2017-03-01 日新イオン機器株式会社 基板処理装置
TW202401627A (zh) 2018-03-16 2024-01-01 美商布魯克斯自動機械美國公司 基板輸送裝置及用於基板輸送裝置之方法
JP7145648B2 (ja) * 2018-05-22 2022-10-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
JP7321768B2 (ja) * 2018-05-23 2023-08-07 信越化学工業株式会社 化学気相成長装置および被膜形成方法
JP7014055B2 (ja) * 2018-06-15 2022-02-01 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置、真空処理システム、及び真空処理方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05330647A (ja) * 1992-05-25 1993-12-14 Sony Corp 板状体の搬送装置
JPH1030183A (ja) * 1996-07-19 1998-02-03 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ロードロック室を備えた基板の処理装置
EP1662548A2 (en) * 2004-11-30 2006-05-31 Sumitomo Eaton Nova Corporation System and method of wafer processing and ion implantation
CN100437898C (zh) * 2004-04-16 2008-11-26 艾克塞利斯技术公司 工件加工系统

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61112032A (ja) 1984-11-06 1986-05-30 Shin Etsu Chem Co Ltd １，２−ジクロロエタンの分離回収方法
JPS61112312A (ja) * 1984-11-07 1986-05-30 Hitachi Ltd 真空連続処理装置
JPS6318841U (zh) * 1986-07-23 1988-02-08
JPH02110047A (ja) * 1988-10-20 1990-04-23 Mitsubishi Electric Corp ウエハ搬送装置
JP3598462B2 (ja) * 2000-05-09 2004-12-08 東京エレクトロン株式会社 乾燥方法及び乾燥装置
JP4471708B2 (ja) * 2004-03-31 2010-06-02 キヤノンアネルバ株式会社 基板搬送装置
JP2007242648A (ja) * 2006-03-04 2007-09-20 Masato Toshima 基板の処理装置
US20080206021A1 (en) * 2007-02-27 2008-08-28 Smith John M Stacked process chambers for magnetic media processing tool
JP5603219B2 (ja) 2009-12-28 2014-10-08 キヤノンアネルバ株式会社 薄膜形成装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05330647A (ja) * 1992-05-25 1993-12-14 Sony Corp 板状体の搬送装置
JPH1030183A (ja) * 1996-07-19 1998-02-03 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ロードロック室を備えた基板の処理装置
CN100437898C (zh) * 2004-04-16 2008-11-26 艾克塞利斯技术公司 工件加工系统
EP1662548A2 (en) * 2004-11-30 2006-05-31 Sumitomo Eaton Nova Corporation System and method of wafer processing and ion implantation

Also Published As

Publication number Publication date
US9245785B2 (en) 2016-01-26
KR20120025603A (ko) 2012-03-15
KR101381832B1 (ko) 2014-04-18
US20120148375A1 (en) 2012-06-14
CN102484090B (zh) 2015-01-07
JPWO2011007753A1 (ja) 2012-12-27
WO2011007753A1 (ja) 2011-01-20
JP5603333B2 (ja) 2014-10-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102484090A (zh) 基板处理设备
US6183615B1 (en) Transport system for wafer processing line
US10204810B2 (en) Linear vacuum robot with Z motion and articulated arm
TWI553765B (zh) 真空處理設備
WO2015149848A1 (en) System for substrate processing, vacuum rotation module for a system for substrate processing and method of operating a substrate processing system
JPH0964149A (ja) 半導体製造装置
KR20120135471A (ko) 웨이퍼 처리 장치
US20200381276A1 (en) Multisubstrate process system
JP6134815B2 (ja) 隣接スパッタカソードを用いた装置およびその操作方法
JP2002203884A (ja) 基板処理装置及び経由チャンバー
JP5984036B2 (ja) ｚ運動し、多関節アームを備える直線真空ロボット
TW202114015A (zh) 多基板處理系統
TW202109716A (zh) 同時進行基板傳輸的機械手
WO2015195230A1 (en) Thin end effector with ability to hold wafer during motion
JP5247094B2 (ja) 基板処理システム
KR102444086B1 (ko) 스윙 장치, 기판을 프로세싱하기 위한 방법, 이송 챔버로부터 기판을 수용하기 위한 스윙 모듈, 및 진공 프로세싱 시스템
CN111334763A (zh) 成膜装置
KR20140057208A (ko) 조합식 및 풀 기판 스퍼터 증착 도구 및 방법
JP5388279B2 (ja) 基板搬送処理装置及び方法
JP2010100880A (ja) マグネトロンスパッタ装置
KR101321331B1 (ko) 태양전지용 박막 증착 시스템
JP4781337B2 (ja) 成膜装置
CN109830418B (zh) 用于驱动磁控管的扫描机构、磁控源和磁控溅射设备
JP2009191310A (ja) マルチターゲットスパッタリング装置
JP7132060B2 (ja) 成膜装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant