JPH07252653A - イオン注入装置およびこれを用いたイオン注入方法 - Google Patents

イオン注入装置およびこれを用いたイオン注入方法

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JPH07252653A
JPH07252653A JP4667094A JP4667094A JPH07252653A JP H07252653 A JPH07252653 A JP H07252653A JP 4667094 A JP4667094 A JP 4667094A JP 4667094 A JP4667094 A JP 4667094A JP H07252653 A JPH07252653 A JP H07252653A
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JP
Japan
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ion implantation
wafer
chamber
preliminary chamber
side preliminary
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JP4667094A
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Keiichi Nakamura
圭一 中村
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Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 いわゆる枚葉式のイオン注入装置において、
各試料に対するイオン注入処理サイクルタイムを著しく
短縮し、イオン処理効率を格段に向上させること。 【構成】 イオン注入処理室1と、イオン注入処理室の
入口側に接続される入口側予備室3と、上記イオン注入
処理室の出口側に接続される出口側予備室4とを備えて
おり、上記イオン注入処理室1内には、上記入口側予備
室から搬入される未処理試料を受け取り、または処理済
試料を出口側予備室の搬出するための水平位置と、保持
した試料にイオン注入処理を行うための起立位置とを選
択できる保持器2a,2bが少なくとも2個設けられて
いることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本願発明は、半導体プロセス技術
において、加速された不純物イオンを注入することによ
って半導体ウエハ表面の改質を行う場合等に用いられる
イオン注入装置およびこれを用いたイオン注入方法に関
する。
【0002】
【従来の技術】この種のイオン注入技術の一つには、所
定の真空雰囲気とされたイオン注入処理室内に保持され
た半導体ウエハ表面に、静電偏向させられたイオンビー
ムをXY方向にスキャニングしながら照射するというも
のがある。
【0003】このような手法による従前のイオン注入装
置の一例の概略構成を図4および図5に示す。これら図
において符号1は、イオン注入処理室を示しており、そ
の内部には、実線で示す水平位置と、仮想線で示す起立
位置との間を枢軸Lを中心として選択的に回動可能なウ
エハ保持器2が設けられている。図5の右方には、イオ
ン源、加速手段、およびX方向偏向用電極、Y方向偏向
用電極が配置されており、これらの電極によって偏向さ
せられた加速イオンビームが、起立位置にあるウエハ保
持器2上に保持されたウエハ表面にスキャニングされな
がら照射されるようになっている。
【0004】図4に表れているように、上記イオン注入
処理室1には、入口側予備室3と、出口側予備室4とが
連結されている。入口側予備室3の両端には、外部との
間を仕切る第1仕切り弁5と、イオン注入処理室1との
間を仕切る第2仕切り弁6が配置されている。出口側予
備室4の両端には、イオン注入処理室1との間を仕切る
第3仕切り弁7と、外部との間を仕切る第4仕切り弁8
とが配置されている。
【0005】上記入口側予備室3と隣接するようにし
て、未処理ウエハストッカ9が配置されている。この未
処理ウエハストッカ9は、未処理ウエハWaを上下方向
に所定間隔をあけて積層状に保持するマガジン11内の
未処理ウエハWaを、ベルト搬送機構10により最下位
のウエハから順に入口側予備室3内に送り込むことがで
きるようになっている。入口側予備室3内には、所定長
さのベルト搬送機構12が配置されており、第1仕切り
弁5を開とした状態において、未処理ウエハストッカ9
のベルト搬送機構10と入口側予備室内のベルト搬送機
構12を同期して駆動させることにより、未処理ウエハ
ストッカ9のウエハWaを入口側予備室3内のベルト搬
送機構12上に移し替えることができる。
【0006】上記イオン注入処理室1内のウエハ保持器
2には、ベルト搬送機構13が附属しており、この保持
器2が実線で示す水平位置をとる場合において、上記第
2仕切り弁6を開とし、入口側予備室3内のベルト搬送
機構12と上記保持器2がもつベルト搬送機構13とを
同期して駆動させることにより、入口側予備室3内にあ
るウエハWaを、処理室1内の保持器2上に移し替える
ことができるようになっている。
【0007】上記のようにして保持器2上に移し替えら
れた未処理ウエハWaは、図示しないクランプによって
脱落不能に保持される。
【0008】上記出口側予備室4内にも、入口側予備室
3と同様のベルト搬送機構14が設けられており、イオ
ン注入処理室1内で上記ウエハ保持器2が水平位置をと
り、第3仕切り弁7が開となっている状態において、保
持器2のベルト搬送機構13と、出口側予備室4内のベ
ルト搬送機構14とを同期して駆動することにより、保
持器2上に載置されている処理済ウエハWbを出口側予
備室4内に搬出することができる。
【0009】上記出口側予備室4と隣接するようにし
て、処理済ウエハストッカ15が配置されている。この
処理済ウエハストッカ15は、ウエハWbを上下方向に
所定間隔をあけてスライド積層しうるマガジン16を上
下動させつつ、その上位から順に処理済ウエハWbをベ
ルト搬送機構17によってスライド保持できるようにな
っている。第4仕切り弁8が開となっている状態におい
て、出口側予備室4内のベルト搬送機構14と、処理済
ウエハストッカ15のベルト搬送機構17とを同期して
駆動させることにより、出口側予備室4内の処理済ウエ
ハWbを処理済ウエハストッカ15に順次積層保持でき
るようになっている。
【0010】各予備室3,4は、制御弁を介して図示し
ない真空源につなげられており、両端に位置する仕切り
弁5,6または7,8を閉とした状態において、所定の
真空状態を得ることができるようになっている。イオン
注入処理室1もまた、制御弁を介して図示しない真空源
につなげられており、このイオン注入処理室1の両側に
位置するいずれか2つの仕切り弁を閉とした状態におい
て、所定の真空状態を得ることができるようになってい
る。
【0011】以上の従来のイオン注入装置は、概ね次の
ようにして作動する。
【0012】未処理ウエハストッカ9の未処理ウエハW
aは、第1仕切り弁5を開、第2仕切り弁6を閉とした
状態において、上述したようにして、入口側予備室3内
に搬入される。未処理ウエハWaが入口側予備室3内に
搬入されると、第1仕切り弁5は閉じられる。こうして
入口側予備室3が外部およびイオン注入処理室1から圧
力隔離されると、この入口側予備室3は、所定の真空状
態とされる。すなわち、好ましくは、イオン注入処理室
1の内部と同等の真空状態とされる。
【0013】このとき、出口側予備室4もまた、第3仕
切り弁7および第4仕切り弁8が閉とされた状態におい
て、所定の真空圧とされている。
【0014】一方、イオン注入処理室1の内部では、起
立位置においてイオン注入処理を終えた処理済ウエハW
bを保持するウエハ保持器2が実線で示す水平位置をと
ってウエハ交換に備える。
【0015】次に、同時にあるいは相前後して、第2仕
切り弁6と第3仕切り弁7とが開とされ、入口側予備室
3、イオン注入処理室1および出口側処理室4が所定の
真空状態において連通状となる。そしてまず、保持器2
と出口側予備室4内の各ベルト搬送機構13,14が同
期駆動されて、保持器2上の処理済ウエハWbが出口側
予備室4内に搬出される。次に、入口側予備室3内のベ
ルト搬送機構12と上記保持器2のベルト搬送機構13
とが同期駆動され、入口側予備室3内の未処理ウエハW
aが上記保持器2上に移し替えられる。
【0016】上記の操作が終了すると、第2仕切り弁6
および第3仕切り弁7は閉とされる。
【0017】入口側予備室3では、その内部の圧力を上
昇させた上で第1仕切り弁5を開とし、前述したように
未処理ウエハWaを搬入する。出口側予備室4では、そ
の内部圧力を上昇した上で、第4仕切り弁8を開とし
て、上述したように、出口側予備室4内の処理済ウエハ
Wbを処理済ウエハストッカ15に搬出保持させる。上
記のような未処理ウエハの入口側予備室内への搬入、お
よび、出口側予備室内の処理済ウエハの搬出を終える
と、第1仕切り弁5および第4仕切り弁8が再び閉とさ
れ、かつ、内部を所定の真空状態とすることによって、
イオン注入処理室1内でのウエハ交換に備える。
【0018】上記のウエハ交換によって新たに保持され
た未処理ウエハWaを保持する保持器2は、図4および
図5に仮想線で示すように起立位置をとり、上述したよ
うに、イオンビームのスキャニングによるイオン注入処
理が行われる。
【0019】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
のイオン注入装置においては、イオン注入処理室1内に
ウエハ保持器2がただ一つ配置されているだけであるた
め、その処理効率が著しく悪く、処理効率を一定以上に
上げることができないという問題がある。
【0020】処理効率を上げるためには、図4に示した
ような装置を複数配設せざるをえず、設備が大型化、高
コスト化するのみならず、スペース効率の面からみて
も、きわめて不利となる。
【0021】本願発明は、上述した事情のもとで考え出
されたものであって、一台のイオン注入装置において、
より効率のよいイオン注入処理を行うことができるよう
にすることをその課題としている。
【0022】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本願発明では、次の各技術的手段を講じている。
【0023】すなわち、本願の請求項1に記載したイオ
ン注入装置は、イオン注入処理室と、上記イオン注入処
理室の入口側に接続される入口側予備室と、上記イオン
注入処理室の出口側に接続される出口側予備室とを備え
ており、上記イオン注入処理室内には、上記入口側予備
室から搬入される未処理試料を受け取り、または処理済
試料を出口側予備室に搬出するための水平位置と、保持
した試料にイオン注入処理を行うための起立位置とを選
択できる保持器が少なくとも2個設けられていることを
特徴としている。
【0024】本願の請求項2に記載したイオン注入装置
は、上記請求項1のイオン注入装置において、入口側予
備室および出口側予備室のそれぞれの両端部に仕切り弁
が配置されている。
【0025】請求項3に記載した発明では、請求項1ま
たは2のイオン注入装置において、各保持器は、それぞ
れ、イオン注入処理を行う起立位置をとるとき、イオン
ビーム偏向部を向くように互いに傾斜配置されているこ
とを特徴としている。
【0026】そして、請求項4に記載したイオン注入装
置は、上記請求項1、2または3の装置において、上記
保持器は2個設けられており、一方の保持器が起立位置
をとってこれが保持する試料にイオン注入処理を行って
いる間に、イオン注入処理を終えた処理済試料を保持す
る他方の保持器が水平位置をとり、処理済試料を出口側
予備室に搬出するとともに入口側処理室からの未処理試
料を受け取って保持するように構成されている。
【0027】請求項5に記載した発明は、上記請求項4
に記載したイオン注入装置を用いたイオン注入方法であ
って、一方の保持器が起立位置をとってこれが保持する
試料にイオン注入処理を行っているとき、イオン注入処
理を終えた処理済試料を保持する他方の保持器に水平位
置をとらせ、処理済試料を出口側予備室に搬出するとと
もに入口側予備室からの未処理試料を受け取って保持し
た後、この他方の保持器に再度起立位置をとらせてこれ
が保持する未処理試料に対するイオン注入処理を開始す
ることを特徴としている。
【0028】
【発明の作用および効果】本願の各発明においては、イ
オン注入処理室内に、入口側予備室および出口側予備室
との間の試料の受け渡しをするための水平位置と、試料
に対してイオン注入処理を行うための起立位置とを選択
できる保持器が少なくとも2個設けられている。したが
って、一方の保持器を起立させてこれに保持されている
試料に対してイオン注入処理を行っている間に、他方の
保持器に水平位置をとらせ、ウエハの交換を行うことが
できる。その結果、複数の保持器上の試料に対してイオ
ン注入処理を交互連続状に行うことができ、1個の試料
に対してイオン注入処理を行うに必要なサイクルタイム
を著しく短縮することができる。
【0029】その結果、本願発明によれば、1台のイオ
ン注入装置を用いながら、イオン注入処理を従来に比較
して著しく効率的に行うことができるようになる。
【0030】特に、本願の請求項3に記載してあるよう
に、上記イオン注入処理室内に配置される複数の保持器
を、単に並列状とするのではなく、起立位置をとると
き、イオンビーム偏向部を向くように、すなわち互いに
ややイオンビーム偏向部に向いて内側に傾斜するように
配置しておくと、各保持器に保持されている試料に対す
るイオンビーム照射が平均化される。とりわけ、各保持
器に保持されている試料の各所におけるイオンビーム密
度を平均化することができる。
【0031】
【実施例の説明】以下、本願発明の好ましい実施例を、
図1ないし図3を参照して具体的に説明する。なお、こ
れらの図において、図4および図5の従来例と同等の部
材あるいは部分には、同一の符号を付してある。
【0032】図4および図5の従来のイオン注入装置に
比較して図1ないし図3に示した本願発明のイオン注入
装置は、イオン注入処理室1内に、少なくとも2個以上
の試料保持器2a,2bが設けられている点において大
きく異なっている。このイオン注入処理室1内の構成に
ついては後に詳しく説明するが、その他の構成は、従来
のイオン注入装置の構成と同様である。
【0033】すなわち、イオン注入処理室1の入口側に
は、第2仕切り弁6を介して入口側予備室3が接続され
ており、この入口側予備室3の入口端には、第1仕切り
弁5が設けられている。この入口側予備室3に隣接し
て、未処理ウエハストッカ9が配置されている。
【0034】一方、イオン注入処理室1の出口側には、
第3仕切り弁7を介して出口側予備室4が接続されてお
り、この出口側予備室4の出口端には、第4仕切り弁8
が設けられている。そして、この出口側予備室4に隣接
して、処理済ウエハストッカ15が配置されている。
【0035】未処理ウエハストッカ9と入口側予備室3
との間において、第1仕切り弁5を開とした状態におい
て、ベルト搬送機構10,12を同期駆動させることに
より、未処理ウエハストッカ9に積層保持されている複
数枚の未処理ウエハWaのうち、最も下位のものから順
に入口側予備室3内に搬入できる点は、図4および図5
に示した従来例と同様である。また、出口側予備室4と
処理済ウエハストッカ15との間において、第4仕切り
弁8を開とした状態において、両ベルト搬送機構14,
17を同期駆動させることにより、出口側予備室4内の
ウエハWb処理済ウエハストッカ15に下から順に搬出
積層保持させてゆくことができることも図4および図5
に示した従来例と同様である。
【0036】さらに、各予備室3,4は、その両端の仕
切り弁を閉とした状態において、所定の真空状態を得る
ことができ、また、イオン注入処理室1も、その両側の
いずれか2つの仕切り弁を閉とした状態において、所定
の真空状態を得ることができる点についても、図4およ
び図5の従来例と同様である。
【0037】さて、イオン注入処理室1内において、図
に実線で示す水平位置と、図に仮想線で示す起立位置と
の間を選択的に回動可能なウエハ保持器2a,2bが2
個設けられている。第1のウエハ保持器2aは枢軸La
を中心として回動可能であり、第2のウエハ保持器2b
は枢軸Lbを中心と回動可能である。このような保持器
2a,2bの回動制御、すなわち、水平位置と起立位置
との選択制御は、図示しないアクチュエータを駆動制御
することによって行われる。
【0038】図1からわかるように、各保持器2a,2
bの枢軸La,Lbは、同一直線状に配置されているの
ではなく、図1の上方に位置するイオンビーム偏向部
(イオン源ないし加速手段を経たイオンビームをXY方
向に偏向制御する手段)から照射されるイオンビーム方
向Ba,Bbに対して直交するように配置されている。
したがって、この各枢軸La,Lbを中心として起立位
置をとる両ウエハ保持器2a,2bは、互いにやや内向
きに傾斜することになる。そのため、起立状態にあるウ
エハには、イオンビームが平均的にスキャニングされる
ことになり、ウエハ上の各所におけるイオン照射密度が
平均化されるという利点がある。
【0039】上記イオン注入処理室1の下位には、固定
配置されたベルト搬送機構13が配置されている。この
ベルト搬送機構13は、前後プーリ18,18の間に無
端ベルト19を掛け回した構成が一対配置されている。
各保持器2a,2bには、このベルト搬送機構13を避
けるようにして、スリット20が形成されている。各保
持器2a,2bが実線で示す水平位置をとるとき、上記
スリット20に臨むようにして、各ベルト搬送機構のベ
ルト上面が臨むことになる。
【0040】なお、図示はしていないが、各ウエハ保持
器2a,2bには、その上に載置されたウエハを脱落不
能に保持するクランパが設けられている。
【0041】各予備室3,4および上記イオン注入処理
室1内に配置されるベルト搬送機構12,13,14に
用いられるベルトとしては、シリコンゴムを材料とする
ものが好適に用いられる。
【0042】図2は、イオン注入処理室1内において、
第1の保持器2aが起立位置をとってそれに保持されて
いるウエハWaに対するイオン注入処理が継続中であ
り、第2のウエハ保持器2aが処理済のウエハWbを保
持して水平位置をとっている状態を示す。この第2の保
持器2b上の処理済ウエハWbは、未処理ウエハWaと
交換されるべきである。
【0043】この状態において、入口側予備室3内に
は、未処理ウエハWaが待機している。もちろんこの状
態において、第1仕切り弁5および第2仕切り弁6は閉
となっており、入口側予備室3の内部は、好ましくはイ
オン注入処理室1の内部と同程度の真空状態とされてい
る。
【0044】また同時に、出口側予備室4内は、第3仕
切り弁7および第4仕切り弁8が閉となっていて、か
つ、その内部は、好ましくはイオン注入処理室1の内部
と同程度に真空状態とされている。
【0045】この状態に引き続き、上記第2の保持器2
bのウエハ交換は、次のようにして行われる。まず、第
3の仕切り弁7が開とされ、イオン注入処理室1と出口
側予備室4間が真空状態において連通させられる。そう
して、イオン注入処理室1内のベルト搬送機構13と、
出口側予備室4内のベルト搬送機構14とが同期駆動さ
せられ、第2保持器2b上の処理済ウエハWbは、出口
側予備室4のベルト搬送機構14上に搬出される。この
処理済ウエハWbの搬出が終わると、第3の仕切り弁7
が閉とされ、そして、出口側予備室4内の処理済ウエハ
Wbが、第4の仕切り弁8を開とした上で、前述したよ
うにして、処理済ウエハストッカ15に搬出される。
【0046】上記のような処理済ウエハWbの搬出の直
後に、第2の仕切り弁6が開とされ、入口側予備室3内
のベルト搬送機構12と、イオン注入処理室1内のベル
ト搬送機構13とが同期駆動させられ、入口側予備室3
内の未処理ウエハWaが第2保持器2b上に送られ、図
示しないクランパがこの処理ウエハWaを第2保持器2
bに対して固定する。
【0047】上記のような未処理ウエハの搬入が終了す
ると、第2仕切り弁6が閉とされ、前述したように、第
1仕切り弁5を開として、次の未処理ウエハが前述した
ようにして入口側予備室3内に搬入され、所定の真空状
態とした上で次のウエハ交換に備える。
【0048】未処理ウエハWaを保持した第2の保持器
2bは、次いで起立位置をとり、イオン注入処理に備え
る。第1の保持器2aが保持するウエハに対するイオン
注入処理が終わると、イオン偏向部を制御することによ
り、イオンビームは、第2の保持器2bのウエハに対す
る処理に切り変わる。そして、第1の保持器2aは、図
3に示すように水平位置をとり、ウエハ交換を待つ。
【0049】この第1の保持器2aのウエハ交換は、第
2の保持器2bのウエハ交換について前述したのと同様
に行われ得ることが容易に理解されよう。
【0050】以上説明してきたように、本願発明のイオ
ン注入装置によれば、1台のイオン注入処理室1内に少
なくとも2個以上のウエハ保持器2a,2bが備わって
いるので、イオン注入処理を交互連続的に行うことがで
き、したがって、1個のウエハに対するイオン注入処理
のサイクルタイムが著しく短縮される。そのため、1台
のイオン注入装置でありながら、そのイオン注入処理効
率は、従前に比較して著しく高められる。
【0051】もちろん、本願発明の範囲は、上述の実施
例に限定されるものではない。
【0052】イオン注入処理は、半導体プロセスにおい
て不純物イオンの注入によりウエハ表面の改質を行うこ
との他、種々の用途に用いることができ、試料交換を伴
う全てのイオン注入装置に本願発明を適用することがで
きる。
【0053】本願発明は、基本的に、イオン注入処理室
と、その入口側および出口側に接続された予備室を備
え、外部から入口側予備室への試料の搬入、予備室とイ
オン注入処理室間の試料の搬送、出口側予備室から外部
への試料の搬出のための手段が必要である。実施例で
は、仕切り弁で区切られた各領域に所定長さのベルト搬
送機構を配置し、これらを同期駆動させることによって
上記した試料の搬送を行うようにしているが、かかる仕
切り弁によって区切られた領域間の試料搬送の手段は、
上記のようなベルト搬送に限られず、搬送アーム等が仕
切り弁を通過して移動するような形態とすることももち
ろん可能である。
【0054】また、実施例では、イオン注入処理室内に
2個のウエハ保持器を設けているが、これを3個または
それ以上に増やすことも可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本願発明のイオン注入装置の概略構成を示す平
面図である。
【図2】図1に示される装置の作動を説明するための略
示正面図である。
【図3】図1に示される装置の作動を説明するための略
示正面図である。
【図4】従来例を示す概略正面図である。
【図5】図4のV−V線に沿う概略断面図である。
【符号の説明】
1 イオン注入処理室 2a,2b 試料保持器 3 入口側予備室 4 出口側予備室

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 イオン注入処理室と、上記イオン注入処
    理室の入口側に接続される入口側予備室と、上記イオン
    注入処理室の出口側に接続される出口側予備室とを備え
    ており、 上記イオン注入処理室内には、上記入口側予備室から搬
    入される未処理試料を受け取り、または処理済試料を出
    口側予備室に搬出するための水平位置と、保持した試料
    にイオン注入処理を行うための起立位置とを選択できる
    保持器が少なくとも2個設けられていることを特徴とす
    る、イオン注入装置。
  2. 【請求項2】 上記入口側予備室および上記出口側予備
    室のそれぞれの両端部は、仕切り弁が配置されている、
    請求項1のイオン注入装置。
  3. 【請求項3】 上記保持器は、それぞれ、起立位置をと
    るとき、イオンビーム偏向部を向くように傾斜配置され
    ていることを特徴とする、請求項1または2のイオン注
    入装置。
  4. 【請求項4】 上記保持器は2個設けられており、一方
    の保持器が起立位置をとってこれが保持する試料にイオ
    ン注入処理を行っている間に、イオン注入処理を終えた
    処理済試料を保持する他方の保持器が水平位置をとり、
    処理済試料を出口側予備室に搬出するとともに入口側処
    理室からの未処理試料を受け取って保持するように構成
    されている、請求項1、2または3のイオン注入装置。
  5. 【請求項5】 イオン注入処理室と、上記イオン注入処
    理室の入口側に接続される入口側予備室と、上記イオン
    注入処理室の出口側に接続される出口側予備室とを備え
    ており、 上記イオン注入処理室内には、上記入口側予備室から搬
    入される未処理試料を受け取り、または処理済試料を出
    口側予備室に搬出するための水平位置と、保持した試料
    にイオン注入処理を行うための起立位置とを選択できる
    保持器が2個設けられているイオン注入装置を用いたイ
    オン注入方法であって、 一方の保持器が起立位置をとってこれが保持する試料に
    イオン注入処理を行っているとき、イオン注入処理を終
    えた処理済試料を保持する他方の保持器に水平位置をと
    らせ、処理済試料を出口側予備室に搬出するとともに入
    口側予備室からの未処理試料を受け取って保持した後、
    この他方の保持器に再度起立位置をとらせてこれが保持
    する未処理試料に対するイオン注入処理を開始すること
    を特徴とする、イオン注入方法。
JP4667094A 1994-03-17 1994-03-17 イオン注入装置およびこれを用いたイオン注入方法 Pending JPH07252653A (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009545178A (ja) * 2006-07-25 2009-12-17 シリコン ジェネシス コーポレーション 連続大面積走査注入プロセスのための方法およびシステム
KR101243744B1 (ko) * 2010-05-26 2013-03-13 닛신 이온기기 가부시기가이샤 이온주입장치

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