JP2006140464A - 2成分系金属酸化膜をデータ保存物質膜として採用する交差点不揮発性記憶素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板内に複数の平行なドーピングラインが配置される。複数の平行な上部電極が前記ドーピングラインと重畳される部分に交差点を形成するように前記ドーピングラインの上部を横切る。前記ドーピングラインと前記上部電極の間の前記交差点に複数の下部電極が位置する。データ保存物質膜として提供される2成分系金属酸化膜が前記上部電極と前記下部電極との間に介在している。前記ドーピングラインとともにダイオードを構成し、前記ドーピングラインと反対の導電型を有するドーピング領域が前記下部電極及び前記ドーピングラインの間に介在している。前記不揮発性記憶素子を製造する方法も提供する。
【選択図】図6A
Description
前記フラッシュメモリ素子の代りに新しい不揮発性記憶素子、例えば、抵抗RAM(resistance RAM)が最近提案されている。前記抵抗RAMの単位セルは、二つの電極及びこれらの間に介在する可変抵抗性物質膜(variable resistive material layer)を有するデータ保存要素(data storage element)を備える。前記可変抵抗性物質膜、すなわちデータ保存物質膜(data storage material layer)は前記電極の間に印加される電気的な信号(電圧または電流)の極性(polarity)及び/または大きさ(magnitude)によって可逆的な抵抗変化を示す。
また他の実施例において、前記ドーピング膜はドーピングされたポリシリコン膜またはドーピングされた単結晶シリコン膜で形成することができる。
図1、図6A及び図6Bを参照すると、半導体基板100のような基板内に複数の互いに平行なドーピングライン106が配置される。ここで、前記ドーピングライン106は互いに離隔された複数のラインであっても良い。前記ドーピングライン106は砒素(As)または燐(P)のようなN型の不純物イオンの拡散層であっても良い。前記ドーピングライン106は前記抵抗RAM素子のビットラインとして提供できる。複数の互いに平行な上部電極116が前記ドーピングライン106の上部を横切るように配置される。前記上部電極116は前記ドーピングライン106が形成された前記半導体基板の表面上から所定の距離で離隔されている。前記上部電極116は、前記ドーピングライン106と重畳される部分に交差点Cを形成するように前記ドーピングライン106の上部を横切る。前記上部電極116は、前記抵抗RAM素子のワードラインとして提供できる。本発明の一実施例で前記上部電極116を平面図として見た場合、前記ドーピングライン106と90°の角度をなすことができる。前記上部電極106は、貴金属膜、貴金属酸化膜、タングステン膜、チタン窒化膜、またはポリシリコン膜とすることができる。この場合、前記貴金属膜は、イリジウム膜、白金膜、またはルテニウム膜であっても良い。また、前記貴金属酸化膜はイリジウム酸化膜、またはルテニウム酸化膜であっても良い。
図1、図2A及び図2Bを参照すると、半導体基板100のような基板上に複数の互いに平行なマスクパターン102を形成する。前記マスクパターン102は互いに離隔されたライン形状を有するように形成されて、それらの間に前記半導体基板100の表面を露出させる開口部102’を有する。前記マスクパターン102は、例えば、シリコン酸化膜パターンで形成することができる。すなわち、前記半導体基板100上にシリコン酸化膜を蒸着して写真/エッチング工程によって前記シリコン酸化膜をパターニングすることで形成することができる。次に、前記マスクパターン102をイオン注入マスクとして用いて前記半導体基板100内に不純物イオン104を注入する。その結果、前記半導体基板100内に複数の互いに平行なドーピングライン106が形成される。前記不純物イオン104は、砒素または燐のようなN型の不純物イオンとすることができる。
108’:ドーピング膜パターン
110’:下部電極
114:2成分系金属酸化膜
116:上部電極
Claims (24)
- 基板内に配置された複数の互いに平行なドーピングラインと;
前記ドーピングラインと重畳される部分に交差点を形成するように前記ドーピングラインの上部を横切る複数の互いに平行な上部電極と;
前記ドーピングラインと前記上部電極の間の前記交差点にそれぞれ位置する複数の下部電極と;
前記上部電極と前記下部電極との間に介在して、データ保存物質膜として提供される2成分系金属酸化膜と;
前記下部電極及び前記ドーピングラインの間に介在して前記ドーピングラインとともにダイオードを構成し、前記ドーピングラインと反対の導電型(opposite conductivity)を有するドーピング領域と、
を含むことを特徴とする不揮発性記憶素子。 - 前記2成分系金属酸化膜は、MxOyの化学式で現わすことができ、前記記号「M」は金属、前記記号「O」は酸素、前記記号「x」は金属造成比、前記記号「y」は酸素造成比、をそれぞれ示し、前記金属Mは、転移金属またはアルミニウムであることを特徴とする請求項1記載の不揮発性記憶素子。
- 前記の転移金属は、ニッケル、ニオビオム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、コバルト、鉄、銅、またはクロムの少なくともいずれかであることを特徴とする請求項2記載の不揮発性記憶素子。
- 前記ドーピング領域は、前記ドーピングライン上の各交差点に配置されたドーピング膜パターンであることを特徴とする請求項1記載の不揮発性記憶素子。
- 前記ドーピングラインはN型で、前記不純物ドーピング膜パターンはP型であることを特徴とする請求項4記載の不揮発性記憶素子。
- 前記ドーピング膜パターンは、ドーピングされたポリシリコン膜パターンまたはドーピングされた単結晶シリコン膜パターンであることを特徴とする請求項4記載の不揮発性記憶素子。
- 前記下部電極はイリジウム膜、白金膜、ルテニウム膜、イリジウム酸化膜、ルテニウム酸化膜、タングステン膜、チタン窒化膜、またはポリシリコン膜の少なくともいずれかであることを特徴とする請求項1記載の不揮発性記憶素子。
- 前記上部電極は、イリジウム膜、白金膜、ルテニウム膜、イリジウム酸化膜、ルテニウム酸化膜、タングステン膜、チタン窒化膜、またはポリシリコン膜の少なくともいずれかであることを特徴とする請求項1記載の不揮発性記憶素子。
- 前記2成分系金属酸化膜と前記基板との間の空間を埋める絶縁膜をさらに含むことを特徴とする請求項1記載の不揮発性記憶素子。
- 前記絶縁膜は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、またはシリコン酸窒化膜の少なくともいずれかであることを特徴とする請求項1記載の不揮発性記憶素子。
- 基板内に複数の互いに平行なドーピングラインを形成する段階と、
前記ドーピングラインと接して前記ドーピングラインと反対の導電型を有する複数のドーピング領域、及び前記ドーピング領域上に複数の下部電極を形成する段階と、
前記下部電極の上部面を覆う2成分系金属酸化膜を形成する段階と、
前記2成分系金属酸化膜上に前記下部電極と重畳されるように前記ドーピングラインを横切る複数の互いに平行な上部電極を形成する段階と
を含むことを特徴とする不揮発性記憶素子の製造方法。 - 前記ドーピングラインを形成することは、
前記基板上にライン形状の開口部を有するマスクパターンを形成する段階と、
前記マスクパターンをイオン注入マスクとして用いて前記基板内に不純物イオンを注入する段階と、
を含むことを特徴とする請求項11記載の不揮発性記憶素子の製造方法。 - 前記不純物イオンは、N型の不純物イオンであることを特徴とする請求項12記載の不揮発性記憶素子の製造方法。
- 前記ドーピング領域及び前記下部電極を形成することは、
前記ドーピングラインを有する基板上に前記ドーピングラインと反対の導電型を有するドーピング膜を形成する段階と、
前記ドーピング膜上に下部導電膜を形成する段階と、
前記下部導電膜及び前記ドーピング膜を順にパターニングする段階と、
を含むことを特徴とする請求項11記載の不揮発性記憶素子の製造方法。 - 前記ドーピングラインはN型の不純物イオンを含み、前記ドーピング膜はP型の不純物イオンを含むことを特徴とする請求項14記載の不揮発性記憶素子の製造方法。
- 前記ドーピング膜は、ドーピングされたポリシリコン膜またはドーピングされた単結晶シリコン膜の少なくともいずれかで形成することを特徴とする請求項14記載の不揮発性記憶素子の製造方法。
- 前記下部電極は、イリジウム膜、白金膜、ルテニウム膜、イリジウム酸化膜、ルテニウム酸化膜、タングステン膜、チタン窒化膜、またはポリシリコン膜の少なくともいずれかで形成することを特徴とする請求項11記載の不揮発性記憶素子の製造方法。
- 前記2成分系金属酸化膜を形成する前に、
前記基板上に前記ドーピング領域及び前記下部電極を覆う絶縁膜を形成して、
前記下部電極が露出するように前記絶縁膜を平坦化させることをさらに含み、前記2成分系金属酸化膜は前記下部電極及び前記平坦化された絶縁膜上に形成されることを特徴とする請求項11記載の不揮発性記憶素子の製造方法。 - 前記2成分系金属酸化膜はMxOyの化学式で現わすことができ、前記記号「M」は金属、前記記号「O」は酸素、前記記号「x」は金属造成比、前記記号「y」は酸素造成比、をそれぞれ示し、前記金属Mは、転移金属またはアルミニウムの少なくともいずれかであることを特徴とする請求項11記載の不揮発性記憶素子の製造方法。
- 前記転移金属は、ニッケル、ニオビオム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、コバルト、鉄、銅、またはクロムの少なくともいずれかであることを特徴とする請求項19記載の不揮発性記憶素子の製造方法。
- 前記上部電極は、イリジウム膜、白金膜、ルテニウム膜、イリジウム酸化膜、ルテニウム酸化膜、タングステン膜、チタン窒化膜、またはポリシリコン膜の少なくともいずれかで形成することを特徴とする請求項11記載の不揮発性記憶素子の製造方法。
- 第1距離離隔された複数のラインと;
前記第1距離離隔された複数のラインと交差して複数の交差点を定義する第2距離離隔された複数のラインと;
前記交差点から前記第1及び第2距離離隔されたラインとの間に連続的に接続されたダイオード及び不揮発性データ保存物質の2成分系金属酸化膜を含むことを特徴とする不揮発性記憶素子。 - 前記第2距離離隔された複数のラインは、前記基板に提供された第1導電型を有する複数のドーピングされた領域を含み、前記ダイオードは前記第1導電型のドーピングされた領域上に提供された第2導電型のドーピングされた領域を含むことを特徴とする請求項22記載の不揮発性記憶素子。
- 前記ダイオードと2成分系金属酸化膜との間に提供された電極をさらに含むことを特徴とする請求項23記載の不揮発性記憶素子。
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