KR20100116826A - 선택소자 및 3차원 구조 저항 변화 메모리 소자를 갖는 저항 변화 메모리 소자 어레이, 전자제품 및 소자 어레이 제조방법 - Google Patents
선택소자 및 3차원 구조 저항 변화 메모리 소자를 갖는 저항 변화 메모리 소자 어레이, 전자제품 및 소자 어레이 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (15)
- 기판 상에 서로 평행하게 배열된 복수개의 제1 방향 데이터선들;상기 제1 방향 데이터선들의 서로 마주보는 측벽들 사이에 일렬로 위치하는 복수개의 도전성 필라들(conductive pillars);상기 각 도전성 필라의 측벽과 이에 인접하는 상기 데이터선의 측벽 사이에 위치하는 저항변화물질막; 및상기 도전성 필라들에 각각 전기적으로 연결된 선택 소자들을 포함하는 저항 변화 메모리 소자 어레이.
- 제1항에 있어서,상기 선택 소자들은 선택 트랜지스터들이고,상기 선택 트랜지스터들은 서로 평행한 복수개의 워드라인들과 상기 워드라인들에 교차하는 비트라인들의 교차지점들에 각각 위치하고,상기 각 선택 트랜지스터의 게이트는 상기 각 워드라인에 전기적으로 접속하고, 소오스/드레인들 중 하나는 상기 각 비트라인에 전기적으로 접속하며, 소오스/드레인들 중 나머지 하나는 상기 각 도전성 필라에 전기적으로 접속하는 저항 변화 메모리 소자 어레이.
- 제1항에 있어서,상기 제1 방향 데이터선들 상에 상기 제1 방향 데이터선들에 교차하고 서로 평행하게 배열된 제2 방향 데이터선들을 더 포함하고,상기 도전성 필라들은 상기 제1 방향 데이터선들의 서로 마주보는 측벽들과 상기 제2 방향 데이터선들의 서로 마주보는 측벽들로 둘러싸인 공간들 내에 각각 위치하는 저항 변화 메모리 소자 어레이.
- 제1항에 있어서,상기 도전성 필라의 측벽과 상기 저항변화물질막 사이, 또는 상기 저항변화물질막과 상기 데이터선 사이에 위치하는 터널링 배리어 절연막을 더 포함하는 저항 변화 메모리 소자 어레이.
- 제1항에 있어서,상기 저항변화물질막은 금속산화물막(transition metal oxide layer), PCMO(Pr1-XCaXMnO3, 0<X<1)막, 칼코게나이드(chalcogenide)막, 페로브스카이트(perovskite)막, 또는 금속도핑된 고체전해질막인 저항 변화 메모리 소자 어레이.
- 기판 내에 형성된 소자분리막에 의해 정의된 활성영역;상기 활성영역을 가로지르는 워드라인;상기 워드라인 상에 서로 평행하게 배열된 적어도 한 쌍의 제1 방향 데이터선들;상기 제1 방향 데이터선들의 서로 마주보는 측벽들 사이에 위치하고, 상기 워드라인의 일측부에 노출된 활성영역에 전기적으로 접속하는 도전성 필라; 및상기 도전성 필라의 측벽과 이에 인접하는 상기 데이터선의 측벽 사이에 위치하는 저항변화물질막을 포함하는 저항 변화 메모리 소자 어레이.
- 제6항에 있어서,상기 워드라인의 타측부에 노출된 활성영역에 전기적으로 접속하고 상기 워드라인의 상부를 가로지르는 비트라인을 더 포함하는 저항 변화 메모리 소자 어레이.
- 제6항에 있어서,상기 제1 방향 데이터선들 상에 상기 제1 방향 데이터선들에 교차하는 서로 평행하게 배열된 제2 방향 데이터선들을 더 포함하고,상기 도전성 필라들은 상기 제1 방향 데이터선들의 서로 마주보는 측벽들과 상기 제2 방향 데이터선들의 서로 마주보는 측벽들로 둘러싸인 공간들 내에 각각 위치하는 저항 변화 메모리 소자 어레이.
- 제6항에 있어서,상기 도전성 필라의 측벽과 상기 저항변화물질막 사이, 또는 상기 저항변화물질막과 상기 데이터선 사이에 위치하는 터널링 배리어 절연막을 더 포함하는 저항 변화 메모리 소자 어레이.
- 기판 내에 소자분리막을 형성하여 활성영역을 정의하는 단계;상기 활성영역을 가로지르는 워드라인을 형성하는 단계;상기 워드라인 상에 서로 평행하게 배열된 적어도 한 쌍의 제1 방향 데이터선들을 형성하는 단계;상기 제1 방향 데이터선들의 서로 마주보는 측벽들 사이에 위치하고, 상기 워드라인의 일측부에 노출된 활성영역에 전기적으로 접속하는 도전성 필라를 형성하는 단계; 및상기 도전성 필라를 형성하기 전에 상기 데이터선들의 측벽들 상에 저항변화물질막을 형성하는 단계를 포함하는 저항 변화 메모리 소자의 제조방법.
- 제10항에 있어서,상기 제1 방향 데이터선들 상에 상기 제1 방향 데이터선들에 교차하는 서로 평행하게 배열된 제2 방향 데이터선들을 형성하는 단계를 더 포함하고,상기 도전성 필라들은 상기 제1 방향 데이터선들의 서로 마주보는 측벽들과 상기 제2 방향 데이터선들의 서로 마주보는 측벽들로 둘러싸인 공간들 내에 각각 형성되는 저항 변화 메모리 소자의 제조방법.
- 저항 변화 메모리 소자 및 이에 접속된 프로세서를 구비하는 전자제품에 있어서, 상기 저항 변화 메모리 소자는기판 상에 서로 평행하게 배열된 복수개의 제1 방향 데이터선들;상기 제1 방향 데이터선들의 서로 마주보는 측벽들 사이에 일렬로 위치하는 복수개의 도전성 필라들;상기 각 도전성 필라의 측벽과 이에 인접하는 상기 데이터선의 측벽 사이에 위치하는 저항변화물질막; 및상기 도전성 필라들에 각각 전기적으로 연결된 선택 소자들을 포함하는 전자제품.
- 제12항에 있어서,상기 선택 소자들은 선택 트랜지스터들이고,상기 선택 트랜지스터들은 서로 평행한 복수개의 워드라인들과 상기 워드라인들에 교차하는 비트라인들의 교차지점들에 각각 위치하고,상기 각 선택 트랜지스터의 게이트는 상기 각 워드라인에 전기적으로 접속하고, 소오스/드레인들 중 하나는 상기 각 비트라인에 전기적으로 접속하며, 소오스/드레인들 중 나머지 하나는 상기 각 도전성 필라에 전기적으로 접속하는 전자제품.
- 제12항에 있어서,상기 제1 방향 데이터선들 상에 상기 제1 방향 데이터선들에 교차하는 서로 평행하게 배열된 제2 방향 데이터선들을 더 포함하고,상기 도전성 필라들은 상기 제1 방향 데이터선들의 서로 마주보는 측벽들과 상기 제2 방향 데이터선들의 서로 마주보는 측벽들로 둘러싸인 공간들 내에 각각 위치하는 전자제품.
- 제12항에 있어서,상기 도전성 필라의 측벽과 상기 저항변화물질막 사이, 또는 상기 저항변화물질막과 상기 데이터선 사이에 위치하는 터널링 배리어 절연막을 더 포함하는 전자제품.
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