JP2006120710A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006120710A JP2006120710A JP2004304484A JP2004304484A JP2006120710A JP 2006120710 A JP2006120710 A JP 2006120710A JP 2004304484 A JP2004304484 A JP 2004304484A JP 2004304484 A JP2004304484 A JP 2004304484A JP 2006120710 A JP2006120710 A JP 2006120710A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- signal
- state imaging
- imaging device
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 239000007787 solid Substances 0.000 title abstract 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 3
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims description 15
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 12
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 11
- 230000001629 suppression Effects 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
【課題】 素子分離領域を縮小してフォトダイオード面積の増大をはかることができ、光のショットノイズ抑制等に寄与する。
【解決手段】 半導体基板上に光電変換部30と信号走査回路部32を含む単位セルを二次元状に配置してなる撮像領域を有し、信号走査回路部32が複数個のトランジスタで構成された固体撮像装置であって、信号走査回路部32の各トランジスタのゲートコンタクトの少なくとも一部をトランジスタの活性化領域上に形成した。
【選択図】 図2
【解決手段】 半導体基板上に光電変換部30と信号走査回路部32を含む単位セルを二次元状に配置してなる撮像領域を有し、信号走査回路部32が複数個のトランジスタで構成された固体撮像装置であって、信号走査回路部32の各トランジスタのゲートコンタクトの少なくとも一部をトランジスタの活性化領域上に形成した。
【選択図】 図2
Description
本発明は、MOS型の固体撮像装置に係わり、特にゲートコンタクトの改良をはかった固体撮像装置に関する。
近年、固体撮像装置の一つとして、増幅型MOSセンサを用いたMOS型の固体撮像装置が実用化されている。この固体撮像装置は、各セル毎にフォトダイオードで検出した信号をMOSトランジスタで増幅するものであり、高感度という特徴を持つ。
MOS型の固体撮像装置のセル(画素)の構成は、光電変換のためのフォトダイオード、信号読み出しのための読み出しトランジスタ、信号増幅のための増幅トランジスタ、読み出しラインを選択するための垂直選択トランジスタ、信号電荷をリセットするリセットトランジスタ、などからなっている。そして、増幅トランジスタのソースは垂直信号線に接続され、垂直信号線に出力される信号は、水平選択トランジスタを介して水平信号線に出力されるようになっている(例えば、特許文献1参照)。
ところで、この種の固体撮像装置においては、1画素に読み出しトランジスタ,増幅トランジスタ,垂直選択トランジスタ,リセットトランジスタ、と4個のトランジスタが入るため、多画素化のために画素を縮小すると、フォトダイオードの面積が小さくなってしまう。このため、画素特性の飽和信号が減少し、光ショットノイズが大きくなるという問題があった。
この問題を、図5に示す従来のMOS型の固体撮像装置における1画素の平面図を参照して説明する。図5において、50はフォトダイオード、51は信号検出部、52は信号走査回路領域、53は信号読み出しトランジスタのゲート、54は増幅トランジスタのゲート、55は垂直選択トランジスタのゲート、56はリセットトランジスタのゲート、57はソースドレインコンタクト、58はゲート上コンタクト、59は素子分離領域である。なお、配線は多様な組み合わせがあるため省略している。
図5に示したように、従来画素では、各トランジスタのゲート53,54,55,56へのコンタクトを、全て素子分離領域59上で行っていた。これは、ロジックと同様のプロセスルールである。即ち、ロジックプロセスでは、トランジスタの活性化領域上にコンタクトを配置すると、gmと電流駆動能力が劣化するため、トランジスタの活性化領域上にコンタクトを形成するのは望ましくないと考えられており、ロジック以外でもこのような構成を採用するのが通常である。
このように、従来のMOS型の固体撮像装置においては、信号走査回路部のトランジスタのゲートコンタクトを素子分離領域上で取っているため、素子分離領域の面積をあまり小さくすることはできない。その結果、フォトダイオード面積が小さくなり、光のショットノイズが大きくなるという問題があった。
特開2000−150848
本発明の目的とするところは、素子分離領域を縮小してフォトダイオード面積の増大をはかることができ、光のショットノイズ抑制等に寄与し得るMOS型の固体撮像装置を提供することにある。
本発明の一態様は、半導体基板上に光電変換部と信号走査回路部を含む単位セルを二次元状に配置してなる撮像領域を有し、信号走査回路部が複数個のトランジスタで構成された固体撮像装置であって、前記信号走査回路部の各トランジスタのゲートコンタクトの少なくとも一部をトランジスタの活性化領域上に形成してなることを特徴とする。
本発明によれば、素子分離領域を縮小してフォトダイオード面積の増大をはかることができ、光のショットノイズ抑制等に寄与し得るMOS型の固体撮像装置を提供することにある。
以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。
(第1の実施形態)
図1は、本発明の第1の実施形態に係わるMOS型の固体撮像装置を示す回路構成図である。
図1は、本発明の第1の実施形態に係わるMOS型の固体撮像装置を示す回路構成図である。
撮像領域10内に、光電変換のためのフォトダイオード12(12−1−1,12−1−2,〜,12−3−3)、フォトダイオード12の信号を読み出す読み出しトランジスタ13(13−1−1,13−1−2,〜,13−3−3)、読み出した信号を増幅する増幅トランジスタ14(14−1−1,14−1−2,〜,14−3−3)、信号を読み出すラインを選択する垂直選択トランジスタ15(15−1−1,15−1−2,〜,15−3−3)、信号電荷をリセットするリセットトランジスタ16(16−1−1,16−1−2,〜,16−3−3)、からなる単位画素3×3が二次元状に配列されている。なお、図では説明を簡単にするために3×3画素にしたが、実際にはこれより多くの単位画素が配列される。
また、図には示さないが撮像領域10の端部に、暗時の信号を決めるための画素(以下、OB画素と称する)が配置されている。OB画素は、本来の画素と同様の構成であり、フォトダイオード12’,読み出しトランジスタ13’,増幅トランジスタ14’,垂直選択トランジスタ15’,リセットトランジスタ16’から構成されている。
垂直シフトレジスタ21から水平方向に配線されている水平アドレス線23(23−1,23−2,23−3)は対応する垂直選択トランジスタ15のゲートに接続され、信号を読み出すラインを決めている。リセット線24(24−1,24−2,24−3)は対応するリセットトランジスタ16のゲートに結線されている。
増幅トランジスタ14のソースは垂直信号線26(26−1,26−2,26−3)に接続され、垂直信号線26のその一端には負荷トランジスタ28(28−1,28−2,28−3)が設けられている。垂直信号線26の他端は、水平シフトレジスタ22から供給される選択パルスにより選択される水平選択トランジスタ25(25−1,25−2,25−3)を介して水平信号線27に接続されている。
なお、図1で10は撮像領域(画素領域)であり、20は撮像領域10を走査するレジスタなどの周辺回路を示している。また、11(11−1−1,11−1−2,〜,11−3−3)は単位画素を示している。
ここまでの回路的な基本構成は従来装置と同様であるが、本実施形態は以下に示す素子構造、特にゲートコンタクトの位置が従来装置とは異なっている。
図2は、本実施形態における1画素の平面構造を示した図である。図2において、30,30’は図1の12に相当するフォトダイオード、31は信号検出部、32は信号走査回路領域、33は図1の13に相当する信号読み出しトランジスタのゲート、34は図1の14に相当する増幅トランジスタのゲート、35は図1の15に相当するアドレストランジスタのゲート、36は図1の16に相当するリセットトランジスタのゲート、37はソースドレインコンタクト、38はゲート上コンタクト、39は素子分離領域である。なお、配線は多様な組み合わせがあるため省略している。
本実施形態が従来装置と異なる点は、信号走査回路領域32における各トランジスタのゲート33,34,35,36のコンタクトの位置である。即ち、従来画素では、ゲートコンタクトが素子分離領域39上に形成されていたが、本実施形態では、ゲートコンタクトが全てトランジスタの活性化領域上に形成されている。このため、素子分離領域39にゲートコンタクトのための余裕を持たせる必要が無くなり、素子分離領域39の幅を縮小することができ、フォトダイオード30の面積を図示の30’領域分だけ拡大することができる。
このように本実施形態によれば、信号走査回路領域32における各トランジスタのゲートコンタクトをトランジスタ活性化領域上に形成することにより、素子分離領域39を削減して、フォトダイオード30の面積を拡大することができる。従って、多画素化のために画素を微細化しても、同じ世代のロジックプロセスルールで、より一層飽和信号を増加することが可能である。これにより、光のショットノイズも低減され良好な画質を得ることができる。
なお、ゲートコンタクトを活性化領域上に形成しているため、gmや電流駆動能力の劣化が生じる可能性は残るが、本実施形態のようなMOS型の固体撮像装置の場合は通常のロジック素子とは異なり、gmや電流駆動能力の劣化は殆ど問題とならない。仮にgmや電流駆動能力の劣化が生じたとしても、それ以上にフォトダイオードの面積の増大が遙かに有効となるのである。
(第2の実施形態)
図3は、本発明の第2の実施形態に係わるMOS型固体撮像装置の1画素構成を示す平面図である。なお、図2と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
図3は、本発明の第2の実施形態に係わるMOS型固体撮像装置の1画素構成を示す平面図である。なお、図2と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
本実施形態が先に説明した第1の実施形態と異なる点は、全てのゲートコンタクトをトランジスタの活性化領域と素子分離領域39との境界部に形成したことにある。このような構成であっても、素子分離領域39の面積を縮小することができ、第1の実施形態と同様の効果が得られる。
(第3の実施形態)
図4は、本発明の第3の実施形態に係わるMOS型固体撮像装置の1画素構成を示す平面図である。なお、図2と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
図4は、本発明の第3の実施形態に係わるMOS型固体撮像装置の1画素構成を示す平面図である。なお、図2と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
本実施形態が先に説明した第1の実施形態と異なる点は、ゲートコンタクトの一部をトランジスタの活性化領域上に形成し、残りを活性化領域と素子分離領域39との境界部に形成したことにある。
このような構成であっても、素子分離領域39の面積を縮小することができ、第1の実施形態と同様な効果が得られる。また、本実施形態では、ゲートコンタクトをトランジスタの活性化領域上だけではなく、一部を活性化領域と素子分離領域との境界部に形成することにより、配線の自由度を増すことができる。
上述したように本発明の実施形態によれば、信号走査回路部のトランジスタのゲートコンタクトをトランジスタの活性化領域上に形成することにより、素子分離領域にゲートコンタクトのための余裕を持たせる必要が無くなる。このため、素子分離領域を縮小することができ、フォトダイオード面積の拡大が可能となる。これにより、微細画素であっても良好な飽和特性を得ることができ、光のショットノイズを抑制することができる。
ここで、トランジスタの活性化領域上にコンタクトを形成することにより、gmと電流駆動能力が劣化する問題は残るが、この種の固体撮像装置の場合は通常のロジック素子とは異なり、gmや電流駆動能力の劣化は殆ど問題とならず、それよりもフォトダイオード面積の増大が遙かに有効となるのである。
(変形例)
なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。実施形態では、単位セルの構成として、フォトダイオード(光電変換部)以外に、読み出しトランジスタ,増幅トランジスタ,選択トランジスタ,リセットトランジスタからなる信号走査回路部を用いたが、信号走査回路部の構成は図1に何ら限定されるものではなく、仕様に応じて適宜変更可能である。信号走査回路部としては、光電変換部で変換して得られた信号を増幅する増幅トランジスタと、信号をリセットするリセットトランジスタとを有するものであればよく、その他のトランジスタは必要に応じて用いればよい。
なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。実施形態では、単位セルの構成として、フォトダイオード(光電変換部)以外に、読み出しトランジスタ,増幅トランジスタ,選択トランジスタ,リセットトランジスタからなる信号走査回路部を用いたが、信号走査回路部の構成は図1に何ら限定されるものではなく、仕様に応じて適宜変更可能である。信号走査回路部としては、光電変換部で変換して得られた信号を増幅する増幅トランジスタと、信号をリセットするリセットトランジスタとを有するものであればよく、その他のトランジスタは必要に応じて用いればよい。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができる。
10…撮像領域
12(12−1−1,12−1−2,〜,12−3−3)…フォトダイオード
13(13−1−1,13−1−2,〜,13−3−3)…読み出しトランジスタ
14(14−1−1,14−1−2,〜,14−3−3)…増幅トランジスタ
15(15−1−1,15−1−2,〜,15−3−3)…垂直選択トランジスタ
16(16−1−1,16−1−2,〜,16−3−3)…リセットトランジスタ
21…垂直シフトレジスタ
22…水平シフトレジスタ
23(23−1,23―2,23−3)…水平アドレス線
24(24−1,24―2,24−3)…リセット線
25(25−1,25―2,25−3)…水平選択トランジスタ
26(26−1,26―2,26−3)…垂直信号線
27…水平信号線
28(28−1,28―2,28−3)…負荷トランジスタ
30,30’…フォトダイオード
31…信号検出部
32…信号走査回路領域
33…信号読み出しトランジスタのゲート
34…増幅トランジスタのゲート
35…アドレストランジスタのゲート
36…リセットトランジスタのゲート
37…ソースドレインコンタクト
38…ゲート上コンタクト
39…素子分離領域
12(12−1−1,12−1−2,〜,12−3−3)…フォトダイオード
13(13−1−1,13−1−2,〜,13−3−3)…読み出しトランジスタ
14(14−1−1,14−1−2,〜,14−3−3)…増幅トランジスタ
15(15−1−1,15−1−2,〜,15−3−3)…垂直選択トランジスタ
16(16−1−1,16−1−2,〜,16−3−3)…リセットトランジスタ
21…垂直シフトレジスタ
22…水平シフトレジスタ
23(23−1,23―2,23−3)…水平アドレス線
24(24−1,24―2,24−3)…リセット線
25(25−1,25―2,25−3)…水平選択トランジスタ
26(26−1,26―2,26−3)…垂直信号線
27…水平信号線
28(28−1,28―2,28−3)…負荷トランジスタ
30,30’…フォトダイオード
31…信号検出部
32…信号走査回路領域
33…信号読み出しトランジスタのゲート
34…増幅トランジスタのゲート
35…アドレストランジスタのゲート
36…リセットトランジスタのゲート
37…ソースドレインコンタクト
38…ゲート上コンタクト
39…素子分離領域
Claims (5)
- 半導体基板上に、光電変換部と信号走査回路部を含む単位セルを二次元状に配置してなる撮像領域を有し、信号走査回路部が複数個のトランジスタで構成されたMOS型の固体撮像装置であって、
前記信号走査回路部の各トランジスタのゲートコンタクトの少なくとも一部をトランジスタの活性化領域上に形成してなることを特徴とする固体撮像装置。 - 前記ゲートコンタクトの一部は、トランジスタの活性化領域上と素子分離領域上に跨って形成されていることを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
- 前記ゲートコンタクトは、一部がトランジスタの活性化領域上に形成され、他の一部がトランジスタの活性化領域上と素子分離領域上に跨って形成されていることを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
- 前記信号走査回路部は、前記光電変換部で変換して得られた信号を増幅する増幅トランジスタと、前記信号をリセットするリセットトランジスタを含むものであることを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
- 前記信号走査回路部は、前記光電変換部で変換して得られた信号を読み出す読み出しトランジスタ、読み出した信号を増幅する増幅トランジスタ、前記信号を読み出すラインを選択する選択トランジスタ、前記信号をリセットするリセットトランジスタ、からなることを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004304484A JP2006120710A (ja) | 2004-10-19 | 2004-10-19 | 固体撮像装置 |
US11/251,825 US7456889B2 (en) | 2004-10-19 | 2005-10-18 | Solid-state imaging device with gate contacts overlapping both an isolation region and an active region |
CNB2005101140503A CN100421258C (zh) | 2004-10-19 | 2005-10-19 | 固体摄像器件 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004304484A JP2006120710A (ja) | 2004-10-19 | 2004-10-19 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006120710A true JP2006120710A (ja) | 2006-05-11 |
Family
ID=36180321
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004304484A Pending JP2006120710A (ja) | 2004-10-19 | 2004-10-19 | 固体撮像装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7456889B2 (ja) |
JP (1) | JP2006120710A (ja) |
CN (1) | CN100421258C (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006352142A (ja) * | 2005-06-17 | 2006-12-28 | Magnachip Semiconductor Ltd | Cmosイメージセンサー及びその製造方法 |
KR100828943B1 (ko) | 2006-12-19 | 2008-05-13 | (주)실리콘화일 | 3t-4s 스텝 & 리피트 단위 셀 및 상기 단위 셀을 구비한 이미지센서, 데이터 저장 장치, 반도체 공정 마스크, 반도체 웨이퍼 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5444694B2 (ja) * | 2008-11-12 | 2014-03-19 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、その製造方法および撮像装置 |
JP6179865B2 (ja) * | 2012-06-26 | 2017-08-16 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001085659A (ja) * | 1999-09-09 | 2001-03-30 | Sony Corp | 半導体装置、固体撮像装置及びその製造方法 |
JP2005347742A (ja) * | 2004-06-01 | 2005-12-15 | Samsung Electronics Co Ltd | フィルファクタが改善されたcmosイメージ素子 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6170869A (ja) * | 1984-09-14 | 1986-04-11 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像装置および固体光センサ装置 |
US5115293A (en) * | 1989-12-11 | 1992-05-19 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Solid-state imaging device |
JPH11330461A (ja) * | 1998-05-14 | 1999-11-30 | Nec Corp | 屈曲ゲート電極を有する半導体装置およびその製造方法 |
JP3457551B2 (ja) | 1998-11-09 | 2003-10-20 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
US6504194B1 (en) * | 1999-12-01 | 2003-01-07 | Innotech Corporation | Solid state imaging device, method of manufacturing the same, and solid state imaging system |
JP3460225B2 (ja) * | 2000-04-06 | 2003-10-27 | 日本電気株式会社 | 電荷結合素子及びその製造法 |
JP3568885B2 (ja) * | 2000-08-15 | 2004-09-22 | イノテック株式会社 | 固体撮像装置 |
JP3794637B2 (ja) * | 2003-03-07 | 2006-07-05 | 松下電器産業株式会社 | 固体撮像装置 |
KR100525895B1 (ko) * | 2003-04-30 | 2005-11-02 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 씨모스 이미지 센서의 단위화소 |
US7232712B2 (en) * | 2003-10-28 | 2007-06-19 | Dongbu Electronics Co., Ltd. | CMOS image sensor and method for fabricating the same |
KR100537547B1 (ko) * | 2003-12-17 | 2005-12-16 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 다크 특성을 개선할 수 있는 이미지센서의 레이아웃 구조 |
JP4230406B2 (ja) * | 2004-04-27 | 2009-02-25 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 固体撮像装置 |
JP2006054430A (ja) * | 2004-07-12 | 2006-02-23 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
KR100630704B1 (ko) * | 2004-10-20 | 2006-10-02 | 삼성전자주식회사 | 비평면 구조의 트랜지스터를 구비한 cmos 이미지 센서및 그 제조 방법 |
KR100690880B1 (ko) * | 2004-12-16 | 2007-03-09 | 삼성전자주식회사 | 픽셀별 광감도가 균일한 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
US7564083B2 (en) * | 2005-02-25 | 2009-07-21 | United Microelectronics Corp. | Active pixel sensor |
KR100853792B1 (ko) * | 2006-12-29 | 2008-08-25 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
-
2004
- 2004-10-19 JP JP2004304484A patent/JP2006120710A/ja active Pending
-
2005
- 2005-10-18 US US11/251,825 patent/US7456889B2/en active Active
- 2005-10-19 CN CNB2005101140503A patent/CN100421258C/zh active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001085659A (ja) * | 1999-09-09 | 2001-03-30 | Sony Corp | 半導体装置、固体撮像装置及びその製造方法 |
JP2005347742A (ja) * | 2004-06-01 | 2005-12-15 | Samsung Electronics Co Ltd | フィルファクタが改善されたcmosイメージ素子 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006352142A (ja) * | 2005-06-17 | 2006-12-28 | Magnachip Semiconductor Ltd | Cmosイメージセンサー及びその製造方法 |
US8247256B2 (en) | 2005-06-17 | 2012-08-21 | Intellectual Ventures Ii Llc | Method of fabricating a complementary metal oxide semiconductor (CMOS) image sensor |
KR100828943B1 (ko) | 2006-12-19 | 2008-05-13 | (주)실리콘화일 | 3t-4s 스텝 & 리피트 단위 셀 및 상기 단위 셀을 구비한 이미지센서, 데이터 저장 장치, 반도체 공정 마스크, 반도체 웨이퍼 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7456889B2 (en) | 2008-11-25 |
CN100421258C (zh) | 2008-09-24 |
CN1763967A (zh) | 2006-04-26 |
US20060082668A1 (en) | 2006-04-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5292787B2 (ja) | 固体撮像装置及びカメラ | |
JP4273124B2 (ja) | 撮像装置及び撮像システム | |
JP5641287B2 (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法、および、電子機器 | |
JP4581814B2 (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および撮像装置 | |
JP6003291B2 (ja) | 固体撮像装置及び電子機器 | |
JP4350768B2 (ja) | 光電変換装置及び撮像装置 | |
JP4630907B2 (ja) | 固体撮像装置および電子情報機器 | |
JP2011015219A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2011188148A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2005142503A (ja) | 光電変換装置及び撮像装置 | |
JP2007335751A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP4991418B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP4703163B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2016146653A (ja) | 撮像装置及び撮像システム | |
JP2017162886A (ja) | 画素ユニット、及び撮像素子 | |
JP2015130533A (ja) | 固体撮像装置及びカメラ | |
JP2010141638A (ja) | 撮像装置 | |
JP2005317875A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2005217302A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2006120710A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP5531081B2 (ja) | 固体撮像装置及びカメラ | |
JP2011199781A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2006059995A (ja) | 増幅型固体撮像装置 | |
JP4660228B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP6536627B2 (ja) | 固体撮像装置及び電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070612 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100318 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100427 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100831 |