JP2006352142A - Cmosイメージセンサー及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】リセットトランジスタと、セレクトトランジスタと、ドライブトランジスタ、及びフォトダイオードを含むCMOSイメージセンサーにおいて、ライン状のアクティブ領域と、該アクティブ領域と交差するように配置された前記ドライブトランジスタのゲート電極と、前記アクティブ領域と前記ゲート電極とが互いに交差する領域において、両方の間に位置した遮断膜と、該遮断膜によって、前記基板のアクティブ領域との電気的ショートが防止され、前記ゲート電極と電気的に接続されたメタルコンタクトとを含むCMOSイメージセンサー。
【選択図】図3
Description
Dx ドライブトランジスタ
ACT アクティブ領域
Tx トランスファートランジスタ
BL 遮断膜
M1C 第1のメタルコンタクト
Claims (12)
- リセットトランジスタと、セレクトトランジスタと、ドライブトランジスタ、及びフォトダイオードを含むCMOSイメージセンサーにおいて、
ライン状のアクティブ領域と、
該アクティブ領域と交差するように配置された前記ドライブトランジスタのゲート電極と、
前記アクティブ領域と前記ゲート電極とが互いに交差する領域において、両方の間に位置した遮断膜と、
該遮断膜によって、前記基板のアクティブ領域との電気的ショートが防止され、前記ゲート電極と電気的に接続されたメタルコンタクトと
を含むことを特徴とするCMOSイメージセンサー。 - トランスファートランジスタと、リセットトランジスタと、セレクトトランジスタと、ドライブトランジスタ、及びフォトダイオードを含むCMOSイメージセンサーにおいて、
ライン状のアクティブ領域と、
該アクティブ領域と交差するように配置された前記ドライブトランジスタのゲート電極と、
前記アクティブ領域と前記ゲート電極とが互いに交差する領域において、両方の間に位置した遮断膜と、
該遮断膜によって、前記基板のアクティブ領域との電気的ショートが防止され、前記ゲート電極と電気的に接続されたメタルコンタクトと
を含むことを特徴とするCMOSイメージセンサー。 - リセットトランジスタと、セレクトトランジスタと、ドライブトランジスタ、及びフォトダイオードを含むCMOSイメージセンサーにおいて、
アクティブ領域を境界として基板に形成されたトレンチ状のフィールド酸化膜と、
前記アクティブ領域から前記フィールド酸化膜の一部まで所定の深さに形成されたトレンチと、
該トレンチをなすアクティブ領域の側壁に形成されたゲート酸化膜と、
前記アクティブ領域の上部に形成された遮断膜と、
前記トレンチ及び前記遮断膜上に形成されたゲート電極と、
前記遮断膜によって、前記基板のアクティブ領域との電気的ショートが防止され、前記ゲート電極と電気的に接続されたメタルコンタクトと
を含むことを特徴とするCMOSイメージセンサー。 - トランスファートランジスタと、リセットトランジスタと、セレクトトランジスタと、ドライブトランジスタ、及びフォトダイオードを含むCMOSイメージセンサーにおいて、
アクティブ領域を境界として基板に形成されたトレンチ状のフィールド酸化膜と、
前記アクティブ領域から前記フィールド酸化膜の一部まで所定の深さに形成されたトレンチと、
該トレンチをなすアクティブ領域の側壁に形成されたゲート酸化膜と、
前記アクティブ領域の上部に形成された遮断膜と、
前記トレンチ及び前記遮断膜上に形成されたゲート電極と、
前記遮断膜によって、前記基板のアクティブ領域との電気的ショートが防止され、前記ゲート電極と電気的に接続されたメタルコンタクトと
を含むことを特徴とするCMOSイメージセンサー。 - 前記遮断膜が、酸化膜または窒化膜を含むことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のCMOSイメージセンサー。
- 前記遮断膜が、10Å〜1000Åの範囲の厚さであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のCMOSイメージセンサー。
- 前記ゲート電極が、前記ドライブトランジスタのゲート電極であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のCMOSイメージセンサー。
- リセットトランジスタと、セレクトトランジスタと、ドライブトランジスタ、及びフォトダイオードを含むCMOSイメージセンサーの製造方法において、
アクティブ領域を隔てて分離され、トレンチ状を有する複数のフィールド酸化膜を形成するステップと、
前記アクティブ領域の上部に遮断膜を形成するステップと、
前記アクティブ領域から前記フィールド酸化膜の一部まで所定の深さにトレンチを形成するステップと、
該トレンチをなすアクティブ領域の側壁にゲート酸化膜を形成するステップと、
前記トレンチ及び前記遮断膜上にゲート電極を形成するステップと、
前記遮断膜によって、前記基板のアクティブ領域との電気的ショートが防止され、前記ゲート電極と電気的に接続されたメタルコンタクトを形成するステップと
を含むことを特徴とするCMOSイメージセンサーの製造方法。 - トランスファートランジスタと、リセットトランジスタと、セレクトトランジスタと、ドライブトランジスタ、及びフォトダイオードを含むCMOSイメージセンサーの製造方法において、
アクティブ領域を隔てて分離され、トレンチ状を有する複数のフィールド酸化膜を形成するステップと、
前記アクティブ領域の上部に遮断膜を形成するステップと、
前記アクティブ領域から前記フィールド酸化膜の一部まで所定の深さにトレンチを形成するステップと、
該トレンチをなすアクティブ領域の側壁にゲート酸化膜を形成するステップと、
前記トレンチ及び前記遮断膜上にゲート電極を形成するステップと、
前記遮断膜によって、前記基板のアクティブ領域との電気的ショートが防止され、前記ゲート電極と電気的に接続されたメタルコンタクトを形成するステップと
を含むことを特徴とするCMOSイメージセンサーの製造方法。 - 前記遮断膜が、酸化膜または窒化膜を含むことを特徴とする請求項8または9に記載のCMOSイメージセンサーの製造方法。
- 前記遮断膜を10Å〜1000Åの範囲の厚さに形成することを特徴とする 請求項8または9に記載のCMOSイメージセンサーの製造方法。
- 前記ゲート電極が、前記ドライブトランジスタのゲート電極であることを特徴とする請求項8または9に記載のCMOSイメージセンサーの製造方法。
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