TWI310238B - Cmos image sensor and method for fabrication thereof - Google Patents

Description

1310238 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種影像感測器，且特定言之係關於一種 互補金屬氧化物半導體（CMOS)影像感測器，其包括的一 單元像素配置有三或四電晶體，能防止—驅動電晶體之逆 偏壓特性及臨界電壓之匹配特性惡化，及其製造方法。 【先前技術】 眾所周知，一影像感測器係將一光學影像轉換成一電氣 • 信號的一半導體器件。影像感測器主要分成電荷耦合器件 (Charge Coupled Device ; CCD)與互補金屬氧化物半導體 (CMOS)影像器件。 在CCD中，配置個別的金屬氧化物半導體電容器使得其 相互間極為靠近，並在電容H中料電荷載子並將其傳 送。 與之相反，互補金屬氧化物半導體影像感測器藉由使用 -半導體互補金屬氧化物半導體製程而包括複數個單元像 籲 H巾該單元像素係配置有H體與用於驅動該單 7G像素的三或四電晶體。同時，將一互補金屬氧化物半導 ，技術施加至互補金屬氧化物半導體影像感測器之製造使 付使用-控制電路與一信號處理電路作為一周邊電路，並 提供複數個互補金屬氧化物半導體電晶體來驅動許多單元 像素因此，互補金屬氧化物半導體影像感測器使用—開 關方案以使用該周邊電路與該等互補金屬氧化物半導體電 晶體來連續地僅測輪出。 111525.doc 1310238 在製造該些各種影像感測器中，已採取許多努力來改良 影像感測器之光敏性，其中之一係一聚光技術。互補金屬 氧化物半導體影像感測器係配置有用於感測一物體之入射 光的光二極體與用於將在該光二極體處感測的光處理成為 一預定電氣信號並創建對應於該電氣信號之資料的一互補 金屬氧化物半導體邏輯電路。因此，為改良光敏性，已作 出許夕嘗4來增加光二極體區域對影像感測器之總體區域 的佔有率，其一般稱為填充因數。 圖1係說明一傳統互補金屬氧化物半導體影像感測器之 一單元像素的一電路圖，其中一單元像素包括四電晶體。 在圖1所示之傳統互補金屬氧化物半導體影像感測器單 兀像素中，使肖一亞微米互補金屬氧化物_導體蟲晶製程 以便改良光敏性並減小單元像素之間的串擾。 參考圖1 ’傳統互補金屬氧化物半導體影像感測器單元 像素（U/C)包括具有一 PNP接面 一 PNPN接面或類似物的 -光二極體PD、一傳送電晶體Τχ、一浮動擴散節點fd、 一重置電晶體RX、一驅動電晶體Dx及一選擇電晶體&。 本文中，光二極體PD接收物體之光以產生對應的電洞對， 即，光產生的電荷。當開啟電晶體以時，傳送電晶體τχ將 在光二極體PD處累聚的光產生電荷傳送至浮動擴散節點 田開啟傳送電晶體τχ時，浮動擴散節點fd接收從傳 送電晶體以傳送的光產生電荷。重置電晶體Rx回應一重置 L號將浮動擴散節點FD重置為一電源電壓VDD位準。在 驅動電M體Dx中’開啟一驅動閘極之數量隨對應從浮動擴 111525.doc 1310238 散θ ..έ FD所傳送之光產生電荷的—電氣信號而變化，使得 驅動電晶體Dx輸出與該等光產生電荷之數量成比例的電氣 ° υ回應選擇彳5號而開啟的選擇電晶體δχ輸出透過驅 動電晶體DX而輸出的單元像素之預定信號。 本文中，符號Lx表示一負載電晶體且浮動擴散節點FD 具有一預定電容Cfd。 下面將更全面地說明從具有上面傳統組態之單元像素獲 得一輸出電壓之操作原理。 首先，關閉傳送、重置及選擇電晶體Τχ、尺乂及Sx。此 時，光一極體PD處於一完全空乏&態。開始一聚光使得在 光二極體PD處累聚光產生電荷。 在開啟重置電晶體Rx重置浮動擴散節點fd之後，開啟 選擇電晶體Sx以便在—重置操作時測量電源像素之一輸出 電壓VI。此測量值意味著浮動擴散節點FD的僅一直流 (DC)電壓位準偏移。 、後在適當聚光時間過去之後，當開啟傳送電晶體 TxN·，將在光二極體PD處累聚的所有光產生電荷傳送至 ’予動擴散節點FD。然後，關閉傳送電晶體Τχ。 接下來，測量由於傳送至浮動擴散節點FD之電荷所產 生的一輸出電壓V2。 随後，從輪出電壓V1與V2之間的差獲得作為該等光產 生電荷之—傳送結果的一輸出電壓VI-V2。即，輸出電壓 V1-V2純粹係排除雜訊的一信號電壓。此方法稱為一關聯 雙取樣（C〇rrelated Double Sampling ; CDS)。 111525.doc 1310238 然後’重複上面程序。 圖2係顯示圖1包括驅動電晶體Dx之單元像素的一平面 圖。 、 參考圖2，〜作心域ACT形成一直線狀。在作用區域 ACT之一預定區域内置放一 p型井（未顯示），在該p型井上 面配置㈣電晶體Dx。將驅動電晶體^之沒極連接至電 源電壓VDD而將選擇電晶體Sx(未顯示）之源極連接至一輸 出節點（未顯示）。驅動電晶體Dx併入橫跨該p型井上面的 一閘極G。 在作用區域ACT之二侧上配置方形光二極體pD。在光二 極體PD之一側上置放傳送電晶體Tx。 在該互補金屬氧化物半導體影像感測器之各單元像素中 存在作為一源極隨耦器的一單一放大器，其為驅動電晶體 Dx。在驅動電晶體Dx中，閘極端子與汲極端子用作輸入 埠而源極端子與汲極端子用作輸出埠。在互補金屬氧化物 半導體影像感測器中，透過輸入端子來輸入感測節點的累 聚電荷’即’透過驅動電晶體之閘極來施加對應累聚電荷 的一電壓’而一輸出電壓隨累聚電荷數量而變化。因此， 免度隨入射光數量而變化。透過此方式，可在互補金屬氧 化物半導體影像感測器内顯示一最終影像。 驅動電晶體Dx(即，源極隨耦器）之特性對影像具有較大 影響。特定言之’在像素之間的驅動電晶體之匹配特性極 為重要。 然而’隨著比例縮小像素以滿足一高積體器件的需要， 111525.doc 1310238 傳統驅動電晶體Dx具有臨界電壓之匹配特性可能由於作用 區域ACT寬度減小及逆偏壓效應而惡化的一問題。結果， 由於驅動電晶體Dx之匹配特性的惡化而發生雜訊，使得最 終劣化影像品質。 從圖2可明白，隨著比例縮小像素，一般亦要求減小大 小A。此外，因為基於設計規則考慮一最小大小來決定作 用區域ACT之寬度C ’臨界電壓可能由於匹配特性的惡化 而嚴重滚動。 而且’隨著減小光二極體PD之大小D，填充因數亦隨之 相應減小，從而導致影像品質的劣化。 此外，由於考慮到一閘極氧化物層的可靠性，僅在一場 氧化物層上的一預定區域内可允許一第一金屬接點馗…， 因此由於大小B之限制而存在比例縮小像素之限制。 【發明内容】 因此，本發明之一目的係提供一種互補金屬氧化物半導 體（CMOS)影像感測器，其可防止因該影像感測器之比例 縮小所引起的一驅動電晶體之匹配特性惡化並保護該驅動 電晶體之閘極的一第一金屬接點之可靠性，及其製造方 法。 依據本發明之一方面，提供一種包括一重置電晶體、一 選擇電晶體、一驅動電晶體及一光二極體之互補金屬氧化 物半導體影像感測器，該互補金屬氧化物半導體影像感測 益包括：一直線狀作用區域；該驅動電晶體的一閘極電 極，該閘極電極與該作用區域相互交又；一阻障層，其插 111525.doc •10· 1310238 入於該作龍域與㈣極電極之間，形成於該作用區域與 該閘極電極之一交叉區域上；以及一金屬接點，其係電連 接至該閘極電極，其中該金屬接點藉由該阻障層而不電連 接至該作用區域。 依據本發明之另一方面，提供一種包括—傳送電晶體、 -重置電晶體、一選擇電晶體、—驅動電晶體與—光二極 體之互補金屬氧化物半導體影像感測器，該互補金屬氧化 物+導體影像感測器包括：一直線狀作用區域；該驅動電 j體的-閘極電極’該間極電極與該作心域相互交叉； 一阻障層’其插入於該作用區域與該閘極電極之間，形成 於該作用區域與該閘極電極之一交又區域上；以及一金属 =厚其係電連接至該問極電極，其中該金屬接點藉由該 p障層而不電連接至該作用區域。 一，發月之另一方面，提供一種包括-重置電晶體、 電晶體、一驅動電晶體及一光二極體之互補金屬氧 體影像感測器’該互補金屬氧化物半導體影像感 :二括：一渠溝狀場氧化物層，其形成於—基板内以界 接該作域:渠溝，其具有一預定深度’藉由移除鄰 層，==化物層之一部分而形成;-阻障 準溝 用£域上’-閘極氧化物層，其形成於該 溝所曝鉻之作用區域的側壁上· „ φ ^ 該渠溝與該阻障声上面.以:么一閘極電極，其形成於 該閑極電極，|中及—金屬接點，其係電連接至 該作用區域。金屬接點藉由該阻障層而不電連接至 Π 1525.doc 1310238 一依據本發明之其他方面’提供—種包括一傳送電晶體、 -重置電晶體、一選擇電晶體、一驅動電晶體及一光二極 體之互補金屬氧化物半導體影像❹⑴該互補金屬氧化 物半導體影像感測器包括渠溝狀場氧化物層，其形成 於—基板内以界I作用區域；—渠溝，其具有—預定的 :度’藉由移除鄰接該作用區域域的該場氧化物層之一部 分而形成；一阻障層’其形成於作用區域上，·—閘極氧化 物層，其形成於該渠溝所曝露之作用區域的側壁上；一閘 極電極’其形成於該渠溝與該阻障層上面；以及一金屬接 點其係電連接至該閘極電極，其中該金屬接點藉由該阻 障層而不電連接至該作用區域。 依據本發明之其他方面，提供-種製造包括-重置電晶 體、-選擇電晶體一驅動電晶體與—光二極體之互補金 屬氧化物半導體影像❹彳器的方法，該方法包括：形成複 數個木溝狀场氧化物層以界定一作用區域；在該作用區域 成阻p手層，藉由移除鄰接該作用區域域的該場氧化 物層之—部分而形成具有—預定深度的-渠溝；在該渠溝 所曝露之作用區域的側壁上形成一閘極氧化物層；在該渠 、冓與該阻IV層上面形成__閘極電極；以及形成電連接至該 電極的一金屬接點，其中該金屬接點藉由該阻障層而 不電連接至該作用區域。 依據本發明之其他方面，提供一種製造包括一傳送電晶 。重置電ag體、一選擇電晶體、一驅動電晶體及—光 -極體之互補金屬氧化物半導體影像感測器之方法，該方 111525.doc •12- 1310238 去已括开/成複數個渠溝狀場氧化物層以界定一作用區 域’在該作用區域上形成一阻障層；冑由移除鄰接該作用 區域域的該場氧化物層之—部分而形成具有—預定深度的 一渠溝；在該作用區域的側壁上形成一閘極氧化物層；在 該渠溝與該阻障層上面形成—閘極電極；以及形成電連接 至b閘極電極的一金屬接點，其中該金屬接點藉由該阻障 層而不電連接至該作用區域。 【實施方式】 將參考附圖詳細地說明依據本發明《範例性具體實施例 的互補金屬氧化物半導體影像感測器及其製造方法。 圖3係依據本發明之一具體實施例的一互補金屬氧化物 半導體影像感測器之一平面圖。 多考圖3 作用區域ACT形成一直線狀。在作用區域 ACT内的一預定區域配置一 p型井（未顯示），而在該p型井 上面置放一驅動電晶體Dx〇將驅動電晶體Dx之汲極連接 至一電源電壓VDD而將選擇電晶體之一源極（未顯示）連接 至一輸出節點（未顯示）。驅動電晶體Dx併入橫跨該p型井 上面的一閘極G。 在作用區域ACT之二側上配置方形光二極體pD。在光二 極體PD之一側上置放一傳送電晶體Τχ。 、同袴，在驅動電晶體Dx與作用區域ACT相互重疊的一區 域内形成連接至驅動電晶體；^^之一閘極〇的一第一金屬接 點M1C。為此目的，在驅動電晶體以之閘極g與作用區域 ACT之間置放一阻障層BL，阻障層肌防止將第—金屬接 111525.doc -13- 1310238 點MIC連接至作用區域ACT。 此外，驅動電晶體Dx形成一 FINFET，使得可增加通道 長度。 由於該通道寬度滿足一不相等條件，即，C< a+a'，因 此增加通道長度使得可抑制臨界電壓之滾動現象。 在驅動電晶體Dx之閘極G下面置放阻障層BL。在驅動電 晶體ϋχ與作用區域ACT相互重疊的一區域内形成第一金屬 接點M1C，第一金屬接點M1C由於阻障層bl而不連接至作 用區域ACT。因此，本發明之像素大小A，變得比傳統單元 像素（圖2)的像素大小A更小，使得可比例縮小該影像感測 器。 此外’控制通道的閘極G存在於主動區ACT之二側上， 以便抑制逆偏壓效應。結果，可提高臨界電壓之匹配特 性。 圖4係沿圖3之直線P-P’所截取的一斷面圖。 參考圖4，在一基板1〇〇之預定區域上置放二渠溝狀場氧 化物層101，其中藉由在其之間插入的作用區域ACT來相 互分離二場氧化物層1〇1。藉由場氧化物層1〇1，在基板 1〇〇内界定作用區域ACT。在鄰近作用區域act之一部分 處部分地蝕刻該等場氧化物層101之各場氧化物層以形成 糸溝102。形成配置有一氧化物層1〇3與一氮化物層1〇4之 阻障層’使得該阻障層覆蓋作用區域ACT之頂部表面，其 中作用區域ACT因為渠溝102而具有一突起形狀。在渠溝 1〇2所曝露的作用區域ACT之二側壁上放置一閘極氧化物 111525.doc -14- 1310238 層105。在包括渠溝102、閘極氧化物層105及該阻障層的 正個表面上形成圖案化成一預定組態的一閘極電極ι〇6。 在作用區域ACT上面形成一第一金屬接點丨〇7，其中第一 至屬接點107係連接至閘電極106，但藉由該阻障層與作用 區域ACT電絕緣。 圖5係顯示依據本發明之一具體實施例的一驅動電晶體 之一鰭式場效電晶體（FINFET)之一透視圖。 為改良器件性能並最小化洩漏電流，半導體製造商們已 探索可施加至100 nm或更小的下一代半導體器件之新結構 電晶體。新結構之一係使用一 FINFET，其具有類似鯊魚 籍的一高且細薄通道。在FINFET設計中，鰭之各側用作 一閘極，因而一鰭提供二閘極。從而，當使用結 構時執行器件的開關較容易。由於FINFET具有此類雙閘 極結構’因此FINFET還稱為一雙閘極MOSFET(金屬氧化 物場效電晶體）。互補金屬氧化物半導體為水平構造而 FINFET為垂直構造。因而，FINFET係可施加至一高積體 器件的一創造性且有前景之概念。此外，不像其他雙閘極 結構’ FINFET可使用一標準互補金屬氧化物半導體製程 來製造。 本文中’參考數字100與105分別表示一基板與一閘極氧 化物層。 具有圖5之組成的FINFET具有數個優點，例如，低晶圓 成本、低缺陷密度、無逆偏壓、至基板的高熱傳送率、高 製程相容性等等。 lll525.doc -15- 1310238 圖6係顯示測量FINFET之逆偏壓效應之一模擬結果的一 曲線圖。 參考圖6及圖7，證實在一預定逆偏壓時臨界電壓ντ不會 增加，而圖7係顯示一源極電流變化對FINFET之一閘極電 極之曲線圖。 圖8A至8B係說明製造依據本發明之一具體實施例的_ 互補金屬氧化物半導體影像感測器之一單元像素之一驅動 電晶體之一方法的斷面圖。 參考圖8A’在一基板10之預定區域内形成一渠溝狀場氧 化物層11。 為形成場氧化物層11 ’首先蝕刻基板10以先形成一渠 溝’其後將一氧化物層填充在該渠溝内並平面化。在該等 場場氧化物層11之間置放一作用區域’其中符號A與b分 別表示其中將形成具有FINFET結構之驅動電晶體之一問 極的一作用區域（以下稱為閘極區域）與其中將形成一光二 極體的一作用區域（以下稱為光二極體區）。 在其中形成場氧化物層11之基板10之整個表面上依序形 成一氧化物層12與一氮化物層13〇本文中，氧化物層12與 氧化物層1 3用作一阻障層。 該阻障層防止一第一金屬接點接觸在閘極區域A的作用 區域，其中在該阻障層上面置放的驅動電晶體之閘極上形 成該第一金屬接點。稍後將對此點作更全面的說明。 本文中，儘管使用具有氧化物層12與氮化物層13的雙堆 疊結構作為阻障層，但還可使用氧化物層或氮化物層之一 111525.doc -16 - 1310238 單一層或三層或更多層的一多層堆疊結構。 較佳的係採用範圍在大約1〇 A至大約1，〇〇〇人之間的一 厚度來形成該阻障層，使得該阻障層不受一拓撲及一外部 電壓應力的影響。 心後，執行一光微影術製程來形成一第一光阻圖案14以 界定驅動電晶體Dx之閘極區域A。本文中，形成第一光阻 圖案14來界定作用區域及圍繞作用區域之區域。 藉由使用該第一光阻圖案114作為一蝕刻光罩選擇性地 蝕刻該光阻層來界定閘極區域A ^即，使用第一光阻圖案 14選擇性地移除氮化物層13β 參考圖8Β，形成一第二光阻圖案15使得第二光阻圖案ΐ5 曝露圍繞閘極區域Α之各場氧化物層u之一部分及閘極區 域A自身。 然後，使用第二光阻圖案15作為一蝕刻光罩來選擇性地 移除氧化物層12。 在圍繞閘極區域A之曝露場氧化物層丨丨上面形成一開口 16(即，在場氧化物層丨丨上面未覆蓋第二光罩圖案Μ的開 口 16)為在以後製程中形成一FINFET通道的一區域。 參考圖8C，使用第二光阻圖案15作為一钱刻光罩來敍刻 場氧化物層11之一部分，因而將圍繞閘極區域A之場氧化 物層U之部分局部移除來形成一渠溝17，渠溝口從作用區 域之側壁延伸至場氧化物層丨丨之一預定區域。 。此衧，考慮设计規則所允許的在一相鄰光二極體之作用 區域與閘極區域A之間的一最小空間，形成渠溝17之區域 111525.doc -17- 1310238 具有一預定大小。可使用濕式或乾式製程來執行姓刻。可 將場氧化物層^刻至對應一通道深度的一預定深度。其 後，藉由熟知的移除製程來移除第二光阻圖案15。 八 參考請，執行一氧化製程來在渠溝17所曝露的作用區 域之側壁上形成一氧化矽層丨8。 氧化石夕層⑽、在其上形成通道的1極氧化物層。由於 在場氧化物層^之側壁上形成刚FET通道，因此透過閑 極氧化製程來形成氧化石夕層，使得在該作用區域之頂部 面與側壁上相等地生長該氧化矽層。 八後，在该產生的結構之整個表面上沉積一導電層之 後，選擇性地蝕刻該導電層以形成一閘極電極19。 形成閘極電極19使得將閘極電極19延伸至場氧化物層u 之頂部表面之-部分以及渠溝17。可由多晶石夕、鶴等來形 成該導電層。 參考圖8E，執行形成電晶體的一典型製程，例如，一形 成源極/汲極之製程及一形成一層間絕緣層之製程。其 後，形成一第一金屬接點2〇，其係電連接至該驅動電晶體 之閘極電極19。 此時，由於該阻障層存在於閘極電極19下，因此即使在 該作用區域上面形成第一金屬接點2〇，第一金屬接點2〇不 電連接至該作用區域。 如上所述，依據本發明，將作為一源極隨耦器的互補金 屬氧化物半導體影像感測器之驅動電晶體具體化為 FINFET藉此增加作用區域之寬度。由於在該作用區域 111525.doc -18· 1310238 上面形成連接至該驅動電晶體之閘極的第一金屬接點，因 此藉由減小逆偏壓而提高電晶體之匹配特性，從而進一步 可比例縮小器件。因此，本發明提供淨晶粒增加並由於減 小晶片大小而可實施一縮小大小的影像感測器之一有利效 果。 在本發明中’儘管將互補金屬氧化物半導體影像感測器 之驅動電晶體實施為FINFET，但還可將其他電晶體施加 至該驅動電晶體。

本應用包含與韓國專利局在2〇〇5年6月17日頒佈的韓國 專利申請案第KR 2005-52352相關之主題内容，其全部内 容以引用形式併入本文。 儘官根據特定較佳具體實施例說明本發明，但習知此項 技:者應明白，可作各種變化及修改而不f離隨附申請專 利範圍所界定之本發明之精神及範疇。 【圖式簡單說明】 參考聯繫附圖給出的範例性具體實施例之上述說明，已 明白本發明之上面及其他目的與特徵，其中： 一 係說明-傳統互補金屬氧化物半導體影像感測器之 素的—電路圖’其中—單元像素包括四電晶體； 圖；〜_包括驅動電晶體之傳統單元像素的一平面 J保依據本發明之 丹體貫施例的 半導體影像感測器之一平面圖； 係〜圖3之直線ρ·ρ，所截取的一斷g 金屬氧化物 111525.doc ，19· 1310238 圖5係顯示依據本發明之一具體實施例一驅動電晶體之 一鰭式場效應電晶體（FINFET)之一透視圖； 圖6係顯示測量FINFET之逆偏壓效應之一模擬結果的一 曲線圖； 圖7係顯示一汲極電流變化對FINFET之一閘極電壓的一 曲線圖；以及 圖8A至8E係顯示依據本發明之一具體實施例的互補金 屬氧化物半導體影像感測器之單元像素之驅動電晶體之製 造方法的斷面圖。 【主要元件符號說明】 A 閘極區域 ACT 作用區域 B 光二極體區 BL 阻障層 Cfd 電容 Cfd 電容 Dx 驅動電晶體 FD 浮動擴散節點 G 閘極 Lx 負載電晶體 MIC 第一金屬接點 PD 光二極體 Rx 重置電晶體 Sx 選擇電晶體 111525.doc -20- 1310238 Τχ 傳送電晶體 U/C 互補金屬氧化物半導體影像感測器單元像素 VDD 電源電壓 10 基板 11 場氧化物層 12 氧化物層 13 氮化物層 14 第一光阻圖案

15 第二光阻圖案 16 開口 17 渠溝 18 氧化矽層 19 閘極電極 20 閘極電極 100 基板 101 場氧化物層 102 渠溝 103 氧化物層 104 氮化物層 105 閘極氧化物層 106 閘極電極 107 第一金屬接點 111525.doc -21 -

Claims (1)

1310238 ^、申請專利範圍： 種包括一重置電晶體、一選擇電晶體、一驅動電晶體 二二極體之互補金屬氧化半導體（CM0S)影像感測 ° δ亥互補金屬氧化物半導體影像感測器包含： —直線狀作用區域； 、该驅動電晶體的一閘極電極，該閘極電極與該作用區 域相互交又； ^阻障層，其插入於該作用區域與該閘極電極之間， 形成於該作用區域與該閘極電極之一交叉區域上；以及 —金屬接點，其係電連接至該閘極電極，其中該金屬 接點藉由該阻障層而不電連接至該作用區域。 :月求項1之互補金屬氧化物半導體影像感測器，其中 該阻障層包括一氧化物層與一氮化物層之一。 3. 如請求項丨之互補金屬氧化物半導體影像感測器，其中 該阻障層的厚度在大約10 Α至大約1，000 Α範圍内。 4. 如請求項1之互補金屬氧化物半導體影像感測器，其中 該閘極電極係該驅動電晶體之一閘極電極。 5. 一種包括一傳送電晶體、一重置電晶體、一選擇電晶 體、一驅動電晶體及一光二極體之互補金屬氧化物半導 體影像感測器，該互補金屬氧化物半導體影像感測器包 含： i 一直線狀作用區域； 該驅動電晶體的一閘極電極，該閘極電極與該作用區 域相互交叉； 111525.doc 1310238 6. 7. 8. 9. 10. 一阻障層，其插入於該作用區域與該閘極電極之間， 形成於該作用區域與該閘極電極之一交又區域上.以及 一金屬接點，其係電連接至該閘極電極，其中該金屬 接點藉由該阻障層而不電連接至該作用區域。 如請求項5之互補金屬氧化物半導體影像感測器 該阻障層包括一氧化物層與一氮化物層之一。 如請求項5之互補金屬氧化物半導體影像感測器 該阻障層的厚度在大約10 A至大約1，000 A範圍内 如請求項5之互補金屬氧化物半導體影像感測器，其中 該閘極電極係該驅動電晶體之一閘極電極。 -種包括-重置電晶體、一選擇電晶體、一驅動電晶體 及=光二極體之互補金屬氧化物半導體影像感测器，該 互補金屬氧化物半導體影像感測器包含： -渠溝狀場氧化物層，其形成於一基板内以界定-作 用區域； 、一渠溝，其具有—預定深度，藉由移除鄰近該作用區 域的該場氧化物層之一部分而形成； 3極氧化物層’其形成於該渠溝所曝露之該作 域之侧壁上； -阻障層，其形成於該作用區域上； 閘極電極’其形成於該渠溝與該轉層上面；以及 、屬接點，其電連接至該閘極電極，其中該金屬接 點藉由該阻障層而不雷拽主屬接 早a昉不電連接至該作用區域。 如請求項9之互補金屬氧 羁乳化物+導體影像感測器，其中 其中 其中 111525.doc 1310238 該阻障層包括一氧化物層與一氮化物層之一。 11. 如請求項9之互補金屬氧化物半導體影像感測器，其 該阻障層的厚度在大約10A至大約！，〇〇〇 A範圍内。中 12. 如請求項9之互補金屬氧化物半導體影像感測器，其 該閘極電極係該驅動電晶體之一閘極電極。 “中 選擇電晶 13. —種包括一傳送電晶體、一重置電晶體 體、-驅動電晶體及一光二極體之互補金屬氧化物：： 體影像感測器，該互補金屬氧化物半導體影像 含： 4恣包 一渠溝狀場氧化物層，其形成於一基板内以界定_ 用區域； T 、-渠溝，其具有—預定深度，藉由移除鄰近該作用區 域的該場氧化物層之一部分來形成； 閘極氧化物層’其形成於該渠溝所曝露的該作用區 域之侧壁上； 一阻障層，其形成於該作用區域上； 閘極電極，其形成於該渠溝與該阻障層上面；以及 一金屬接點，其係電連接至該閘極電極，其中該金 接點藉由該阻障層而不電連接至該作用區域。 1如β求項13之互補金屬氧化物半導體影像感測器，其中 °亥阻障層包括-氧化物層與-氮化物層之一。 15.如晴求項13之互補金屬氧化物半導體影像感測器，其中 該阻障層的厚度在大約10Α至大約1，_入範圍内。 青求員13之互補金屬氧化物半導體影像感測器，其中 111525.doc 1310238 §亥閘極電極係該驅動電晶體之一閘極電極。 17_ —種製造包括一重置電晶體、一選擇電晶體、一驅動電 晶體及一光二極體之互補金屬氧化半導體影像感測器之 方法’該方法包含： 形成複數個渠溝狀場氧化物層以界定一作用區域； 在該作用區域上形成一阻障層； 藉由移除鄰近該作用區域的該場氧化物層之一部分來 形成具有一預定深度的一渠溝； • 在該渠溝所曝露之該作用區域之侧壁上形成一閘極氧 化物層； 在該渠溝及該阻障層上面形成一閘極電極；以及 形成電連接至該閘極電極的一金屬接點，其中該金屬 接點藉由該阻障層而不電連接至該作用區域。 如π求項17之方法’其中該阻障層包括一氧化物層與— 氮化物層之一。 19·如清求項17之方沐，甘a从

之方去其中該阻障層的厚度在大約1〇a至 大約1,000 A範圍内。 月求項17之方法’其中該閘極電極係該驅動電晶體之 一閘極電極》 21_ —種用於製造包括— 擇電 ％電曰曰體、-重置電晶體、-選 物半導f , 先一極體之互補金屬氧化 導體衫像感測器之方法，該方法包含： ==渠溝狀場氧化物層以界定一作用區域； ^用區域上形成一阻障層； 111525.doc 1310238 藉由移除鄰近該作用區域的該場氧化物層之一部分來 形成具有一預定深度的一渠溝； 在該渠溝所曝露之作用區域之側壁上形成一閘極氧化 物層； 在該渠溝及該阻障層上面形成一閘極電極；以及 形成電連接至該閘極電極的一金屬接點，其中該金属 接點藉由該阻障層而不電連接至該作用區域。 22. 如請求項21之方法，其中該阻障層包括一氧化物層與一 氮化物層之一。 23. 如請求項21之方法，其中該阻障層的厚度在大約—至 大約ι，οοο A範圍内。 24. 如請求項21之方法’其中該閘極電極係該驅動電晶體之 一閘極電極。

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