JP2019080008A - 基板の熱処理方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、上記従来技術の問題点に鑑みてなされたものであって、利便性の良い、イオン注入残留欠陥の発生しない、基板の熱処理方法を提供することを目的とする。【解決手段】基板の熱処理方法であって、(1)ボロン濃度が2×1019atoms/cm3以上である領域を有するシリコン基板を準備する工程、(2)前記シリコン基板表面にイオン注入Aを行う工程、及び(3)前記シリコン基板にRTA熱処理を行い、前記シリコン基板のイオン注入残留欠陥を回復させる工程、を含むことを特徴とする基板の熱処理方法。【選択図】図1
Description
本発明は、基板の熱処理方法に関するものであり、シリコン基板や半導体基板に、原子やイオンを注入した後、結晶性回復熱処理(RTA熱処理)を施した場合に残留するイオン注入残留欠陥の低減法に関する技術である。
半導体装置の製造工程においては、不純物原子をイオン化して加速し、半導体基板(シリコン基板)に打ち込むイオン注入法が使われている。ソース・ドレイン領域の拡散層を形成するために、n型不純物としてはリン、砒素、アンチモンを、p型不純物としてはボロン、2フッ化ボロンを注入している。シリコン単結晶基板に対してイオンを注入すると、格子位置のシリコン原子が弾き出されて、格子間シリコン(以下、Iと称する)とその抜け殻である空孔(以下、Vと称する)が生成し、結晶性が低下する。イオンの注入量が多い場合には、結晶構造が変化し、長距離秩序はないが短距離秩序がある非晶質層(以下、アモルファス層と称する)が形成される。
上述のイオン注入の後、結晶性を回復させるために熱処理を行うが、熱処理後にIが凝集した欠陥が残留し、デバイス特性を悪化させるのが問題となることがある。イオン注入残留欠陥は基板構造に依らずに形成され、例えば、従来のプレーナ型だけでなく、微細な先端デバイスで使用されているFin構造においても形成される。また、特に、近年はプロセスが低温化しており、十分に結晶性が回復せず、欠陥が残留することが懸念されている。
イオン注入残留欠陥を低減させる手法として、特許文献1には、イオン注入を行う前に半導体基板の表面にバッファ層を被覆し、バッファ層の上からイオン注入することで、結晶欠陥をバッファ層と拡散層の間に取り込む方法が提案されている。しかしながら、特許文献1に記載の方法では、イオン注入前にバッファ層を形成する必要があり、プロセス数が増加するという問題があった。
また、特許文献2には、シリコン基板に炭素をイオン注入した後にエピタキシャル層を形成した半導体基板を用いることで、炭素により酸素の析出を加速して高密度の結晶欠陥を形成し、該結晶欠陥により残留欠陥をゲッタリングすることで欠陥を低減させる方法が提案されている。しかしながら、特許文献2に記載の方法では、一般的な半導体プロセスでは用いられない炭素を注入する必要があり、汎用性が低いという問題がある。
特許文献3には、リンまたはボロンの濃度が2×1019atoms/cm2以上であるシリコン基板の裏面にCVD酸化膜を形成し、表面には炭素イオンを注入したウェーハにエピタキシャルシリコン層を形成したエピタキシャルウェーハ、及びエピタキシャルウェーハの製造法が提案されている。裏面のCVD酸化膜は、エピタキシャル成長の際に、シリコン基板の裏面からリンまたはボロンが外方拡散し、エピタキシャル成長の雰囲気がドーパントに汚染されることを抑制するためのものである。表面に炭素イオンを注入するのは、基板からエピタキシャル層への、基板中のドーパントの拡散を抑制するためのものである。裏面のCVD酸化膜は外方拡散を抑制するという点では有効であるが、ウェーハの反りの原因となり、デバイスの製造に悪影響を与える場合がある。また、イオン注入後の結晶性回復熱処理工程においては、ウェーハの温度を放射温度計で測定するが、CVD酸化膜があることにより、温度が正しく測定できなくなることがある。放射温度計は高温物から放射される赤外線の強度を温度に換算しており、パターンが形成されていたり、放射率が変わったりすると、正確な測定ができない。ウェーハ表面にはデバイス層が形成されていれば、正確な温度の測定ができないため、ウェーハ裏面の温度を測定するが、裏面にCVD酸化膜があると、正確な測定ができず、問題となることがある。
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑みてなされたものであって、利便性の良い、イオン注入残留欠陥の発生しない、基板の熱処理方法を提供することを目的とする。
上記課題を達成するために、本発明では、基板の熱処理方法であって、
(1)ボロン濃度が2×1019atoms/cm3以上である領域を有するシリコン基板を準備する工程、
(2)前記シリコン基板表面にイオン注入Aを行う工程、及び
(3)前記シリコン基板にRTA熱処理を行い、前記シリコン基板のイオン注入残留欠陥を回復させる工程、
を含む基板の熱処理方法を提供する。
(1)ボロン濃度が2×1019atoms/cm3以上である領域を有するシリコン基板を準備する工程、
(2)前記シリコン基板表面にイオン注入Aを行う工程、及び
(3)前記シリコン基板にRTA熱処理を行い、前記シリコン基板のイオン注入残留欠陥を回復させる工程、
を含む基板の熱処理方法を提供する。
このような基板の熱処理方法とすることで、イオン注入Aにより導入された格子間シリコン(以下、Iと称する)が高濃度に存在するボロンと結合することで、Iの凝集を阻害し、残留欠陥の形成を防止することができる。
また、前記準備するシリコン基板を、ボロンが2×1019atoms/cm3以上の濃度でドープされたものとすることが好ましい。
本発明では、準備するシリコン基板として、このようなシリコン基板全体が高濃度にボロンドープされたものを用いることができる。
また、前記準備するシリコン基板を、前記シリコン基板の上に、該シリコン基板よりもボロン濃度の低いシリコンエピタキシャル層が形成されたものとすることが好ましい。
このようなシリコン基板を準備することで、デバイス形成領域(上面)に高濃度のボロン層を用いたくない場合に好適なRTA熱処理されたシリコン基板を得ることができる。
この場合、前記シリコンエピタキシャル層の厚さを0.01μm以上かつ20μm以下とすることが好ましい。
このような厚さとすることで、イオン注入Aによりシリコンエピタキシャル層に導入されたIはRTA熱処理工程中にシリコンエピタキシャル層中を拡散し、シリコン基板中のボロンと結合することができるので、イオン注入部の過剰なIの量を減少させ、残留欠陥の形成を防止することができる。
また、前記準備するシリコン基板を、シリコン基板に、ボロン又はボロンを含むクラスターのイオン注入Bが施されることによって、ボロンのピーク濃度が2×1019atoms/cm3以上かつ5×1021atoms/cm3以下の領域を形成した後に、該シリコン基板上にシリコンエピタキシャル層が形成されたものとすることが好ましい。
このようなシリコン基板を準備することで、上面及び下面のボロン量は少なくしたいが、残留欠陥が形成されないようにしたい場合に好適なRTA熱処理されたシリコン基板を得ることができる。
この場合、前記エピタキシャル層の厚さを0.01μm以上かつ20μm以下とすることが好ましい。
このような厚さとすることで、イオン注入Aによりシリコンエピタキシャル層に導入されたIはRTA熱処理工程中にシリコンエピタキシャル層中を拡散し、シリコン基板中にイオン注入Bにより注入されたボロンと結合することができるので、イオン注入Aによるイオン注入部の過剰なIの量を減少させ、欠陥の形成を防止できる。
また、前記準備するシリコン基板を、ボロン濃度が1×1012atoms/cm3以上かつ2×1019atoms/cm3以下であるシリコン基板上に、ボロン濃度が2×1019atoms/cm3以上かつ1×1021atoms/cm3以下であるシリコンエピタキシャル層が形成されたものとすることが好ましい。
このようなシリコン基板を準備することで、基板下面のボロン量は少なくしたいが、残留欠陥を形成されないようにしたい場合に好適なRTA熱処理されたシリコン基板を得ることができる。
この場合、前記エピタキシャル層の厚さを0.01μm以上かつ100μm以下とすることが好ましい。
このような厚さとすることで、シリコンエピタキシャル層中のボロンの存在量が、イオン注入Aにより導入されたIを捕獲するのに十分となるため、欠陥の形成を防止することができる。
この時、前記シリコンエピタキシャル層の表面に、ボロン濃度が1×1012atoms/cm3以上かつ2×1019atoms/cm3以下であるシリコンエピタキシャル層がさらに形成されたものとすることが好ましい。
このようなシリコン基板を準備することで、上面及び下面のボロン量は少なくしたいが、残留欠陥を形成されないようにしたい場合に好適なRTA熱処理されたシリコン基板を得ることができる。
また、前記さらに形成されたエピタキシャル層の厚さを0.01μm以上かつ20μm以下とすることが好ましい。
このような厚さとすることで、イオン注入Aにより、さらに形成されたシリコンエピタキシャル層に導入されたIは、RTA熱処理工程中に、さらに形成されたシリコンエピタキシャル層中を拡散し、シリコンエピタキシャル層中のボロンと結合することができるので、イオン注入部の過剰なIの量を減少させ、欠陥の形成を防止することができる。
また、前記準備するシリコン基板を、シリコン基板上に、ボロン濃度が2×1019atoms/cm3以上かつ1×1021atoms/cm3以下であるシリコンエピタキシャル層が形成された後に、前記シリコンエピタキシャル層よりもボロン濃度が低いシリコンエピタキシャル層がさらに形成されたものとすることが好ましい。
このようなシリコン基板を準備すれば、イオン注入残留欠陥が形成されない、RTA熱処理されたシリコン基板を得ることができる。
また、前記工程(3)において、前記RTA熱処理するシリコン基板を、表面に酸化膜が形成されていないものとすることが好ましい。
このようなRTA熱処理するシリコン基板とすることで、ウェーハの反りを抑制し、かつRTA熱処理時に、放射温度計で容易に温度の測定ができる。
また、前記イオン注入Aのドーズ量を、1×1011atoms/cm2以上かつ1×1016atoms/cm2以下とすることが好ましい。
このようなイオン注入Aのドーズ量とすることで、安定してイオン注入ができ、かつ本発明により欠陥の形成を防止できる程度のイオン注入量とすることができる。
また、前記RTA熱処理を、800℃以上かつ1300℃以下の温度で、0.1秒以上かつ100秒以内の時間保持するものとすることが好ましい。
このようなRTA熱処理条件とすることで、確実に結晶性の回復をして欠陥の発生を防止でき、かつプロセスが長くなり過ぎないようにすることができる。
また、前記準備するシリコン基板を、上に凸形状を有するFin構造部が形成されたものとすることが好ましい。
本発明では、このようなシリコン基板を準備して、熱処理を行うことができ、イオン注入残留欠陥は基板形状によらずに形成されるため、FinFETプロセスで欠陥の形成を防止する場合に好適なRTA熱処理されたシリコン基板を得ることができる。
以上のように、本発明によれば、利便性の良い、イオン注入残留欠陥の発生しない、基板の熱処理方法を提供することができる。また、本発明によれば、例えば、ボロンをピーク濃度で2×1019atoms/cm3以上かつ5×1021atoms/cm3以下含む領域を形成したシリコン基板を用いることで、イオン注入残留欠陥の形成を防止でき、高い歩留まりを得ることができる。
上述のように、利便性の良い、イオン注入残留欠陥の発生しない、基板の熱処理方法
の開発が求められていた。
の開発が求められていた。
上述のように、従来技術ではプロセス数を増やしたり、イオン注入元素としては一般的でない炭素を導入したりする必要があった。そこで、本発明者は、イオン注入残留欠陥の形成を簡単かつ確実に防止する方法について鋭意検討を重ねた結果、例えば、ボロンをピーク濃度で2×1019atoms/cm3以上かつ5×1021atoms/cm3以下含む領域を形成したシリコン基板を用いることで、ボロンがIの凝集を阻害し、イオン注入残留欠陥の形成を防止できることを見出し、本発明を完成させた。
即ち、本発明は、基板の熱処理方法であって、
(1)ボロン濃度が2×1019atoms/cm3以上である領域を有するシリコン基板を準備する工程、
(2)前記シリコン基板表面にイオン注入Aを行う工程、及び
(3)前記シリコン基板にRTA熱処理を行い、前記シリコン基板のイオン注入残留欠陥を回復させる工程、
を含む基板の熱処理方法である。
(1)ボロン濃度が2×1019atoms/cm3以上である領域を有するシリコン基板を準備する工程、
(2)前記シリコン基板表面にイオン注入Aを行う工程、及び
(3)前記シリコン基板にRTA熱処理を行い、前記シリコン基板のイオン注入残留欠陥を回復させる工程、
を含む基板の熱処理方法である。
以下、本発明について詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
シリコン単結晶基板に対してイオンを注入すると、格子位置のシリコン原子が弾き出されて、格子間シリコン(I)とその抜け殻である空孔(V)が生成される。結晶性を回復させるために熱処理を行うと、VはI又は注入された原子と結合し、過剰なIが残留する。過剰なIは熱処理の過程で凝集し、{311}欠陥や転位ループが形成される。{311}欠陥は{311}面に沿ってIが凝集した欠陥である。欠陥の形成を防止するためには、Iの凝集を阻害することが重要である。本発明では、イオン注入により導入されたIがボロンと結合することで、Iの凝集を阻害することができる。
[工程(1)]
工程(1)は、ボロン濃度が2×1019atoms/cm3以上である領域を有するシリコン基板を準備する工程である。
工程(1)は、ボロン濃度が2×1019atoms/cm3以上である領域を有するシリコン基板を準備する工程である。
イオン注入により導入されたIがボロンと結合することで、Iの凝集を阻害することができる。ボロンの濃度を2×1019atoms/cm3以上の濃度とすれば、残留欠陥の形成を防止できる。
シリコン基板の製造方法は特に限定されない。チョクラルスキー法(Czochralski Method:以下CZ法という)により製造されたシリコン基板を用いても良いし、フローティングゾーン法(Floating Zone Method:以下FZ法という)により製造されたシリコン基板を用いても良い。
また、上述の準備するシリコン基板を、上に凸形状を有するFin構造部が形成されたものとすることが好ましい。イオン注入残留欠陥は基板形状に依らずに形成されるため、FinFETプロセスで欠陥の形成を防止する場合に好適である。
以下、工程(1)でボロンの高濃度領域を有する準備するシリコン基板の各態様について、さらに詳細に説明する。
<態様1>
準備するシリコン基板を、ボロンが2×1019atoms/cm3以上の濃度でドープされたものとすることが好ましく、2×1019atoms/cm3以上かつ1×1021atoms/cm3以下とすればより好ましい。このように、本発明では準備するシリコン基板全体にボロンを高濃度にかつ均一にドープすることで、ボロンの高濃度領域を有するものとすることができる。このようなシリコン基板は、CZ法あるいはFZ法でシリコン単結晶を育成する時にボロンを高濃度にドープし、得られた単結晶インゴットからシリコン基板を切り出すことで準備することができる。1×1021atoms/cm3より低い濃度とすれば、結晶中にボロンが固溶するため導入が容易である。2×1019atoms/cm3以上の濃度とすれば、イオン注入Aにより基板に導入されたIがボロンと結合することで、Iの凝集が阻害され、残留欠陥の形成を防止することができる。
準備するシリコン基板を、ボロンが2×1019atoms/cm3以上の濃度でドープされたものとすることが好ましく、2×1019atoms/cm3以上かつ1×1021atoms/cm3以下とすればより好ましい。このように、本発明では準備するシリコン基板全体にボロンを高濃度にかつ均一にドープすることで、ボロンの高濃度領域を有するものとすることができる。このようなシリコン基板は、CZ法あるいはFZ法でシリコン単結晶を育成する時にボロンを高濃度にドープし、得られた単結晶インゴットからシリコン基板を切り出すことで準備することができる。1×1021atoms/cm3より低い濃度とすれば、結晶中にボロンが固溶するため導入が容易である。2×1019atoms/cm3以上の濃度とすれば、イオン注入Aにより基板に導入されたIがボロンと結合することで、Iの凝集が阻害され、残留欠陥の形成を防止することができる。
また、上述の準備するシリコン基板として、該シリコン基板の上に、該シリコン基板よりもボロン濃度の低いシリコンエピタキシャル層を形成したものを用いることができる。
この場合、イオン注入Aによってシリコンエピタキシャル層に生成したIは拡散が速いため、RTA熱処理工程中にエピタキシャル層中を拡散し、高濃度ボロンを含むシリコン基板まで拡散する。シリコン基板まで拡散したIはボロンと結合し、イオン注入部であるシリコンエピタキシャル層の過剰なIの量を減少させるので、欠陥の形成を防止できる。このため、イオン注入部は高濃度のボロン領域に含まれている必要はなく、イオン注入部と高濃度のボロン領域との距離は離れていてもよい。
また、上述のエピタキシャル層の厚さは0.01μm以上かつ20μm以下とすることが好ましい。このような厚さとすることで、IはRTA熱処理工程中にエピタキシャル層中を拡散し、シリコン基板中のボロンと結合することができるので、イオン注入部の過剰なIの量を減少させ、より確実に欠陥の形成を防止できる。
このようなシリコン基板を準備することで、デバイス形成領域(上面)に高濃度のボロン層を用いたくない場合に好適なRTA熱処理されたシリコン基板を得ることができる。
<態様2>
準備するシリコン基板を、シリコン基板に、ボロン又はボロンを含むクラスターのイオン注入Bが施されることによって、ボロンのピーク濃度が2×1019atoms/cm3以上かつ5×1021atoms/cm3以下の領域を形成した後に、該シリコン基板上にシリコンエピタキシャル層が形成されたものとすることが好ましい。
準備するシリコン基板を、シリコン基板に、ボロン又はボロンを含むクラスターのイオン注入Bが施されることによって、ボロンのピーク濃度が2×1019atoms/cm3以上かつ5×1021atoms/cm3以下の領域を形成した後に、該シリコン基板上にシリコンエピタキシャル層が形成されたものとすることが好ましい。
イオン注入Aによりエピタキシャル層に導入されたIが結晶性回復熱処理(RTA熱処理)によりシリコン基板まで拡散し、イオン注入Bが施されたシリコン基板中のボロンとIが結合することで、Iの凝集が阻害される。ボロンのピーク濃度の範囲は、2×1019atoms/cm3以上かつ5×1021atoms/cm3以下とすることが好ましい。2×1019atoms/cm3以上とすれば、残留欠陥の形成を防止でき、5×1021atoms/cm3以下とすれば、イオン注入Bでイオンを注入するのに時間がかかり過ぎるのを防ぐことができる。
イオン注入Bでは結晶中への固溶度以上のボロンを導入することができる。イオン注入Bはボロンのピーク濃度が2×1019atoms/cm3以上かつ5×1021atoms/cm3以下となる注入条件で行えばよく、特に制限はない。エネルギーは、例えば原子の場合には0.1keV〜600keVとすることができるし、クラスターを用いる場合には3〜100keV/clusterとすることができる。ドーズ量はエネルギーに合わせて調整すればよい。クラスターのサイズは、ボロンの注入ができればよく、特に限定されない。クラスターとしては、例えば、BF2、BxHy(x、yは数字)を用いることができる。
イオン注入Bには、イオン源、特定のイオンのみを取り出す質量分析器、イオンを加速する加速器、基板(ウェーハ)を配置するチャンバーを別々に兼ね揃えた従来のイオン注入機を用いてもよいし、イオン源、加速部、及び基板(ウェーハ)が同一チャンバー内に配置してあるプラズマドーピング装置を用いてもよい。プラズマドーピング装置では従来のイオン注入装置よりも低エネルギーのイオンを短時間に高濃度で注入できる。
上述のシリコンエピタキシャル層の厚さは0.01μm以上かつ20μm以下とすることが好ましい。このような厚さとすることで、イオン注入Aで導入されたIがRTA熱処理工程中にエピタキシャル層中を拡散し、シリコン基板中のボロンと結合することができるので、イオン注入部の過剰なIの量を減少させ、欠陥の形成を防止できる。
このようなシリコン基板を準備することで、上面及び下面のボロン量は少なくしたいが、残留欠陥を形成されないようにしたい場合に好適なRTA熱処理されたシリコン基板を得ることができる。
<態様3>
準備するシリコン基板を、ボロン濃度が1×1012atoms/cm3以上かつ2×1019atoms/cm3以下であるシリコン基板上に、ボロン濃度が2×1019atoms/cm3以上かつ1×1021atoms/cm3以下であるシリコンエピタキシャル層が形成されたものとすることが好ましい。
準備するシリコン基板を、ボロン濃度が1×1012atoms/cm3以上かつ2×1019atoms/cm3以下であるシリコン基板上に、ボロン濃度が2×1019atoms/cm3以上かつ1×1021atoms/cm3以下であるシリコンエピタキシャル層が形成されたものとすることが好ましい。
イオン注入Aによりシリコンエピタキシャル層に導入されたIが該シリコンエピタキシャル層中のボロンと結合することで、Iの凝集を阻害することができる。上述のシリコンエピタキシャル層のボロン濃度を2×1019atoms/cm3以上とすることで、残留欠陥の形成を防止できる。また、1×1021atoms/cm3以下とすれば、シリコンエピタキシャル層の成長中に欠陥が形成され難いため好ましい。このような高濃度ボロンのエピタキシャル層は、エピタキシャル層成長中にドーパントガスを高濃度に導入することで形成することができる。
シリコンエピタキシャル層は、基板全面に成長させてもよいし、イオン注入部の周囲に部分的に成長させてもよい。
上述のシリコンエピタキシャル層の厚さは0.01μm以上かつ100μm以下とすることが好ましい。このようなシリコンエピタキシャル層の厚さとすることで、ボロンの存在量が、イオン注入Aにより導入されたIを捕獲するのに十分となるため、欠陥の形成を防止することができる。
このようなシリコン基板を準備することで、基板下面のボロン量は少なくしたいが、残留欠陥を形成されないようにしたい場合に好適なRTA熱処理されたシリコン基板を得ることができる。
また、前記シリコンエピタキシャル層の表面に、ボロン濃度が1×1012atoms/cm3以上かつ2×1019atoms/cm3以下であるシリコンエピタキシャル層がさらに形成されたものとすることもできる。
上述の、さらに形成されたシリコンエピタキシャル層の厚さを0.01μm以上かつ20μm以下とすることが好ましい。このような厚さとすることで、イオン注入Aにより、さらに形成されたシリコンエピタキシャル層に導入されたIは、RTA熱処理工程中に、上述のさらに形成されたシリコンエピタキシャル層中を拡散し、下層のシリコンエピタキシャル層中のボロンと結合することができるので、イオン注入部の過剰なIの量を減少させ、欠陥の形成を防止できる。
このようなシリコン基板を準備することで、上面及び下面のボロン量は少なくしたいが、残留欠陥を形成されないようにしたい場合に好適な、RTA熱処理されたシリコン基板を得ることができる。
<態様4>
また、前記準備するシリコン基板を、シリコン基板上に、ボロン濃度が2×1019atoms/cm3以上かつ1×1021atoms/cm3以下であるシリコンエピタキシャル層が形成された後に、前記シリコンエピタキシャル層よりもボロン濃度が低いシリコンエピタキシャル層がさらに形成されたものとすることが好ましい。この場合、上層のエピタキシャル層のボロン濃度は、下層のボロン濃度より低ければよく、目的に応じて決定すればよい。エピタキシャル層を形成するシリコン基板のボロン濃度も任意である。
また、前記準備するシリコン基板を、シリコン基板上に、ボロン濃度が2×1019atoms/cm3以上かつ1×1021atoms/cm3以下であるシリコンエピタキシャル層が形成された後に、前記シリコンエピタキシャル層よりもボロン濃度が低いシリコンエピタキシャル層がさらに形成されたものとすることが好ましい。この場合、上層のエピタキシャル層のボロン濃度は、下層のボロン濃度より低ければよく、目的に応じて決定すればよい。エピタキシャル層を形成するシリコン基板のボロン濃度も任意である。
このようなシリコン基板を準備すれば、イオン注入残留欠陥が形成されない、RTA熱処理されたシリコン基板を得ることができる。
[工程(2)]
工程(2)は、工程(1)で準備したシリコン基板表面にイオン注入Aを行う工程である。
工程(2)は、工程(1)で準備したシリコン基板表面にイオン注入Aを行う工程である。
イオン注入Aには、イオン源、特定のイオンのみを取り出す質量分析器、イオンを加速する加速器、ウェーハを配置するチャンバーを別々に兼ね揃えた従来のイオン注入機を用いてもよいし、イオン源と加速部とウェーハが同一チャンバー内に配置してあるプラズマドーピング装置を用いてもよい。プラズマドーピング装置では従来のイオン注入装置よりも低エネルギーのイオンを短時間に高濃度で注入できる。
イオン注入Aのドーズ量は1×1011atoms/cm2以上かつ1×1016atoms/cm2以下とすることが好ましい。1×1011atoms/cm2以上とすれば、イオン注入時間が長くなり、より安定した注入が可能となる。1×1016atoms/cm2以下とすれば、生成するIの量が多くなり過ぎず、欠陥の形成を確実に防止することができる。イオンの注入量が多い場合には、結晶構造が変化し、長距離秩序はないが短距離秩序があるアモルファス層が形成されるが、アモルファス層の有無は特に限定されない。
イオン注入Aに用いる原子及びクラスターの種類は特に限定されない。どの原子、又はクラスターを注入した場合でも、過剰なIが生成されるため、本発明は有効である。
イオンのエネルギーは目的によって変えればよく、特に限定されない。例えば原子を用いる場合には0.1keV〜10MeVとすることができるし、クラスターを用いる場合には3〜100keV/clusterとすることができる。
[工程(3)]
工程(3)は、工程(2)でイオン注入したシリコン基板にRTA熱処理を行い、該シリコン基板のイオン注入残留欠陥を回復させる工程である。
工程(3)は、工程(2)でイオン注入したシリコン基板にRTA熱処理を行い、該シリコン基板のイオン注入残留欠陥を回復させる工程である。
RTA熱処理は、800℃以上かつ1300℃以下の温度で、0.1秒以上かつ100秒以内の時間保持することが好ましい。800℃以上かつ1300℃以下の温度で0.1秒以上保持すれば、Iは十分に拡散し、ボロンと結合するため、欠陥の発生をより確実に防止できる。100秒以内とすれば、プロセスが長くなり過ぎるのを防止できる。
RTA熱処理するシリコン基板は表面にCVD酸化膜(酸化膜)が形成されていないものとすることが好ましい。表面のCVD酸化膜はドーパントの外方拡散を抑制するという点では有効であるが、ウェーハの反りの原因となり、デバイスの製造に悪影響を与える場合がある。また、RTA熱処理炉においては、ウェーハの温度を放射温度計で測定するが、CVD酸化膜があることにより、温度が正しく測定できなくなることがある。放射温度計は高温物から放射される赤外線の強度を温度に換算しており、例えば、RTA熱処理するシリコン基板上にパターンが形成されていたり、放射率が変わったりすると、正確な測定ができない場合がある。シリコン基板(ウェーハ)の上面にデバイス層が形成されていれば、正確な温度の測定ができないため、シリコン基板(ウェーハ)の下面(裏面)の温度を測定するが、下面(裏面)にCVD酸化膜があると、正確な測定ができず、問題となることがある。
尚、ここでいう「表面」とは、RTA熱処理するシリコン基板のいずれかの表面を意味しており、「表面」には、上面、あるいは下面(裏面)等が含まれる。
以上のように、本発明は、利便性の良い、イオン注入残留欠陥の発生しない、基板の熱処理方法である。
以下、実施例及び比較例を用いて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
[実施例1]
基板のボロン濃度が2×1019、7×1019atoms/cm3であるエピタキシャルシリコン基板を各々準備した。シリコン基板の導電型、直径、結晶面方位、エピタキシャル層の抵抗率、導電型、厚さは、以下の通りである。
基板の導電型 :p型
直径 :200mm
結晶面方位 :(100)
エピタキシャル層の抵抗率:2Ω・cm
エピタキシャル層の導電型:p型
エピタキシャル層の厚さ :3μm
基板のボロン濃度が2×1019、7×1019atoms/cm3であるエピタキシャルシリコン基板を各々準備した。シリコン基板の導電型、直径、結晶面方位、エピタキシャル層の抵抗率、導電型、厚さは、以下の通りである。
基板の導電型 :p型
直径 :200mm
結晶面方位 :(100)
エピタキシャル層の抵抗率:2Ω・cm
エピタキシャル層の導電型:p型
エピタキシャル層の厚さ :3μm
次に、準備したシリコン基板に砒素をイオン注入Aした。ドーズ量は、1×1015atoms/cm2とし、エネルギーは400keVとした。次に、結晶性を回復させるために、RTA熱処理するシリコン基板に酸化膜を形成しないでRTA(Rapid Thermal Annealing)熱処理を行った。温度は1000℃とし、時間は10secとし、雰囲気は窒素とした。
[比較例1]
準備するシリコン基板のボロン濃度を1×1015、6×1018、及び1×1019atoms/cm3とした以外は、実施例1と同様にして基板の熱処理工程を行った。
準備するシリコン基板のボロン濃度を1×1015、6×1018、及び1×1019atoms/cm3とした以外は、実施例1と同様にして基板の熱処理工程を行った。
その後、実施例1及び比較例1でRTA熱処理した基板について、イオン注入残留欠陥を断面TEM(Transmission Electron Microscopy)観察した。図1に観察結果を示す。ボロン濃度が低い場合には欠陥層が2層形成されている。深い側の欠陥は飛程よりも深い部分に形成されるEOR(End Of Range)欠陥であり、浅い側の欠陥は高濃度の砒素があることにより形成される欠陥である。欠陥の起源はいずれもIの集合体である。実施例1では、ボロン濃度が2×1019atoms/cm3以上の場合であるため、浅い側の欠陥が観察されないことがわかった。一方、比較例1では、砒素によるEORのみならず、浅い側の欠陥が観察された。
また、欠陥密度をカウントするために、RTA熱処理後の試料をディンプルグラインダーで研磨し、平面TEM観察した。ボロン濃度と欠陥密度の関係をまとめた結果を図2に示す。浅い側の欠陥はボロン濃度が高いほど減少していることがわかる。欠陥密度が5×108cm−3以下であれば、デバイス活性領域内に含まれる欠陥が1個以下となるので、デバイス性能に影響しないと考えられる。
[実施例2]
実施例2、及び比較例2で用いたp型のシリコン基板の抵抗率、直径、結晶面方位は、以下の通りである。
抵抗率 :8〜20Ω・cm
直径 :200mm
結晶面方位:(100)
実施例2、及び比較例2で用いたp型のシリコン基板の抵抗率、直径、結晶面方位は、以下の通りである。
抵抗率 :8〜20Ω・cm
直径 :200mm
結晶面方位:(100)
次に、シリコン基板にボロンをイオン注入Bした。ドーズ量は5×1014atoms/cm2とし、エネルギーは80keVとした。次に、この上に、シリコンエピタキシャル層を形成した。シリコンエピタキシャル層の導電型はp型とし、抵抗率は2Ω・cmとし、シリコンエピタキシャル層の厚さは3μmとした。その後、ボロン濃度をSIMS(Secondary Ion Mass Spectrometry)で測定した。その結果、ボロンのピーク濃度は2×1019atoms/cm3であった。次に、以上のようにして準備したシリコン基板に砒素をイオン注入Aした。ドーズ量は1×1015atoms/cm2とし、エネルギーは400keVとした。次に、結晶性を回復させるために、RTA熱処理を行った。温度は1000℃とし、時間は10secとし、雰囲気は窒素とした。
[比較例2]
シリコン基板にボロンのイオン注入Bを行わないか、ドーズ量を2.5×1014atoms/cm2とした以外は、実施例2と同様にしてRTA熱処理工程を行った。尚、ドーズ量2.5×1014atoms/cm2でイオン注入を行った基板のSIMSで測定したボロンのピーク濃度は、1×1019atoms/cm3であった。
シリコン基板にボロンのイオン注入Bを行わないか、ドーズ量を2.5×1014atoms/cm2とした以外は、実施例2と同様にしてRTA熱処理工程を行った。尚、ドーズ量2.5×1014atoms/cm2でイオン注入を行った基板のSIMSで測定したボロンのピーク濃度は、1×1019atoms/cm3であった。
その後、実施例2及び比較例2でRTA熱処理を行ったシリコン基板について、イオン注入残留欠陥を断面TEM観察した。図3に観察結果を示す。実施例2では、ボロンのピーク濃度が2×1019atoms/cm3以上であるため、浅い側の欠陥が観察されないことがわかった。一方、比較例2では、浅い側の欠陥が観察された。
[実施例3]
実施例3及び比較例3で用いたp型のシリコン基板の抵抗率、直径、結晶面方位は、以下の通りである。
抵抗率 :8〜20Ω・cm
直径 :200mm
結晶面方位:(100)
実施例3及び比較例3で用いたp型のシリコン基板の抵抗率、直径、結晶面方位は、以下の通りである。
抵抗率 :8〜20Ω・cm
直径 :200mm
結晶面方位:(100)
次に、シリコン基板に10nmの厚さの、ボロン濃度が2×1019atoms/cm3であるシリコンエピタキシャル層を形成した。その上に、3μmの厚さの、ボロン濃度が1×1015atoms/cm3であるシリコンエピタキシャル層をさらに形成した。次に、以上のようにして準備したシリコン基板に砒素をイオン注入Aした。ドーズ量は、1×1015atoms/cm2とし、エネルギーは400keVとした。次に、結晶性を回復させるために、RTA熱処理を行った。温度は1000℃とし、時間は10secとし、雰囲気は窒素とした。
[比較例3]
下層のシリコンエピタキシャル層のボロン濃度を1×1015atoms/cm3及び、1×1019atoms/cm3とした以外は、実施例3と同様にして基板の熱処理工程を行った。
下層のシリコンエピタキシャル層のボロン濃度を1×1015atoms/cm3及び、1×1019atoms/cm3とした以外は、実施例3と同様にして基板の熱処理工程を行った。
その後、実施例3及び比較例3でRTA熱処理を行ったシリコン基板について、イオン注入残留欠陥を断面TEM観察した。図4に観察結果を示す。実施例3では、ボロンの濃度が2×1019atoms/cm3以上であるため、浅い側の欠陥が観察されないことがわかった。一方、比較例3では、浅い側の欠陥が観察された。
以上のように、本発明は、利便性の良い、イオン注入残留欠陥の発生しない、基板の熱処理方法であることが明らかとなった。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
Claims (15)
- 基板の熱処理方法であって、
(1)ボロン濃度が2×1019atoms/cm3以上である領域を有するシリコン基板を準備する工程、
(2)前記シリコン基板表面にイオン注入Aを行う工程、及び
(3)前記シリコン基板にRTA熱処理を行い、前記シリコン基板のイオン注入残留欠陥を回復させる工程、
を含むことを特徴とする基板の熱処理方法。 - 前記準備するシリコン基板を、ボロンが2×1019atoms/cm3以上の濃度でドープされたものとすることを特徴とする請求項1に記載の基板の熱処理方法。
- 前記準備するシリコン基板を、前記シリコン基板の上に、該シリコン基板よりもボロン濃度の低いシリコンエピタキシャル層が形成されたものとすることを特徴とする請求項2に記載の基板の熱処理方法。
- 前記シリコンエピタキシャル層の厚さを0.01μm以上かつ20μm以下とすることを特徴とする請求項3に記載の基板の熱処理方法。
- 前記準備するシリコン基板を、シリコン基板に、ボロン又はボロンを含むクラスターのイオン注入Bが施されることによって、ボロンのピーク濃度が2×1019atoms/cm3以上かつ5×1021atoms/cm3以下の領域を形成した後に、該シリコン基板上にシリコンエピタキシャル層が形成されたものとすることを特徴とする請求項1に記載の基板の熱処理方法。
- 前記エピタキシャル層の厚さを0.01μm以上かつ20μm以下とすることを特徴とする請求項5に記載の基板の熱処理方法。
- 前記準備するシリコン基板を、ボロン濃度が1×1012atoms/cm3以上かつ2×1019atoms/cm3以下であるシリコン基板上に、ボロン濃度が2×1019atoms/cm3以上かつ1×1021atoms/cm3以下であるシリコンエピタキシャル層が形成されたものとすることを特徴とする請求項1に記載の基板の熱処理方法。
- 前記エピタキシャル層の厚さを0.01μm以上かつ100μm以下とすることを特徴とする請求項7に記載の基板の熱処理方法。
- 前記シリコンエピタキシャル層の表面に、ボロン濃度が1×1012atoms/cm3以上かつ2×1019atoms/cm3以下であるシリコンエピタキシャル層がさらに形成されたものとすることを特徴とする請求項7又は請求項8に記載の基板の熱処理方法。
- 前記さらに形成されたシリコンエピタキシャル層の厚さを0.01μm以上かつ20μm以下とすることを特徴とする請求項9に記載の基板の熱処理方法。
- 前記準備するシリコン基板を、シリコン基板上に、ボロン濃度が2×1019atoms/cm3以上かつ1×1021atoms/cm3以下であるシリコンエピタキシャル層が形成された後に、前記シリコンエピタキシャル層よりもボロン濃度が低いシリコンエピタキシャル層がさらに形成されたものとすることを特徴とする請求項1に記載の基板の熱処理方法。
- 前記工程(3)において、前記RTA熱処理するシリコン基板を、表面に酸化膜が形成されていないものとすることを特徴とする請求項1から請求項11のいずれか一項に記載の基板の熱処理方法。
- 前記イオン注入Aのドーズ量を、1×1011atoms/cm2以上かつ1×1016atoms/cm2以下とすることを特徴とする請求項1から請求項12のいずれか一項に記載の基板の熱処理方法。
- 前記RTA熱処理を、800℃以上かつ1300℃以下の温度で、0.1秒以上かつ100秒以内の時間保持するものとすることを特徴とする請求項1から請求項13のいずれか一項に記載の基板の熱処理方法。
- 前記準備するシリコン基板を、上に凸形状を有するFin構造部が形成されたものとすることを特徴とする請求項1から請求項14のいずれか一項に記載の基板の熱処理方法。
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