JP5799936B2 - 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法 - Google Patents
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Description
すなわち、本発明の半導体エピタキシャルウェーハの製造方法は、半導体ウェーハの表面にクラスターイオンを照射して、該半導体ウェーハ表面に、前記クラスターイオンの構成元素である炭素およびドーパント元素が固溶した改質層を形成する第1工程と、前記半導体ウェーハの改質層上に、該改質層における前記ドーパント元素のピーク濃度よりもドーパント元素の濃度が低いエピタキシャル層を形成する第2工程と、を有し、該第2工程後の改質層における前記構成元素の深さ方向の濃度プロファイルの半値幅が100nm以下である半導体エピタキシャルウェーハを得ることを特徴とする。
本発明の第1実施形態による半導体エピタキシャルウェーハ100の製造方法を図1に示す。まず、半導体ウェーハ10の表面10Aにクラスターイオン16を照射して、半導体ウェーハ10の表面10Aに、このクラスターイオン16の構成元素である炭素およびドーパント元素が固溶した改質層18を形成する第1工程(図1(A),(B))を行う。次に、半導体ウェーハ10をSC−1洗浄やHF洗浄など周知の洗浄方法で洗浄した後、半導体ウェーハ10の改質層18上に、改質層18におけるドーパント元素のピーク濃度よりもドーパント元素濃度が低いエピタキシャル層20を形成する第2工程(図1(D))を行う。図1(D)は、この製造方法の結果得られた半導体エピタキシャルウェーハ100の模式断面図である。
次に、上記製造方法により得られる半導体エピタキシャルウェーハ100,200について説明する。第1実施形態による半導体エピタキシャルウェーハ100および第2実施形態による半導体エピタキシャルウェーハ200は、図1(D)および図2(E)に示すように、半導体ウェーハ10と、この半導体ウェーハ10の表面に形成され、半導体ウェーハ10中に炭素およびドーパント元素が固溶してなる改質層18と、この改質層18上のエピタキシャル層20と、を有する。そして、いずれにおいても改質層18における、炭素の濃度プロファイルの半値幅W1およびドーパント元素の濃度プロファイルの半値幅W2がともに100nm以下であり、かつエピタキシャル層20におけるドーパント元素の濃度が、改質層18におけるドーパント元素のピーク濃度よりも低いことを特徴とする。
本発明の実施形態による固体撮像素子の製造方法は、上記の製造方法で製造されたエピタキシャルウェーハまたは上記のエピタキシャルウェーハ、すなわち半導体エピタキシャルウェーハ100,200の表面に位置するエピタキシャル層20に、固体撮像素子を形成することを特徴とする。この製造方法により得られる固体撮像素子は、従来に比べ製造工程の各処理中で発生する重金属汚染の影響を低減でき、白傷欠陥の発生を十分に抑制することができる。
まず、クラスターイオン照射とモノマーイオン注入の相違を明らかにするため、以下の実験を行った。
CZ単結晶シリコンインゴットから得たn型シリコンウェーハ(直径:300mm、厚さ:725μm、ドーパント:リン、ドーパント濃度:5×1014atoms/cm3)を用意した。次に、クラスターイオン発生装置(日新イオン機器社製、型番:CLARIS)を用いて、トリメチルホスフィン(C3H9P)をイオン化して、炭素のドーズ量5.0×1014atoms/cm2、リンのドーズ量1.7×1014atoms/cm2、炭素1原子あたりの加速電圧12.8keV/atom、リンの1原子あたりの加速電圧32keV/atomの条件で、シリコンウェーハに照射した。
参考例1と同じシリコンウェーハに対して、トリメチルホスフィンに替えて、トリメチルボラン(C3H9B)を材料ガスとして、クラスターイオンを生成し、ボロンのドーズ量1.7×1014atoms/cm2、ボロン1原子あたりの加速電圧を14.5kev/atomとした以外は、参考例1と同じ条件で、シリコンウェーハに照射した。
参考例1と同じシリコンウェーハに対して、クラスターイオン照射に替えて、CO2を材料ガスとして、炭素のモノマーイオンを生成し、ドーズ量5.0×1014atoms/cm2、加速電圧80keV/atomの条件で、シリコンウェーハに注入した。その後、ホスフィン(PH3)を材料ガスとして、リンのモノマーイオンを生成し、ドーズ量1.7×1014atoms/cm2、加速電圧80keV/atomの条件で、シリコンウェーハに注入した。
参考例1と同じシリコンウェーハに対して、クラスターイオン照射に替えて、CO2を材料ガスとして、炭素のモノマーイオンを生成し、ドーズ量5.0×1014atoms/cm2、加速電圧80keV/atomの条件で、シリコンウェーハに注入した。その後、BF2を材料ガスとして、ボロンのモノマーイオンを生成し、ドーズ量1.7×1014atoms/cm2、加速電圧80keV/atomの条件で、シリコンウェーハに注入した。
上記参考例1〜4で作製したサンプルについて、二次イオン質量分析(SIMS)により測定を行い、図4(A),(B)および図5(A),(B)に示す炭素およびドーパント元素の濃度プロファイルを得た。なお、横軸の深さはシリコンウェーハの表面をゼロとしている。図4(A),(B)および図5(A),(B)から明らかなように、クラスターイオン照射をした参考例1,2では、炭素濃度プロファイルおよびドーパント元素(リン、ボロン)濃度プロファイルがいずれもシャープであるが、モノマーイオン注入をした参考例3,4では、炭素濃度プロファイルおよびドーパント元素濃度プロファイルがブロードである。また、参考例3,4に比べて参考例1,2では、炭素およびドーパント元素の濃度プロファイルのピーク濃度はいずれも高く、ピーク位置もより半導体ウェーハ表面近傍に位置している。このことから、エピタキシャル層形成後も、各元素の濃度プロファイルの傾向は同様となることが推定される。
(実施例1)
CZ単結晶シリコンインゴットから得たn型シリコンウェーハ(厚さ:725μm、ドーパント種類:リン、ドーパント濃度:1×1015atoms/cm3)を用意した。次に、クラスターイオン発生装置(日新イオン機器社製、型番:CLARIS)を用いて、トリメチルホスフィン(C3H9P)のクラスターイオンを生成し、炭素のドーズ量5.0×1014atom/cm2、リンのドーズ量1.7×1014atom/cm2、炭素1原子あたり12.8keV/atom、ボロン1原子あたり12.8keV/atomの照射条件でシリコンウェーハに照射した。その後、シリコンウェーハをHF洗浄処理した後、枚葉式エピタキシャル成長装置(アプライドマテリアルズ社製)内に搬送し、装置内で1120℃の温度で30秒の水素ベーク処理を施した後、水素をキャリアガス、トリクロロシランをソースガス、ホスフィン(PH3)をドーパントガスとして1000〜1150℃でCVD法により、シリコンウェーハ上にシリコンのエピタキシャル層(厚さ:6μm、ドーパント種類:リン、ドーパント濃度:5×1015atoms/cm3)をエピタキシャル成長させ、本発明に従うシリコンエピタキシャルウェーハを作製した。
実施例1と同じシリコンウェーハに対して、トリメチルホスフィンに替えて、トリメチルボラン(C3H9B)を材料ガスとして、クラスターイオンを生成し、ボロンのドーズ量1.7×1014atoms/cm2、ボロン1原子あたりの加速電圧を14.5kev/atomとし、さらにエピタキシャル層(ドーパント種類:ボロン、ドーパント濃度:5×1015atoms/cm3)とした以外は、実施例1と同じ条件で、本発明に従うシリコンエピタキシャルウェーハを作製した。
実施例1と同じシリコンウェーハに対して、クラスターイオン照射に替えて、CO2を材料ガスとして、炭素のモノマーイオンを生成し、ドーズ量5.0×1014atoms/cm2、加速電圧80keV/atomの条件で、シリコンウェーハに注入した。その後、ホスフィン(PH3)を材料ガスとして、リンのモノマーイオンを生成し、ドーズ量1.7×1014atoms/cm2、加速電圧80keV/atomの条件でシリコンウェーハに注入した以外は、実施例1と同じ条件で、比較例にかかるシリコンエピタキシャルウェーハを作製した。
実施例1と同じシリコンウェーハに対して、クラスターイオン照射に替えて、CO2を材料ガスとして、炭素のモノマーイオンを生成し、ドーズ量5.0×1014atoms/cm2、加速電圧80keV/atomの条件で、シリコンウェーハに注入した。その後、BF2を材料ガスとして、ボロンのモノマーイオンを生成し、ドーズ量1.7×1014atoms/cm2、加速電圧80keV/atomの条件でシリコンウェーハに注入した以外は、実施例1と同じ条件で、比較例にかかるシリコンエピタキシャルウェーハを作製した。
実施例1と同じシリコンウェーハに対して、クラスターイオン照射に替えて、CO2を材料ガスとして、炭素のモノマーイオンを生成し、ドーズ量5.0×1014atoms/cm2、加速電圧80keV/atomの条件で、シリコンウェーハに注入した以外は、実施例1と同じ条件で、比較例にかかるシリコンエピタキシャルウェーハを作製した。
(1)SIMS測定
作製した各サンプルについてSIMS測定を行い、図6(A),(B)および図7(A),(B),(C)に示す炭素およびドーパント元素の濃度プロファイルを得た。ただし、図7(C)についてはドーパント元素を注入していないので、炭素の濃度プロファイルのみである。なお、横軸の深さはエピタキシャル層の表面をゼロとしている。また、作製した各サンプルについて、エピタキシャル層を1μmまで薄膜化した後にSIMS測定を行った。このとき得られた炭素およびドーパント元素の濃度プロファイルの半値幅、ピーク濃度、およびピーク位置(エピタキシャル層を除いたシリコンウェーハ表面からのピーク深さ)を、それぞれ以下の評価基準で分類して表1に示す。
半値幅
◎:100nm以下
○:100nm超〜125nm以下
△:125nm超
ピーク位置
◎:125nm以下
○:125nm超〜150nm以下
△:150nm超
ピーク濃度
◎:5.0×1019atoms/cm3以上
○:2.0×1019atoms/cm3以上〜5.0×1019atoms/cm3未満
△:2.0×1019atoms/cm3未満
作製した各サンプルのエピタキシャル層表面を、Ni汚染液(1.0×1014/cm2)およびCu汚染液(1.0×1014/cm2)でスピンコート汚染法を用いて故意に汚染し、引き続き1000℃、1時間の拡散熱処理を施した。その後、SIMS測定を行うことでゲッタリング性能を評価した。NiおよびCuの捕獲量(SIMSプロファイルの積分値)を以下のようにそれぞれ分類して、評価基準とした。評価結果を表1に示す。
◎:7.5×1013atoms/cm2以上〜1×1014atoms/cm2未満
○:5.0×1013atoms/cm2以上〜7.5×1013atoms/cm2未満
△:5.0×1013atoms/cm2未満
図6(A),(B)と、図7(A),(B),(C)とを比較すると、クラスターイオン照射により、実施例1,2では炭素およびドーパント元素が局所的かつ高濃度に固溶した改質層が形成されることが分かる。そして、表1に示すように、実施例1,2は、炭素およびドーパント元素の濃度プロファイルの半値幅がいずれも100nm以下であるために、NiおよびCuの両方に対して、比較例1〜3よりも優れたゲッタリング能力を発揮していることが分かる。
10A 半導体ウェーハの表面
12 バルク半導体ウェーハ
14 第1エピタキシャル層
16 クラスターイオン
18 改質層
20 (第2)エピタキシャル層
100 半導体エピタキシャルウェーハ
200 半導体エピタキシャルウェーハ
Claims (14)
- 半導体ウェーハの表面にクラスターイオンを照射して、該半導体ウェーハ表面に、前記クラスターイオンの構成元素である炭素およびドーパント元素が固溶した改質層を形成する第1工程と、
前記半導体ウェーハの改質層上に、該改質層における前記ドーパント元素のピーク濃度よりもドーパント元素の濃度が低いエピタキシャル層を形成する第2工程と、
を有し、該第2工程後の改質層における前記構成元素の深さ方向の濃度プロファイルの半値幅が100nm以下である半導体エピタキシャルウェーハを得ることを特徴とする半導体エピタキシャルウェーハの製造方法。 - 前記クラスターイオンが、前記炭素および前記ドーパント元素の両方を含む化合物をイオン化してなる請求項1に記載の半導体エピタキシャルウェーハの製造方法。
- 前記ドーパント元素が、ボロン、リン、砒素およびアンチモンからなる群より選択された1または2以上の元素である請求項1または2に記載の半導体エピタキシャルウェーハの製造方法。
- 前記半導体ウェーハが、シリコンウェーハである請求項1〜3いずれか1項に記載の半導体エピタキシャルウェーハの製造方法。
- 前記半導体ウェーハが、シリコンウェーハの表面にシリコンエピタキシャル層が形成されたエピタキシャルシリコンウェーハであり、前記第1工程において前記改質層は前記シリコンエピタキシャル層の表面に形成される請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体エピタキシャルウェーハの製造方法。
- 前記第1工程の後、前記第2工程の前に前記半導体ウェーハに対して結晶性回復のための熱処理を行う工程をさらに有する請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体エピタキシャルウェーハの製造方法。
- 半導体ウェーハと、該半導体ウェーハの表面に形成された、該半導体ウェーハ中に炭素およびドーパント元素が固溶してなる改質層と、該改質層上のエピタキシャル層と、を有し、
前記改質層における、前記炭素の濃度プロファイルの半値幅および前記ドーパント元素の濃度プロファイルの半値幅がともに100nm以下であり、
前記エピタキシャル層におけるドーパント元素の濃度が、前記改質層における前記ドーパント元素のピーク濃度よりも低いことを特徴とする半導体エピタキシャルウェーハ。 - 前記ドーパント元素が、ボロン、リン、砒素およびアンチモンからなる群より選択された1または2以上の元素である請求項7に記載の半導体エピタキシャルウェーハ。
- 前記半導体ウェーハが、シリコンウェーハである請求項7または8に記載の半導体エピタキシャルウェーハ。
- 前記半導体ウェーハが、シリコンウェーハの表面にシリコンエピタキシャル層が形成されたエピタキシャルシリコンウェーハであり、前記改質層は前記シリコンエピタキシャル層の表面に位置する請求項7または8に記載の半導体エピタキシャルウェーハ。
- 前記半導体ウェーハの表面からの深さが150nm以下の範囲内に、前記改質層における前記炭素および前記ドーパント元素の濃度プロファイルのピークが位置する請求項7〜10のいずれか1項に記載の半導体エピタキシャルウェーハ。
- 前記改質層における前記炭素の濃度プロファイルのピーク濃度が、1×1015atoms/cm3以上である請求項7〜11のいずれか1項に記載の半導体エピタキシャルウェーハ。
- 前記改質層における前記ドーパント元素の濃度プロファイルのピーク濃度が、1×1015atoms/cm3以上である請求項7〜12のいずれか1項に記載の半導体エピタキシャルウェーハ。
- 請求項1〜6のいずれか1項に記載の製造方法で製造されたエピタキシャルウェーハまたは請求項7〜13のいずれか1項に記載のエピタキシャルウェーハの、表面に位置するエピタキシャル層に、固体撮像素子を形成することを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
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JP6354993B2 (ja) * | 2015-04-03 | 2018-07-11 | 信越半導体株式会社 | シリコンウェーハ及びシリコンウェーハの製造方法 |
US10026843B2 (en) * | 2015-11-30 | 2018-07-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Fin structure of semiconductor device, manufacturing method thereof, and manufacturing method of active region of semiconductor device |
JP6459948B2 (ja) * | 2015-12-15 | 2019-01-30 | 株式会社Sumco | 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法および固体撮像素子の製造方法 |
JP6759626B2 (ja) * | 2016-02-25 | 2020-09-23 | 株式会社Sumco | エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハ |
JP2017201647A (ja) | 2016-05-02 | 2017-11-09 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP6737066B2 (ja) * | 2016-08-22 | 2020-08-05 | 株式会社Sumco | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、エピタキシャルシリコンウェーハ、及び固体撮像素子の製造方法 |
JP6327393B1 (ja) * | 2017-02-28 | 2018-05-23 | 株式会社Sumco | エピタキシャルシリコンウェーハの不純物ゲッタリング能力の評価方法及びエピタキシャルシリコンウェーハ |
JP6787268B2 (ja) * | 2017-07-20 | 2020-11-18 | 株式会社Sumco | 半導体エピタキシャルウェーハおよびその製造方法、ならびに固体撮像素子の製造方法 |
JP2019080008A (ja) * | 2017-10-26 | 2019-05-23 | 信越半導体株式会社 | 基板の熱処理方法 |
JP6801682B2 (ja) | 2018-02-27 | 2020-12-16 | 株式会社Sumco | 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 |
JP6930459B2 (ja) * | 2018-03-01 | 2021-09-01 | 株式会社Sumco | 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法 |
KR102261633B1 (ko) * | 2019-02-01 | 2021-06-04 | 에스케이실트론 주식회사 | 에피택셜웨이퍼의 금속오염분석방법 |
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JP7259791B2 (ja) * | 2020-03-25 | 2023-04-18 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハへのクラスターイオン注入による白傷欠陥低減効果の評価方法及びエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 |
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JP2006193800A (ja) | 2005-01-14 | 2006-07-27 | Canon Inc | 硬質炭素膜の成膜方法及び成膜装置 |
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KR101455404B1 (ko) * | 2005-12-09 | 2014-10-27 | 세미이큅, 인코포레이티드 | 탄소 클러스터의 주입에 의한 반도체 디바이스의 제조를위한 시스템 및 방법 |
US8110820B2 (en) * | 2006-06-13 | 2012-02-07 | Semequip, Inc. | Ion beam apparatus and method for ion implantation |
JP2008311418A (ja) * | 2007-06-14 | 2008-12-25 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | エピタキシャルウェーハおよびエピタキシャルウェーハの製造方法 |
JP2010040864A (ja) * | 2008-08-06 | 2010-02-18 | Sumco Corp | エピタキシャルシリコンウェーハ及びその製造方法 |
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JP2011151318A (ja) * | 2010-01-25 | 2011-08-04 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2011253983A (ja) * | 2010-06-03 | 2011-12-15 | Disco Abrasive Syst Ltd | シリコンウェーハへのゲッタリング層付与方法 |
FR2961013B1 (fr) * | 2010-06-03 | 2013-05-17 | Commissariat Energie Atomique | Procede pour eliminer des impuretes residuelles extrinseques dans un substrat en zno ou en znmgo de type n, et pour realiser un dopage de type p de ce substrat. |
JP2012059849A (ja) * | 2010-09-08 | 2012-03-22 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンエピタキシャルウェーハおよびシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 |
US9263271B2 (en) * | 2012-10-25 | 2016-02-16 | Infineon Technologies Ag | Method for processing a semiconductor carrier, a semiconductor chip arrangement and a method for manufacturing a semiconductor device |
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