JP2006016288A - 半導体製造プロセスに使用される金属炭化物基体の表面処理方法、および金属炭化物基体 - Google Patents
半導体製造プロセスに使用される金属炭化物基体の表面処理方法、および金属炭化物基体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006016288A JP2006016288A JP2004210010A JP2004210010A JP2006016288A JP 2006016288 A JP2006016288 A JP 2006016288A JP 2004210010 A JP2004210010 A JP 2004210010A JP 2004210010 A JP2004210010 A JP 2004210010A JP 2006016288 A JP2006016288 A JP 2006016288A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carbide substrate
- metal carbide
- gas mixture
- reactive gas
- surface layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 76
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 72
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 63
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 32
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 43
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 31
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 53
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 26
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 7
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 5
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 4
- 238000010335 hydrothermal treatment Methods 0.000 claims description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 16
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 13
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 9
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 4
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/53—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone involving the removal of at least part of the materials of the treated article, e.g. etching, drying of hardened concrete
- C04B41/5338—Etching
- C04B41/5346—Dry etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
- C04B41/91—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics involving the removal of part of the materials of the treated articles, e.g. etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
【課題】小さな金属炭化物パーティクルを発生させずに金属炭化物基体ン表面を処理する方法を提供する。
【解決手段】半導体製造プロセスに使用される金属炭化物基体の表面処理方法であって、反応性ガス混合物を用いて金属炭化物基体（１０）の表面を選択的にエッチングし、それにより金属炭化物基体（１０）上に炭素表面層（１３）を形成する工程、および金属炭化物基体（１０）上に形成された炭素表面層（１３）を除去する工程を包含する方法。
【選択図】 図１
【解決手段】半導体製造プロセスに使用される金属炭化物基体の表面処理方法であって、反応性ガス混合物を用いて金属炭化物基体（１０）の表面を選択的にエッチングし、それにより金属炭化物基体（１０）上に炭素表面層（１３）を形成する工程、および金属炭化物基体（１０）上に形成された炭素表面層（１３）を除去する工程を包含する方法。
【選択図】 図１
Description
本発明は、半導体製造プロセスに使用される金属炭化物基体の表面処理方法に関する。
また、本発明は、本発明の方法により処理された、半導体製造プロセスに使用される金属炭化物基体にも関する。
炭化ケイ素のような金属炭化物は、半導体製造プロセスで使用されることが知られている。より具体的には、金属炭化物は、例えばウエハボートや支持リングを構成するための出発物質として使用されている。そのような構造は、多数のウエハのホルダーまたは位置決め手段として作用し、それらウエハは、半導体の製造中に、いくつかの処理工程に供される。そのような処理プロセス工程は、温度、圧力、真空度に関し、特定の、よく制御された条件下で行われ、例えば化学気相成長技術（ＣＶＤ）を用いたウエハ上のいくつかの半導体材料層の堆積、または温度アニールのような他のプロセス工程であり得る。
本明細書では、「金属炭化物基体」とは、ウエハボートホルダを意味するばかりでなく、半導体製造プロセスに使用される金属炭化物から作られる他の構造または部品・部材、例えば反応容器をも意味することに注意されたい。
半導体製造プロセス（例えば半導体層の堆積）の後の処理プロセス工程は、温度、圧力および真空度に関し正確に制御された状況の下で行われ、また純度および汚染の欠如に関しクリーンルーム環境が最高の基準を満たすことが要求され、また金属炭化物基体が寸法および熱挙動に関し最高の基準を満たす必要がある。
この目的で、例えばウエハボートホルダを作るいくつかの金属炭化物基体は、基体表面を処理するために機械加工に供される。しかしながら、機械加工による表面処理は、金属炭化炭化物基体の表面に小さなほとんど目に見えないマイクロクラックまたは孔を生じさせる。これらのマイクロクラックあるいは表面損傷は、後の異なる半導体製造プロセス（例えば、半導体層堆積または高温アニール）に悪影響を及ぼす。全ての汚染はこれらマイクロクラック中に蓄積され、その汚染が半導体プロセス中にマイクロクラックから遊離し、それによりウエハ上の堆積半導体層を汚染するからである。このことにより、かなり品質の劣った製品や不合格製品が生じる。
金属炭化物基体における表面損傷の存在のさらなる不利点は、半導体製造プロセス中にパーティクルの発生および放出の危険性があるということである。いくつかの半導体層堆積中に熱条件が変化するために、小さな金属炭化物パーティクルが金属炭化物基体から遊離し、半導体製造プロセスを汚染するのである。
本発明の目的は、上記欠点を軽減する方法および金属炭化物基体を提供することである。
本発明によれば、上記方法は、反応性ガス混合物を用いて上記金属炭化物基体の表面を選択的にエッチングし、それにより前記金属炭化物基体上に炭素表面層を生成させる工程、および前記金属炭化物基体上に生成した前記炭素表面層を除去する工程を含む。
本発明に従う方法により、本発明の金属炭化物基体は、半導体製造プロセスに要求される寸法および純度に関し最高の基準に従う表面構造をもって得ることができる。特に、本発明の工程により処理された金属炭化物基体は、半導体製造プロセスの後の処理プロセス工程（例えば半導体層堆積または温度アニール）が正確でよく制御された処理条件（温度、圧力および真空度）の下で行われる半導体ウエハを取り扱い、収容するためのウエハボートとして非常に適している。
マイクロクラックの形態のすべての表面損傷は、上記炭素表面層の除去とともに取り除かれるので、平滑でクリーンなＳｉＣ表面が、きわめて高い純度を持って得られるとともに、すべての不純物も除去される。さらに、内層面損傷表面（subsurface damaged surface）の除去により、半導体製造プロセスに悪影響を与え得る金属炭化物基体からのパーティクルの発生および放出が解消される。
したがって、本発明の方法により処理された金属炭化物基体を用いることにより、半導体製造プロセス中により高い純度が、より高いレベルの精度およびより少ない不良品をもって、達成できる。
本発明の方法の具体的な態様において、上記炭素表面層を除去する工程は、酸化処理技術により行われる。
本発明の方法の他の態様において、上記炭素表面層を除去する工程は、水素化処理技術により行われる。他の態様では、上記炭素表面層を除去する工程は、水熱処理（hydorthermical treatment）技術により行われる。
さらに、本発明の有利な態様において、金属炭化物基体の表面をエッチングする工程中に使用される反応性ガス混合物は、ハロゲン含有ガス混合物であり、反応性ガス混合物のハロゲン含有ガス濃度は、１００％であり得る。
本発明の他の態様において、ハロゲン含有ガスは、例えばアルゴン雰囲気中の、塩素（Ｃｌ2）である。
一例において、反応性ガス混合物の流量は、毎分０．５〜５リットルであり、上記反応性ガス混合物の使用圧力力（working pressure）は、１００ｍｂａｒ〜周囲圧力（ambient pressure）であり得、上記反応性ガス混合物の使用温度（working temperature）は、１０００℃〜１２００℃であり得る。
半導体製造プロセスに使用するための金属炭化物基体は、本発明によれば、表面を有し、前記表面上に、反応性ガス混合物を用いたエッチング技術により炭素表面層が形成されており、前記炭素表面は、後に、前記金属炭化物基体から除去されることを特徴とするものである。
同様に、本発明による金属炭化物基体の具体的な態様において、上記炭素表面層は、酸化処理技術により除去される。あるいは、上記炭素表面層は、水素化処理技術により除去される。また、上記炭素表面層は、水熱処理技術により除去することもできる。
本発明による金属炭化物基体の具体的な態様において、金属炭化物基体は、ハロゲン含有ガス混合物を含有する反応性ガス混合物からなる反応性ガス混合物に供される。
さらに、より具体的な態様において、上記反応性ガス混合物のハロゲン含有ガス濃度は、１００％であり、より具体的にはハロゲン含有ガスは、Ａｒ雰囲気中の塩素（Ｃｌ2）
である。さらに、上記反応性ガス混合物は、水素（Ｈ2）をも含有し得る。
である。さらに、上記反応性ガス混合物は、水素（Ｈ2）をも含有し得る。
また、上記反応性ガス混合物の流量は、毎分０．５〜５リットルであり、金属炭化物基体表面を、１００ｍｂａｒ〜周囲圧力の前記反応性ガス混合物の使用圧力に供することができ、または前記金属炭化物基体表面は１０００℃〜１２００℃の前記反応性ガス混合物の使用温度に供される。
以下、本発明を図面を参照して説明する。
図１は、本発明の方法に供され、あるいは本発明の方法により処理された本発明の金属炭化物基体の態様を示す図である。
図１（ａ）において、金属炭化物基体１０、例えばシリコン炭化物ＳｉＣは、厚さＤを有するものとして示されている。この基体１０は、しばしば、半導体製造プロセスに使用される。金属炭化物は、例えばウエハボートまたは支持リングを構築する出発材料として使用される。そのような構造は、多数のウエハのためのホルダーおよび位置決め手段として作用し、それらウエハは、半導体製造中にいくつかの処理工程に供される。そのような処理プロセス工程は、温度、圧力および真空に関し特定のよく制御された条件の下で行われ、例えば化学気相成長技術（ＣＶＤ）を用いたウエハ上のいくつかの半導体材料層の堆積、または温度アニールのような他のプロセス工程であり得る。
上に記載したように、金属炭化物基体は、しばしば、表面処理に供され、ここで、表面１１は、寸法、平滑度および純度に関する一定の要件を満足する平滑な表面１１を得るために機械加工操作に供される。
機械加工のような機械的表面処理の欠点は、表面１１において、多数のほとんど目に見えない小さなマイクロクラック１２が発生することであり、これは内層面損傷とも呼ばれる。
この内層面損傷は、半導体製造プロセスに悪影響を及ぼす。マイクロクラック１２中に存在するすべての種類の汚染質は、拡散により、マイクロクラックを出て、ウエハが後の半導体層堆積工程に供されるクリーンルーム環境中に入り込み得るからである。したがって、マイクロクラック１２中に存在する汚染質は、処理されるウエハの品質および収率に悪影響を及ぼし得る。
本発明の方法によれば、金属炭化物基体１０の表面の処理方法は、反応性ガス混合物を用いて金属炭化物基体１０の表面１１をエッチングし、それにより金属炭化物基体１０上に炭素表面層１３を生成させる工程を含む。
反応性ガス混合物は、濃度例えば１００％を有するハロゲン含有ガス成分からなる。反応性ガス混合物は、ハロゲン濃度が金属炭化物基体１０の表面１１と反応するに十分に高いならば、より低い濃度のハロゲン含有ガスを含有することができる。ハロゲン含有ガス成分は、ハロゲン族からのものであればいずれのものであってもよく、例えばＡｒ雰囲気中の塩素（Ｃｌ2）であり、ここで、Ａｒ（アルゴン）は、キャリヤーガスとして使用される。水素（Ｈ2）もキャリヤーガスとして使用することができる。
金属炭化物基体１０の内層面損傷表面１１を反応性ハロゲン含有ガス混合物にさらすことにより、ハロゲン含有ガス（純ハロゲンまたはハロゲン混合物）は、金属炭化物と以下の反応（１）：
ＳｉＣ ＋ ２Ｃｌ2 → ＳｉＣｌ4 ＋ Ｃ （１）
に従って反応する。
ＳｉＣ ＋ ２Ｃｌ2 → ＳｉＣｌ4 ＋ Ｃ （１）
に従って反応する。
この例では、塩素ガス（Ｃｌ2）が炭化シリコン（ＳｉＣ）基体１０の処理のための反応性ガス混合物の反応性ハロゲン含有成分として使用されているが、他のハロゲンもしくはハロゲン含有ガスまたは混合物も使用できる（例えば、Ｆ2、Ｂｒ2、Ｉ2）。
他の態様において、反応性ガス混合物は、ＨＣｌを含有することができ、これは、金属炭化物（ここではＳｉＣ）と以下の反応（２）：
ＳｉＣ ＋ ４ＨＣｌ → ＳｉＣｌ4 ＋ Ｃ ＋ ２Ｈ2 （２）
に従って反応する。
ＳｉＣ ＋ ４ＨＣｌ → ＳｉＣｌ4 ＋ Ｃ ＋ ２Ｈ2 （２）
に従って反応する。
反応性ハロゲン含有ガス混合物と金属炭化物表面１１との反応により、炭素層１３が生成し、その深さｄ’は、エッチング工程が行われる時間に依存する。深さｄ’（あるいは炭素層１３と金属炭化物基体１０との間の遷移層（transition layer）１４）は、金属炭化物基体１０の表面１１中に存在するすべてのマイクロクラック１２（内層面損傷）をカバーするために十分に大きい（深い）ものである必要がある。
遷移層１４の深さ（炭素層１３の厚さｄ’）は、エッチング時間および／またはエッチング条件（温度、圧力およびハロゲン濃度）に依存する。
好ましくは、エッチング工程の使用温度は、１０００℃〜１２００℃であり、塩素Ｃｌ2の反応性ガス混合物の流量は、毎分０．５〜５リットルである。使用圧力は、１００ｍｂａｒ〜周囲圧力であり得る。
エッチング工程がハロゲン雰囲気中で行われると、表面１１上に、または金属炭化物基体１０のマイクロクラック１２中に存在するすべての種類の汚染質が除去される。
本発明による後の方法工程において、金属炭化物基体１０上に生成した炭素表面層１３は、例えば酸化処理技術を用いて除去される。他の態様によれば、炭素表面層は、水素化または水熱処理技術により除去することができる。
また、本発明による方法のエッチング工程が行われる前に遭遇するものと同様の問題を避けるために新たに生じる金属炭化物層１４が損傷を受けないままである限り、噴射仕上げ（blasting）や研磨（polishing）のような機械的除去工程を行うこともできる。
炭素表面層１３の除去工程は、真空〜４０００ｂａｒであり得る圧力条件の下で１００℃〜４００℃の使用温度で生じ得る。
炭素表面層１３の除去工程の結果として、より小さい厚さｄを有する金属炭化物基体１０’が、平滑度に関する最高の要件を満たす平滑表面１４をもって得られ、この基体１０’は、また、より一層高い純度を示す。表面損傷が全くないので、表面１４に汚染質が付着したり存在したりすることがなく、また、パーティクルが存在し得るマイクロクラックが存在しないので、半導体製造プロセス中にパーティクルの発生および放出が生じ得ない。
１０，１０’…金属炭化物基体
１１…表面
１２…マイクロクラック
１３…炭素表面層
１４…遷移層
１１…表面
１２…マイクロクラック
１３…炭素表面層
１４…遷移層
Claims (22)
- 半導体製造プロセスに使用される金属炭化物基体の表面処理方法であって、
反応性ガス混合物を用いて前記金属炭化物基体の表面を選択的にエッチングし、それにより前記金属炭化物基体上に炭素表面層を形成する工程、および
前記金属炭化物基体上に形成された前記炭素表面層を除去する工程
を包含する方法。 - 前記炭素表面層を除去する工程を、酸化処理技術により行う請求項１に記載の方法。
- 前記炭素表面層を除去する工程を、水素化処理技術により行う請求項１に記載の方法。
- 前記炭素表面層を除去する工程を、水熱処理技術により行う請求項１に記載の方法。
- 前記金属炭化物基体の表面をエッチングする工程中に使用する前記反応性ガス混合物が、ハロゲン含有ガス混合物である請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
- 前記反応性ガス混合物のハロゲン含有ガス濃度が１００％である請求項５に記載の方法。
- 前記ハロゲン含有ガスが、Ａｒ雰囲気中のＣｌ2である請求項５に記載の方法。
- 前記反応性ガス混合物が、水素（Ｈ2）をも含有する請求項５に記載の方法。
- 前記反応性ガス混合物の流量が、毎分０．５〜５リットルである請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
- 前記反応性ガス混合物の使用圧力が、１００ｍｂａｒ〜周囲圧力である請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
- 前記反応性ガス混合物の使用温度が、１０００℃〜１２００℃である請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
- 半導体製造プロセスに使用するための金属炭化物基体であって、前記金属炭化物基体は、表面を有し、前記表面上に、反応性ガス混合物を用いたエッチング技術により炭素表面層が形成されており、前記炭素表面は、後に、前記金属炭化物基体から除去されている金属炭化物基体。
- 前記炭素表面層が、酸化処理技術により除去される請求項１２に記載の金属炭化物基体。
- 前記炭素表面層が、水素化処理技術により除去される請求項１２に記載の金属炭化物基体。
- 前記炭素表面層が、水熱処理技術により除去される請求項１２に記載の金属炭化物基体。
- 前記エッチング中に、前記金属炭化物基体がハロゲン含有ガス混合物を含有する反応性ガス混合物に供される請求項１２〜１５のいずれか１項に記載の金属炭化物基体。
- 前記反応性ガス混合物の前記ハロゲン含有ガスの濃度が１００％である請求項１６に記載の金属炭化物基体。
- 前記ハロゲン含有ガスが、Ａｒ雰囲気中のＣｌ2である請求項１６または１７に記載の金属炭化物基体。
- 前記反応性ガス混合物が水素（Ｈ2）をも含有する請求項１６〜１８のいずれか１項に記載の金属炭化物基体。
- 前記反応性ガス混合物の流量が、毎分０．５〜５リットルである請求項１２〜１９のいずれか１項に記載の金属炭化物基体。
- 前記金属炭化物基体表面が、１００ｍｂａｒ〜周囲圧力の前記反応性ガス混合物の使用圧力に供される請求項１２〜１９のいずれか１項に記載の金属炭化物基体。
- 前記金属炭化物基体表面が、１０００℃〜１２００℃の前記反応性ガス混合物の使用温度に供される請求項１２〜１９のいずれか１項に記載の金属炭化物基体。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP04076897A EP1612851B1 (en) | 2004-06-30 | 2004-06-30 | A method for the treatment of a surface of a metal-carbide substrate for use in semiconductor manufacturing processes as well as such a metal-carbide substrate |
| EP04076897.0 | 2004-06-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006016288A true JP2006016288A (ja) | 2006-01-19 |
| JP5015419B2 JP5015419B2 (ja) | 2012-08-29 |
Family
ID=34928324
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004210010A Active JP5015419B2 (ja) | 2004-06-30 | 2004-07-16 | 半導体製造プロセスに使用される金属炭化物基体の表面処理方法、および金属炭化物基体 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1612851B1 (ja) |
| JP (1) | JP5015419B2 (ja) |
| KR (1) | KR101116469B1 (ja) |
| CN (1) | CN1716522A (ja) |
| AT (1) | ATE459979T1 (ja) |
| DE (1) | DE602004025798D1 (ja) |
| SG (1) | SG118291A1 (ja) |
| TW (1) | TWI384521B (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012512339A (ja) * | 2008-12-16 | 2012-05-31 | スネクマ・プロピュルシオン・ソリド | セラミック繊維の処理方法 |
| JP2013110243A (ja) * | 2011-11-21 | 2013-06-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
| US8981384B2 (en) | 2010-08-03 | 2015-03-17 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing same |
| US9000447B2 (en) | 2011-09-26 | 2015-04-07 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Silicon carbide semiconductor device |
| US9012922B2 (en) | 2011-09-14 | 2015-04-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same |
| JP2020178035A (ja) * | 2019-04-18 | 2020-10-29 | 住友金属鉱山株式会社 | サセプタ、サセプタの再生方法、及び、成膜方法 |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5759293B2 (ja) * | 2011-07-20 | 2015-08-05 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US9343379B2 (en) * | 2011-10-14 | 2016-05-17 | Sunedison Semiconductor Limited | Method to delineate crystal related defects |
| CN102505114A (zh) | 2012-01-03 | 2012-06-20 | 西安电子科技大学 | 基于Ni膜辅助退火的SiC衬底上石墨烯制备方法 |
| CN102530936A (zh) * | 2012-01-03 | 2012-07-04 | 西安电子科技大学 | 基于Cl2反应的SiC衬底上制备石墨烯的方法 |
| CN102583329B (zh) * | 2012-01-03 | 2013-08-14 | 西安电子科技大学 | 基于Cu膜辅助退火和Cl2反应的大面积石墨烯制备方法 |
| CN102718207A (zh) * | 2012-05-22 | 2012-10-10 | 西安电子科技大学 | 基于Cu膜退火和Cl2反应的结构化石墨烯制备方法 |
| CN102674329A (zh) * | 2012-05-22 | 2012-09-19 | 西安电子科技大学 | 基于Cl2反应的结构化石墨烯制备方法 |
| CN102674331A (zh) * | 2012-05-23 | 2012-09-19 | 西安电子科技大学 | 基于Ni膜退火的SiC与Cl2反应制备结构化石墨烯的方法 |
| CN102701789B (zh) * | 2012-05-23 | 2013-10-16 | 西安电子科技大学 | 基于Cl2反应的SiC衬底上制备结构化石墨烯的方法 |
| CN102674332A (zh) * | 2012-05-23 | 2012-09-19 | 西安电子科技大学 | 基于Cu膜退火的SiC与Cl2反应制备结构化石墨烯的方法 |
| JP2014027093A (ja) * | 2012-07-26 | 2014-02-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素基板の製造方法 |
| CN108574107A (zh) * | 2018-03-16 | 2018-09-25 | 上海交通大学 | 改善燃料电池双极板碳化物涂层导电及耐蚀性的方法 |
| USD887639S1 (en) * | 2018-09-07 | 2020-06-16 | Shih-Ling Hsu | Hair accessory |
| KR20220012936A (ko) * | 2019-05-27 | 2022-02-04 | 슝크 싸이카브 테크놀로지 비.브이. | 화학 기상 증착 챔버 물품 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004002126A (ja) * | 2002-03-25 | 2004-01-08 | Ngk Insulators Ltd | 炭化珪素基板、炭化珪素基板の製造方法、酸化膜被覆基板、酸化膜被覆基板の製造方法および電子素子 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6579833B1 (en) * | 1999-09-01 | 2003-06-17 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Process for converting a metal carbide to carbon by etching in halogens |
| US20010047980A1 (en) * | 1999-09-01 | 2001-12-06 | Mcnallan Michael J. | Process for converting a metal carbide to diamond by etching in halogens |
| US6407014B1 (en) * | 1999-12-16 | 2002-06-18 | Philips Electronics North America Corporation | Method achieving higher inversion layer mobility in novel silicon carbide semiconductor devices |
| JP4325095B2 (ja) * | 2000-09-08 | 2009-09-02 | 株式会社デンソー | ＳｉＣ素子の製造方法 |
| JP2002110644A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-12 | Nec Corp | エッチング方法 |
-
2004
- 2004-06-30 DE DE602004025798T patent/DE602004025798D1/de active Active
- 2004-06-30 EP EP04076897A patent/EP1612851B1/en active Active
- 2004-06-30 AT AT04076897T patent/ATE459979T1/de active
- 2004-07-05 TW TW093120111A patent/TWI384521B/zh active
- 2004-07-08 CN CNA2004100832767A patent/CN1716522A/zh active Pending
- 2004-07-12 KR KR1020040053891A patent/KR101116469B1/ko active IP Right Grant
- 2004-07-16 JP JP2004210010A patent/JP5015419B2/ja active Active
- 2004-09-22 SG SG200405265A patent/SG118291A1/en unknown
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004002126A (ja) * | 2002-03-25 | 2004-01-08 | Ngk Insulators Ltd | 炭化珪素基板、炭化珪素基板の製造方法、酸化膜被覆基板、酸化膜被覆基板の製造方法および電子素子 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012512339A (ja) * | 2008-12-16 | 2012-05-31 | スネクマ・プロピュルシオン・ソリド | セラミック繊維の処理方法 |
| US8981384B2 (en) | 2010-08-03 | 2015-03-17 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing same |
| US9054022B2 (en) | 2010-08-03 | 2015-06-09 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US9012922B2 (en) | 2011-09-14 | 2015-04-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same |
| US9000447B2 (en) | 2011-09-26 | 2015-04-07 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Silicon carbide semiconductor device |
| JP2013110243A (ja) * | 2011-11-21 | 2013-06-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
| US8999854B2 (en) | 2011-11-21 | 2015-04-07 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device |
| JP2020178035A (ja) * | 2019-04-18 | 2020-10-29 | 住友金属鉱山株式会社 | サセプタ、サセプタの再生方法、及び、成膜方法 |
| JP7220845B2 (ja) | 2019-04-18 | 2023-02-13 | 住友金属鉱山株式会社 | サセプタ、サセプタの再生方法、及び、成膜方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1716522A (zh) | 2006-01-04 |
| EP1612851B1 (en) | 2010-03-03 |
| ATE459979T1 (de) | 2010-03-15 |
| JP5015419B2 (ja) | 2012-08-29 |
| KR101116469B1 (ko) | 2012-03-07 |
| KR20060001771A (ko) | 2006-01-06 |
| DE602004025798D1 (de) | 2010-04-15 |
| TWI384521B (zh) | 2013-02-01 |
| SG118291A1 (en) | 2006-01-27 |
| EP1612851A1 (en) | 2006-01-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5015419B2 (ja) | 半導体製造プロセスに使用される金属炭化物基体の表面処理方法、および金属炭化物基体 | |
| KR100953707B1 (ko) | 반도체 프로세싱 부품 및 이를 사용하는 반도체 제조방법 | |
| US6825123B2 (en) | Method for treating semiconductor processing components and components formed thereby | |
| KR102046811B1 (ko) | 에피택셜 성장 장치, 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법 및 에피택셜 성장 장치용 리프트 핀 | |
| EP1483782A1 (en) | Production method of sic monitor wafer | |
| JP2006306675A (ja) | 石英ガラス製治具の再生方法 | |
| CN101884099B (zh) | 用于处理半导体加工部件的方法以及由此形成的部件 | |
| KR102017138B1 (ko) | 탄화규소 제품의 재생 방법 및 재생된 탄화규소 제품 | |
| US7723155B2 (en) | Method for the treatment of a surface of a metal-carbide substrate for use in semiconductor manufacturing processes as well as such a metal-carbide substrate | |
| JP2009152283A (ja) | 半導体基板支持治具及びその製造方法。 | |
| JP2008028307A (ja) | 基板の製造方法及び熱処理装置 | |
| JP2005197534A (ja) | 熱処理用治具の表面保護膜形成方法及び熱処理用治具 | |
| JP7459137B2 (ja) | 化学蒸着チャンバー物品 | |
| JP2010283153A (ja) | 半導体装置の製造方法、熱処理装置、及び熱処理用部材 | |
| JP7129774B2 (ja) | 気相成長装置の洗浄方法 | |
| CN100477117C (zh) | 金属镶嵌用的堆栈结构、其形成方法及金属镶嵌方法 | |
| KR100423754B1 (ko) | 실리콘 웨이퍼의 고온 열처리 방법 | |
| JP2005129724A (ja) | 炭化珪素のエッチング方法、研磨方法及び加工方法 | |
| JP5331224B2 (ja) | 基板の製造方法、半導体装置の製造方法、基板処理方法、クリーニング方法及び処理装置 | |
| JP2020050551A (ja) | 炭化珪素多結晶基板の製造方法 | |
| JP2005159014A (ja) | 熱処理用治具の表面保護膜形成方法及び熱処理用治具 | |
| JPH0397691A (ja) | 半導体装置製造用治具 | |
| JPH11340108A (ja) | 炭化ケイ素質ダミーウェハ | |
| JP2007287948A (ja) | 表面加工方法及び表面加工物 | |
| JP2001323372A (ja) | 炭化ケイ素ダミーウエハの製造方法および炭化ケイ素ダミーウエハ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070130 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100518 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100818 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100823 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101116 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110510 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110912 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20110920 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120110 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120405 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120508 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120607 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150615 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5015419 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |