JP2005522734A - ゲート駆動回路及びこれを有する液晶表示装置 - Google Patents

ゲート駆動回路及びこれを有する液晶表示装置 Download PDF

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Abstract

【課題】表示特性を向上させることができる能動マトリクス駆動ディスプレイ装置を駆動するための駆動回路及びこれを有する液晶表示装置が開示される。
【解決手段】駆動回路は、複数の駆動ステージとダミーステージで構成される。複数の駆動ステージは、各ステージの出力端子が以前ステージの制御端子に連結されることによって、互いに従属的に連結され、マトリクス形態に配列されたそれぞれの画素上に形成されたスイッチング素子に連結された複数の駆動信号ラインにスイッチング素子駆動信号を順次出力する。ダミーステージは、ダミー出力端子が前記複数の駆動ステージのうち、最後のステージの制御端子及び自体のダミー制御端子にそれぞれ連結される。従って、ゲートク駆動回路に提供される各種信号が遅延される現状を防止することができることで、液晶表示装置の表示特性を向上させることができる。

Description

本発明は、能動マトリクス駆動ディスプレイ装置の駆動回路及びこれを有する能動マトリクス駆動ディスプレイ装置に関し、より詳細にはディスプレイ装置の表示特性を向上させることができる駆動回路及びこれを有する液晶表示装置に関するものである。
多結晶液晶表示装置は、素子動作を高速化させることができ、素子の低電力駆動が可能であるという長所がある反面、製造工程が複雑であるという短所がある。従って、前記多結晶液晶表示装置は、小型ディスプレイ装置に主に適用され、非晶質液晶表示装置は、主にノートブックPC、LCDモニター、HDTVなどの大画面ディスプレイ装置に適用される。
最近は、前記非晶質液晶表示装置にも前記多結晶液晶表示装置のように液晶表示パネルのガラス基板上にゲート駆動回路を形成することで、組み立ての工程の数を減少しようとする技術開発に努めている。
一般的に、前記ゲート駆動回路は、一つのシフトレジスタと前記シフトレジスタに各種信号を提供するための配線部で構成される。前記配線部は、複数の配線で構成され、前記配線のレイアウトは、前記ゲート駆動回路から出力される出力信号に影響を及ぼす。即ち、前記配線が互いにクロスされかつ発生されるキャパシタンスによって前記ゲート駆動回路の出力信号が歪曲される現状が発生される。
従って、前記液晶表示装置の表示特性を低下させる。
また、非晶質液晶表示装置が次第に大型化されるか又は高解像度を有する方向に開発されることによって、TFT基板に集積された従来のゲート駆動回路で画面を駆動するのには次のような問題点が発生する。
まず、画面が大型化されるか解像度が高くなると、そのだけ前記非晶質液晶表示装置のTFT基板に形成されたゲートライン及びゲートラインに連結された画素の数も増加される。ゲートライン及び画素が増加することによってゲート駆動部から離れるほどゲートラインのRCディレイが大きくなり、一番目のゲートラインから最後のゲートラインに行くほどハイレベル区間を有して発生されたクロックの遅延時間が大きくなる。このような理由のため、ゲート出力信号の歪曲が発生するようになり、これによって液晶表示装置の表示特性が低下される。
また、配線幅が一番大きくて最外郭に配置されている配線の間にキャパシタンスが形成される。これによって、液晶表示装置のRCディレイが更に大きくなる。従って、ゲート駆動信号を最小限のディレイでゲートラインに伝達することができる構造が必要である。
従って、本発明の一特徴は、表示特性を向上させることができる能動マトリクス駆動ディスプレイ装置の駆動回路を提供することにある。また、本発明の他の特徴は、前記の駆動回路を有する液晶表示装置を提供する。
また、本発明の他の特徴は、表示特性を向上させることができる配線構造を有する液晶表示装置を提供する。
前述した本発明の一特徴による能動マトリクス駆動ディスプレイ装置の駆動回路は、複数の駆動ステージ及びダミーステージを含む。前記各駆動ステージの出力端子が以前駆動ステージの制御端子に連結されることで、互いに従属的に連結され、マトリクス形態で配列されたそれぞれの画素上に形成されたスイッチング素子に連結された複数の駆動信号ラインに前記複数のスイッチング素子を駆動するための駆動信号を順次出力する。前記ダミーステージは、ダミー出力信号を出力するダミー出力端子及び前記ダミー出力端子に連結されたダミー制御端子を具備する。前記ダミー出力端子は、前記複数の駆動ステージのうち、最後のステージの制御端子に連結されて前記最後のステージをオン/オフさせる。また、前記ダミーステージは、前記ダミー制御端子を通じて入力される前記出力信号によってオン/オフされる。
また、本発明のまた他の特徴による液晶表示装置は、表示部及びゲート駆動部を含む。前記表示部は、i)マトリクス形態で配列されたそれぞれの画素上に形成されたスイッチング素子に連結された複数のゲートラインが具備される第1基板、ii)前記第1基板と向い合う第2基板及び、iii)前記第1及び第2基板との間に介在された液晶層で構成される。前記ゲート駆動部は、スイッチング素子を駆動し、複数の駆動ステージ及びダミーステージで構成される。前記複数の駆動ステージは、各駆動ステージの出力端子が以前の駆動ステージの制御端子に連結されることによって互いに従属的に連結され、前記複数のゲートラインに前記スイッチング素子を駆動するためのゲート駆動信号を順次出力する。前記ダミーステージは、ダミー出力信号が出力されるダミ出力端子及び前記ダミー出力端子に連結されたダミー制御端子を含む。前記ダミー出力端子は、前記複数の駆動ステージのうち、最後のステージの制御端子に連結されて前記最後のステージをオン/オフさせる。前記ダミーステージは、ダミー制御端子を通じて入力される前記ダミー出力信号によってオン/オフされる。
また、本発明の他の特徴による液晶表示装置は、表示部、データ駆動部及びゲート駆動部を含む。前記表示部は、ゲートライン、データライン及び前記ゲートラインとデータラインに連結されたスイッチング素子で構成された複数の画素が形成された第1基板、前記第1基板と向い合う第2基板及び前記第1と第2基板との間に介在された液晶層で構成される。前記データ駆動部は、前記表示部の周辺に形成され、前記データラインと結合されて前記データラインに映像データを提供する。前記ゲート駆動部は、前記表示部の周辺に形成され、複数のステージが従属的に連結されて各ステージから出力されたゲート駆動信号を前記ゲートラインに順次提供し、第1及び第2グループに分離されたシフトレジスタ及び外部から提供される信号を前記各ステージに印加する配線部で構成される。
前記配線は、前記第1グループの奇数番目のステージに第1クロックを提供する第1クロック配線、前記第1グループの偶数番目の駆動ステージに前記第1クロック信号を提供する第2クロック配線と、前記第2グループの、奇数番目の駆動ステージに前記第1クロック信号第1クロック信号を提供する第3クロック配線と、
前記第2グループの偶数番目の駆動ステージに前記第2クロック信号を提供する第4クロック配線とを含む。
これによると、ダミーステージの出力端子が最後の駆動ステージの制御端子に連結されると同時に、そのダミーステージのの制御端子にも連結される。また、配線部に第1及び第2クロックが提供される第3及び第4クロック配線を追加することで、液晶表示装置の表示特性を向上することができる。
以下、添付した図面を参照して、本発明の望ましい実施例をより詳細に説明する。
図1は、本発明の第1実施例による液晶表示パネルを示した図面であり、図2は、図1に図示されたゲート駆動回路を構成するシフトレジスタを具体的に示した図面である。
図1を参照すると、本発明の一実施例による液晶表示パネル200は、TFT基板100、カラーフィルター基板(図示せず)及び前記TFT基板100とカラーフィルター基板との間に介在された液晶層(図示せず)で構成される。
前記TFT基板100は、映像を表示する表示領域(DA)及び前記表示領域(DA)に隣接した周辺領域(PA)に区分されるが、前記表示領域(DA)には複数の画素がマトリクス形態に具備される。具体的に、前記複数の画素それぞれは、第1方向に延長されたデータライン(DL)と前記第1方向と直交する第2方向に延長されたゲートライン(GL)に連結されたTFT110及び前記TFT110に結合された画素電極120を含む。
前記複数の画素の数によって前記液晶表示装置200の解像度が決定される。前記複数の画素がmxn個で具備されると、前記解像度はmxn個になる。このとき、前記TFT基板100上には、m個の前記データライン(DL1〜DLm)が具備され、n個の前記ゲートライン(GL1〜GLn)が具備される。
一方、前記データライン(DL1〜DLm)の一端が配置される第1周辺領域(PA)には、データ駆動回路140がチップ形態で付着され、前記ゲートライン(GL1〜GLn)の一端が配置される第2周辺領域(PA)にはゲート駆動回路が集積される。前記ゲート駆動回路130は、前記表示領域(DA)に前記複数の画素を形成する工程と同じ工程上で形成される。
前記ゲート駆動回路130は、一つのシフトレジスタで構成される。
図2に図示されたように、前記シフトレジスタ131は、従属的に連結された複数のステージ(SRC1〜SRCn+1)で構成される。具体的に、前記シフトレジスタ131は、n個の駆動ステージ(SRC1〜SRCn)及びダミーステージ(SRCn+1)を含む。ここで、前記nは偶数である。
前記n個の駆動ステージ(SCR1〜SRCn)は、前記n個のゲートライン(GL1〜GLn)にゲート駆動信号を順次出力する。このとき、前記n個の駆動ステージ(SRC1〜SRCn)それぞれの出力端子(OUT)は、以前駆動ステージの制御端子(CT)にそれぞれ連結される。また、前記n個の駆動ステージ(SCR1〜SRCn)それぞれのキャリー端子(CR)は次の駆動ステージの入力端子(IN)に連結される。
例外に、一番目の駆動ステージ(SCR1)の入力端子(IN)には、出力信号のかわりに開始信号(ST)が提供される。
一方、前記ダミーステージ(SRCn+1)の入力端子(IN)がn番目駆動ステージ(SRCn)のキャリー端子(CR)に連結され、ダミーステージ(SRCn+1)の出力端子(OUT)が前記n番目駆動ステージ(SRCn)の制御端子(CT)に連結された形態で具備される。従って、前記ダミーステージ(SCRn+1)は、前記n番目駆動ステージ(SRCn)がちゃんと動作することができるように制御する。また、前記ダミーステージ(SRCn+1)の出力端子(OUT)は、前記ダミーステージ(SRCn+1)の制御端子(CT)にも結合される。従って、前記ダミーステージ(SRCn+1)は、ダミーステージ(SRCn+1)自体の出力信号によって制御される。
前記シフトレジスタ131の周辺には、前記シフトレジスタ131に各種信号を供給するための配線部132が具備される。具体的に、前記配線部132は、開始信号配線(STL)、第1電圧配線(VDDL)、第1クロック配線(CKL)及び第2クロック配線(CKBL)、第2電圧配線(VSSL)を含む。
前記開始信号配線(STL)は、開始信号(ST)を前記一番目の駆動ステージ(SRC1)の入力端子(IN)に提供する。ここで、前記開始信号(ST)は、外部のグラフィックコントローラ(図示せず)などから提供される垂直動機信号に動機されたパルスである。前記第1電圧配線(VDDL)も前記n個の駆動ステージ(SRC1〜SRCn)及びダミーステージ(SRCn+1)にそれぞれ連結されて第1電圧(VDD)を供給し、前記第2電圧配線(VSSL)は、前記n個の駆動ステージ(SRC1〜SRCn)及びダミーステージ(SRCn+1)にそれぞれ連結されて第2電圧(VSS)を供給する。
一方、前記第1クロック配線(CK)は、前記n個の駆動ステージ(SRC1〜SRCn)のうち、奇数番目の駆動ステージ(SRC1,SRC3)及びダミーステージ(SRCn+1)に第1クロック信号(CK)を提供し、第2クロック配線(CKBL)は、前記n個の駆動ステージ(SCR1〜SRCn)のうち、偶数番目の駆動ステージ(SRC2,SRCn)に前記第1クロック信号(CK)と反転された位相を有する第2クロック信号(CKB)を提供する。
従って、各ステージの出力信号(OUT1〜OUTn)が順次にアクティブ区間(ハイ状態)を有して発生されるため、出力信号(OUT1〜OUTn)のアクティブ区間で対応される前記ゲートライン(GL〜GL1)がそれぞれ順次選択される。
図3は、図2に図示された駆動ステージの構成を示した回路であり、図4は、図3に図示された駆動ステージのレイアウト図面である。但し、図3及び図4では、n番目の駆動ステージ(SRCn)の構成を代表的に提示し、その他の駆動ステージ(SRC1〜SRCn−1)は、前記n番目の駆動ステージ(SRCn)と同じ構成を有するため、余りの駆動ステージ(SRC1〜SRCn−1)に対した説明は省略する。
図3及び図4を参照するとシフトレジスタ131のn番目の駆動ステージ(SRCn)は、プルアップ部113a、プルダウン部131b、プルアップ駆動部131c、プルダウン駆動部131d、キャリー出力部131eを含む。また、前記n番目の駆動ステージ(SRCn)は、入力端子(IN)、出力端子(OUT)、制御端子(CT)、クロック信号端子(CKT)、第2電圧端子(VSST)、第1電圧端子(VDDT)及びキャリー出力端子(CR)を有する。
前記プルアップ部131aは、クロック信号(CK)の入力を受けるドレイン、第1ノード(N1)に連結されたゲート及び前記出力端子(OUT)に連結されたソースで構成された第1NMOSトランジスタ(NT1)で構成される。
前記プルダウン部131bは、ドレインが前記出力端子(OUT)に連結され、ゲートが第2ノード(N2)に連結され、ソースが前記第2端子(VSST)に連結された第2NMOSトランジスタ(NT2)で構成される。
前記プルアップ駆動部131cは、キャパシタ(C)、第3乃至第9NMOSトランジスタ(NT3,NT4,NT5,NT6,NT7、NT8、NT9)で構成される。前記キャパシタ(C)は、第1ノード(N1)と出力端子(OUT)との間に連結される。前記第3NMOSトランジスタ(NT3)は、ドレインが前記第1電圧端子(VDDT)に連結され、ゲートが前記入力端子(IN)に連結され、ソースが前記第1ノード(N1)に連結された構成を有する。また、前記4NMOSトランジスタ(NT4)は、ドレインとゲートが前記第1電圧端子(VDDT)に共通に連結され、ソースが前記第5NMOSトランジスタ(NT5)のゲートに連結された構成を有する。一方、前記第5NMOSトランジスタ(NT5)はドレインが前記第1電圧端子(VDDT)に連結され、ゲートが前記第4NMOSトランジスタ(NT4)のソースに連結され、ソースが前記第2ノード(N2)に連結された構成を有する。
前記第6NMOSトランジスタ(NT6)は、ドレインが前記第3NMOSトランジスタ(NT3)のソースに連結され、ゲートが前記第2ノードに連結され、ソースが前記第2電圧端子(VSST)に連結された構成を有する。また、前記第7NMOSトランジスタ(NT7)は、ゲートが前記第2ノード(N2)に連結され、ドレインが前記入力端子(IN)に連結され、ソースが前記第2電圧端子(VSST)に連結された構成を有する。前記第8NMOSトランジスタ(NT8)は、ドレインが前記第2ノード(N2)に連結され、ゲートが前記入力端子(IN)に連結され、ソースが前記第2電圧端子(VSST)に連結された構成を有する。
図面に図示しなかったが、前記第8NMOSトランジスタ(NT8)のソースは、前記第2電圧(VSS)より低い電圧レベルを有する第3電源電圧が提供される第3電源電圧端子に連結されることができる。一方、前記第9NMOSトランジスタ(NT9)は、ドレインが前記入力端子(IN)に連結され、ゲートが制御端子(CT)に連結され、ソースが前記第2電圧端子(VSST)に連結された構成を有する。
前記プルダウン駆動部131dは、第10乃至第13NMOSトランジスタ(NT10,NT11,NT12,NT13)を含む。具体的に、前記第10NMOSトランジスタ(NT10)は、ドレインが前記第2ノード(N2)に連結され、ゲートが前記第1ノード(N1)に連結され、ソースが前記第2電圧端子(VSST)に連結された構成を有する。前記第11NMOSトランジスタ(NT11)は、ドレインが前記第4NMOSトランジスタ(NT4)のソースに連結され、ゲートが前記第1ノード(N1)に連結され、ソースが前記第2電圧端子(VSST)に連結された構成を有する。また、前記第12NMOSトランジスタ(NT12)は、ドレインが前記第1ノード(N1)に連結され、ゲートが前記制御端子(CT)に連結され、ソースが前記第2電圧端子(VSST)に連結された構成を有する。前記第13NMOSトランジスタ(NT13)は、ドレインが前記出力端子(OUT)に連結され、ゲートが前記制御端子(CT)に連結され、ソースが前記第2電圧端子(VSST)に連結された構成を有する。
一方、前記キャリー出力部131eは、ドレインが前記クロック信号端子(CKT)に連結され、ゲートが前記第1ノード(N1)に連結され、ソースが前記キャリー出力端子(CR)に連結された第14NMOSトランジスタ(NT14)を含む。従って、前記キャリー出力部131eは、次の駆動ステージの入力端子(IN)に第1及び第2クロック信号(CK/CKB)のうち、対応されるクロック信号の伝達を制御する。
前記n番目の駆動ステージ(SRCn)で、前記入力端子(IN)に提供された以前ステージのキャリー信号(CR)によって前記第3NMOSトランジスタ(NT3)がタンーオンされることで、前記第1ノード(N1)の電位が前記第2電圧(VSS)から前記第1電圧(VDD)に上昇される。以後、前記第4及び第5NMOSトランジスタ(NT4,NT5)及び前記第1ノード(N1)の電位の上昇によって前記第10NMOSトランジスタ(NT10)がターンオンされる。このように、前記第10NMOSトランジスタ(NT10)が動作されることで、前記第2ノード(N2)の電位が前記第2電圧(VSS)にダウンされる。それによって、前記第2NMOSトランジスタ(NT2)がターンオフされる。
前記第1ノード(N1)の電位が上昇されることによって、前記第1NMOSトランジスタ(NT1)がターンオンされることで、前記出力端子(OUT)にオン電圧レベルを有する前記クロック信号(CK)が出力され始めると、出力電圧がキャパシタ(C)にブートストラップ(bootstrap)されて前記第1NMOSトランジスタ(NT1)のゲート電圧が前記第1電圧(VDD)以上に上昇されるようになる。従って、前記第1NMOSトランジスタ(NT1)が完全(FULL)導通状態を維持するようになる。
以後、前記n番目の駆動ステージ(SRCn)の制御端子(CT)を通じてオン電圧レベルに上昇されたダミーステージの出力信号が提供されると、前記第12及び第13NMOSトランジスタ(NT12,NT13)がターンオンされる。
前記第12NMOSトランジスタ(NT12)がターンオンされることによって前記第1ノード(N1)の電位が前記第1電圧(VDD)から前記第2電圧(VSS)にダウンされる。それによって、前記第10NMOSトランジスタ(NT10)がターンオフされる。従って、前記第4及び第5NMOSトランジスタ(NT4,NT5)を通じて前記第2ノード(N2)は、前記第2電圧(VSS)から前記第1電圧(VDD)に上昇される。
また、前記制御端子(CT)から提供された前記ダミーステージの出力信号は、前記13NMOSトランジスタ(NT13)をターンオンさせ、ターンオンされた前記第13NMOSトランジスタ(NT13)は、前記第2NMOSトランジスタ(NT2)と共に前記出力端子(OUT)に前記第2電圧(VSS)を出力する。
一方、前記第7乃至第8NMOSトランジスタ(NT7,NT8)は、前記出力端子(OUT)に前記第1電圧(VDD)が出力される状態で前記入力端子(IN)に提供されるn−1番目の駆動ステージの出力信号がオン電圧レベルに変更される場合にターンオンされる。
具体的に、前記出力端子(OUT)に前記電圧(VSS)が出力される状態で前記入力端子(IN)にオン電圧レベルを有するn−1番目の駆動ステージの出力信号が提供されると、前記第8NMOSトランジスタ(NT8)がターンオンされながら前記入力端子(IN)に提供された前記n−1番目の駆動ステージの出力信号を前記第2電圧端子(VSST)に放電させる。
また、前記第9NMOSトランジスタ(NT9)は、前記制御端子(CT)を通じて提供された前記ダミーステージの出力信号によってターンオンされて前記入力端子(IN)に提供されるオン電圧レベルに変更されたn-1番目の駆動ステージの出力信号を放電させる。従って、前記第1NMOSトランジスタ(NT1)がターンオンされることが防止される。
一方、前記制御端子(CT)を通じて印加される前記ダミーステー(SRCn+1)ジの出力信号がオフ電圧レベルに下降され、前記第12MNOSトランジスタ(NT12)がターンオフされても前記第2ノード(N2)は前記第4及び第5NMOSトランジスタ(NT4,NT5)を通じて前記第1電圧(VDD)にバイアスされた状態を維持する。従って、前記第2NMOSトランジスタ(NT2)は、ターンオン状態を維持して前記出力端子(OUT)には前記第2電圧(VSS)が続いて出力される。
図5は、図2に図示されたダミーステージの構成を示した回路図であり、図6は、図5に図示された駆動ステージのレイアウト図面である。但し、図5及び図6を説明するのにおいて、前記図3及び図4に図示されたn番目の駆動ステージ(SRCn)と同じ構成要素に対しては同じ参照符号を付与し、それに対応する説明は省略する。
図5及び図6を参照すると、ダミーステージ(SRCn+1)は、前記n番目の駆動ステージ(SRCn)のようにプルアップ部131a、プルダウン部131b、プルアップ駆動部131c、プルダウン駆動部131f及びキャリー出力部131eを含む。ここで、前記ダミーステージ(SRCn+1)は、前記n番目の駆動ステージと同じ構造を有するが、前記ダミーステージ(SRCn+1)の制御端子(CT)には前記ダミーステージ(SRCn+1)の出力端子(OUT)が連結される。従って、前記ダミーステージ(SRCn+1)は、自体の出力信号によって制御される。
このとき、前記ダミーステージ(SRCn+1)の出力信号を所定の時間のあいだ維持するために、前記制御端子(CT)に直接的に連結されたトランジスタのサイズ(NT12’)が変形される。
具体的に、前記ダミースタージ(SRCn+1)で、第12NMOSトランジスタ(NT12’)のサイズは、前記n番目の駆動ステージの第12トランジスタ(NT12)のサイズより約10倍ぐらい小さい。
トランジスタのサイズは、トランジスタチャンネルの長さ(L)に対したその幅(W)の割合(W/L)である。一般的に、長さ(L)は決まっているので、前記トランジスタのサイズはチャンネルの幅(W)によって決定される。従って、前記ダミーステージ(SRCn+1)に利用される前記第12NMOSトランジスタ(NT12’)の幅(W)は、前記n番目の駆動ステージに利用される前記第12NMOSトランジスタ(NT12)の幅(W)より約10倍ぐらい小さい。図4及び図6を参照すると、図6に図示された第12NMOSトランジスタNT12’のチャンネル幅は、図4に図示された第12MNOSトランジスタNT12のチャンネル幅に比べて約10倍ぐらい小さい。
即ち、オン電圧レベルに上昇された前記ダミーステージ(SRCn+1)の出力信号が前記ダミーステージ(SRCn+1)の制御端子(CT)にフィードバッグされても、前記第12NMOSトランジスタ(NT12’)のサイズによって前記第12NMOSトランジスタ(NT12’)がターンオンされるまでは、所定時間が所要される。従って、前記第10NMOSトランジスタ(NT10)もすぐターンオフされないので、前記第2ノード(N2)は、前記第2電圧(VSS)を所定時間のあいだ維持する。これによって、前記ダミーステージ(SRCn+1)の出力端子は、所定の時間のあいだオン電圧レベルを維持することができる。
所定時間が経過された以後、前記第12NMOSトランジスタ(NT12’)がターンオンされると、それに対応して前記第10NMOSトランジスタ(N10)がターンオフされ、前記第2ノード(N2)は、前記第2電圧(VSS)から前記第1電圧(VDD)に上昇される。前記第2ノード(N2)の電位が前記第1電圧(VDD)に上昇されることによって、前記第2NMOSトランジスタ(NT2)がターンオンされて前記ダミーステージ(SRCn+1)の出力端子(OUT)には前記第2電圧(VSS)が出力される。
また、前記ダミーステージ(SRCn+1)では、前記n番目の駆動ステージ(SRCn)から制御端子(CT)に連結された前記第13NMOSトランジスタ(NT13)が除去された状態で構成される。図6を参照すると、図4に図示された第13NMOSトランジスタ(NT13)が除去されていることがわかる。従って、ターンオン状態にある前記第2NMOSトランジスタ(NT2)のみが前記出力端子(OUT)に前記第2電圧(VSS)を出力することで、前記出力端子(OUT)に前記第2電圧(VSS)が出力される時間を延ばすことができる。
図7は、駆動ステージと同じ構造で構成されたダミーステージの出力波形図であり、図8は、ダミーステージが図5に図示された回路図で構成された場合の出力波形図である。但し、図7及び図8で、X軸は時間(μs)であり、Y軸は電圧(V)である。
図7を参照すると、駆動ステージが順次にハイ区間を有する出力信号(OUTn−1、OUTn)を出力した以後、ダミーステージ(SRCn+1)が出力信号(OUTn+1)を出力するように動作される。図7では、前記ダミーステージ(SRCn+1)は、前記駆動ステージと同じ回路図で構成され、前記ダミーステージ(SRCn+1)の出力端子が前記ダミーステージ(SRCn+1)の制御端子に連結される。このとき、n番目の駆動ステージの出力信号(OUTn)によって前記ダミーステージの出力端子から出力される出力信号(OUTn+1’)がオン電圧レベルに変更されると同時に、オン電圧レベルに変更された前記出力信号(OUTn+1’)は、前記n番目の駆動ステージの制御端子及びダミーステージ(SRCn+1)自体の制御端子にそれぞれ提供される。
以後、前記ダミーステージ(SRCn+1)の制御端子を通じてフィードバックされた自体の前記出力信号(OUTn+1’)によって、前記ダミーステージ(SRCn+1)の出力端子から出力される前記出力信号(OUTn+1’)は、ターンオフ電圧レベルにダウンされた。これによって、前記ダミーステージの出力信号(OUTn+1’)が所定期間のうち、オン電圧レベルを維持できなくてすぐオフ電圧レベルにダウンされた。即ち、前記ダミーステージ出力信号(OUTn+1’)の最大電圧の大きさは駆動ステージ出力信号(OUTn)の最大電圧レベルに遥かに及ばない値を有するようになる。
一方、図8に図示されたように、前記ダミーステージが図5に図示された回路図で構成されると、前記ダミーステージの出力信号(OUTn+1’)は安定的に表れる。
前記駆動ステージが順次にハイ区間を有する出力信号(OUTn−1,OUTn)を出力した後、前記ダミーステージが動作される。即ち、n番目の駆動ステージの出力信号(OUTn)によって前記ダミーステージの出力端子から出力される出力信号(OUTn+1)がオン電圧レベル(または、ハイレベル)に変更されると同時に、オン電圧レベルに変更された前記出力信号(OUTn+1)は、前記n番目の駆動ステージ(SRCn)の制御端子及びダミーステージ(SRCn+1)自体の制御端子にそれぞれ提供される。
以後、前記ダミーステージ(SRCn+1)の制御端子を通じて前記出力信号(OUTn+1)が提供されても、前記ダミー制御端子に連結されたトランジスタのサイズが小さいため、前記ダミーステージの出力端子から出力される前記出力信号(OUTn+1)がオフ電圧レベルにダウンされるまでは所定時間が所要された。従って、前記ダミーステージの出力信号(OUTn+1)は、所定期間のあいだ、オン電圧レベルを維持することができる。
このとき、前記ハイ区間を有する駆動ステージの出力信号(OUTn)とオン電圧レベルを有する前記ダミーステージの出力信号(OUTn+1)は、ほぼ同じ電圧を有して発生された。従って、前記n番目の駆動ステージ(SRCn)は、前記ダミーステージ(SRCn+1)の出力信号(OUTn+1)によって安定的に駆動されることができる。
図9は、本発明の第2実施例によるシフトレジスタの駆動ステージ及びダミーステージの構成を示した回路図である。
図9を参照すると、本発明の第2実施例によるシフトレジスタ133は、n個の駆動ステージ(SRC1〜SRCn)及びダミーステージ(SRCn+1)で構成される。前記n個の駆動ステージ(SRC1〜SRCn)のうち、n番目の駆動ステージ(SRCn)は、プルアップ部133a、プルダウン部133b、プル駆動部133c及びプルダウン駆動部133dを含む。
前記プルアップ部133aは、ドレインを通じてクロック信号(CK)の入力を受けて、ゲートが第1ノード(N1a)に連結され、出力端子(OUTn)にソースが連結された第1NMOSトランジスタ(NT1a)で構成される。
前記プルダウン部133bは、出力端子(OUTn)にドレインが連結され、第2ノード(N2a)にゲートが連結され、ソースが第2電圧端子(VSST)に連結された第2NMOSトランジスタ(NT2a)で構成される。
前記プルアップ駆動部133cは、キャパシタ(C)、第3乃至第5NMOSトランジスタ(NT3a,NT4a,NT5a)で構成される。前記キャパシタ(C)は、前記第1ノード(N1a)と出力端子(OUT)との間に連結される。前記第3NMOSトランジスタ(NT3a)は、ドレインが第1電圧端子(VDDT)に連結され、ゲートが入力端子(IN)に連結され、ソースが前記第1ノード(N1a)に連結された構成を有する。前記第4NMOSトランジスタ(NT4a)は、ドレーンが前記第1ノード(N1a)が連結され、ゲートが制御端子(CT)に連結され、ソースが前記第2電圧端子(VSST)に連結された構成を有する。前記第5NMOSトランジスタ(NT5a)は、ドレイン前記第1ノード(N1a)に連結され、ゲートが前記第2ノード(N2a)に連結され、ソースが前記第2電圧端子(VSST)に連結された構成を有する。前記第3NMOSトランジスタ(NT3a)のサイズは前記第5NMOSトランジスタ(NT5a)のサイズより約2倍ぐらい大きい。
前記プルダウン駆動部133dは、第6及び第7NMOSトランジスタ(NT6a,NT7a)で構成される。前記第6NMOSトランジスタ(NT6a)は、ドレインとゲートが前記第1電圧端子(VDDT)に共通に連結され、ソースが前記第2ノード(N2a)に連結された構成を有する。前記第7NMOSトランジスタ(NT7a)は、ドレインが前記第2ノード(N2a)に連結され、ゲートが前記第1ノード(N1a)に連結され、ソースが前記第2電圧端子(VSST)に連結された構成を有する。前記第6NMOSトランジスタ(NT6a)のサイズは、前記第7NMOSトランジスタ(NT7a)のサイズより約16倍ぐらい大きい。
前記n番目の駆動ステージ(SRCn)の入力端子にn−1番目の駆動ステージの出力信号が提供されると、前記第7NMOSトランジスタ(NT7a)がターンオンされる。前記第7NMOSトランジスタが動作されることによって、前記第2ノード(N2a)の電位が前記第1電圧(VDD)から前記第2電圧(VSS)にダウンされ、それによって前記第2NMOSトランジスタ(NT2a)がターンオフされる。以後、前記第7NMOSトランジスタ(N7a)がターンオンされても、前記第6NMOSトランジスタ(NT6a)のサイズが前記第7NMOSトランジスタ(NT7a)のサイズよち約16倍ぐらい大きいため、前記第2ノード(N2a)は、前記第2電圧(VSS)で続いて維持される。
前記n番目の駆動ステージ(SRCn)の制御端子(CT)を通じてオン電圧レベルに上昇された前記ダミーステージ(SRCn+1)の出力信号(OUTn+1)が提供されると、前記第7NMOSトランジスタ(NT7a)がターンオフされる。従って、前記第6NMOSトランジスタ(NT6a)を通じて前記第2ノード(N2a)は前記第2電圧(VSS)から前記第1電圧(VDD)に上昇される。
以後、n番目の駆動ステージ(SRCn)の制御端子(CT)を通じて印加される前記ダミーステージ(SRCn)の出力信号(OUTn+1)がオフ電圧レベルにダウンされて前記第4NMOSトランジスタ(NT4a)がターンオフされても、前記第2ノード(N2a)は、前記第6NMOSトランジスタ(NT6a)を通じて前記第1電圧(VDD)にバイアスされる。従って、前記第2NMOSトランジスタ(NT2a)は、ターンオン状態を維持して前記出力端子(OUTn)には前記第2電圧(VSS)が続いて出力される。
一方、図9に図示されたように前記ダミーステージ(SRCn+1)は、前記n番目の駆動ステージ(SRCn)のように、プルアップ部133a、プルダウン部133b、プルアップ駆動部133c’及びプダウン駆動部133dを含む。ここで、前記ダミーステージ(SRCn+1)は、前記n番目の駆動ステージ(SRCn)と同じ構造を有するが、前記ダミーステージ(SRCn+1)の制御端子(CT)には前記ダミーステージ(SRCn+1)の出力端子(OUTn+1)が連結される。従って、前記ダミーステージ(SRCn+1)は、ダミーステージ(SRCn+1)の出力信号によって制御される。このとき、オン電圧レベルを有する前記ダミーステージ(SRCn+1)の出力信号を所定時間のあいだ維持させるために、前記制御端子(CT)に直接的に連結されたトランジスタのサイズが変更される。
具体的に、前記ダミーステージ(SRCn+1)での第4トランジスタ(NT4a’)のサイズは、前記n番目の駆動ステージ(SRCn)の第4NMOSトランジスタ(NT4a)のサイズより約10倍ぐらい小さい。従って、ダミーステージ(SRCn+1)のハイレベルの出力信号がダミーステージ(SRCn+1)の制御信号(CT)にフィードバックされた後、第4NMOSトランジスタ(NT4a’)がすぐにターンオフされないので、第7NMOSトランジスタ(NT7a)はすぐにターンオンされない。第4NMOSトランジスタ(NT4a’)は、所定期間のあいだ第2電圧(VSS)に維持される。よって、ダミーステージ(SRCn+1)の出力端子は、所定の期間のあいだ高電圧レベルに維持される。
即ち、前記ダミーステージ(SRCn+1)の制御端子(CT)を通じてオン電圧レベルに上昇された前記ダミーステージ(SRCn+1)の出力信号が提供されても、前記第4NMOSトランジスタ(NT4a’)がターンオンされるのに所定時間が所要されるため、前記第7NMOSトランジスタ(NT7a)もすぐターンオフされない。従って、前記第4ノード(N4)は、前記第2電圧(VSS)を所定時間のあいだ、維持する。これによって、前記ダミーステージ(SRCn+1)は、所定時間のうち、オン電圧レベルを維持することができる。
所定時間が経った以後、前記第4NMOSトランジスタ(NT4a’)がターンオンされると、それに対応して前記第7NMOSトランジスタ(NT7a)がターンオフされることによって、前記第4ノード(N4)は、前記第2電圧(VSS)から前記第1電圧(VDD)に上昇される。前記第4ノード(N4)の電位が第1電圧(VDD)に上昇されることによって、前記第2NMOSトランジスタ(NT2a)がターンオンされて前記ダミーステージ(SRCn+1)の出力端子(OUT)には前記第2電圧(VSS)が出力される。
このように、前記ダミーステージ(SRCn+1)の制御端子(CT)を前記ダミーステージ(SRCn+1)の出力端子(OUT+1)に連結させることで、前記ダミーステージ(SRCn+1)が安定的に動作することができる。また、前記ゲート駆動回路は、前記ダミーステージ(SRCn+1)の制御端子(CT)に制御信号を提供するために外部から提供される別途の配線を必要としないので、追加しなくてもよい。
従って、前記追加配線(図示せず)が追加されることで、他の配線と前記追加配線との間に発生するキャパシタンスによって前記ゲート駆動回路に提供される各種信号が遅延される現状を防止することができる。
図10は、本発明の第3実施例によるゲート駆動回路を示した図面であり、図11は、図10に図示されたゲート駆動回路の出力波形図である。ここで、iは前記nより小さい偶数である。
図10を参照すると、本発明の第3実施例によるゲート駆動回路150は、一つのシフトレジスタ151で構成される。前記シフトレジスタ151は、複数の駆動ステージで構成された第1及び第2グループ(G1,G2)に区分される。また、前記シフトレジスタ151の周辺には、前記シフトレジスタ151に各種信号を供給するための配線部152が具備される。
具体的に、前記配線部152は、開始信号配線(STL)、第1電圧配線(VDDL)、第1クロック配線(CKL1)、第2クロック配線(CKBL1)、第2電圧配線(VSSL)、第3クロック配線(CKL2)、第4クロック配線(CKBL2)を含む。
前記第1クロック配線(CKL1)は、前記第1グループの駆動ステージ(SRC1〜SRCi−1)のうち、奇数番目の駆動ステージ(SRC1,SRC3,...,SRCi−1)に第1クロック信号(CK)を提供し、前記第3クロック配線(CKL2)は、前記第2グループ(G2)の駆動ステージ(SRCi〜SRCn)のうち、奇数番目の駆動ステージ(SRCi+1)に前記第1クロック信号(CK)を提供する。一方、前記第2クロック配線(CKBL1)は前記第1グループ(G1)の駆動ステージ(SRC1〜SRCi−1)のうち、偶数番目の駆動ステージ(SRC2・・・)に前記第1クロック信号(CK)と反転された位相を有する第2クロック信号(CKB)を提供し、前記第4クロック配線(CKBL2)は、前記第2グループ(G2)の駆動ステージ(SRCi〜SRCn)のうち、偶数番目の駆動ステージ(SRCi〜SRCn)に前記第2クロック信号(CKB)を提供する。
従って、前記n個の駆動ステージ(SRC1〜SRCn)の一部は、前記第1及び第2クロック配線(CKL1,CKBL1)を通じてそれぞれ提供される前記第1及び第2クロック信号(CK,CKB)によって動作される。その他の一部は、前記第3及び第4クロック配線(CKL2,CKBL2)を通じてそれぞれ提供される前記第1及び第2クロック信号(CK,CKB)によって動作される。これによって、一番目のゲートラインからn番目のゲートラインまで順次にオン電圧レベル区間を有して発生される前記第1及び第2クロック信号(CK,CKB)の遅延時間を最小化して各ステージからの出力信号が歪曲される現状を防止することができる。
一方、前記第3及び第4クロック配線(CKL2,CKBL2)は、前記n個の駆動ステージ(SRC1〜SRCn)それぞれに連結されるように他の配線(VSSL、VDDL、STLなど)を横切らない。第3及び第4クロック配線(CKL2,CKBL2)の一端は、前記第1及び第2クロック配線(CKL1,CKBL1)の一端に結合されて前記n個の駆動ステージ(SRC1〜SRCn)それぞれに連結される。
具体的に、前記第1クロック信号(CK)が入力される前記第3クロック配線(CKL2)の第1端と前記第1クロック信号(CK)が入力される前記第1クロック配線(CKL1)の第1端は近接した位置に配置される。また、前記第2クロック信号(CKB)が入力される前記第2クロック配線(CKBL1)の第1端と前記第2クロック信号(CKB)が入力される前記第4クロック配線(CKBL2)の第1端は、近接した位置に配置される。即ち、前記第1乃至第4クロック信号配線(CKL1,CKBL1,CKL2,CKBL2)の入力端子は、前記n個の駆動ステージ(SRC1〜SRCn)の一番目の駆動ステージ(SRC1)に隣接した位置に配置される。
このとき、前記第1クロック配線(CKL1)の他の第2端は、前記第3クロック配線(CKL2)の他の第2端と結合され、結合される位置は、前記ダミーステージ(SRCn+1)に隣接した位置である。
従って、前記第3及び第4クロック配線(CKL2,CKBL2)は、前記シフトレジスタ151と直接的に連結されなく、他の配線とクロス(cross)される部分もない。これによって、前記第3及び第4クロック配線(CKL2,CKBL2)を通じた前記第1及び第2クロック信号(CK,CKB)の移動速度は、前記第1及び第2クロック配線(CKL1,CKBL1)を通じた前記第1及び第2クロック信号(CK,CKB)の移動速度より速い。
また、前記配線部152は、配線幅が狭いほど前記シフトレジスタ151と隣接して配置される。
具体的に、前記シフトレジスタ151に一番隣接した位置には、前記開始信号配線(STL)が配置され、その次に前記第1電圧配線(VDDL)が前記開始信号配線(STL)に隣接して配置される。前記第1電圧配線(VDDL)の外側には第2及び第1クロック配線(CK1,CKBL1)が順次位置する。前記第1クロック配線(CKL1)と連接して前記第2電圧配線(VSSL)が形成される。一方、前記第3クロック配線(CKL2)は前記第2電圧配線(VSSL)に隣接して配置され、その次に前記第4クロック配線(CKBL2)が前記第3クロック配線(CKL2)に隣接して配置される。
前記配線部152がこのような順次に配置された各種の配線で構成されることで、前記液晶表示装置の表示特性を向上させることができる。即ち、前記シフトレジスタ151と隣接すれば隣接するほど配線の間の総接触面積が大きくなって、接触キャパシタンスが大きくなる。そのため、接触キャパシタンスの影響を大きく与えられない配線であるほど前記シフトレジスタ151と隣接されて配置される。これによって、前記液晶表示装置の表示特性を向上させることができる。
図11を参照すると、前記第1及び第2配線(CKL1,CKBL1)を通じて前記シフトレジスタ151の第1グループ(G1)に第1及び第2クロック信号(CK,CKB)が提供される。前記第1グループ(G1)の一番目の駆動ステージ(SRC1)に開始信号(ST)が提供されると、前記第1グループ(G1)の前記一番目の駆動ステージ(SRC1)では、前記開始信号(ST)の先端に応答して前記第1クロック信号(CK)のハイレベルの区間が第1出力信号(OUT1)に発生される。以後、二番目の駆動ステージ(SRC2)では、前記一番目の駆動ステージ(SRC1)の前記第1出力信号(OUT1)に応答して、前記第2クロック信号(CKB)のハイレベルの区間が第2出力信号(OUT2)に発生される。
一方、前記第3及び第4クロック信号配線(CKL2,CKBL2)を通じて前記シフトレジスタ151の第2グループ(G2)に前記第1及び第2クロック信号(CK,CKB)が提供されると、前記第2グループ(G2)の一番目の駆動ステージである第i番目の駆動ステージ(SRCi)では、前記第1グループ(G1)の最後の駆動ステージである第i−1番目の駆動ステージ(SRCi−1)の第i−1番目の出力信号(OUTi−1)に応答して、前記第2クロック信号(CKB)のハイレベル区間が第i番目の出力信号(OUTi)に発生される。第i+1番目の駆動ステージ(SRCi+1)では、前記第i出力信号(OUTi)に応答して、前記第1クロック信号(CK)のハイレベル区間が第i+1出力信号(OUTi+1)に発生される。
このように、各ステージの出力端子(OUT)には、第1乃至第n出力信号(OUT1〜OUTn)が順次にハイレベル区間を有しながら発生される。
図12は、図10に図示された第3及び第4クロック配線の位置を具体的に示したゲート駆動回路の設計図であり、図13は、図1及び第3クロック配線の連結関係と第2及び第4クロック配線の連結関係を示した設計図である。
図12を参照すると、シフトレジスタ151の外側には、開始信号配線(STL)、第1電圧配線(VDDL)、第1及び第2クロック配線(CKL1,CKBL1)、第2電圧配線(VSSL)、第3及び第4クロック配線(CKL2,CKBL2)が順次配置されている。各配線は、配線幅が狭いほど前記シフトレジスタ151と隣接して配置される。即ち、シフトレジスタから遠い方の配線幅をシフトレジスタに隣接した方の配線幅より少なくとも大きくか同じようにする。前記シフトレジスタ151と隣接するほど配線の間の総接触面積が多くなって、接触キャパシタンスが大きくなるので、キャパシタンスの影響を大きく与えられない配線であるほど前記シフトレジスタ151と隣接して配置される。
具体的に、前記シフトレジスタ151に一番隣接した位置には前記開始信号配線(STL)が配置され、その次に前記第1電圧配線(VDDL)が前記開始信号配線(STL)に隣接して配置される。前記第1電圧配線(VDDL)の外側には前記第2及び第1クロック配線(CKBL,CKBL1)が位置する。ここで、前記第2クロック配線(CKBL1)は、前記第1クロック配線(CKL1)よりシフトレジスタ151に近い側に配置される。前記第1クロック配線(CKL1)と隣接して前記第2電圧配線(VSSL)が形成される。このような構造は、配線と該当配線を各ステージ(SRC1〜SRCn+1)を連結する連結ラインとの間で発生する接触キャパシタンスによるディレイを減少させる。
一方、前記第3及び第4クロック配線(CKL2,CKBL2)は、前記シフトレジスタ151に連結されるようには他の配線を貫かない。前記第3及び第4クロック配線(CKL2,CKBL2)の一端は、前記第1及び第2クロック配線(CKL1,CKBL1)の一端に結合されて前記シフトレジスタ151に連結されるので、第3及び第4クロック配線(CKL2,CKBL2)は、第2電圧配線(VSSL)より前記シフトレジスタ151から遠い位置に配置される。言い換えると、前記第2電圧配線(VSSL)より外側に配置される。
図12に図示したように、前記第3及び第4クロック配線(CKL2,CKBL2)は、TFT基板300のシールライン領域(SA)内に形成される。具体的に、TFT基板300は、ゲートライン(図示せず)、データライン(図示せず)及び画素(図示せず)が形成されている表示領域(DA)と前記表示領域(DA)の周辺に形成された周辺領域(PA)に区分される。
また、前記周辺領域(PA)は、前記シフトレジスタ151及び各種配線が形成されたゲート駆動領域(GA)とTFT基板をカラーフィルター基板(図示せず)と結合させる結合部材−たとえばシーラント(sealant,図示せず)が形成された前記シールライン領域(SA)に区分される。前記ゲート駆動領域(GA)と前記シールライン領域(SA)は、部分的にオーバーラップされている。即ち、前記シールライン領域(SA)は、前記シールライン領域(SA)の中心を基準に、液晶が存在する第1領域と液晶が存在しない第2領域に区分される。ここで、前記ゲート駆動領域(GA)は、前記第1領域を含んでいる。
ここで、前記第3及び第4クロック配線(CKL2,CKBL2)、第2電圧配線(VSSL)の一部は前記シールライン領域(SA)内に形成され、第2電圧配線(VSSL)の余りの一部、前記第1クロック配線(CKL1)、第2クロック配線(CKBL1)及び開始信号配線(STL)は前記ゲート駆動領域(GA)内に形成される。
前記第2電圧配線(VSSL)の一部、第1及び第2クロック配線(CKL1,CKBL1)、第1電圧配線(VDDL)及び開始信号配線(STL)は、連結ラインと接触される部分を有する。よって、第2電圧配線(VSSL)の一部、第1及び第2クロック配線(CKL1,CKBL1)、第1電圧配線(VDDL)及び開始信号配線(STL)が前記シールライン領域(SA)内に形成するようになると、前記TFT基板300とカラーフィルター基板を結合させるために高温で圧力を加える工程によって接触不良が発生される。
連結ラインと接触する部分を有している配線が前記ゲート駆動領域(GA)内に形成され、連結ラインと接触される部分を有しない配線が前記シールライン領域(SA)内に形成される。そのため、液晶表示装置の全体的なサイズが増加されることを防止することができる。具体的に、第2電圧配線(VSSL)の余りの一部、第3及び第4クロック配線(CKL2,CKBL2)は、連結ラインと結合される部分がないので、前記シールライン領域(SA)内に形成されてもよい。
従って、前記第3及び第4クロック配線(CKL2,CKBL2)が周辺領域(PA)に追加に形成されることによって、液晶表示装置のサイズが増加される現象が発生しない。また、前記第3及び第4クロック配線(SKL2,CKBL2)は、液晶が存在しない前記シールライン領域(SA)内に形成されるため、第3及び第4クロック配線(CKL2,CKBL2)のキャパシタンスが存在しない。よって、第1及び第2クロック信号(CK,CKB)の遅延時間が前記第1及び第2クロック配線(CKL1,CKBL1)に比べて遥かに減少される。
図13を参照すると、前記第1クロック信号配線(CKL1)の一端は、前記第3クロック配線(CKL2)の一端と結合され、前記第2クロック配線(CKBL1)の一端は前記第4クロック配線(CKBL2)の一端と結合される。従って、前記第3クロック配線(CKL2)は、前記シフトレジスタの各ステージに前記第1クロック信号(CK)を提供し、前記第4クロック配線(CKBL2)は、各ステージに前記第2クロック信号(CKB)を提供する。
図12及び図13に図示されたように、前記第3及び第4クロック配線(CKL2,CKBL2)は、前記シフトレジスタ151と直接的に連結連結されなくて、他の配線とクロス(cross)される部分もない。従って、前記第1及び第2クロック信号(CK,CKB)が第3及び第4クロック配線(CKL2,CKBL2)を通じて移動する速度は前記第1及び第2クロック配線(CKL1,CKBL1)を通じて移動する速度より速い。
従って、前記シフトレジスタ151の各ステージ(SRC1〜SRCn+1)の一部は第1及び第2クロック配線(CKL1,CKBL1)を通じて提供される第1及び第2クロック信号(CK,CKB)によって動作され、余りの一部は前記第3及び第4クロック配線(CKL2,CKBL2)を通じて提供される前記第1及び第2信クロック信号(CK,CKB)によって動作される。
これによって、一番目のゲートラインから最後のゲートラインまで順次にハイレベル区間を有して発生される前記第1及び第2クロック信号(CK,CKB)の遅延時間を最小化して前記シフトレジスタ151から出力される出力信号の遅延歪曲を除去することができる。
図14は、本発明の第4実施例による配線構造を示した図面であり、図15は、図14に図示された配線構造を具体的に示したレイアウト図面である。
図14及び図15を参照すると、第2電圧配線(VSSL)とシフトレジスタ(図示せず)との間には前記第2電圧配線(VSSL)と各ステージを連結する第1電圧連結ライン(VSSLc)が配置される。前記第2電圧配線(VSSL)と前記シフトレジスタとの間には前記第2電圧配線(VSSL)と平行に第1及び第2クロック配線(CKL1,CKBL1)が配置される。
前記第1電圧連結ライン(VSSLc)と第1及び第2クロック配線(CKL1,CKBL1)は、クロスされる。また、前記第1及び第2クロック配線(CKL1,CKBL1)は、前記第1電圧連結ライン(VSSLc)とクロスされない領域では、第1幅(W1)を有し、前記第1電圧連結ライン(VSSLc)とクロスされた領域では前記第1幅(W1)より小さい第2幅(W2)を有する。
具体的に、前記第1クロック配線(CKL1)には前記第2電圧連結ライン(VSSLc)とクロスされた領域に対応して一側壁から内側に凹んだ第1凹部(C1)が形成され、前記第2クロック配線(CKBL1)にも前記第1電圧連結ライン(VSSLc)とクロスされた領域に対応して一側壁から内側に凹んだ第2凹部(C2)が形成される。
前記第1クロック配線(CKL1)は、長さの方向に延長される第1及び第2側壁1401、1402を具備し、前記第2クロック配線(CKBL1)は長さの方向に延長される第3及び第4側壁1403、1404を具備する。前記第1及び第2クロック配線(CKL1,CKBL1)は、第2側壁1402と第3側壁1403が互いに向い合うように配置される。このとき、前記第1凹部(C1)は、第1側壁1401に形成され、前記第2凹部(C2)は第4側壁1404に形成される。
図14及び図15に図示されたように、前記第1クロック配線(CKL1)と前記シフトレジスタ151との間に第1クロック信号を各ステージに提供する第1クロック信号連結ライン(CKLc)が配置され、前記第2クロック配線(CKBL1)と前記シフトレジスタ151との間に第2クロック信号を各ステージに提供する第2クロック信号連結ライン(CKBLc)が配置される。第1クロック信号連結ライン(CKLc)は、前記第1クロック配線(CKL1)の第2側壁1402の近傍で前記第1クロック配線(CKL1)とコンタクトされ、前記第2クロック信号連結ライン(CKBLc)は、前記第2クロック配線(CKBL1)の第3側壁1403の近傍で前記第2クロック配線(CKBL1)とコンタクトされる。前記第1及び第2凹部(C1,C2)は、前記1及び第2クロック信号連結ライン(CKLc,CKBLc)のコンタクト部分とオーバーラップされない位置に形成されることが望ましい。
これによって、前記第1及び第2クロック配線(CK1,CKB1)と前記第1電圧連結ライン(VSSLc)と交差する区間で生成されるキャパシタンスを減少させることができる。従って、前記第1及び第2クロック配線(CKL1,CKBL1)を通じてシフトレジスタに印加される前記第1及び第2クロック信号(CK、CKB)の遅延時間を短縮できる。さらに、と前記第2電圧連結ライン(VSSLc)を通じて印加される第2電圧VSSの遅延時間を短縮することができる。
前記第1及び第2クロック配線(CKL1,CKBL1)は、部分的に狭い幅(W2)で形成されているため、第1電圧連結ライン(VSSLc)と第1及び第2クロック配線(CK1,CKB1)とがオーバーラップする部分では、抵抗が発生する。しかし、信号の遅延は、抵抗成分よりキャパシタンス成分に更に大きい影響を与えられるため、究極には遅延時間を減少させることができる。
以下、表1に提示された実験例及び比較例を通じてキャパシタンス成分及び抵抗成分によって変化されるRCディレイを提示する。実験例では、第1及び第2クロック配線(CKL1,CKBL1)の第1幅(W1)が70μmであり、第2幅(W2)が45μmである。また、比較例では、第1及び第2クロック配線(CKL1,CKBL1)は、全体的に均一に70μmを有する。
Figure 2005522734
表1に提示されたように、比較例で前記第1及び第2クロック配線(CKL1,CKBL1)と前記第1電圧連結ライン(VSSLc)との間で発生される第1キャパシタンスは385pFであり、実験例で、前記第1及び第2クロック配線(CKL1,CKBL1)と前記第1電圧連結ライン(VSSLc)との間で発生される第2キャパシタンスは344.5pFである。即ち、実験例での第2キャパシタンスが比較例の第1キャパシタンスより約10.5%減少される。
一方、比較例で、前記第1及び第2クロック配線(CKL1,CKBL1)での第1抵抗は457Ωであり、実験例で、前記第1及び第2クロック配線(CKL1,CKBL1)の第2抵抗は489Ωであって、実験例での第2抵抗が第1抵抗より約7%増加される。しかし、実験例で第2抵抗が増加された割合より第2キャパシタンスが減少された割合が大きさのため究極にはRCディレイは減少される。
図16は、本発明の第5実施例による配線構造を示した図面である。
図16を参照すると、第2電圧配線(VSSL)とシフトレジスタ(図示せず)との間には第2電圧配線(VSSL)と各ステージを連結する第1電圧連結ライン(VSSLc)が配置される。前記第2電圧配線(VSSL)と前記シフトレジスタとの間には前記第2電圧配線(VSSL)と並んで第1及び第2クロック配線(CKL1,CKBL1)が配置される。
ここで、前記第1電圧連結ライン(VSSLc)は、前記第1及び第2クロック配線(CKL1,CKBL1)とクロスされる。また、前記第1電圧連結ライン(VSSLc)は、前記第1クロック配線(CKL1)とクロスされた領域に対応して一側壁から内側に凹んだ第3凹部(C3)を具備する。前記第2クロック配線(CKBL1)とクロスされた領域に対応して一側壁から内側に凹んだ第4凹部(C4)を具備する。従って、前記第2電圧連結ライン(VSSLc)は、前記第1及び第2クロック配線(CKL1,CKBL1)とクロスされない領域では第3幅(W3)を有し、前記第1及び第2クロック配線(CKL1,CKBL1)とクロスされる領域では、前記3幅(W3)より小さい第4幅(W4)を有する。
このように、前記第1電圧連結ライン(VSSLc)の幅が前記第1及び第2クロック配線(CKL1,CKBL1)とクロスされた領域で狭く形成されることで、前記第1及び第2クロック配線(CKL1,CKBL1)と前記第1電圧連結ライン(VSSLc)との間で形成されるキャパシタンスを減少させることができる。従って、前記第1及び第2クロック配線(CKL1,CKBL1)を通じて印加される前記第1及び第2クロック信号の遅延時間と前記 第1電圧連結ライン(VSSLc)を通じて印加される第1電源電圧の遅延時間を減少させることができる。
このようなゲート駆動回路で、ダミーステージ(SRCn+1)の出力端子が最後の駆動ステージ(SRCn)の制御端子に連結されると同時に、ダミーステージ(SRCn+1)自体の制御端子に連結されることによって、前記ゲート駆動回路に提供される各種信号が遅延される現象を防止することができる。また、ダミーステージ(SRCn+1)から制御端子に連結されたトランジスタの構造が変更されることで、前記ダミーステージ(SRCn+1)の出力信号が正常に出力され、それによって前記液晶表示装置の表示特性を向上させることができる。
また、配線部は、第1及び第2クロック配線以外に、第1及び第2クロック(CK、CKB)がそれぞれ提供される第3及び第4クロック配線を追加に具備することで、一番目のゲートラインから最後のゲートラインまで順次にハイレベル区間を有して発生される第1及び第2クロックの遅延時間を最小化することができ、更に液晶表示装置の表示特性を向上させることができる。
以上、本発明の実施例によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変更できる。
本発明の第1実施例による液晶表示パネルを示した図面である。 図1に図示されたゲート駆動回路を構成するシフトレジスタを具体的に示した図面である。 図2に図示された駆動ステージの構成を示した回路図である。 図3に図示された駆動ステージのレイアウト図面である。 図2に図示されたダミーステージの構成を示した回路図である。 図5に図示されたダミーステージのレイアウト図面である。 ダミーステージが駆動ステージと同じ構造を有する場合、ダミーステージの出力波形図である。 ダミーステージが図5に図示された回路で構成された場合の出力波形図である。 本発明の第2実施例による駆動ステージ及びダミーステージの構成を示した回路図である。 本発明の第3実施例によるゲート駆動回路を示した図面である。 図10に図示されたゲート駆動回路の出力波形図である。 図10に図示された第3及び第4クロック配線の位置を具体的に示したゲート駆動回路のレイアウト図面である。 第1及び第3クロック配線の連結関係と第2及び第4クロック配線の連結関係を示したレイアウト図面である。 本発明の第4実施例によるシフトレジスタの配線構造を示した図面である。 図14に図示された配線構造を有するシフトレジスタを示したレイアウト図面である。 本発明の第5実施例によるシフトレジスターを配線構造を示したレイアウトの図面である。
符号の説明
100、300 TFT基板
110 TFT
120 画素電極
130 ゲート駆動回路
131、133、151 シフトレジスタ
132、152 配線部
140 データ駆動回路
150 ゲート駆動回路
200 液晶表示装置
1401 第1側壁
1402 第2側壁
1403 第3側壁
1404 第4側壁

Claims (20)

  1. 各ステージにおいて、現在の出力端子が以前ステージの制御端子に連結されることで、互いに従属的に連結され、マトリクス形態で配列されたそれぞれの画素上に形成されたスイッチング素子に連結された複数の駆動信号ラインに前記複数のスイッチング素子を駆動するための駆動信号を順次に前記各ステージの出力端子を通じて出力する複数の駆動ステージと、
    ダミー出力信号を出力するダミー出力端子が前記複数の駆動ステージのうち、最後のステージの制御端子に連結されて前記最後のステージをオン/オフさせ、ダミー制御端子が前記ダミー出力端子に連結されて前記ダミー出力信号によってオン/オフされるダミーステージと、を含むことを特徴とする能動マトリクス駆動ディスプレイ装置の駆動回路。
  2. 前記ダミーステージは、
    前記スイッチング素子をオン可能なオン電圧レベルの出力信号を前記ダミー出力端子に提供するプルアップ部と、
    前記スイッチング素子をオフ可能なオフ電圧レベルの出力信号を前記ダミー出力端子に提供するプルダウン部と、
    前記オン電圧レベルの出力信号によって駆動されて前記プルダウン部をターンオンさせかつ前記プルアップ部をターンオフさせ、前記オン電圧レベルの出力信号を第1所定時間のあいだ維持させるための駆動部と、を含むことを特徴とする請求項1記載の能動マトリクス駆動ディスプレイ装置の駆動回路。
  3. 前記ダミー制御端子に連結された第1トランジスタのサイズを前記最後の駆動ステージの制御端子に連結された第2トランジスタのサイズより小さく形成することで、前記ダミーステージのオン電圧レベルの出力信号が前記駆動信号の最大電圧レベルと実質的に同じ大きさを有するようにすることを特徴とする請求項2記載の能動マトリクス駆動ディスプレイ装置の駆動回路。
  4. 前記オン電圧レベルの出力信号は、前記駆動信号の最大電圧レベルと実質的に同程度の大きさの電圧レベルを第1所定時間のあいだ維持することを特徴とする請求項2記載の能動マトリクス駆動ディスプレイ装置の駆動回路。
  5. 前記駆動部は、
    前記プルアップ部の第1入力ノードに連結され、前記ダミーステージの入力端子から出力された入力信号に応答して前記プルアップ部をターンオンさせ、前記ダミー制御端子から出力されるオン電圧レベルの出力信号に応答して第2所定時間以後に前記プルアップ部をターンオフさせるプルアップ駆動部と、
    前記プルダウン部の第2入力ノードに連結され、前記ダミーステージの入力端子から出力された入力信号に応答して前記プルダウン部をターンオフさせ、前記ダミー制御端子から提供されるオン電圧レベルの出力信号に応答して第3所定時間の以後に前記プルダウン部をターンオンさせるプルダウン部と、を含むことを特徴とする請求項2記載の能動マトリクス駆動ディスプレイ装置の駆動回路。
  6. 前記プルアップ駆動部は、
    前記プルアップ部の第1入力ノードと前記ダミー出力端子との間に連結されたキャパシタと、
    第1ドレーンが高電源ラインに連結され、第1ゲートが前記入力端子に連結され、第1ソースが前記プルアップ部の第1入力ノードに連結された第1トランジスタと、
    第2ドレーンと第1ゲートが前記高電源ラインに共通に連結された第2トランジスタと、
    第3ドレーンが前記高電源ラインに連結され、第3ゲートが前記第2トランジスタの第2ソースに連結され、第3ソースが前記プルダウン部の第2入力ノードに連結された第3トランジスタと、
    第4ドレーンが前記入力端子に連結され、第4ゲートが前記プルダウン部の入力ノードに連結され、第4ソースが接地電圧ラインに連結された第4トランジスタと、
    第5ドレーンが前記プルダウン部の第2入力ノードに連結され、第5ゲートが前記入力端子に連結され、第5ソースが前記電圧接地電圧ラインに連結された第5トランジスタと、
    第6ドレーンが前記プルアップ部の第1入力ノードに連結され、第6ゲートが前記プルダウン部の第2入力ノードに連結され、第6ソースが前記接地電圧ラインに連結された第6トランジスタと、を含むことを特徴とする請求項5記載の能動マトリクス駆動ディスプレイ装置の駆動回路。
  7. 前記プルアップ駆動部は、第7ドレーンが前記入力端子に連結され、第7ゲートが前記ダミー制御端子に連結され、第7ソースが前記接地電圧ラインに連結された第7トランジスタを更に含むことを特徴とする請求項6記載の能動マトリクス駆動ディスプレイ装置の駆動回路。
  8. 前記プルダウン駆動部は、
    第8ドレーンが前記プルダウン部の第2入力ノードに連結され、第8ゲートが前記プルアップ部の第1入力ノードに連結され、第8ソースが前記接地電圧ラインに連結された第8トランジスタと、
    第9ドレーンが前記第2トランジスタの第2ソースに連結され、第9ゲートがプルアップ部の第1入力ノードに連結され、第9ソースが前記接地電圧ラインに連結された第9トランジスタと、
    第10ドレーンが前記プルアップ部の第1入力ノードに連結され、第10ゲートが前記ダミー制御端子に連結され、第10ソースが前記接地電圧端子に連結された第10トランジスタと、を含むことを特徴とする請求項6記載の能動マトリクス駆動ディスプレイ装置の駆動回路。
  9. 前記駆動ステージは、前記ダミーステージを構成する駆動回路と同じ駆動回路を含むが、前記ダミーステージの第10トランジスタに対応する前記駆動ステージのトランジスタのサイズは、前記第10トランジスタのサイズより10倍大きいことを特徴とする請求項8記載の能動マトリクス駆動ディスプレイ装置駆動回路。
  10. マトリクス形態で配列されたそれぞれの画素上に形成されたスイッチング素子に連結された複数のゲートラインが具備される第1基板ち、前記第1基板と向い合う第2基板と、前記第1及び第2基板の間に介在された液晶層とで構成された表示部と、
    各ステージにおいて現在のステージの出力端子が以前ステージの制御端子に連結されることによって、互いに従属的に連結され、前記複数のゲートラインに前記スイッチング素子を駆動するための駆動信号を出力端子を通じて前記それぞれのゲートラインに順次出力する各々の駆動ステージ及びダミー出力信号が出力されるダミー出力端子が前記複数の駆動ステージのうち、最後の駆動ステージの制御端子に連結されて前記最後のステージをオン/オフさせ、ダミー制御端子が前記ダミー出力端子に連結されて前記ダミー出力信号によってオン/オフされるダミーステージで構成されたゲート駆動部と、を含むことを特徴とする液晶表示装置。
  11. 前記ダミーステージは、
    前記スイッチング素子をオン可能なオン電圧レベルの出力信号を前記出力端子に提供するプルアップ部と、
    前記スイッチング素子をオン可能なオフ電圧レベルの出力信号を前記ダミー出力端子に提供するプルダウン部と、
    前記オン電圧レベルの出力信号によって駆動され、前記プルダウン部をターンオンさせかつ前記プルアップ部をターンオフさせ、前記オン電圧レベルの出力信号を所定時間のうちに維持させるための駆動部と、を含むことを特徴とする請求項10記載の液晶表示装置。
  12. 前記ゲート駆動回路は、前記複数の駆動ステージ及びダミーステージに各種信号を提供するための配線部を更に含むことを特徴とする請求項10記載の液晶表示装置。
  13. 前記駆動ステージは、第1及び第2グループに分けられ、前記配線部は、
    前記第1グループの複数の駆動ステージのうち、奇数番目の駆動ステージに第1クロック信号を提供する第1クロック配線と、
    前記第2グループの奇数番目の駆動ステージ及び前記ダミーステージに前記第1クロック信号を提供する第2クロック配線と、
    前記第1グループの複数の駆動ステージのうち、偶数番目の駆動ステージに前記第1クロック信号と反転された位相を有する第2クロック信号を提供する第3クロック配線と、
    前記第2グループの偶数番目の駆動ステージに前記第2クロック信号を提供する第4クロック配線と、を含むことを特徴とする請求項12記載の液晶表示装置。
  14. ゲートライン、データライン及び前記ゲートラインとデータラインに連結されたスイッチング素子で構成された画素が形成された第1基板と、前記第1基板と向い合う第2基板と、前記第1及び第2基板の間に介在された液晶層とで構成された表示部と、
    前記表示部の周辺に形成され、前記データラインと結合されて前記データラインに映像データを提供するデータ駆動部と、
    前記表示部の周辺に形成され、複数のステージが従属的に連結されて各ステージから出力された前記スイッチング素子を制御する駆動信号を出力端子を介して前記ゲートラインに順次提供し、第1及び第2グループに分離されたシフトレジスタ及び外部から提供される信号を前記各ステージに印加する配線で構成されたゲート駆動部と、を含み、
    前記配線は、前記第1グループの奇数番目のステージに第1クロックを提供する第1クロック配線と、前記第1グループの偶数番目のステージに前記第1クロックと反転された位相を有する第2クロックを提供する第2クロック配線と、前記第2グループの奇数番目のステージに前記第1クロックを提供する第3クロック配線と、前記第2グループの偶数番目のステージに前記第2クロックを提供する第4クロック配線と、を含むことを特徴とする液晶表示装置。
  15. 前記第1乃至第4クロック配線は、それぞれ第1乃至第4入力端を具備し、前記第1乃至第4入力端は、前記シフトレジスタの一番目のステージが配置される第1領域で互いに隣接されて配置されることを特徴とする請求項14記載の液晶表示装置。
  16. 前記第1クロック配線は、前記シフトレジスタの最後のステージが配置される第2領域で前記第3クロック配線と結合されるように配置され、前記第2クロック配線は、前記第2領域で前記第4クロック配線と結合されるように配置されることを特徴とする請求項15記載の液晶表示装置。
  17. 前記表示部の周辺部には、前記第1及び第2基板を結合させる結合部材が形成され、前記第3及び第4クロック配線は、前記周辺部内に位置することを特徴とする請求項14記載の液晶表示装置。
  18. 前記配線は、前記シフトレジスタの各ステージに第1電源電圧を提供するための第1電源電圧配線、第2電源電圧を提供するための第2電源電圧配線及び一番目のステージに開始信号を提供するための開始信号配線を更に含み、
    前記開始信号配線、前記第2電源電圧配線、前記第1及び第2クロック配線、前記第1電源電圧配線、前記第3及び第4クロック配線の順番に前記シフトレジスタに近接されるように配置されることを特徴とする請求項14記載の液晶表示装置。
  19. 前記配線は、前記第1電源電圧配線と前記各ステージを連結する第1電源電圧連結ラインを更に含み、
    前記第1クロック配線は、連結ラインがクロスしない第1領域で第1幅を有し、連結ラインがクロスする第2領域で第2幅を有し、
    前記第2クロック配線は、連結ラインがクロスしない第3領域で第3幅を有し、連結ラインがクロスする第4領域で第4幅を有し、前記第2領域は第1領域よりも小さく、前記第4領域は第3領域よりも小さいことを特徴とする請求項18記載の液晶表示装置。
  20. 前記配線は、前記第1電源電圧配線と前記各ステージを連結する第1電源電圧連結ラインを更に含み、
    前記第1電源電圧配線は、第1及び第2クロック配線がクロスしない第1領域で第1幅を有し、第1及び第2クロック配線がクロスする第2領域で第2幅を有し、前記第2領域は第1領域よりも小さいことを特徴とする請求項18記載の液晶表示装置。
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JP4302535B2 JP4302535B2 (ja) 2009-07-29

Family

ID=36685279

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003584804A Expired - Lifetime JP4302535B2 (ja) 2002-04-08 2003-04-04 ゲート駆動回路及びこれを有する液晶表示装置

Country Status (5)

Country Link
US (3) US7023410B2 (ja)
JP (1) JP4302535B2 (ja)
CN (1) CN100428319C (ja)
AU (1) AU2003214699A1 (ja)
WO (1) WO2003087921A2 (ja)

Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004103226A (ja) * 2002-09-05 2004-04-02 Samsung Electronics Co Ltd シフトレジスタ及び該シフトレジスタを備えた液晶表示装置
JP2004185787A (ja) * 2002-03-26 2004-07-02 Sharp Corp シフトレジスタおよびそれを備えた表示装置
JP2007207411A (ja) * 2006-01-05 2007-08-16 Mitsubishi Electric Corp シフトレジスタ回路およびそれを備える画像表示装置
WO2010061657A1 (ja) * 2008-11-28 2010-06-03 シャープ株式会社 走査信号線駆動回路、シフトレジスタ、および表示装置
US7825888B2 (en) 2006-02-23 2010-11-02 Mitsubishi Electric Corporation Shift register circuit and image display apparatus containing the same
WO2011067964A1 (ja) * 2009-12-01 2011-06-09 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板及び表示装置
WO2011104945A1 (ja) * 2010-02-25 2011-09-01 シャープ株式会社 表示装置
JP2013041660A (ja) * 2006-08-31 2013-02-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置、表示装置、液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
KR101294016B1 (ko) 2006-11-28 2013-08-08 삼성디스플레이 주식회사 부분 화면 표시가 가능한 표시장치 및 그 구동방법
WO2013157285A1 (ja) 2012-04-20 2013-10-24 シャープ株式会社 表示装置
WO2013172243A1 (ja) 2012-05-16 2013-11-21 シャープ株式会社 液晶ディスプレイ
JP2014032737A (ja) * 2006-01-07 2014-02-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置、表示装置、表示モジュール及び電子機器
JP2014056637A (ja) * 2005-10-18 2014-03-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置、シフトレジスタ、表示装置
KR101437867B1 (ko) 2007-10-16 2014-09-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치와 그 구동 장치 및 구동 방법
JP2015179558A (ja) * 2006-06-02 2015-10-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2015213321A (ja) * 2008-11-28 2015-11-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び表示装置
JP6043457B1 (ja) * 2009-09-10 2016-12-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2017117511A (ja) * 2010-03-02 2017-06-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
JP2018501503A (ja) * 2014-11-03 2018-01-18 深▲セン▼市華星光電技術有限公司 低温ポリシリコン半導体薄膜トランジスタに基づくgoa回路
JP2020112809A (ja) * 2009-03-26 2020-07-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2021039817A (ja) * 2009-01-16 2021-03-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2021096430A (ja) * 2019-12-19 2021-06-24 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP2022066198A (ja) * 2008-11-13 2022-04-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2023051948A (ja) * 2010-09-09 2023-04-11 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2023093436A (ja) * 2021-12-22 2023-07-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示装置
JP7404575B2 (ja) 2008-09-30 2023-12-25 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
TWI834571B (zh) 2006-08-31 2024-03-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
JP7481552B2 (ja) 2009-03-26 2024-05-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置

Families Citing this family (85)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7023410B2 (en) * 2002-04-08 2006-04-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display device
US7369111B2 (en) 2003-04-29 2008-05-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Gate driving circuit and display apparatus having the same
US7199637B2 (en) * 2003-09-02 2007-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Rectifier circuit without alternating-current feedback
TWI263191B (en) * 2003-11-18 2006-10-01 Ind Tech Res Inst Shift-register circuit
US7586474B2 (en) * 2003-12-11 2009-09-08 Lg Display Co., Ltd. Liquid crystal display and method of driving the same
KR100598740B1 (ko) * 2003-12-11 2006-07-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치
KR101012972B1 (ko) * 2003-12-30 2011-02-10 엘지디스플레이 주식회사 액티브 매트릭스 표시장치
KR20050079718A (ko) * 2004-02-06 2005-08-11 삼성전자주식회사 시프트 레지스터와 이를 갖는 표시 장치
KR101026807B1 (ko) * 2004-06-09 2011-04-04 삼성전자주식회사 표시 장치용 구동 장치 및 표시판
KR20050117303A (ko) * 2004-06-10 2005-12-14 삼성전자주식회사 표시 장치
JP4207858B2 (ja) * 2004-07-05 2009-01-14 セイコーエプソン株式会社 半導体装置、表示装置及び電子機器
TWI382264B (zh) 2004-07-27 2013-01-11 Samsung Display Co Ltd 薄膜電晶體陣列面板及包括此面板之顯示器裝置
KR101044920B1 (ko) * 2004-07-28 2011-06-28 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 게이트 구동회로 및 이를 이용한액정표시장치
US20060056267A1 (en) * 2004-09-13 2006-03-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Driving unit and display apparatus having the same
KR101014172B1 (ko) * 2004-09-13 2011-02-14 삼성전자주식회사 구동유닛 및 이를 갖는 표시장치
KR101056369B1 (ko) * 2004-09-18 2011-08-11 삼성전자주식회사 구동유닛 및 이를 갖는 표시장치
KR101127813B1 (ko) * 2004-12-29 2012-03-26 엘지디스플레이 주식회사 쉬프트 레지스터와 이를 이용한 액정 표시장치
KR20060134730A (ko) * 2005-06-23 2006-12-28 삼성전자주식회사 어레이 기판 및 이를 구비한 표시 장치
KR101183431B1 (ko) * 2005-06-23 2012-09-14 엘지디스플레이 주식회사 게이트 드라이버
JP4920204B2 (ja) * 2005-06-24 2012-04-18 富士電機株式会社 半導体装置
KR101217079B1 (ko) * 2005-07-05 2012-12-31 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR100714003B1 (ko) * 2005-08-22 2007-05-04 삼성에스디아이 주식회사 쉬프트 레지스터 회로
JP5079350B2 (ja) 2006-04-25 2012-11-21 三菱電機株式会社 シフトレジスタ回路
KR101275248B1 (ko) * 2006-06-12 2013-06-14 삼성디스플레이 주식회사 게이트 구동회로 및 이를 갖는 표시장치
US7936332B2 (en) * 2006-06-21 2011-05-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Gate driving circuit having reduced ripple effect and display apparatus having the same
KR20080008795A (ko) * 2006-07-21 2008-01-24 삼성전자주식회사 표시 기판 및 이를 구비한 표시 장치
TWI514347B (zh) * 2006-09-29 2015-12-21 Semiconductor Energy Lab 顯示裝置和電子裝置
TWI346929B (en) * 2006-10-13 2011-08-11 Au Optronics Corp Gate driver and driving method of liquid crystal display device
TWI349909B (en) * 2006-10-17 2011-10-01 Au Optronics Corp Driving circuit of liquid crystal display device
TWI332645B (en) * 2006-10-17 2010-11-01 Au Optronics Corp Driving circuit of liquid crystal display device
CN100426067C (zh) * 2006-11-14 2008-10-15 友达光电股份有限公司 液晶显示装置的驱动电路
TWI354262B (en) * 2006-12-14 2011-12-11 Au Optronics Corp Gate driving circuit and driving circuit unit ther
TWI346320B (en) * 2006-12-26 2011-08-01 Au Optronics Corp Gate driving circuit and driving method thereof
KR101375863B1 (ko) * 2007-03-08 2014-03-17 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 이의 구동방법
JP5063706B2 (ja) * 2007-12-27 2012-10-31 シャープ株式会社 シフトレジスタおよび表示装置
JP4775408B2 (ja) * 2008-06-03 2011-09-21 ソニー株式会社 表示装置、表示装置における配線のレイアウト方法および電子機器
TWI398852B (zh) * 2008-06-06 2013-06-11 Au Optronics Corp 可降低時脈偶合效應之移位暫存器及移位暫存器單元
TWI366194B (en) * 2008-06-06 2012-06-11 Au Optronics Corp Shift register
CN101303896B (zh) * 2008-06-17 2010-07-28 友达光电股份有限公司 可降低频率偶合效应的移位缓存器及移位缓存器单元
KR101502361B1 (ko) * 2008-08-06 2015-03-16 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
CN101369460B (zh) * 2008-10-15 2012-08-22 友达光电股份有限公司 移位缓存器
KR102469154B1 (ko) * 2008-10-24 2022-11-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
TWI394134B (zh) * 2008-12-12 2013-04-21 Au Optronics Corp 預下拉前級突波之移位暫存器
KR101542509B1 (ko) * 2008-12-24 2015-08-06 삼성디스플레이 주식회사 게이트 구동 장치 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
US9741309B2 (en) * 2009-01-22 2017-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving display device including first to fourth switches
TWI381640B (zh) * 2009-07-14 2013-01-01 Au Optronics Corp 具雙向傳輸機制之移位暫存器電路
WO2011007591A1 (ja) 2009-07-15 2011-01-20 シャープ株式会社 走査信号線駆動回路およびそれを備えた表示装置
KR101750982B1 (ko) 2009-11-06 2017-06-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
WO2011065045A1 (ja) 2009-11-30 2011-06-03 シャープ株式会社 走査信号線駆動回路およびこれを備えた表示装置
WO2011070929A1 (en) 2009-12-11 2011-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US8537094B2 (en) * 2010-03-24 2013-09-17 Au Optronics Corporation Shift register with low power consumption and liquid crystal display having the same
KR101702031B1 (ko) * 2010-05-11 2017-02-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
TWI427587B (zh) * 2010-05-11 2014-02-21 Innolux Corp 顯示器
KR101374113B1 (ko) 2010-06-07 2014-03-14 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시장치 및 그 구동방법
KR101760102B1 (ko) * 2010-07-19 2017-07-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치, 표시 장치를 위한 주사 구동 장치 및 그 구동 방법
TWI414150B (zh) * 2010-08-10 2013-11-01 Au Optronics Corp 移位暫存電路
TWI413972B (zh) * 2010-09-01 2013-11-01 Au Optronics Corp 移位暫存電路
TWI439050B (zh) * 2010-10-27 2014-05-21 Au Optronics Corp 移位暫存器及觸控裝置
CN103761939B (zh) * 2010-12-06 2016-08-24 群康科技(深圳)有限公司 显示器
KR101804315B1 (ko) * 2010-12-06 2018-01-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치, 표시 장치를 위한 주사 구동 장치 및 그 구동 방법
TWI421849B (zh) 2010-12-30 2014-01-01 Au Optronics Corp 液晶顯示裝置
TWI673718B (zh) 2011-05-13 2019-10-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR101859711B1 (ko) * 2011-09-22 2018-05-21 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR102050511B1 (ko) * 2012-07-24 2019-12-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN103578433B (zh) * 2012-07-24 2015-10-07 北京京东方光电科技有限公司 一种栅极驱动电路、方法及液晶显示器
US9813064B2 (en) * 2013-12-17 2017-11-07 Intel Corporation Apparatus for high voltage tolerant driver
CN103928001B (zh) * 2013-12-31 2016-12-07 上海天马微电子有限公司 一种栅极驱动电路和显示装置
CN104008741A (zh) * 2014-05-20 2014-08-27 深圳市华星光电技术有限公司 一种扫描驱动电路及液晶显示装置
US9824658B2 (en) * 2015-09-22 2017-11-21 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd GOA circuit and liquid crystal display device
CN105405382B (zh) * 2015-12-24 2018-01-12 深圳市华星光电技术有限公司 阵列栅极驱动电路与显示面板
KR102512721B1 (ko) * 2016-04-05 2023-03-23 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
CN105739202A (zh) * 2016-05-10 2016-07-06 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板和显示装置
CN106205538A (zh) * 2016-08-31 2016-12-07 深圳市华星光电技术有限公司 一种goa驱动单元及驱动电路
KR20180046418A (ko) * 2016-10-27 2018-05-09 엘지디스플레이 주식회사 표시장치 및 그 제조방법
KR102659876B1 (ko) * 2016-12-30 2024-04-22 엘지디스플레이 주식회사 쉬프트 레지스터 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
US10866471B2 (en) * 2017-02-23 2020-12-15 Sharp Kabushiki Kaisha Drive circuit, matrix substrate, and display device
CN106935206B (zh) * 2017-05-09 2019-02-26 京东方科技集团股份有限公司 移位寄存器单元、移位寄存器电路及驱动方法、显示面板
CN107146589A (zh) * 2017-07-04 2017-09-08 深圳市华星光电技术有限公司 Goa电路及液晶显示装置
CN108877682B (zh) * 2018-07-18 2020-04-28 京东方科技集团股份有限公司 一种移位寄存器及其驱动方法、栅极驱动电路
KR102586039B1 (ko) 2018-07-26 2023-10-10 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
CN110858468B (zh) * 2018-08-07 2021-03-09 京东方科技集团股份有限公司 移位寄存器单元及移位寄存器电路、显示装置
CN110085160B (zh) * 2019-04-04 2020-09-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Goa电路及显示面板
CN110189724B (zh) * 2019-06-27 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及显示装置
CN111487825B (zh) * 2020-04-23 2023-05-12 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法、显示装置
KR20220028698A (ko) 2020-08-31 2022-03-08 삼성전자주식회사 고해상도 디스플레이를 위한 영상 처리 장치, 영상 처리 방법 및 이를 포함하는 어플리케이션 프로세서

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02128400A (ja) * 1988-11-08 1990-05-16 Fujitsu Ltd シフトレジスタ
JP2001320546A (ja) * 1991-09-27 2001-11-16 Canon Inc 電子回路装置
JP2002055644A (ja) * 2000-05-31 2002-02-20 Casio Comput Co Ltd シフトレジスタ
JP2002133890A (ja) * 2000-10-24 2002-05-10 Alps Electric Co Ltd シフトレジスタ

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5136622A (en) * 1991-02-28 1992-08-04 Thomson, S.A. Shift register, particularly for a liquid crystal display
JPH06236893A (ja) 1992-12-15 1994-08-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd Tft液晶表示装置の製造方法
JP3311835B2 (ja) 1993-10-19 2002-08-05 株式会社東芝 表示装置用駆動回路およびそれを用いた液晶表示装置
US5410583A (en) * 1993-10-28 1995-04-25 Rca Thomson Licensing Corporation Shift register useful as a select line scanner for a liquid crystal display
US5517542A (en) * 1995-03-06 1996-05-14 Thomson Consumer Electronics, S.A. Shift register with a transistor operating in a low duty cycle
US5726678A (en) * 1995-03-06 1998-03-10 Thomson Consumer Electronics, S.A. Signal disturbance reduction arrangement for a liquid crystal display
JP3609956B2 (ja) 1998-04-28 2005-01-12 シャープ株式会社 ラッチ回路、シフトレジスタ回路、および画像表示装置
KR100438525B1 (ko) * 1999-02-09 2004-07-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 쉬프트 레지스터 회로
JP2001134247A (ja) 1998-11-04 2001-05-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示パネルの内蔵駆動回路
JP3588033B2 (ja) 2000-04-18 2004-11-10 シャープ株式会社 シフトレジスタおよびそれを備えた画像表示装置
JP2001255533A (ja) 2000-03-08 2001-09-21 Toshiba Corp 液晶表示素子
US6611248B2 (en) * 2000-05-31 2003-08-26 Casio Computer Co., Ltd. Shift register and electronic apparatus
JP3914756B2 (ja) * 2000-12-19 2007-05-16 株式会社東芝 表示装置
JP4609970B2 (ja) * 2001-01-17 2011-01-12 カシオ計算機株式会社 液晶表示装置
KR100752602B1 (ko) 2001-02-13 2007-08-29 삼성전자주식회사 쉬프트 레지스터와, 이를 이용한 액정 표시 장치
JP4761643B2 (ja) 2001-04-13 2011-08-31 東芝モバイルディスプレイ株式会社 シフトレジスタ、駆動回路、電極基板及び平面表示装置
JP4439761B2 (ja) 2001-05-11 2010-03-24 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置、電子機器
US7023410B2 (en) * 2002-04-08 2006-04-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02128400A (ja) * 1988-11-08 1990-05-16 Fujitsu Ltd シフトレジスタ
JP2001320546A (ja) * 1991-09-27 2001-11-16 Canon Inc 電子回路装置
JP2002055644A (ja) * 2000-05-31 2002-02-20 Casio Comput Co Ltd シフトレジスタ
JP2002133890A (ja) * 2000-10-24 2002-05-10 Alps Electric Co Ltd シフトレジスタ

Cited By (110)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4593071B2 (ja) * 2002-03-26 2010-12-08 シャープ株式会社 シフトレジスタおよびそれを備えた表示装置
JP2004185787A (ja) * 2002-03-26 2004-07-02 Sharp Corp シフトレジスタおよびそれを備えた表示装置
JP2004103226A (ja) * 2002-09-05 2004-04-02 Samsung Electronics Co Ltd シフトレジスタ及び該シフトレジスタを備えた液晶表示装置
JP4650823B2 (ja) * 2002-09-05 2011-03-16 サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド シフトレジスタ、スキャン駆動回路、及びこれを備えた表示装置
US11011244B2 (en) 2005-10-18 2021-05-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Shift register, semiconductor device, display device, and electronic device
US9646714B2 (en) 2005-10-18 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Shift register, semiconductor device, display device, and electronic device
US12002529B2 (en) 2005-10-18 2024-06-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Shift register, semiconductor device, display device, and electronic device
JP2014056637A (ja) * 2005-10-18 2014-03-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置、シフトレジスタ、表示装置
US10311960B2 (en) 2005-10-18 2019-06-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Shift register, semiconductor device, display device, and electronic device
US9153341B2 (en) 2005-10-18 2015-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Shift register, semiconductor device, display device, and electronic device
US11699497B2 (en) 2005-10-18 2023-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Shift register, semiconductor device, display device, and electronic device
JP2007207411A (ja) * 2006-01-05 2007-08-16 Mitsubishi Electric Corp シフトレジスタ回路およびそれを備える画像表示装置
US11563037B2 (en) 2006-01-07 2023-01-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device and electronic device having the same
US10325932B2 (en) 2006-01-07 2019-06-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device and electronic device having the same
US11133335B2 (en) 2006-01-07 2021-09-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device and electronic device having the same
US9406699B2 (en) 2006-01-07 2016-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device and electronic device having the same
JP2014032737A (ja) * 2006-01-07 2014-02-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置、表示装置、表示モジュール及び電子機器
US7825888B2 (en) 2006-02-23 2010-11-02 Mitsubishi Electric Corporation Shift register circuit and image display apparatus containing the same
US10720452B2 (en) 2006-06-02 2020-07-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
US9461071B2 (en) 2006-06-02 2016-10-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
JP2019160387A (ja) * 2006-06-02 2019-09-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US11664388B2 (en) 2006-06-02 2023-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
US10304868B2 (en) 2006-06-02 2019-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
JP7411708B2 (ja) 2006-06-02 2024-01-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US11189647B2 (en) 2006-06-02 2021-11-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
JP2015179558A (ja) * 2006-06-02 2015-10-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9954010B2 (en) 2006-06-02 2018-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
US11194203B2 (en) 2006-08-31 2021-12-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US11971638B2 (en) 2006-08-31 2024-04-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP2015092572A (ja) * 2006-08-31 2015-05-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示装置、表示モジュール及び電子機器
KR101542361B1 (ko) 2006-08-31 2015-08-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 표시 장치, 표시 모듈 및 전자 기기
US10088725B2 (en) 2006-08-31 2018-10-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP2013050717A (ja) * 2006-08-31 2013-03-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置、表示装置、液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
JP2014160250A (ja) * 2006-08-31 2014-09-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
KR101483421B1 (ko) 2006-08-31 2015-01-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치
US9335599B2 (en) 2006-08-31 2016-05-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
TWI626639B (zh) * 2006-08-31 2018-06-11 半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
US8643586B2 (en) 2006-08-31 2014-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP2013041660A (ja) * 2006-08-31 2013-02-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置、表示装置、液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
JP2016201166A (ja) * 2006-08-31 2016-12-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI834571B (zh) 2006-08-31 2024-03-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
JP2017220279A (ja) * 2006-08-31 2017-12-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9684215B2 (en) 2006-08-31 2017-06-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US10606140B2 (en) 2006-08-31 2020-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP6203446B1 (ja) * 2006-08-31 2017-09-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10401699B2 (en) 2006-08-31 2019-09-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
KR101294016B1 (ko) 2006-11-28 2013-08-08 삼성디스플레이 주식회사 부분 화면 표시가 가능한 표시장치 및 그 구동방법
KR101437867B1 (ko) 2007-10-16 2014-09-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치와 그 구동 장치 및 구동 방법
JP7404575B2 (ja) 2008-09-30 2023-12-25 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2022066198A (ja) * 2008-11-13 2022-04-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2023036584A (ja) * 2008-11-13 2023-03-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP7214918B1 (ja) 2008-11-13 2023-01-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP7183459B2 (ja) 2008-11-13 2022-12-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US11250785B2 (en) 2008-11-28 2022-02-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device including the same
US10971075B2 (en) 2008-11-28 2021-04-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device including the same
WO2010061657A1 (ja) * 2008-11-28 2010-06-03 シャープ株式会社 走査信号線駆動回路、シフトレジスタ、および表示装置
US9941308B2 (en) 2008-11-28 2018-04-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device including the same
US10304873B2 (en) 2008-11-28 2019-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device including the same
JP7174182B2 (ja) 2008-11-28 2022-11-17 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US11776483B2 (en) 2008-11-28 2023-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device including the same
JP2015213321A (ja) * 2008-11-28 2015-11-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び表示装置
JP2023091780A (ja) * 2008-11-28 2023-06-30 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
KR101785236B1 (ko) 2008-11-28 2017-10-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 표시 장치 및 표시 장치를 포함하는 전자 장치
JP2019159337A (ja) * 2008-11-28 2019-09-19 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP7296529B1 (ja) 2008-11-28 2023-06-22 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US11527208B2 (en) 2008-11-28 2022-12-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device including the same
US10629134B2 (en) 2008-11-28 2020-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device including the same
US10008519B1 (en) 2008-11-28 2018-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device including the same
US8605028B2 (en) 2008-11-28 2013-12-10 Sharp Kabushiki Kaisha Scanning signal line drive circuit, shift register and display device
JP7228744B1 (ja) 2008-11-28 2023-02-24 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2023029336A (ja) * 2008-11-28 2023-03-03 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2016171320A (ja) * 2008-11-28 2016-09-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2022115867A (ja) * 2008-11-28 2022-08-09 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2021039817A (ja) * 2009-01-16 2021-03-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US11151953B2 (en) 2009-01-16 2021-10-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device including the same
US11735133B2 (en) 2009-01-16 2023-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device including the same
US11468857B2 (en) 2009-01-16 2022-10-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device including the same
JP2020112809A (ja) * 2009-03-26 2020-07-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US11114054B2 (en) 2009-03-26 2021-09-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2023081895A (ja) * 2009-03-26 2023-06-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP7481552B2 (ja) 2009-03-26 2024-05-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10665612B2 (en) 2009-09-10 2020-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device
JP6043457B1 (ja) * 2009-09-10 2016-12-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10269833B2 (en) 2009-09-10 2019-04-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device
US9847352B2 (en) 2009-09-10 2017-12-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device
US9825059B2 (en) 2009-09-10 2017-11-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device
US10622382B2 (en) 2009-09-10 2020-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device
JPWO2011067964A1 (ja) * 2009-12-01 2013-04-18 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板及び表示装置
US8629443B2 (en) 2009-12-01 2014-01-14 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate and display device
WO2011067964A1 (ja) * 2009-12-01 2011-06-09 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板及び表示装置
JP5442769B2 (ja) * 2009-12-01 2014-03-12 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板及び表示装置
KR101409110B1 (ko) 2010-02-25 2014-06-17 샤프 가부시키가이샤 표시 장치
JP5442103B2 (ja) * 2010-02-25 2014-03-12 シャープ株式会社 表示装置
WO2011104945A1 (ja) * 2010-02-25 2011-09-01 シャープ株式会社 表示装置
JPWO2011104945A1 (ja) * 2010-02-25 2013-06-17 シャープ株式会社 表示装置
US8860706B2 (en) 2010-02-25 2014-10-14 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
US10340021B2 (en) 2010-03-02 2019-07-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse signal output circuit and shift register
US11942170B2 (en) 2010-03-02 2024-03-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse signal output circuit and shift register
JP2017117511A (ja) * 2010-03-02 2017-06-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
US11348653B2 (en) 2010-03-02 2022-05-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse signal output circuit and shift register
JP2023051948A (ja) * 2010-09-09 2023-04-11 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP7441929B2 (ja) 2010-09-09 2024-03-01 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
WO2013157285A1 (ja) 2012-04-20 2013-10-24 シャープ株式会社 表示装置
KR20140133924A (ko) 2012-04-20 2014-11-20 샤프 가부시키가이샤 표시 장치
US9223161B2 (en) 2012-04-20 2015-12-29 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
WO2013172243A1 (ja) 2012-05-16 2013-11-21 シャープ株式会社 液晶ディスプレイ
US10838259B2 (en) 2012-05-16 2020-11-17 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display
JP2018501503A (ja) * 2014-11-03 2018-01-18 深▲セン▼市華星光電技術有限公司 低温ポリシリコン半導体薄膜トランジスタに基づくgoa回路
JP2021096430A (ja) * 2019-12-19 2021-06-24 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP2023093436A (ja) * 2021-12-22 2023-07-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示装置

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