JP2005516040A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. 表８に示す化合物８−ａ〜８−ｓから選択されることを特徴とする化合物。
2. ２つの電気接触層の間に少なくとも１つの活性層を含む有機電子デバイスであって、少なくとも１つの活性層が表８に示す化合物８−ａ〜８−ｓから選択される化合物を少なくとも１つ含むことを特徴とする有機電子デバイス。
3. 放射極大が５７０から７００ｎｍの範囲である放射層を含み、放射層の少なくとも２０重量％が以下の第２式
   ＩｒＬ^aＬ^bＬ’_yＬ”_z （第２式）
   （式中、
   ｙは１であり、
   ｚは０であり、
   Ｌ’は二座配位子であるが、フェニルピリジン、フェニルピリミジンまたはフェニルキノリンではなく、
   Ｌ^aおよびＬ^bは互いに同一または異なり、Ｌ^aおよびＬ^bの各々が以下の構造（ＸＩ）および構造（ＸＩＩ）
   

   

   （式中、
   Ｒ₁₀〜Ｒ₁₉のうちの少なくとも１つが、Ｆと、Ｃ_nＦ_2n+1と、ＯＣ_nＦ_2n+1と、ＯＣＦ₂Ｘと、から選択される（式中、ｎは１〜６の整数であり、ＸはＨ、ＣｌまたはＢｒである））
   

   

   （式中、
   Ｒ₂₁〜Ｒ₃₀のうちの少なくとも１つが、Ｆと、Ｃ_nＦ_2n+1と、ＯＣ_nＦ_2n+1と、ＯＣＦ₂Ｘと、から選択される（式中、ｎは１〜６の整数であり、ＸはＨ、ＣｌまたはＢｒである））から選択される構造を有する）を有する化合物を少なくとも１種含むことを特徴とする有機電子デバイス。
4. 放射極大が５７０から７００ｎｍの範囲である放射層を含み、放射層の少なくとも２０重量％が以下の第３式
   ＩｒＬ^aＬ^bＬ^c （第３式）
   （式中、
   Ｌ^a、Ｌ^bおよびＬ^cは互いに同一または異なり、Ｌ^a、Ｌ^bおよびＬ^cの各々が以下の構造（ＸＩ）および構造（ＸＩＩ）
   

   

   （式中、
   Ｒ₁₀〜Ｒ₁₉のうちの少なくとも１つが、Ｆと、Ｃ_nＦ_2n+1と、ＯＣ_nＦ_2n+1と、ＯＣＦ₂Ｘと、から選択される（式中、ｎは１〜６の整数であり、ＸはＨ、ＣｌまたはＢｒである））
   

   

   （式中、
   Ｒ₂₁〜Ｒ₃₀のうちの少なくとも１つが、Ｆと、Ｃ_nＦ_2n+1と、ＯＣ_nＦ_2n+1と、ＯＣＦ₂Ｘと、から選択される（式中、ｎは１〜６の整数であり、ＸはＨ、ＣｌまたはＢｒである））から選択される構造を有する）を有する化合物を少なくとも１種含むことを特徴とする有機電子デバイス。
5. 表９に示す化合物９−ａ〜９−ｌから選択されることを特徴とする化合物。
6. 放射極大が４５０から５００ｎｍの範囲である放射層を含み、放射層の少なくとも２０重量％が以下の第６式
   ＩｒＬ^aＬ^bＬ’Ｌ” （第６式）
   （式中、
   Ｌ’は、ホスフィンと、イソニトリルと、一酸化炭素と、から選択され、
   Ｌ”は、Ｆと、Ｃｌと、Ｂｒと、Ｉと、から選択され、
   Ｌ^aおよびＬ^bは以下の構造（Ｉ）
   

   

   （式中、
   Ｒ₁〜Ｒ₈は独立して、アルキル基と、アルコキシ基と、ハロゲン基と、ニトロ基と、シアノ基と、フルオロ基と、フッ素化アルキル基と、フッ素化アルコキシ基と、から選択され、Ｒ₁〜Ｒ₈のうちの少なくとも１つが、Ｆと、Ｃ_nＦ_2n+1と、ＯＣ_nＦ_2n+1と、ＯＣＦ₂Ｘと、から選択され（式中、ｎは１〜６の整数であり、ＸはＨ、ＣｌまたはＢｒである）、ＡがＣである）を有する）を有する化合物を少なくとも１種含むことを特徴とする有機電子デバイス。
7. Ｌ”がＣｌであり、Ｌ’が、トリフェニルホスフィンと、トリス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ホスフィンと、２，６−ジメチルフェニルイソシアニドと、３−トリフルオロメチルフェニルイソシアニドと、４−トルエンスルホニルメチルイソシアニドと、から選択されることを特徴とする請求項６に記載のデバイス。
8. 化合物が表９に示す化合物９−ａ〜９−ｌから選択されることを特徴とする請求項６に記載のデバイス。
9. 表１２に示す化合物１２−ａ〜１２−ｊから選択されることを特徴とする化合物。