JP2005506647A - ダイナミックランダムアクセスメモリ用の低電力自動リフレッシュ回路および方法 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図2
Description
【0001】
(技術分野)
本発明は、ダイナミックランダムアクセスメモリに関し、より詳細には、自動リフレッシュモードで動作するときにこのようなメモリによって消費された電力を低下させる回路および方法に関する。
【背景技術】
【0002】
(発明の背景)
集積回路によって消費される電力は、特定の用途にそれらを用いる際には、重要な要因であり得る。例えば、ポータブルパーソナルコンピュータで用いられるメモリによって消費された電力は、それらのコンピュータがこのようなコンピュータに電力を与えるバッテリーを再充電する必要なく用いられ得る時間に非常に大きな影響を与える。また、電力消費は、メモリデバイスがバッテリーによって電力を供給されない場合であっても重要であり得る。なぜなら、メモリデバイスによって生成された熱を制限する必要があるからである。
【0003】
概して、メモリデバイスの電力消費は、メモリデバイスの容量および動作速度の両方の増加と共に増える。メモリデバイスによって消費された電力は、また、それらの動作モードによって影響を与えられる。ダイナミックランダムアクセスメモリ(「DRAM」)は、例えば、概して、DRAMのメモリセルがリフレッシュされているときに比較的大きな電力量を消費する。なぜなら、メモリセルアレイのメモリセルの行が素早いシーケンスで動作されるからである。メモリセルの行が動作される時間毎に、各メモリセルに対する一対のデジタルラインは、相補電圧に切り替えられ、その後、均衡する。これにより、非常に大きな電力量を消費する。アレイの行数がメモリ容量の増加と共に増えるため、それにつれて、各列で動作する際に消費する電力も増加する。電力消費はまた、メモリセルの行が作動する速度が増加する場合も増加する。従って、DRAMの動作速度および容量が増加し続けるにつれて、このようなDRAMのメモリセルのリフレッシュ間の消費電力も同様に増加する。
【0004】
DRAMのリフレッシュ中に、電力は、また、メモリセルアレイのコンポーネント以外のコンポーネントによっても消費される。例えば、DRAMデバイスは、概して、非常に多くの入力バッファを含み、非常に多くの制御およびアドレスラインを内部回路に接続している。DRAMがリフレッシュされている間、これらの入力バッファは、それらの各入力に印加された制御およびアドレス信号に応答してスイッチし続ける。しかし、いくつかのリフレッシュモードの間には、制御およびアドレス信号は、DRAMによって用いられない。自動リフレッシュモードでは、例えば、自動リフレッシュコマンドがDRAMに印加される。その後、DRAMは、所定の期間にリフレッシュ動作を内部で実行する。この期間に、DRAMは、その入力バッファに印加された制御およびアドレス信号に応答しない。しかし、入力バッファは、この間にスイッチし続ける。自動リフレッシュサイクル間の多くの数の入力バッファのスイッチングは、電力の無駄である。なぜなら、上記されたように、入力バッファを通って接続された信号は、自動リフレッシュサイクル間では用いられないからである。
【0005】
過去に、クロック(「CLK」)およびクロックイネーブル(「CKE」)信号用の入力バッファ以外の全ての入力バッファへの電力を除くことにより、自動リフレッシュ間のDRAMの電力消費を最小化しようという試みがなされてきた。しかし、クロックアクティブ用の入力バッファを残すことにより、その入力バッファは、自動リフレッシュ期間に非常に多くの量の電力を消費することとなった。なぜなら、入力バッファは、各クロック信号遷移とともにトグル(toggle)するからである。電力は、自動リフレッシュ期間中に、クロック信号用の入力バッファへの電力を取り除くことによって大幅に減少され得る。しかし、そのようにすると、スプリタスコマンドが自動リフレッシュ期間の終りにレジスタされることとなる。当該分野に公知なように、メモリコマンドは、クロック信号の片方または両方のエッジに応答して、コマンド信号を各ラッチにラッチすることによって、通常レジスタされる。コマンド信号用の入力バッファが自動リフレッシュ期間後に再び電力を与えられている時間にクロックエッジが生じる場合、入力バッファの遷移状態に対応するスプリタスコマンドがレジスタされ得る。入力バッファの再電力供給が完了するまで、クロック信号遷移をメモリデバイスに接続することを避けるために、注意が払われるが、スプリタスクロック信号遷移が生成され得る。スプリタスクロック信号遷移は、クロック信号用の入力バッファが再び電力供給されるときに、クロック信号がハイロジックレベルを有する場合に生成され得る。スプリタスクロック信号は、コマンド信号用の入力バッファの出力におけるロジックレベルに対応するどんなスプリタスコマンドもレジスタする。
【0006】
過去において、自己リフレッシュ区間中に入力バッファから電力を取り除くことによって、自己リフレッシュサイクル間に電力を減少させる試みがなされてきた。自己リフレッシュコマンドに対しては、CKE信号のローからハイへの遷移を最初に検出する(自己リフレッシュの終了を示す)ことによってスプリタスコマンドを避けている。しかし、コマンドおよびアドレス信号用の入力バッファは、この時には再び電力を供給されない。その代わりに、CLKに接続された小さな入力バッファの出力が試験されて、CLK信号のハイ−ロー遷移を検出する。CLK信号のハイ−ロー遷移が検出されると、コマンドおよびアドレス信号用の入力バッファは、再び電力を供給される。これにより、それらは、CLK信号の次のロー−ハイ遷移が生じる時間まで遷移状態ではない。CLK信号は、コマンドおよびアドレスをレジスタするために用いられる。
【0007】
上記のアプローチが、スプリタスコマンドおよびアドレスをレジスタする危険なく、自己リフレッシュの間の電力消費を減少させるが、このアプローチは、自動リフレッシュサイクル中での使用には適していない。自己リフレッシュコマンドとは異なり(自己リフレッシュコマンドに対しては、制御規格は、2つのCLK期間の遅延が自己リフレッシュサイクルを抜け出ることを可能にしている)、自動リフレッシュコマンド用の制御規格は、CLK信号のまさに次の立ち上がりエッジに生じるコマンドをレジスタ可能であるDRAMを必要としている。しかし、コマンドおよびアドレス用の入力バッファは、その時に依然として遷移状態であり得ることにより、レジスタされるべきスプリタスコマンドまたはアドレスを生じさせる。
【0008】
自動リフレッシュ中の電力消費を最小化する1つのアプローチは、自動リフレッシュサイクルの開始後の所定の期間に、クロックおよびクロックイネーブル信号用の入力バッファではなく、コマンドおよびアドレス入力バッファのうちのいくつかから電力を取り除くことである。例えば、自動リフレッシュサイクルが60ナノ秒間続くことが予測される場合、入力バッファは、最初の40ナノ秒間エネルギーを断たれ得る。このアプローチは、自動リフレッシュサイクル間に消費される電力を減少するが、入力バッファがエネルギーを与えられている期間は、依然として、多くの電力量を消費可能にしている。概して、実質的に自動リフレッシュサイクル全体では、入力バッファのエネルギーを断つことは可能ではない。なぜなら、入力バッファは、自動リフレッシュサイクルの終りよりも十分前にエネルギーを供給される必要があるからである。リフレッシュサイクルの終りでは、常に、非常に精度良く予測され得ない。従って、各自動リフレッシュサイクルの開始点における所定の期間、入力バッファからエネルギーを断つことによって、DRAMは、大きな電力量を消費することができる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0009】
従って、スプリタスコマンドまたはアドレスをレジスタする危険がなく、自動リフレッシュサイクル中にDRAMによって消費された電力のより減少させることを可能にする回路および方法が必要である。
【課題を解決するための手段】
【0010】
(発明の要旨)
方法および回路は、自動リフレッシュ中にダイナミックランダムアクセスメモリ(「DRAM」)によって消費された電力を減少させる。このDRAMは、第1のセットの入力バッファを含む。この第1のセットの入力バッファを通して、コマンド信号が接続される。この入力バッファは、自動リフレッシュ中はディセーブルされる。従って、それらの入力バッファは、それらの入力に印加された信号に応答して電力を消費しない。複数のコマンド信号は、バイアスされて、所定のメモリコマンド(例えば、「演算なし」コマンド)をアサートする。内部自動リフレッシュタイマがタイムアウトすると、このバイアスは、コマンド信号から取り除かれ、入力バッファがイネーブルされる。このイベントでは、DRAMがクロック信号を受信して、入力バッファ(この入力バッファを通して、クロック信号が接続され得る)も、自動リフレッシュ中にディセーブルされ得る。このような場合、クロック信号用の入力バッファは、コマンド信号用の入力バッファをイネーブルする前に再びイネーブルされ得る。従って、タイミング(このタイミングにより、コマンド信号入力バッファは、再びイネーブルされる)がクロック信号に関して制御され得る。DRAMは、また、所定のコマンド信号の状態をチェックし得、自動リフレッシュの終りで、低電力プレ充電モードへとDRAMを遷移させる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0011】
(発明の詳細な説明)
図1は、本明細書中で説明された1つ以上の実施形態を含む、本発明を利用し得る従来のシンクロナスダイナミックランダムアクセスメモリ(「SDRAM」)2のブロック図である。しかし、本発明の種々の実施形態が他のタイプのDRAMにおいて使用され得ることが理解される。SDRAM2の動作は、コマンドデコーダ4によって、制御バス6上で受信されるハイレベルコマンド信号に応答して制御される。メモリコントローラ(図1には示されない)によって一般的に生成されるこれらのハイレベルコマンド信号は、クロックイネーブル信号CKE*、クロック信号CLK、チップ選択信号CS*、書き込みイネーブル信号WE*、ロウアドレスストローブ信号RAS*、カラムアドレスストローブ信号CAS*、およびデータマスク信号DM(「*」はその信号をアクティブローとして表す)である。コマンドデコーダ4は、ハイレベルコマンド信号に応答してコマンド信号のシーケンスを生成して、ハイレベルコマンド信号の各々によって表される機能を実行する。これらのコマンド信号、およびこれらの信号が各々の機能を達成する態様が慣習的である。従って、簡略化の観点から、これらの制御信号のさらなる説明を省略する。
【0012】
SDRAM2は、アドレスバス14上のロウアドレスまたはカラムアドレスのいずれかを受信するアドレスレジスタ12を含む。アドレスバス14は、一般的にメモリコントローラ(図1には図示されない)に結合される。典型的にはロウアドレスは、アドレスレジスタ12によって最初に受信され、ロウアドレスマルチプレクサ18に印加される。ロウアドレスマルチプレクサ18は、ロウアドレス部分を形成するバンクアドレスビットの状態に依存して、2つのメモリバンク20、22のいずれかに関連付けられる複数のコンポーネントにロウアドレスを結合させる。メモリバンク20、22の各々に関連付けられるのは、ロウアドレスを格納する各ロウアドレスラッチ26、およびロウアドレスをデコードして、対応する信号をアレイ20または22の内の1つに印加するロウデコーダ28である。
【0013】
ロウアドレスマルチプレクサ18はまた、アレイ20、22中のメモリセルをリフレッシュする目的のためにロウアドレスラッチ26にロウアドレスを結合させる。ロウアドレスは、リフレッシュコントローラ32によって制御されるリフレッシュカウンタ30によって、リフレッシュする目的のために生成される。リフレッシュコントローラ32は、次いで、コマンドデコーダ4によって制御される。より詳細には、コマンドデコーダ4は、自動リフレッシュコマンドAREFまたは自己リフレッシュコマンドSREFのいずれかをリフレッシュコントローラ32に印加する。上述のように、これらのコマンドは、リフレッシュコントローラに、2つの対応するモード(すなわち、自動リフレッシュモードまたは自己リフレッシュモード)における1つにおいてアレイ20、22中のメモリセルのロウをリフレッシュさせる。自動リフレッシュモードでは、リフレッシュコントローラ32は、SDRAM2に、リフレッシュコントローラ30を用いて、アレイ中のメモリセルの各ロウをアドレスさせる。従って、上述のように、自動リフレッシュモードでは、外部デバイスがSDRAM2のアドレスバス14にアドレスを印加することが必要ではない。しかし、自動リフレッシュコマンドは、定期的、かつしばしばアレイ20、22のメモリセル中に格納されたデータの損失を回避するのに十分にSDRAM2に印加されなければならない。自己リフレッシュモードは、データ損失を回避するのに十分な速度で外部デバイスからSDRAM2にコマンドを定期的に印加する必要がないことを除いて、自動リフレッシュモードと実質的に同じである。その代わりに、一旦、リフレッシュコントローラ32が自己リフレッシュモードに置かれると、リフレッシュコントローラ32は、アレイ20、22のメモリセルからデータの損失を回避するのに十分な周波数で自動リフレッシュを自動的に開始する。
【0014】
リフレッシュコントローラ32に印加されたコマンドは、コマンドデコーダ4に印加されたコマンド信号の各組み合わせに対応する。これらのコマンド信号は、CS*、RAS*、CAS*、およびWE*、ならびにCKEである。AREFまたはSREFコマンドのいずれかをアサートするために、CS*、RAS*、CAS*は、全てアクティブローでなければならず、WE*は、インアクティブハイでなければならない。CKE信号は、コマンドデコーダに、自動リフレッシュコマンドまたは自己リフレッシュコマンドを発生させるかどうかを決定する。CKEがハイである場合、コマンドデコーダ4は、AREFコマンドをリフレッシュコントローラ32に印加する。CKEがローである場合、コマンドデコーダ4は、リフレッシュコントローラ32にSREFコマンドを印加する。AREFコマンドに応答して、SDRAM2は、リフレックサイクルを経て、次いで、別のAREFコマンドであり得る別のコマンドを待機する。SREFコマンドに応答して、SDRAM2は、自己リフレックサイクルを経て、CKE信号遷移がハイになるまで、そうすることを継続する。
【0015】
ロウアドレスがアドレスレジスタ12に印加され、ロウアドレスラッチ26の内の1つに格納された後、カラムアドレスは、アドレスレジスタ12に印加される。アドレスレジスタ12は、カラムアドレスをカラムアドレスラッチ40に結合させる。SDRAM2の動作モードに応じて、カラムアドレスは、バーストカウンタ42を介してカラムアドレスバッファ44またはバーストカウンタ42のいずれかに結合され、バーストカウンタ42は、アドレスレジスタ12によるカラムアドレス出力において開始するカラムアドレスバッファ44にカラムアドレスのシーケンスを印加する。いずれの場合においても、カラムアドレスバッファ44は、カラムアドレスをカラムデコーダ48に印加し、種々のカラム信号を対応するセンスアンプに印可し、各アレイ20、22の内の1つに対して対応するセンスアンプおよびそれに関連するカラム回路50、52に種々のカラム信号を印可する。
【0016】
アレイ20、22の内の1つから読み出されるべきデータは、アレイ20、22の内の1つに対してカラム回路50、52にそれぞれ結合される。次いで、データは、データ出力レジスタ56に結合され、データをデータバス58に印可する。アレイ20、22の内の1つに書き込まれるべきデータは、データ入力レジスタ60を介してデータバス58からカラム回路50、52に結合され、カラム回路50、52において、データは、アレイ20、22の内の1つにそれぞれ移動される。マスクレジスタ64は、アレイ20、22から読み出されるべきデータを選択的にマスキングすること等によって、データマスクDM信号に対応し、カラム回路50、52へおよびそこからデータの流れを選択的に変更する。
【0017】
自動リフレッシュサイクルの間に、SDRAM2またはいくつかの他のDRAMの電力消費を低減するための省電力回路100の一実施形態が図2に示される。図2のほとんどの省電力回路100は、図1のSDRAM2のコマンドデコーダ4に組み込まれるが、省電力回路100の一部は、アドレスレジスタ12に組み込まれる。しかし、図2に示される省電力回路100は、図1のSDRAM2の他の部分またはメモリデバイスの他のタイプに置かれ得る。
【0018】
省電力回路100は、外部アドレスバス14を内部アドレスバス106に結合させ、対応する外部アドレスビットA0−ANから複数の内部アドレスビットIA0―IANを提供する第1のセットの入力バッファ102を含む。入力バッファ102は、アドレスレジスタ12に配置されるが、上述のように、入力バッファ102もまた、他の場所に配置されてもよい。入力バッファ102は、アクティブハイIBENADD信号によってイネーブルされる。同様に、第2のセットの入力バッファ110は、外部制御バス6を内部制御バス116に結合させ、対応する外部コマンド信号から複数の内部コマンド信号IC0−ICNを供給する。これらのコマンド信号は、アクティブロウアドレスストローブ(「RAS*」)信号、アクティブローカラムアドレスストローブ(「CAS*」信号、アクティブロー書き込みイネーブル(「WE*」)信号、ならびにアクティブローチップ選択(「CS*」)信号を含む。アクティブハイクロックイネーブルCKE信号は、入力バッファ120を介して結合され、内部クロックイネーブル(「ICKE」)信号を生成し、外部クロック信号が入力バッファ124を介して結合され、内部クロック(「ICLK」)信号を生成する。第2のセットの入力バッファ110およびICLK信号用の入力バッファ124がアクティブハイIBENCLK信号によってイネーブルされる。コマンド信号用の入力バッファ110は、バッファ110の「Z」入力に印加されるローコマンド入力バッファイネーブルIBENCMDによって「3状態(tri−state)」(すなわち、ハイインピーダンス)状態に、ハイIBENCMD信号によってアクティブローインピーダンス状態にスイッチングされ得る。
【0019】
IBENCMD信号は、供給電圧と各内部コマンド信号線との間に結合されるいくつかのPMOSトランジスタ130〜134のゲートおよびインバータ136の入力に結合される。次いでインバータ136は、NMOSトランジスタ138のゲートに結合され、そのゲートは、グランドとICS*信号線との間に結合される。入力バッファ110がハイIBENCLK信号によってイネーブルされた後、IBENCMD信号が省電力回路100の動作に影響を与えないように、IBENCMD信号が、入力バッファ110を低インピーダンス状態にスイッチングし、トランジスタ130〜136をターンオフするようにハイに遷移する。入力バッファ100がローIBENCMD信号によってハイインピーダンス状態にスイッチングされると、トランジスタ130−136がターンオンされ、それらが結合されるハイである各内部コマンド信号をバイアスする。
【0020】
入力バッファ110からの内部コマンド信号IRAS*、ICAS*、IWE*、ICS*、および他の内部コマンド信号は、コマンドデコーダユニット140に印加される。コマンドデコーダユニット140は、その入力に印可されるコマンド信号の種々の組み合わせから、自動リフレッシュコマンドAREFを含む複数のメモリコマンドを発生させる。上述のように、AREFコマンドは、IRAS*、ICAS*、およびICS*、アクティブローおよびIWE*アクティブハイならびにCKEインアクティブハイのデコードに応答してアサートされる。
【0021】
自動リフレッシュコマンドAREFは、内部クロックICLK信号および内部クロックイネーブルICKE信号と共にリフレッシュデコーダ150に印加される。ICKE信号の状態に基づいて、リフレッシュデコーダ150は、AREFコマンドが自動リフレッシュ用であるか、またはAREFコマンドが自己リフレッシュ用であるかどうかを決定する。ICKEがハイである場合、AREFコマンドは、自動リフレッシュコマンドとして解釈される。この場合、リフレッシュデコーダ150は、AREFコマンドをAREF’コマンドとして出力端子に渡す。ICKEがローである場合、AREFコマンドは、自己リフレッシュコマンドとして解釈される。この場合、リフレッシュデコーダ150は、SREFコマンドを発生させる。リフレッシュデコーダ150のコマンドは、ICKE信号遷移がハイになるまでSREFコマンドの発生を継続する。
【0022】
AREFコマンドもまたタイマー154に印加され、所定の期間の後、TOUTパルスを発生させる。TOUTパルスは、リフレッシュデコーダ150にAREF’コマンドを終了させ、それにより、自動リフレッシュサイクルを終了する。
【0023】
入力バッファ110、120、124、ならびにトランジスタ130〜136、インバータ138、コマンドデコーダユニット140、リフレッシュデコーダ150およびタイマー154は、コマンドデコーダ4内に配置されるものとして、図2に示される。しかし、上述したように、これらのコンポーネントは、代替的にSDRAM2または他のメモリデバイス内の他の場所に配置され得る。
【0024】
ここで、省電力回路100の動作は、図3のタイミングダイアグラムを参照して説明される。自動リフレッシュAREFコマンドを構成する制御信号の組み合わせ(「CMD」)は、時間T0においてSDRAM2に印加され、時間T1において外部クロックCLK信号の立ち上がりエッジによって記録される。外部クロックイネーブルCKE信号は、時間T1においてハイなり、AREFコマンドは、自己リフレッシュコマンドではなく自動リフレッシュコマンドとして記録される。結果として、コマンドデコーダ140(図2)は、T1後の短い時間に、SREF信号ではなくハイAREF’信号を生成し、自動リフレッシュサイクルを開始する。コマンドデコーダユニット140によって生成されるAREFコマンドはまた、タイマー154をトリガーする。タイマー154は、自動リフレッシュサイクルの期間を制御する。AREF信号の開始に応じて、リフレッシュデコーダ150はまた、IBENDD、IBENCMD、およびIBENCLK信号をローで駆動する。それにより、入力バッファ102、110、124をディゼーブルにする。その後、入力バッファ102、110、124は、入力バッファそれぞれの入力に印加される信号遷移に応じないので、信号遷移が急に生じる場合でさえも、電力を消費しない。結果として、SDRAM2は、自動リフレッシュモードの間、比較的少ししか電力を消費しない。ローのIBENCMD信号は、トランジスタ130〜136をONにし、それにより、自動リフレッシュサイクルの間、IRAS*、ICAS*、IWE*信号をハイに維持し、ICE*信号をローに維持する。この様態でこれらの信号を駆動することは、ノーオペレーション(「NOP」)コマンドをアサートする。しかし、クロック入力バッファ124は、時間T1においてロー遷移をするIBENCLKによってディセーブルされるので、コマンドデコーダユニット140は、ノーオペレーション(「NOP」)コマンドとしてこれらの信号を記録およびデコードしない。
【0025】
タイマー154は、時間T2においてTOUTパルスを生成する。それにより、リフレッシュデコーダ150は、AREF’信号をローに遷移させて、自動リフレッシュサイクルを終了させる。リフレッシュデコーダ150はまた、時間T2においてIBENCLK信号をハイで駆動し、入力バッファ124を介してCLK信号を結合する。外部クロックCLK信号が時間T2でローになる場合、入力バッファ124をイネーブルにすることは、CLK信号の次の立ち上がりエッジまでなにも効果がない。しかし、CLK信号が時間T2においてハイである場合、時間T2においてバッファ124をイネーブルにすることは、入力バッファ124の出力におけるICLK信号を時間T2において遷移させる。これは、有効なメモリコマンドとして入力バッファ110の出力におけるコマンド信号を記録する。しかし、IBENCMDは時間T2において依然としてローであるので、メモリコマンドは、NOPコマンドとして記録される。NOPコマンドにより、SDRAM2は、任意のメモリ動作を実行させない。顕著に、スプリアス立ち上がりICLKエッジにより、SDRAM2は、スプリアスコマンドを記録しない。IRAS*、ICAS*、IWE*、ICS*信号がNOPコマンドにバイアスされない場合、スプリアスコマンドが生じ得る。リフレッシュデコーダ150は、IBENCLK信号をハイに遷移させた後のある期間に、IBENCMD信号をハイに遷移する。ハイIBENCMD信号は、コマンド信号のための入力バッファ110の出力をローインピーダンス状態にスイッチし、トランジスタ130〜136をOFFにする。そして、IRAS*、ICAS*、IWE*信号は、もはやハイにバイアスされず、ICS*信号は、もはやローにバイアスされない。図3を参照すると、リフレッシュデコーダ150はまた、時間T3においてIBENADD信号をハイに遷移する。しかし、リフレッシュデコーダ150は、時間T2または他のいくつかの時間においてIBENADD信号をハイに遷移し得る。
【0026】
省電力回路100は、従って、自動リフレッシュサイクルの間、SDRAM2によって消費される電力を減少する。これは、スプリアスメモリコマンドが、自動リフレッシュ期間の終了時においてイネーブルにされるコマンド信号のための入力バッファ100に応じて記録される可能性を避ける様態でそうなる。
【0027】
省電力回路200の別の実施形態を図4に示す。省電力回路200は、図2に示される省電力回路100と実質的に同一であり、実質的に同様の様態で動作する。従って、簡潔のために、省電力回路100に用いられる回路コンポーネントと同一である、省電力回路200に用いられる回路コンポーネントは、同様の参照符号が提供される。回路コンポーネントの動作の説明は繰り返されない。省電力回路200は、永久にイネーブルにされる入力バッファ220を用いることによって省電力回路100と異なり、外部クロックCLK信号から内部クロックICLK信号を生成する。省電力回路はまた、内部クロックバッファ230を含む。内部クロックバッファ230は、IBENCLK信号によってイネーブルにされる。
【0028】
省電力回路200の動作は、実質的に省電力回路100と同じである。詳細には、AREFコマンドの記録に応じて、入力バッファ102、110、および内部クロックバッファ230をディセーブルにするために、IVENCMD、IBENADD、およびIBENCLK信号はローに遷移する。結果として、入力バッファ102、110も内部クロックからの回路部(図示せず)の下流も、AREFコマンドに応じて開始される自動リフレッシュ中に電力を消費しない。しかし、クロック信号のための入力バッファ220およびICLK信号に応じるリフレッシュデコーダ150における回路部は、自動リフレッシュサイクル中に電力を消費する。タイマー154がTOUTパルスの生成に時間切れになる場合、リフレッシュデコーダ150は、ICLK信号の前の立ち上がりエッジの後、ICLK信号の周期の半分だけ単に待機し、IBENCMD、IBENADD、およびIBENCLK信号をハイに遷移する。従って、省電力回路200は、図2の省電力回路100より多くの電力を消費する欠点を有するが、スプリアスコマンドを生成することなく、入力バッファ102、110をイネーブルにすることを可能にする利点を有する。
【0029】
省電力回路300の別の実施形態を図5に示す。省電力回路300はまた、図2に示される省電力回路100と極めて類似し、最初は、実質的に同様の様態で動作する。従って、簡潔のために、省電力回路100に用いられる回路コンポーネントと同一である、省電力回路300に用いられる回路コンポーネントは、同様の参照符号が提供される。回路コンポーネントの動作の説明は繰り返されない。省電力回路300は、SDRAM2が、あるモードで動作することを可能にさせることにより、省電力回路100と異なる。このモードは、減少した電力の自動リフレッシュサイクルの結果においてSDRAM2を省電力プレチャージモードに自動的に遷移する。図2の省電力回路100に用いられるコンポーネントに加えて、図5の省電力回路は、モードデコーダ310を含む。モードデコーダ310は、CKE信号およびDM入力端子に印加されるデータマスク(「DM」)をデコードする。上記の説明として、DM信号を用いて、SDRAM2から読み出されるか、またはSDRAM2に書き込まれるデータをマスクする。従って、DM端子は、SDRAM2のリフレッシュ中に必要とされない。なぜなら、データは、SDRAM2から読み出されず、またSDRAM2に書き込まれないからである。DM入力端子は、図5に示される実施形態において用いられるが、リフレッシュ中に使用されないいくつか他の端子が、自動リフレッシュコマンドをアサートするために用いられ得ることは、理解される。
【0030】
モードデコーダは、以下のようにこれらの信号をデコードする。
【0031】
【表1】
従って、AREFまたはSREFコマンドがアサートされるときにDM信号がハイになる場合、SDRAM2は、従来の様態で動作する。しかし、AREFコマンドがアサートされるときにDM信号がローになる場合、SDRAM2は、CKE信号の状態に関わらず、図2および3を参照して上述のロー電力AREFモードで動作する。AREFコマンドまたは自動リフレッシュ中の任意の時間において、TOUTパルスがAREFサイクルの終わりに生成されるときにCKE信号がハイになる場合、SDRAM2は、別のメモリコマンドを待つためにノーマル動作モードに戻る。しかし、AREFコマンドがアサートされ、自動リフレッシュサイクルの全体を通して、ローのままであるときにCKE信号がローである場合、リフレッシュデコーダ150’は、TOUTパルスがAREFサイクルの終わりに生成されるときにアクティブハイロー電力プレチャージ(「LPP」)を生成する。また、ロー電力プレチャージモードにおいて、SDRAM2は、ロー電力のAREFモードのままであるので、リフレッシュデコーダ150’はAREFサイクルの終わりにおいてIBENCMD、IBENADD、およびIBENCLK信号をハイに遷移しない。SDRAM2における回路部(図示せず)は、ハイLPP信号に応じ、メモリアレイ20、22(図1)に格納されるデータを保持するための電力を供給される必要がない、SDRAM2における回路コンポーネントから電力を除去し得る。例えば、電力は、コマンドデコーダ4(図1)、カラムデコーダ48、およびロウデコーダ28の一部から除去し得る。
【0032】
SDRAM2は、CKE信号がハイに遷移するまで、上記のロー電力AREFモードおよびロー電力プレチャージモードのままである。また、上述のように、CKE信号がAREFサイクル中の任意の時間においてハイに遷移する場合、アクティブハイLPP信号は、AREFサイクルの終わりに生成されない。CKE信号がハイに遷移するとき、リフレッシュデコーダ150’は、上記のように、IBENCMD、IBENADD、およびIBENCMD信号をアクティブハイに遷移する。リフレッシュデコーダ150’はまた、LPP信号をイナクティブローに遷移し、SDRAM2における回路部に電力を再印加する。従って、LPPモードを有するロー電力AREFモードは、自動リフレッシュサイクル中、SDRAM2によって消費される電力を最小化するだけでなく、さらに少ない電力が消費される自動リフレッシュサイクルの終わりにおいてSDRAM2を動作モードに自動的にスイッチする。
【0033】
図5に示される省電力回路300は、DM信号を用いて、ロー電力プレチャージモードを用いるロー電力自動リフレッシュモードとロー電力プレチャージモードを用いないロー電力自動リフレッシュモードとを区別するが、これらのモード間を区別する他の手段が用いられ得る。例えば、従来のモードのレジスタ(図示せず)は、SDRAM2の初期化中に1以上のビットを用いてプログラムされ、選択された動作モードを示し得る。
【0034】
図6は、SDRAM2またはいくつかの他のメモリデバイスを用い得るコンピュータシステム400の実施形態を示す。いくつかの他のメモリデバイスは、本明細書中に記載される省電力回路の実施形態または本発明による省電力回路のいくつかの他の実施形態を含む。コンピュータシステム400は、例えば、特定の計算またはタスクを実行するための特定のソフトウェアの実行といった、多様なコンピューティング機能を実行するためのプロセッサ402を含む。プロセッサ402は、アドレスバス、コントロールバス、およびデータバスを通常含むプロセッサバス404を含む。さらに、コンピュータシステム400は、例えば、プロセッサ402に結合されるキーボードまたはマウスといった1つ以上の入力デバイス414を含む。1つ以上の入力デバイス414により、オペレータは、コンピュータシステム400とインターフェースをとることが可能になる。典型的に、コンピュータシステム400はまた、例えば、プリンタまたはビデオ端子である出力デバイスといった、プロセッサ402に結合される1つ以上の出力デバイスを含む。1つ以上のデータ格納デバイス418はまた、一般に、プロセッサ402に結合され、外部格納メディア(図示せず)からのデータを格納するか、またはデータを取り出す。典型的な格納デバイス418の例示は、ハード、フロッピー(登録商標)ディスク、テープカセット、およびコンパクトディスクリードオンリーメモリ(CD−ROM)を含む。プロセッサ402はまた、典型的に、一般にスタティックランダムアクセスメモリ(「SRAM」)であるキャッシュメモリ426に結合され、かつ、メモリコントローラ430を介してSDRAM2に結合される。メモリコントローラ430は、アドレスバス14(図示せず)に結合されるアドレスバスを含み、上述のように、ロウアドレスおよびカラムアドレスをDRAM2に結合する。メモリコンロローラ430は、前述のように、DRAM2にロウアドレスおよびカラムアドレス結合するように、アドレスバス14(図1)に結合されたアドレスバスを含む。メモリコントローラ430はまた、SDRAM2のコントロールバス6にコマンド信号を結合するコントロールバスを含む。SDRAM2の外部データバス58は、メモリコントローラ430に直接か、またはメモリコントローラ430を介して、プロセッサ402のデータバスに結合される。メモリコントローラ430は、適切なコマンド信号をSDRAM2に印加する。これにより、SDRAM2は、上述の1つ以上の省電力モードにおいて動作する。
【0035】
前述から、本発明の特有の実施形態が例示の目的のために記載されてきたが、多様な変更が本発明の意図および範囲から逸脱することなくなされ得ることは理解される。従って、本発明は、添付の特許請求の範囲を除いて限定されない。
【図面の簡単な説明】
【0036】
【図1】図1は、従来のメモリデバイスのブロック図であり、この図において、本発明の省電力回路が用いられ得る。
【図2】図2は、本発明による省電力回路の1つの実施形態のブロック図である。
【図3】図3は、図2の省電力回路に存在する様々な信号を示すタイミング図である。
【図4】図4は、本発明に従う省電力回路の別の実施形態のブロック図である。
【図5】図5は、本発明に従う省電力回路のさらに別の実施形態のブロック図である。
【図6】図6は、本発明に従う省電力回路を含むメモリデバイスを用いるコンピュータシステムのブロック図である。
Claims (110)
- ダイナミックランダムアクセスメモリ(「DRAM」)のリフレッシュの間に、該ダイナミックランダムアクセスメモリにおいて使用するための省電力回路であって、
入力バッファの第1のセットであって、該入力バッファに印加される外部コマンド信号から各内部コマンド信号を発生させるように動作可能であり、該第1のセットの入力バッファは、第1のリフレッシュ信号によってディセーブルされる、入力バッファの第1のセットと、
第2のリフレッシュ信号に応答して少なくとも1つの内部コマンド信号をバイアスするように動作可能であるバイアス回路と、
DRAMのリフレッシュを指示する少なくとも1つの内部コマンドをデコードするように動作可能であり、かつ該DRAMを該内部コマンドに応答してリフレッシュさせるリフレッシュデコーダであって、該リフレッシュデコーダは、該DRAMのリフレッシュの間に該第1および第2のリフレッシュ信号を発生させる、リフレッシュレコーダと
を含む、省電力回路。 - 前記第1および第2のリフレッシュ信号は、自動リフレッシュ信号を含む、請求項1に記載の省電力回路。
- 前記リフレッシュデコーダは、前記コマンド信号から前記バイアスを除去し、かつ自動リフレッシュサイクルの終了時に前記第1のセットの前記入力バッファをイネーブルするようにさらに動作可能である、請求項1に記載の省電力回路。
- 外部クロック信号が内部クロック信号を発生させるように印加され得るクロック入力バッファをさらに含み、該クロック入力バッファは、第3のリフレッシュ信号によってディセーブルされ、リフレッシュコントローラは、前記DRAMのリフレッシュの間に該第3のリフレッシュ信号を発生させるように動作可能である、請求項1に記載の省電力回路。
- 外部クロック信号が内部クロック信号を発生させるように印加され得るクロック入力バッファをさらに含み、リフレッシュコントローラは、該内部クロック信号の所定の遷移に応答する前記第1および第2のリフレッシュ信号を終了させるように動作可能である、請求項1に記載の省電力回路。
- 前記リフレッシュコントローラは、前記所定の遷移を検出した後の前記クロック信号の半周期で前記第1および第2のリフレッシュ信号を終了させるように動作可能である、請求項5に記載の省電力回路。
- 前記リフレッシュコントローラは、前記所定の遷移の極性とは異なる極性を有する前記クロック信号の第2の遷移の検出に応答して、前記第1および第2のリフレッシュ信号を終了させるように動作可能である、請求項5に記載の省電力回路。
- 前記バイアス回路は、前記少なくとも1つの内部コマンド信号が結合される前記第1のセットの入力バッファの出力端子に結合されるトランジスタを含む、請求項1に記載の省電力回路。
- 前記バイアス回路は、動作メモリコマンドをアサートしない各状態に複数の内部コマンド信号をバイアスするように動作可能である、請求項1に記載の省電力回路。
- 前記リフレッシュデコーダは、所定のコマンド信号の状態を検出し、該所定のコマンド信号の第1の状態の検出に応答して、前記自動リフレッシュサイクルの終了時に、コマンド信号のバイアスおよび前記第1のセットの入力バッファのディセーブルを継続するようにさらに動作可能である、請求項1に記載の省電力回路。
- 前記リフレッシュデコーダは、前記コマンド信号からバイアスを除去し、前記第1の状態から第2の状態への前記所定のコマンド信号の遷移の検出に応答して、前記第1のセットの前記入力バッファをイネーブルするようにさらに動作可能である、請求項10に記載の省電力回路。
- 前記リフレッシュデコーダは、前記所定のコマンド信号の第1の状態の検出に応答して、前記自動リフレッシュサイクルの終了時に前記ダイナミックランダムアクセスメモリの所定のコンポーネントをディセーブルするようにさらに動作可能である、請求項10に記載の省電力回路。
- 前記第1の状態から第2の状態への所定のコマンド信号の遷移の検出に応答して、前記ダイナミックランダムアクセスメモリの所定のコンポーネントをイネーブルするようにさらに動作可能である、請求項12に記載の省電力回路。
- 前記リフレッシュデコーダは、
前記DRAMのリフレッシュを指示する前記少なくとも1つの内部コマンドをデコードし、該内部コマンドに応答して、前記所定のリフレッシュ信号を発生させるように動作可能である第1のデコーダと、
該第1のデコーダに結合されたタイマーであって、該タイマーは、該所定のリフレッシュ信号によってトリガされて、該所定のリフレッシュ信号の後の所定の期間にリフレッシュ終了信号を発生させる、タイマーと、
該第1のデコーダおよび該タイマーに結合された第2のデコーダであって、該第2のデコーダは、該所定のリフレッシュ信号に応答して、リフレッシュコマンドならびに第1および第2のリフレッシュ信号を発生させるように動作可能であり、該第2のデコーダは、該リフレッシュ終了信号に応答して、該リフレッシュコマンドならびに該第1および該第2のリフレッシュ信号を終了させるようにさらに動作可能である、請求項1に記載の省電力回路。 - 前記所定のリフレッシュ信号は自動リフレッシュ信号を含み、前記リフレッシュコマンドは、自動リフレッシュコマンドを含む、請求項14に記載の省電力回路。
- ダイナミックランダムアクセスメモリ(「DRAM」)のリフレッシュの間に、該ダイナミックランダムアクセスメモリにおいて使用するための省電力回路であって、
入力バッファの第1のセットであって、該入力バッファに印加される外部コマンド信号から各内部コマンド信号を発生させるように動作可能であり、該第1のセットの入力バッファは、第1のリフレッシュ信号によってディセーブルされる、入力バッファの第1のセットと、
外部クロック信号が内部クロック信号を発生させるために結合されるクロック入力バッファと、
第2のリフレッシュ信号に応答して少なくとも1つの内部コマンド信号をバイアスするように動作可能であるバイアス回路と、
少なくとも自動リフレッシュコマンドをデコードし、該自動リフレッシュコマンドに応答して、自動リフレッシュサイクルを開始するように動作可能であるリフレッシュデコーダであって、該リフレッシュデコーダは、第1および第2の所定のコマンド信号の各状態を検出するようにさらに動作可能であり、該リフレッシュデコーダは、
自動リフレッシュコマンドのデコード、ならびに該第1の所定のコマンド信号の第1の状態および該第2の所定のコマンド信号の第1の状態の検出に応答して、該DRAMの自己リフレッシュを実行し、
自動リフレッシュコマンドのデコード、ならびに該第1の所定のコマンド信号の第2の状態および該第2の所定のコマンド信号の第1の状態の検出に応答して、該DRAMの自動リフレッシュを実行し、
自動リフレッシュコマンドのデコード、ならびに該第1の所定のコマンド信号の第1の状態および該第2の所定のコマンド信号の第2の状態の検出に応答して、該DRAMの自動リフレッシュを実行し、かつ該第1および第2のリフレッシュ信号を発生させ、
自動リフレッシュコマンドのデコード、ならびに、該第1の所定のコマンド信号の第2の状態および該第2の所定のコマンド信号の第2の状態の検出に応答して、該DRAMの自動リフレッシュを実行し、該第1および第2のリフレッシュ信号を発生させ、自動リフレッシュサイクルの終了時に、該入力バッファの第1のセット以外の該DRAMのコンポーネントをディセーブルするように動作可能である、リフレッシュデコーダと
を含む、省電力回路。 - 前記クロック入力バッファは、第3のリフレッシュ信号によってディセーブルされ、前記リフレッシュデコーダは、前記第1および第2のリフレッシュ信号と共に、該第3のリフレッシュ信号を発生させるようにさらに動作可能である、請求項16に記載の省電力回路。
- 前記第1の所定の信号は、クロックイネーブル信号を含む、請求項16に記載の省電力回路。
- 前記第2の所定の信号は、データマスク信号を含む、請求項16に記載の省電力回路。
- 前記第1の所定のコマンド信号の第1の状態および前記第2の所定のコマンド信号の第2の状態が検出された場合、前記リフレッシュデコーダは、前記自動リフレッシュの終了時に前記第1および前記第2のリフレッシュ信号を終了させるように動作可能であり、該第1の所定のコマンド信号の第2の状態および該第2の所定のコマンド信号の第2の状態が検出された場合、該リフレッシュデコーダは、該自動リフレッシュの終了時に該第1および該第2のリフレッシュ信号の発生を継続するようにさらに動作可能である、請求項16に記載の省電力回路。
- 前記リフレッシュデコーダは、前記第2の所定のコマンド信号が前記第2の状態で維持される限り、前記自動リフレッシュの終了時に前記第1および第2のリフレッシュ信号の発生を継続するように動作可能である、請求項20に記載の省電力回路。
- 前記リフレッシュデコーダは、前記内部クロック信号の所定の遷移を検出することによって、前記自動リフレッシュの終了時に前記第1および第2のリフレッシュ信号を終了させ、該クロック信号の所定の遷移の検出に応答して、該第1および第2のリフレッシュ信号を終了させるように動作可能である、請求項20に記載の省電力回路。
- 前記リフレッシュデコーダは、前記所定の遷移が、前記第1および第2のリフレッシュ信号の終了の前に該第1および第2のリフレッシュ信号を終了させた後、所定の継続時間待機するように動作可能である、請求項22に記載の省電力回路。
- 前記バイアス回路は、動作メモリコマンドを発生させないように複数の内部コマンド信号をバイアスするように動作可能である、請求項16に記載の省電力回路。
- 前記リフレッシュデコーダは、
前記DRAMのリフレッシュを指示する前記少なくとも1つの内部コマンドをデコードし、該内部コマンドに応答して所定のリフレッシュ信号を発生させるように動作可能である第1のデコーダと、
該第1のデコーダに結合したタイマーであって、該タイマーは、該所定のリフレッシュ信号によってトリガされて、該所定のリフレッシュ信号の後の所定の期間にリフレッシュ終了信号を発生させる、タイマーと、
該第1のデコーダおよび該タイマーに結合した第2のデコーダであって、該第2のデコーダは、該所定のリフレッシュ信号に応答して、リフレッシュコマンドならびに該第1および第2のリフレッシュ信号を発生させるように動作可能であり、該第2のデコーダは、該リフレッシュ終了信号に応答して、該リフレッシュコマンドならびに該第1および第2のリフレッシュ信号を終了させるようにさらに動作可能である、第2のデコーダと
を含む、請求項16に記載の省電力回路。 - 前記所定のリフレッシュ信号は、自動リフレッシュ信号を含み、前記リフレッシュコマンドは、自動リフレッシュコマンドを含む、請求項25に記載の省電力回路。
- 前記バイアス回路は、前記少なくとも1つの内部コマンド信号が結合される前記第1のセットの入力バッファの出力端子に結合されたトランジスタを含む、請求項16に記載の省電力回路。
- 外部端子に印加されるロウアドレス信号を受信かつデコードするように動作可能なロウアドレス回路と、
外部端子に印加されるカラムアドレス信号を受信かつデコードするように動作可能なカラムアドレス回路と、
ダイナミックランダムアクセスメモリセルのアレイであって、該デコードされたロウアドレス信号および該デコードされたカラムアドレス信号によって決定された位置に、該アレイに書き込まれたデータまたは該アレイから読み出されたデータを格納するように動作可能である、ダイナミックランダムアクセスメモリセルのアレイと、
該アレイと外部データ端子との間の該データに対応するデータ信号を結合するように動作可能なデータパス回路と、
各内部コマンド信号を発生させるために、各外部端子に印加され、第1のセットの入力バッファを介して結合されるコマンド信号に対応する制御信号のシーケンスを発生させるように動作可能なコマンド信号発生器であって、該第1のセットの入力バッファが第1のリフレッシュ信号によってディセーブルされ、該コマンド信号発生器は、第2のリフレッシュ信号に応答して、少なくとも1つの内部コマンド信号をバイアスするように動作可能なバイアス回路をさらに含む、コマンド信号発生器と、
該DRAMのリフレッシュを指示する少なくとも1つの内部コマンドをデコードするように動作可能であり、該DRAMを該内部コマンド信号に応答してリフレッシュさせるリフレッシュデコーダであって、該リフレッシュデコーダは、該DRAMのリフレッシュの間に、該第1および第2のリフレッシュ信号を発生させる、リフレッシュデコーダと
を含む、ダイナミックランダムアクセスメモリ(「DRAM」)。 - 前記第1および第2のリフレッシュ信号は、自動リフレッシュ信号を含む、請求項28に記載のダイナミックランダムアクセスメモリ。
- 前記リフレッシュデコーダは、前記コマンド信号からバイアスを除去し、前記自動リフレッシュサイクルの終了時に前記第1のセットの前記入力バッファをイネーブルするようにさらに動作可能である、請求項28に記載のダイナミックランダムアクセスメモリ。
- 外部ブロック信号が内部クロック信号を発生させるように印加され得るクロック入力バッファをさらに含み、該クロック入力バッファは、第3のリフレッシュ信号によってディセーブルされ、リフレッシュコントローラは、前記DRAMのリフレッシュの間に該第3のリフレッシュ信号を発生させるように動作可能である、請求項28に記載のダイナミックランダムアクセスメモリ。
- 外部クロック信号が内部クロック信号を発生させるように印加され得るクロック入力バッファをさらに含み、リフレッシュコントローラは、該内部クロック信号の所定の遷移に応答して、前記第1および第2のリフレッシュ信号を終了させるように動作可能である、請求項28に記載のダイナミックランダムアクセスメモリ。
- 前記リフレッシュコントローラは、前記所定の遷移を検出した後で、前記クロック信号の半周期で前記第1および第2のリフレッシュ信号を終了させるように動作可能である、請求項32に記載のダイナミックランダムアクセスメモリ。
- 前記リフレッシュコントローラは、前記所定の遷移の極性とは異なる極性を有する前記クロック信号の第2の遷移の検出に応答して、前記第1および前記第2のリフレッシュ信号を終了させるように動作可能である、請求項32に記載のダイナミックランダムアクセスメモリ。
- 前記バイアス回路は、前記少なくとも1つの内部コマンド信号が結合される該第1のセットの入力バッファの出力端子に結合されるトランジスタを含む、請求項28に記載のダイナミックランダムアクセスメモリ。
- 前記バイアス回路は、動作メモリコマンドをアサートしない各状態に複数の内部コマンド信号をバイアスするように動作可能である、請求項28に記載のダイナミックランダムアクセスメモリ。
- 前記リフレッシュデコーダは、所定のコマンド信号の状態を検出し、該所定のコマンド信号の第1の状態の検出に応答して、前記自動キャッシュサイクルの終了時に、該コマンド信号のバイアス、および前記第1のセットの前記入力バッファのディセーブルを継続するようにさらに動作可能である、請求項28に記載のダイナミックランダムアクセスメモリ。
- 前記リフレッシュデコーダは、前記第1の状態から第2の状態への前記所定のコマンド信号の遷移の検出に応答して、前記コマンド信号からバイアスを除去し、前記第1のセットの前記入力バッファをイネーブルするようにさらに動作可能である、請求項37に記載のダイナミックランダムアクセスメモリ。
- 前記リフレッシュデコーダは、前記所定のコマンド信号の第1の状態の検出に応答して、前記自動リフレッシュサイクルの終了時に、前記ダイナミックランダムアクセスメモリの所定のコンポーネントをディセーブルするようにさらに動作可能である、請求項37に記載のダイナミックランダムアクセスメモリ。
- 前記リフレッシュデコーダは、前記第1の状態から第2の状態への前記所定のコマンド信号の遷移の検出に応答して、前記ダイナミックランダムアクセスメモリの前記所定のコンポーネントをイネーブルするようにさらに動作可能である、請求項39に記載のダイナミックランダムアクセスメモリ。
- 前記リフレッシュデコーダは、
前記DRAMのリフレッシュを指示する前記少なくとも1つの内部コマンドをデコードして、該内部コマンドに応答して所定のリフレッシュ信号を発生させるように動作可能な第1のデコーダと、
該第1のデコーダに結合されたタイマーであって、該タイマーは、該所定のリフレッシュ信号によってトリガされて、該所定のリフレッシュ信号の後の所定の期間にリフレッシュ終了信号を発生させる、タイマーと、
該第1のデコーダおよび該タイマーに結合された第2のデコーダであって、該第2のデコーダは、該所定のリフレッシュ信号に応答して、リフレッシュコマンドならびに該第1および第2のリフレッシュ信号を発生させるように動作可能であり、該第2のデコーダは、該リフレッシュ終了信号に応答して、該リフレッシュコマンドならびに該第1および該第2のリフレッシュ信号を終了させるようにさらに動作可能である、第2のデコーダと
を含む、請求項28に記載のダイナミックランダムアクセスメモリ。 - 前記所定のリフレッシュ信号は、自動リフレッシュ信号を含み、前記リフレッシュコマンドは、自動リフレッシュコマンドを含む、請求項41に記載のダイナミックランダムアクセスメモリ。
- 外部端子に印加されるロウアドレス信号を受信かつデコードするように動作可能なロウアドレス回路と、
外部端子に印加されるカラムアドレス信号を受信かつデコードするように動作可能なカラムアドレス回路と、
ダイナミックランダムアクセスメモリセルのアレイであって、該デコードされたロウアドレス信号および該デコードされたカラムアドレス信号によって決定された位置に、該アレイに書き込まれたデータまたは該アレイから読み出されたデータを格納するように動作可能である、ダイナミックランダムアクセスメモリセルのアレイと、
該アレイと外部データ端子との間の該データに対応するデータ信号を結合するように動作可能なデータパス回路と、
内部クロック信号を発生させるために、外部クロック信号が結合されるクロック入力バッファと、
各内部クロック信号を発生させるために、各外部端子に印加され、かつ入力バッファの第1のセットを介して結合されるコマンド信号に対応する制御信号のシーケンスを発生させるように動作可能なコマンド信号発生器であって、該第1のセットの入力バッファが第1のリフレッシュ信号によってディセーブルされ、該コマンド信号発生器は、第2のリフレッシュ信号に応答して、少なくとも1つの内部コマンド信号をバイアスするために動作可能なバイアス回路をさらに含む、コマンド信号発生器と、
少なくとも自動リフレッシュコマンドをデコードし、該自動リフレッシュコマンドに応答して、自動リフレッシュサイクルを開始するように動作可能なリフレッシュデコーダであって、該リフレッシュデコーダは、第1および第2の所定のコマンド信号の各状態を検出するようにさらに動作可能であり、該リフレッシュデコーダは、
自動リフレッシュコマンドのデコード、ならびに該第1の所定のコマンド信号の第1の状態および該第2の所定のコマンド信号の第1の状態の検出に応答して、該DRAMの自己リフレッシュを実行し、
自動リフレッシュコマンドのデコード、ならびに該第1の所定のコマンド信号の第2の状態および該第2の所定のコマンド信号の第1の状態の検出に応答して、該DRAMの自動リフレッシュを実行し、
自動リフレッシュコマンドのデコード、ならびに該第1の所定のコマンド信号の第1の状態および該第2の所定のコマンド信号の第2の状態の検出に応答して、該DRAMの自動リフレッシュを実行し、かつ該第1および第2のリフレッシュ信号を発生させ、
自動リフレッシュコマンドのデコード、ならびに該第1の所定のコマンド信号の第2の状態および該第2の所定のコマンド信号の第2の状態の検出に応答して、該DRAMの自動リフレッシュを実行し、該第1および第2のリフレッシュ信号を発生させ、自動リフレッシュサイクルの終了時に、入力バッファの該第1のセット以外の該DRAMのコンポーネントをディセーブルするように動作可能である、リフレッシュデコーダと
を含む、ダイナミックランダムアクセスメモリ(「DRAM」)。 - 前記クロック入力バッファは、第3のリフレッシュ信号によってディセーブルされ、該リフレッシュデコーダは、前記第1および第2のリフレッシュ信号と共に該第3のリフレッシュ信号を発生させるようにさらに動作可能である、請求項43に記載のダイナミックランダムアクセスメモリ。
- 前記第1の所定の信号は、クロックイネーブル信号を含む、請求項43に記載のダイナミックランダムアクセスメモリ。
- 前記第2の所定の信号は、データマスク信号である、請求項43に記載のダイナミックランダムアクセスメモリ。
- 前記第1の所定のコマンド信号の第1の状態および前記第2の所定のコマンド信号の第2の状態が検出された場合、前記リフレッシュデコーダは、前記自動リフレッシュの終了時に前記第1および前記第2のリフレッシュ信号を終了させるように動作可能であり、該第1の所定のコマンド信号の第2の状態および該第2の所定のコマンド信号の第2の状態が検出された場合、該リフレッシュデコーダは、該自動リフレッシュの終了時に該第1および該第2のリフレッシュ信号の発生を継続するようにさらに動作可能である、請求項43に記載のダイナミックランダムアクセスメモリ。
- 前記第2の所定のコマンド信号が前記第2の状態で維持され限り、自動リフレッシュの終了時に、前記第1および第2のリフレッシュ信号の発生を継続するように動作可能である、請求項47に記載のダイナミックランダムアクセスメモリ。
- 前記リフレッシュデコーダは、前記内部クロック信号の所定の遷移を検出することによって、前記自動リフレッシュの終了時に前記第1および第2のリフレッシュ信号を終了させ、該クロック信号の所定の遷移の検出に応答して、該第1および第2のリフレッシュ信号を終了させるように動作可能である、請求項47に記載のダイナミックランダムアクセスメモリ。
- 前記バイアス回路は、複数の内部コマンド信号をバイアスし、動作メモリコマンドを発生させないように動作可能である、請求項43に記載のダイナミックランダムアクセスメモリ。
- 前記リフレッシュデコーダは、
前記DRAMのリフレッシュを指示する前記少なくとも1つの内部コマンドをデコードし、該内部コマンドに応答して所定のリフレッシュ信号を発生させるように動作可能である第1のデコーダと、
該第1のデコーダに結合されたタイマーであって、該タイマーは、該所定のリフレッシュ信号によってトリガされて、該所定のリフレッシュ信号の後の所定の期間にリフレッシュ終了信号を発生させる、タイマーと、
該第1のデコーダおよび該タイマーに結合される第2のデコーダであって、該第2のデコーダは、該所定のリフレッシュ信号に応答して、リフレッシュコマンドならびに該第1および第2のリフレッシュ信号を発生させるように動作可能であり、該第2のデコーダは、該リフレッシュ終了信号に応答して、該リフレッシュコマンドならびに該第1および第2のリフレッシュ信号を終了させるようにさらに動作可能である、第2のデコーダと
を含む、請求項43に記載のダイナミックランダムアクセスメモリ。 - 前記バイアス回路は、前記少なくとも1つの内部コマンド信号が結合される前記第1のセットの入力バッファの出力端子に結合されるトランジスタを含む、請求項43に記載のダイナミックランダムアクセスメモリ。
- コンピュータシステムであって、
プロセッサバスを有するプロセッサと、
データが該コンピュータシステムに入力されることを可能にするように適応された該プロセッサバスを介して該プロセッサに結合される入力デバイスと、
データが該コンピュータシステムから出力されることを可能にするように適応された該プロセッサバスを介して該プロセッサに結合される出力デバイスと、
複数のロウアドレスビットを有するロウアドレスに続いて、複数のカラムアドレスビットを有するカラムアドレスを発生させるメモリコントローラであって、該メモリコントローラは、該複数のカラムアドレスビットを発生させる前に、アレイ選択信号を発生させ、該アレイ選択信号は、カラムアドレスビットに対応し、第1の状態または第2の状態を有する、メモリコントローラと、
該メモリコントローラに結合されるメモリデバイスであって、
外部端子に印加されるロウアドレス信号を受信かつデコードするように動作可能なロウアドレス回路と、
外部端子に印加されるカラムアドレス信号を受信かつデコードするように動作可能なカラムアドレス回路と、
ダイナミックランダムアクセスメモリセルのアレイであって、該デコードされたロウアドレス信号および該デコードされたカラムアドレス信号によって決定された位置に、該アレイに書き込まれたデータまたは該アレイから読み出されたデータを格納するように動作可能である、ダイナミックランダムアクセスメモリセルのアレイと、
該アレイと外部データ端子との間の該データに対応するデータ信号を結合するように動作可能なデータパス回路と、
各内部コマンド信号を発生させるために、各外部端子に印加され、入力バッファの第1のセットを介して結合されるコマンド信号に対応する制御信号のシーケンスを発生させるように動作可能なコマンド信号発生器であって、該第1のセットの入力バッファが第1のリフレッシュ信号によってディセーブルされ、該コマンド信号発生器は、第2のリフレッシュ信号に応答して、少なくとも1つの内部コマンド信号をバイアスするように動作可能なバイアス回路をさらに含む、コマンド信号発生器と、
該DRAMのリフレッシュを指示する少なくとも1つの内部コマンドをデコードするように動作可能であり、該DRAMを該内部コマンドに応答してリフレッシュさせるリフレッシュデコーダであって、該リフレッシュデコーダは、該DRAMのリフレッシュの間に、該第1および第2のリフレッシュ信号を発生させる、リフレッシュデコーダと
を含むメモリデバイスと
を含む、コンピュータシステム。 - 前記第1および第2のリフレッシュ信号は、自動リフレッシュ信号を含む、請求項53に記載のコンピュータシステム。
- 前記リフレッシュデコーダは、前記コマンド信号から前記バイアスを除去し、前記自動リフレッシュサイクルの終了時に前記第1のセットの前記入力バッファをイネーブルするようにさらに動作可能である、請求項53に記載のコンピュータシステム。
- 外部クロック信号が内部クロック信号を発生させるように印加され得るクロック入力バッファをさらに含み、該クロック入力バッファは、第3のリフレッシュ信号によってディセーブルされ、リフレッシュコントローラは、前記DRAMのリフレッシュの間に該第3のリフレッシュ信号を発生させるように動作可能である、請求項53に記載のコンピュータシステム。
- 外部クロック信号が内部クロック信号を発生させるように印加され得るクロック入力バッファをさらに含み、リフレッシュコントローラは、該内部クロック信号の所定の遷移に応答して、前記第1および第2のリフレッシュ信号を終了させるように動作可能である、請求項53に記載のコンピュータシステム。
- 前記バイアス回路は、前記少なくとも1つの内部コマンド信号が結合される前記第1のセットの入力バッファの出力端子に結合されるトランジスタを含む、請求項53に記載のコンピュータシステム。
- 前記リフレッシュデコーダは、所定のコマンド信号の状態を検出し、該所定のコマンド信号の第1の状態の検出に応答して、前記自動リフレッシュサイクルの終了時に、前記コマンド信号のバイアスおよび前記第1のセットの前記入力バッファのディセーブルを継続するようにさらに動作可能である、請求項53に記載のコンピュータシステム。
- 前記リフレッシュデコーダは、
前記DRAMのリフレッシュを指示する前記少なくとも1つの内部コマンドをデコードし、該内部コマンドに応答して所定のリフレッシュ信号を発生させるように動作可能である第1のデコーダと、
該第1のデコーダに結合されるタイマーであって、該タイマーは、該所定のリフレッシュ信号によってトリガされて、該所定のリフレッシュ信号の後の所定の期間にリフレッシュ終了信号を発生させるタイマーと、
該第1のデコーダおよび該タイマーに結合される第2のデコーダであって、該所定のリフレッシュ信号に応答して、該第2のデコーダは、リフレッシュコマンド、ならびに該第1および第2のリフレッシュ信号を生成するように動作可能であり、該リフレッシュ終了信号に応答して、該第2のデコーダは、該リフレッシュコマンドならびに該第1および該第2のリフレッシュ信号を終了させるようにさらに動作可能である、第2のデコーダと
を含む、請求項53に記載のコンピュータシステム。 - 前記所定のリフレッシュ信号は、自動リフレッシュ信号を含み、前記リフレッシュコマンドは、自動リフレッシュコマンドを含む、請求項60に記載のコンピュータシステム。
- コンピュータシステムであって、
プロセッサバスを有するプロセッサと、
データが該コンピュータシステムに入力されることを可能にするように適応される該プロセッサバスを介して該プロセッサに結合される入力デバイスと、
データが該コンピュータシステムから出力されることを可能にするように適応される該プロセッサバスを介して該プロセッサに結合される出力デバイスと、
複数のロウアドレスビットを有するロウアドレスに続いて複数のカラムアドレスビットを有するカラムアドレスを発生させるメモリコントローラであって、該メモリコントローラは、該複数のカラムアドレスビットを発生させる前に、アレイ選択信号を発生させ、該アレイ選択信号は、カラムアドレスビットに対応し、第1の状態または第2の状態のいずれかを有する、メモリコントローラと、
該メモリコントローラに結合されたメモリデバイスであって、
外部端子に印加されるロウアドレス信号を受信かつデコードするように動作可能であるロウアドレス回路と、
外部端子に印加されるカラムアドレス信号を受信かつデコードするように動作可能であるカラムアドレス回路と、
ダイナミックランダムアクセスメモリセルのアレイであって、該デコードされたロウアドレス信号および該デコードされたカラムアドレス信号によって決定された位置に、該アレイに書き込まれたデータまたは該アレイから読み出されたデータを格納するように動作可能である、ダイナミックランダムアクセスメモリセルのアレイと、
該アレイと外部データ端子との間のデータに対応するデータ信号を結合するように動作可能なデータパス回路と、
外部クロック信号が内部クロック信号を発生させるために結合されるクロック入力バッファと、
各内部コマンド信号を発生させるために、各外部端子に印加され、入力バッファの第1のセットを介して結合されるコマンド信号に対応する制御信号のシーケンスを発生させるように動作可能なコマンド信号発生器であって、該第1のセットの入力バッファが第1のリフレッシュ信号によってディセーブルされ、該コマンド信号発生器は、第2のリフレッシュ信号に応答して、少なくとも1つの内部コマンド信号をバイアスするように動作可能なバイアス回路をさらに含む、コマンド信号発生器と、
少なくとも自動リフレッシュコマンドをデコードし、該自動リフレッシュコマンドに応答して自動リフレッシュサイクルを開始するように動作可能であるリフレッシュデコーダであって、該リフレッシュデコーダは、第1および第2の所定のコマンド信号の各状態を検出するようにさらに動作可能であり、該リフレッシュデコーダは、
自動リフレッシュコマンドのデコード、ならびに該第1の所定のコマンド信号の第1の状態および第2の所定のコマンド信号の第1の状態の検出に応答して、該DRAMの自己リフレッシュを実行し、
自動リフレッシュコマンドのデコード、ならびに該第1の所定のコマンド信号の第2の状態および該第2の所定のコマンド信号の第1の状態の検出に応答して、該DRAMの自動リフレッシュを実行し、
自動リフレッシュコマンドのデコード、ならびに該第1の所定のコマンド信号の第2の状態および該第2の所定のコマンド信号の第2の状態の検出に応答して、該DRAMの自動リフレッシュを実行し、該第1および第2のリフレッシュ信号を発生させ、
自動リフレッシュコマンドのデコード、ならびに該第1の所定のコマンド信号の第2の状態および該第2の所定のコマンド信号の第2の状態の検出に応答して、該DRAMの自動リフレッシュを実行し、該第1および第2のリフレッシュ信号を発生させ、自動リフレッシュサイクルの終了時に、該入力バッファの第1のセット以外の該DRAMのコンポーネントをディセーブルするように動作可能である、リフレッシュデコーダと
を含む、メモリデバイスと
を含む、コンピュータシステム。 - 前記クロック入力バッファは、第3のリフレッシュ信号によってディセーブルされ、前記リフレッシュデコーダは、前記第1および第2のリフレッシュ信号と共に、該第3のリフレッシュ信号を発生させるようにさらに動作可能である、請求項62に記載のコンピュータシステム。
- 前記第1の所定の信号は、クロックイネーブル信号を含む、請求項62に記載のコンピュータシステム。
- 前記第2の所定の信号は、データマスク信号を含む、請求項62に記載のコンピュータシステム。
- 前記リフレッシュデコーダは、前記第1の所定のコマンド信号の第1の状態および前記第2の所定のコマンド信号の第2の状態が検出された場合、前記自動リフレッシュの終了時に該第1および第2のリフレッシュ信号を終了させるように動作可能であり、該リフレッシュデコーダは、該第1の所定のコマンド信号の第2の状態および該第2の所定のコマンド信号の第2の状態が検出された場合、前記自動リフレッシュの終了時に該第1および第2のリフレッシュ信号を終了させるようにさらに動作可能である、請求項62に記載のコンピュータシステム。
- 前記リフレッシュデコーダは、前記第2の所定のコマンド信号が前記第2の状態に維持される限り、前記自動リフレッシュの終了時に、該第1および第2のリフレッシュ信号の発生を継続する動作可能である、請求項62に記載のコンピュータシステム。
- 前記内部クロック信号の所定の遷移を検出することによって、前記自動リフレッシュの終了時に、前記第1および第2のリフレッシュ信号を終了させ、該クロック信号の所定の遷移の検出に応答して該第1および第2のリフレッシュ信号を終了させるように動作可能である、請求項66に記載のコンピュータシステム。
- 前記バイアス回路は、動作メモリコマンドを発生させないように複数の内部信号コマンドをバイアスするように動作可能である、請求項62に記載のコンピュータシステム。
- 前記リフレッシュデコーダは、
前記DRAMのリフレッシュを指示する前記少なくとも1つの内部コマンドをデコードし、該内部コマンドに応答して、所定のリフレッシュ信号を発生させるように動作可能である第1のデコーダと、
該第1のデコーダに結合されたタイマーであって、該タイマーは、該所定のリフレッシュ信号によってトリガされて、該所定のリフレッシュ信号の後の所定の期間にリフレッシュ終了信号を発生させる、タイマーと、
該第1のデコーダおよび該タイマーに結合された第2のデコーダであって、該第2のデコーダは、該所定のリフレッシュ信号に応答して、リフレッシュコマンドならびに該第1および第2のリフレッシュ信号を発生させるように動作可能であり、該第2のデコーダは、該リフレッシュ終了信号に応答して、該リフレッシュコマンドならびに該第1および該第2のリフレッシュ信号を終了させるようにさらに動作可能である、第2のデコーダと
を含む、請求項62に記載のコンピュータシステム。 - 前記バイアス回路は、前記少なくとも1つの内部コマンド信号が結合される該第1のセットの入力バッファの出力端子に結合されるトランジスタを含む、請求項62に記載のコンピュータシステム。
- コマンド信号が結合される入力バッファの第1のセットを有するダイナミックランダムアクセスメモリの自動リフレッシュを実行する方法であって、
該自動リフレッシュサイクルの実行の間に、該第1のセットの入力バッファをディセーブルするステップと、
該自動リフレッシュサイクルの間に、所定のメモリコマンドをアサートするように複数のコマンド信号をバイアスするステップと、
該自動リフレッシュサイクルの終了時に、該バイアスを該コマンド信号から除去するステップおよび該第1のセットの入力バッファをイネーブルステップと
を包含する方法。 - 前記ダイナミックランダムアクセスメモリは、クロック入力バッファを介して該ダイナミックランダムアクセスメモリに印加されるクロック信号と同期して動作するシンクロナスダイナミックランダムアクセスメモリを含む、請求項72に記載の方法。
- 少なくとも一部の前記自動リフレッシュサイクルの間に前記クロック入力バッファをディセーブルするステップ、および該自動リフレッシュサイクルの終了時に該クロック入力バッファを再度イネーブルするステップをさらに包含する、請求項73に記載の方法。
- 前記コマンド信号のバイアスを除去し、前記第1のセットの入力バッファをイネーブルする動作は、
該クロック入力バッファを介して結合された該クロック信号を検査するステップと、
該クロック信号の所定の遷移を検出するステップと、
前記コマンド信号から前記バイアスを除去するステップおよび該クロック信号の所定の遷移の検出に応答して、該第1のセットの入力バッファをイネーブルステップと
を包含する、請求項74に記載の方法。 - 前記クロック信号の所定の遷移の検出に応答して、前記コマンド信号からのバイアスを除去し、前記第1のセットの前記入力バッファをイネーブルする動作は、該コマンド信号から該バイアスを除去し、該第1のセットの該入力バッファをイネーブルするために、該所定の遷移を検出した後、所定の持続時間だけ待機するステップをさらに包含する、請求項75に記載の方法。
- 前記所定の遷移を検出した後で、所定の持続時間だけ待機する動作は、該所定の遷移を検出した後で、前記クロック信号の半周期だけ待機するステップを包含する、請求項76に記載の方法。
- 前記所定の遷移を検出した後で、所定の持続時間だけ待機する動作は、該所定の遷移の極性とは異なる極性を有する前記クロック信号の第2の遷移を待機するステップを包含する、請求項76に記載の方法。
- 前記所定の遷移は、前記クロック入力バッファに印加される前記クロック信号の立ち上がりエッジを含み、前記第2の遷移は、該クロック入力バッファに印加されるクロック信号の立ち下がりエッジを含む、請求項78に記載の方法。
- 前記自動リフレッシュサイクルの間に、所定のメモリコマンドをアサートするように複数のコマンド信号をバイアスする動作は、該自動リフレッシュサイクルの間に、動作メモリコマンドをアサートしないように複数のコマンド信号をバイアスするステップを包含する、請求項72に記載の方法。
- コマンド信号の状態を検出するステップと、
該コマンド信号の第1の状態の検出に応答して、前記自動リフレッシュサイクルの終了時に前記コマンド信号のバイアスおよび前記第1のセットの入力バッファのディセーブルを継続するステップと、
該第1の状態から第2の状態への該コマンド信号の遷移の検出に応答して、該コマンド信号からバイアスを除去し、該第1のセットの入力バッファをイネーブルするステップと
を包含する、請求項72に記載の方法。 - 前記コマンド信号の第1の状態の検出に応答して、前記自動リフレッシュサイクルの終了時に、前記ダイナミックランダムアクセスメモリの所定のコンポーネントをディセーブルするステップと、
該第1の状態から第2の状態への前記コマンド信号の遷移の検出に応答して、該ダイナミックランダムアクセスメモリの所定のコンポーネントをイネーブルするステップと
をさらに包含する、請求項81に記載の方法。 - 前記ダイナミックランダムアクセスメモリは、アドレス信号が結合される入力バッファの第2のセットをさらに含み、前記方法は、
前記自動リフレッシュサイクルの実行の間に、該2のセットの入力バッファをディセーブルするステップと、
該自動リフレッシュサイクルの終了時において、該第2のセットの入力バッファをイネーブルするステップと
をさらに包含する、請求項72に記載の方法。 - コマンド信号が結合される入力バッファの第1のセットを有するダイナミックランダムアクセスメモリ(「DRAM」)の電力消費を低減する方法であって、
自動リフレッシュコマンドを含む複数のメモリコマンドの各々を検出するステップと、
第1の所定のコマンド信号の状態を検出するステップと、
自動リフレッシュコマンドおよび該第1の所定のコマンド信号の第1の状態の検出に応答して、該DRAMの自動リフレッシュを実行するステップ、および該自動リフレッシュの終了時に、該DRAMをアクティブモードに自動的に遷移させるステップと、
自動リフレッシュコマンドおよび該第1の所定のコマンド信号の第2の状態の検出に応答して、該DRAMの自動リフレッシュを実行するステップ、および該自動リフレッシュの終了時に、該DRAMを低電力プレチャージモードに自動的に遷移させるステップと
を包含する、方法。 - 前記第1の所定の信号は、クロックイネーブル信号を含む、請求項84に記載の方法。
- 前記DRAMは、クロック信号バッファを介して該DRAMに印加されるクロック信号と同期して動作するシンクロナスダイナミックランダムアクセスメモリを含む、請求項84に記載の方法。
- 前記自動リフレッシュの少なくとも一部の間に、前記クロック入力バッファをディセーブルするステップ、および前記第1の所定のコマンド信号の第1の状態が検出される場合、該自動リフレッシュの終了時に、該クロック入力バッファを再度イネーブルするステップをさらに包含する、請求項86に記載の方法。
- 前記DRAMの自動リフレッシュを実行する動作は、該自動リフレッシュの実行の間に、前記第1のセットの入力バッファをディセーブルするステップを包含する、請求項84に記載の方法。
- 前記DRAMの自動リフレッシュを実行する動作は、該自動リフレッシュの間に、所定のメモリコマンドをアサートするように複数のコマンド信号をバイアスするステップをさらに包含する、請求項88に記載の方法。
- 前記DRAMの自動リフレッシュを実行する動作は、前記コマンド信号から前記バイアスを除去するステップ、および自動リフレッシュサイクルの終了時に前記第1のセットの入力バッファをイネーブルするステップをさらに包含する、請求項89に記載の方法。
- 前記DRAMは、内部クロック信号を発生させるように、外部クロック信号を受信するクロック入力バッファをさらに含み、前記コマンド信号から前記バイアスを除去し、前記第1のセットの入力バッファをイネーブルする動作は、
該内部クロック信号を検査するステップと、
該内部クロック信号の所定の遷移を検出するステップと、
該内部クロック信号の所定の遷移の検出に応答して、該バイアスを該コマンド信号から除去するステップ、および該第1のセットの該入力バッファをイネーブルステップと
を包含する、請求項90に記載の方法。 - 前記内部クロック信号の所定の遷移の検出に応答して、前記バイアスを前記コマンド信号から除去し、前記第1のセットの入力バッファをイネーブルする動作は、該バイアスを該コマンド信号から除去し、該第1のセットの入力バッファをイネーブルするように、前記所定の遷移を検出した後、所定の持続時間だけ待機するステップをさらに包含する、請求項91に記載の方法。
- 前記所定の遷移を検出した後、所定の持続時間だけ待機する動作は、該所定の遷移の検出の後、前記クロック信号の半周期だけ待機するステップを包含する、請求項92に記載の方法。
- 前記所定の遷移を検出した後、所定の持続時間だけ待機する動作は、該所定の遷移の極性とは異なる極性を有する前記クロック信号の第2の遷移を待機するステップを包含する、請求項92に記載の方法。
- 前記自動リフレッシュの間に、所定のメモリコマンドをアサートするように複数のコマンド信号をバイアスする動作は、該自動リフレッシュの間に、動作メモリコマンドをアサートしないように複数のコマンド信号をバイアスするステップを包含する、請求項89に記載の方法。
- 前記DRAMは、アドレス信号が結合される入力バッファの第2のセットをさらに含み、前記方法は、
前記自動リフレッシュの実行の間に、該第2のセットの入力バッファをディセーブルするステップと、
該自動リフレッシュの終了時において、該第2のセットの入力バッファをイネーブルするステップと
をさらに包含する、請求項88に記載の方法。 - 前記DRAMを低電力プレチャージモードに自動的に遷移させる動作は、前記自動リフレッシュの終了時において前記ランダムアクセスメモリの所定のコンポーネントをディセーブルするステップを包含する、請求項84に記載の方法。
- 前記第2の状態から前記第1の状態への前記コマンド信号の遷移の検出に応答して、前記ダイナミックランダムアクセスメモリの前記所定のコンポーネントをイネーブルするステップをさらに包含する、請求項97に記載の方法。
- コマンド信号が結合される入力バッファの第1のセットおよびクロック信号が結合されるクロック入力バッファを有するシンクロナスダイナミックランダムアクセスメモリ(「SDRAM」)における電力消費を低減する方法であって、
自動リフレッシュコマンドを含む複数のメモリコマンドの各々を検出するステップと、
第1の所定のコマンド信号の状態を検出するステップと、
第2の所定のコマンド信号の状態を検出するステップと、
自動リフレッシュコマンド、ならびに該第1の所定のコマンド信号の第1の状態および該第2の所定のコマンド信号の第1の状態の検出に応答して、該SDRAMの自動リフレッシュを実行するステップと、
自動リフレッシュコマンド、ならびに該第1の所定のコマンド信号の第2の状態および該第2の所定のコマンド信号の第1の状態の検出に応答して、該SDRAMの自動リフレッシュを実行するステップと、
自動リフレッシュコマンド、ならびに該第1の所定のコマンド信号の第1の状態および該第2の所定のコマンド信号の第2の状態の検出に応答して、該SDRAMの低電力自動リフレッシュを実行するステップであって、該低電力自動リフレッシュは、自動リフレッシュサイクルの間に、所定のメモリコマンドをアサートするように該第1のセットの入力バッファをディセーブルするステップ、および複数のコマンド信号をバイアスするステップを包含する、ステップと、
自動リフレッシュコマンド、ならびに該第1の所定のコマンド信号の第2の状態および該第2の所定のコマンド信号の第2の状態の検出に応答して、該SDRAMの低電力自動リフレッシュを実行し、該自動リフレッシュの終了時に、該SDRAMの低電力プレチャージを実行するステップであって、該低電力プレチャージは、入力バッファの該第1のセット以外の該SDRAMのコンポーネントをディセーブルするステップを包含する、ステップと
を包含する、方法。 - 前記SDRAMの低電力自動リフレッシュを実行する動作は、前記少なくとも一部の低電力自動リフレッシュの間に、前記クロック入力バッファをディセーブルするステップをさらに包含する、請求項99に記載の方法。
- 前記第1の所定のコマンド信号の前記第1の状態が検出される場合、前記自動リフレッシュの終了時に、前記クロック入力バッファを再度イネーブルするステップをさらに包含する、請求項100に記載の方法。
- 前記第1の所定のコマンド信号の第1の状態および前記第2の所定のコマンド信号の第2の状態が検出された場合、前記低電力自動リフレッシュの終了時に、前記コマンド信号から前記バイアスを除去するステップおよび前記第1のセットの前記入力バッファをイネーブルするステップと、
該第1の所定のコマンド信号の第2の状態および前記第2の所定のコマンド信号の第2の状態が検出された場合、該低電力自動リフレッシュの終了時に、該コマンド信号に前記バイアスを維持するステップ、および該第1のセットの入力バッファのディセーブルを継続するステップと
をさらに包含する、請求項99に記載の方法。 - 前記低電力自動リフレッシュの終了時に、前記コマンド信号のバイアスを維持し、前記第1のセットの入力バッファのディセーブルを継続する動作は、前記第2の所定のコマンド信号が前記第2の状態で維持される限り、該コマンド信号のバイアスを維持するステップ、および該第1のセットの入力バッファのディセーブルを継続するステップを包含する、請求項102に記載の方法。
- 前記コマンド信号からバイアスを除去し、前記低電力自動リフレッシュの終了時に、前記第1のセットの入力バッファをイネーブルする動作は、
該クロック入力バッファを介して結合されたクロック信号を検査するステップと、
該クロック信号の所定の遷移を検出するステップと、
該クロック信号の所定の遷移の検出に応答して、該コマンド信号からバイアスを除去するステップ、および該第1のセットの入力バッファをイネーブルするステップと
を包含する、請求項102に記載の方法。 - 前記クロック信号の所定の遷移の検出に応答して、前記コマンド信号からバイアスを除去し、前記第1のセットの入力バッファをイネーブルする動作は、該コマンド信号からバイアスを除去し、該第1のセットの入力バッファをイネーブルするために、該所定の遷移を検出した後で、所定の持続時間だけ待機するステップをさらに包含する、請求項104に記載の方法。
- 前記所定の遷移を検出した後で、所定の持続時間だけ待機する動作は、該所定の遷移を検出した後で、前記クロック信号の半周期だけ待機するステップを包含する、請求項105に記載の方法。
- 前記所定の遷移を検出した後で、所定の持続時間だけ待機する動作は、該所定の遷移の極性とは異なる極性を有する前記クロック信号の第2の遷移を待機するステップを包含する、請求項105に記載の方法。
- 前記自動リフレッシュサイクルの間に、所定のメモリコマンドをアサートするように複数のコマンド信号をバイアスする動作は、該自動リフレッシュサイクルの間に、動作メモリコマンドをアサートしない複数のコマンド信号をバイアスするステップを包含する、請求項99に記載の方法。
- 前記第1の所定の信号は、クロックイネーブル信号を含む、請求項99に記載の方法。
- 前記第2の所定の信号は、データマスク信号を含む、請求項99に記載の方法。
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