JP2021047829A - メモリ制御装置およびその制御方法 - Google Patents
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Abstract
Description
前記DRAMに対するアクセス要求に応じてアクセスコマンドを生成しバッファに格納する第1の生成手段と、
前記DRAMに対するバンク指定のリフレッシュ要求を生成する第2の生成手段と、
前記バッファに格納されたアクセスコマンドと、前記第2の生成手段により生成されたリフレッシュ要求と、に基づいて、DRAMコマンドを前記DRAMに発行する発行手段と、
を有し、
前記第2の生成手段は、前記バッファに格納された1以上のアクセスコマンドによる前記DRAMの各バンクへのアクセス時間に基づいて、前記リフレッシュ要求を行うバンクを決定する。
本発明に係るメモリ制御装置の第1実施形態として、LPDDR4規格のDRAMアクセスを制御するDRAM制御装置を例に挙げて以下に説明する。
まず、DRAMがデータを保持し続けるために必要となるリフレッシュの動作について説明する。図1は、DRAMのリフレッシュ発行を説明する図である。
図3は、第1実施形態に係るDRAM制御装置の構成を示す図である。DRAM制御装置300は、イニシエータ(不図示)が発行するメモリアクセス要求に応じて、DRAM301に対してDRAMコマンドを発行する。
図6は、第1実施形態におけるリフレッシュ候補の抽出方法を説明する図である。ここでは、8バンク構成(バンク0〜バンク7)のDRAMにおいて、生成したアクセスパタンから、リフレッシュ候補を抽出する方法を示している。図6において、アクセスパタン内で示す数字は、アクセスするバンクを示している。また、アクセスパタンで示される幅は、アクセスする時間期間を示している。例えば、図6(A)のアクセスパタンは、バンク0、バンク2、バンク1...バンク7の順で同じアクセス時間期間でアクセスした後、バンク0に対して長い時間期間アクセスすることを示している。
第2実施形態では、リフレッシュ候補の他の決定手法について説明する。具体的には、アクセスパタンに基づいて各時間期間のリフレッシュ候補を決定し、リフレッシュを優先するバンクを決定する形態について説明する。
図11は、第2実施形態に係るDRAM制御装置1100の構成を示す図である。DRAM制御装置1100は第1実施形態(図3)と類似しているが、アクセスパタン生成部305の替わりにアクセスパタン格納部1106を含む点、リフレッシュ生成部1107がコマンド格納部1103の情報を取得する点、が主に異なる。
図13は、アクセスパタン候補生成部1200が実行する処理のフローチャートである。図13(A)は、アクセスパタン候補を格納する、アクセスパタン候補バッファを決定するフローを示す。また、図13(B)は、記録開始を指示された、アクセスパタン候補バッファ1202の記録領域への記録動作を説明する図である。
第3実施形態では、リフレッシュ候補の更に他の決定手法について説明する。具体的には、バンクごとのリードコマンドとライトコマンドの合計数に基づいてリフレッシュを優先するバンクを決定する形態について説明する。また、バンク指定のリフレッシュを実行中か否かで、メモリアクセス要求の発行順の制御方法を切り替える形態について説明する。
図19は、第3実施形態に係るDRAM制御装置1900の構成を示す図である。DRAM制御装置1100は第1実施形態(図3)と類似しているが、アクセスパタン生成部305が存在しない点、リフレッシュ生成部1906がコマンド格納部1903の情報を取得する点、が主に異なる。また、コマンド格納部1903は、リフレッシュ生成部1906とコマンド発行部1904との間の通信を確認可能に構成される。
図20は、第3実施形態におけるリフレッシュ要求生成のフローチャートである。当該フローは、現在リフレッシュ実行中ではない場合に開始される。リフレッシュ生成部1906は、図9で説明したリフレッシュ状態カウンタにより、現在のリフレッシュ発行状況が、先行リフレッシュ状態か、遅延リフレッシュ状態かを認識している。
本発明は、上述の実施形態の1以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける1つ以上のプロセッサーがプログラムを読出し実行する処理でも実現可能である。また、1以上の機能を実現する回路(例えば、ASIC)によっても実現可能である。
Claims (11)
- 複数のバンクで構成されるDRAMへのアクセスを制御するメモリ制御装置であって、
前記DRAMに対するアクセス要求に応じてアクセスコマンドを生成しバッファに格納する第1の生成手段と、
前記DRAMに対するバンク指定のリフレッシュ要求を生成する第2の生成手段と、
前記バッファに格納されたアクセスコマンドと、前記第2の生成手段により生成されたリフレッシュ要求と、に基づいて、DRAMコマンドを前記DRAMに発行する発行手段と、
を有し、
前記第2の生成手段は、前記バッファに格納された1以上のアクセスコマンドによる前記DRAMの各バンクへのアクセス時間に基づいて、前記リフレッシュ要求を行うバンクを決定する
ことを特徴とするメモリ制御装置。 - 前記バッファに格納された1以上のアクセスコマンドによる前記DRAMの各バンクへのアクセス順序及びアクセス時間を示すアクセスパタンを生成する第3の生成手段を更に有し、
前記第2の生成手段は、前記アクセスパタンとリフレッシュに要するリフレッシュ時間とに基づいて前記リフレッシュ要求を行うバンクの候補を決定する
ことを特徴とする請求項1に記載のメモリ制御装置。 - 前記第2の生成手段は、前記アクセスパタンにおける前記リフレッシュ時間に相当する時間期間においてアクセスが発生しないバンクを、該時間期間における前記候補として決定する
ことを特徴とする請求項2に記載のメモリ制御装置。 - 前記第3の生成手段により生成された1以上のアクセスパタンを格納する格納手段を更に有し、
前記第2の生成手段は、前記第3の生成手段により新規に生成されたアクセスパタンが先行して前記格納手段に格納された何れかのアクセスパタンと一致する場合、該一致するアクセスパタンにおいて、それぞれが前記リフレッシュ時間に相当する複数の時間期間において前記候補を決定し、前記複数の時間期間それぞれにおいて決定した前記候補に基づいて、前記複数の時間期間のうち最初の時間期間において優先して前記リフレッシュ要求を行うバンクを決定する
ことを特徴とする請求項2に記載のメモリ制御装置。 - 前記第2の生成手段は、前記バッファに格納された1以上のアクセスコマンドによる前記DRAMの各バンクへのアクセス回数を計算し、各バンクについて注目バンク以外のバンクに対するアクセス回数の合計数を計算し、該合計数が所定回数を超えるバンクを前記リフレッシュ要求を行うバンクの候補として決定する
ことを特徴とする請求項1に記載のメモリ制御装置。 - 前記第2の生成手段は、前記候補となるバンクが複数ある場合、前記合計数が大きいバンクに対してリフレッシュ要求を行う優先度を高く設定する
ことを特徴とする請求項5に記載のメモリ制御装置。 - 前記所定回数は、リフレッシュを実行した際に並行して他のバンクに対して発行可能なコマンドの数である
ことを特徴とする請求項5又は6に記載のメモリ制御装置。 - 前記バッファは、前記DRAMにおいて現在リフレッシュを実行しているバンクを確認可能に構成されており、
前記バッファは、該バッファに格納されたアクセスコマンドのうち、現在リフレッシュを実行しているバンクに対するアクセスコマンドを出力しないように構成される
ことを特徴とする請求項5乃至7の何れか1項に記載のメモリ制御装置。 - 前記バッファは、前記第2の生成手段と前記発行手段との間の通信を確認することにより、前記DRAMにおいて現在リフレッシュを実行しているバンクを確認する
ことを特徴とする請求項8に記載のメモリ制御装置。 - 前記第2の生成手段は、前記バッファにアクセスコマンドが格納されていない場合、全てのバンクを前記候補とする
ことを特徴とする請求項5乃至9の何れか1項に記載のメモリ制御装置。 - 複数のバンクで構成されるDRAMへのアクセスを制御するメモリ制御装置の制御方法であって、
前記DRAMに対するアクセス要求に応じてアクセスコマンドを生成しバッファに格納する第1の生成工程と、
前記DRAMに対するバンク指定のリフレッシュ要求を生成する第2の生成工程と、
前記バッファに格納されたアクセスコマンドと、前記第2の生成工程により生成されたリフレッシュ要求と、に基づいて、DRAMコマンドを前記DRAMに発行する発行工程と、
を含み、
前記第2の生成工程では、前記バッファに格納された1以上のアクセスコマンドによる前記DRAMの各バンクへのアクセス時間に基づいて、前記リフレッシュ要求を行うバンクを決定する
ことを特徴とする制御方法。
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