JP2005311029A - 窒化物半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
窒化物半導体装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005311029A JP2005311029A JP2004125322A JP2004125322A JP2005311029A JP 2005311029 A JP2005311029 A JP 2005311029A JP 2004125322 A JP2004125322 A JP 2004125322A JP 2004125322 A JP2004125322 A JP 2004125322A JP 2005311029 A JP2005311029 A JP 2005311029A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nitride semiconductor
- semiconductor layer
- group
- layer
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 203
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims abstract description 192
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 18
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 16
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 4
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 abstract 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 InN Chemical compound 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66446—Unipolar field-effect transistors with an active layer made of a group 13/15 material, e.g. group 13/15 velocity modulation transistor [VMT], group 13/15 negative resistance FET [NERFET]
- H01L29/66462—Unipolar field-effect transistors with an active layer made of a group 13/15 material, e.g. group 13/15 velocity modulation transistor [VMT], group 13/15 negative resistance FET [NERFET] with a heterojunction interface channel or gate, e.g. HFET, HIGFET, SISFET, HJFET, HEMT
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
- H01L29/7786—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT
- H01L29/7787—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT with wide bandgap charge-carrier supplying layer, e.g. direct single heterostructure MODFET
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
- H01L29/2003—Nitride compounds
Abstract
【解決手段】 ガリウム、アルミニウム、ホウ素及びインジウムからなる群のうち少なくとも1つからなるIII族元素と、窒素、リン及び砒素からなる群のうち少なくとも窒素を含むV族元素で構成されたIII−V族窒化物半導体層からなる窒化物半導体装置において、基板上に積層したIII−V族窒化物半導体層からなる第1の窒化物半導体層と、第1の窒化物半導体層の上に積層したIII−V族窒化物半導体層からなり、アルミニウムを含まない、微結晶構造からなる第2の窒化物半導体層と、第2の窒化物半導体層の一部を除去し、露出する第1の窒化物半導体層にショットキ接続する制御電極とを備える。
【選択図】 図1
Description
Claims (9)
- ガリウム、アルミニウム、ホウ素及びインジウムからなる群のうち少なくとも1つからなるIII族元素と、窒素、リン及び砒素からなる群のうち少なくとも窒素を含むV族元素で構成されたIII−V族窒化物半導体層からなる窒化物半導体装置において、基板上に積層した前記III−V族窒化物半導体層からなる第1の窒化物半導体層と、該第1の窒化物半導体層の上に積層した前記III−V族窒化物半導体層からなり、アルミニウムを含まない第2の窒化物半導体層と、該第2の窒化物半導体層の一部を除去し、露出する前記第1の窒化物半導体層にショットキ接続する制御電極とを備え、前記第2の窒化物半導体層は、前記第1の窒化物半導体層より成膜温度の低い膜からなることを特徴とする窒化物半導体装置。
- ガリウム、アルミニウム、ホウ素及びインジウムからなる群のうち少なくとも1つからなるIII族元素と、窒素、リン及び砒素からなる群のうち少なくとも窒素を含むV族元素で構成されたIII−V族窒化物半導体層からなる窒化物半導体装置において、基板上に積層した前記III−V族窒化物半導体層からなる第1の窒化物半導体層と、該第1の窒化物半導体層の上に積層した前記III−V族窒化物半導体層からなり、アルミニウムを含まない第2の窒化物半導体層と、該第2の窒化物半導体層の一部を除去し、露出する前記第1の窒化物半導体層にショットキ接続する制御電極とを備え、前記第2の窒化物半導体層は、微結晶構造からなることを特徴とする窒化物半導体装置。
- 前記第1の窒化物半導体層が少なくともアルミニウムを含む前記III−V族窒化物半導体層からなることを特徴とする請求項1または2いずれか記載の窒化物半導体装置。
- 前記基板と前記第1の窒化物半導体層との間に、前記第1の窒化物半導体層のエネルギーギャップより小さいエネルギーギャップを持つ、前記III−V族窒化物半導体層からなる第3の窒化物半導体層を備えたことを特徴とする請求項1乃至3いずれか記載の窒化物半導体装置。
- 前記第2の窒化物半導体層の制御電極形成予定領域の一部を除去し、露出する前記第1の窒化物半導体層にショットキ接続する制御電極と、前記第1の窒化物半導体層にオーミック接触するソース電極及びドレイン電極とを備え、前記第1の窒化物半導体層からなるチャネル、あるいは前記第3の窒化物半導体層と前記第1の窒化物半導体層との間に形成されるチャネルを流れる電流を前記制御電極に印加する電圧により制御することを特徴とする請求項1乃至4いずれか記載の窒化物半導体装置。
- ガリウム、アルミニウム、ホウ素及びインジウムからなる群のうち少なくとも1つからなるIII族元素と、窒素、リン及び砒素からなる群のうち少なくとも窒素を含むV族元素とで構成されたIII−V族窒化物半導体層からなる窒化物半導体装置の製造方法において、
基板上に、前記III−V族窒化物半導体層からなる第1の窒化物半導体層を形成する工程と、
該第1の窒化物半導体層の上に、前記第1の窒化物半導体層を形成する際の成膜温度より低い温度で、前記III−V族窒化物半導体層からなり、かつアルミニウムを含まない微結晶構造からなる第2の窒化物半導体層を形成する工程と、
該第2の窒化物半導体層の制御電極形成予定領域の一部を除去し、前記第1の窒化物半導体層の一部を露出する凹部を形成する工程と、
該凹部内に露出する前記第1の窒化物半導体層の上に制御電極を形成する工程とを含むことを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。 - ガリウム、アルミニウム、ホウ素及びインジウムからなる群のうち少なくとも1つからなるIII族元素と、窒素、リン及び砒素からなる群のうち少なくとも窒素を含むV族元素とで構成されたIII−V族窒化物半導体層からなる窒化物半導体装置の製造方法において、
基板上に、前記III−V族窒化物半導体層からなり、かつアルミニウムを含む第1の窒化物半導体層を形成する工程と、
該第1の窒化物半導体層の上に、前記第1の窒化物半導体層を形成する際の成膜温度より低い温度で、前記III−V族窒化物半導体層からなり、かつアルミニウムを含まない微結晶構造からなる第2の窒化物半導体層を形成する工程と、
該第2の窒化物半導体層の制御電極形成予定領域の一部を除去し、前記第1の窒化物半導体層の一部を露出する凹部を形成する工程と、
該凹部内に露出する前記第1の窒化物半導体層の上に、該第1の窒化物半導体層にショットキ接触する制御電極を形成する工程とを含むことを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。 - 前記基板上に、前記第1の窒化物半導体層のエネルギーギャップより小さいエネルギーギャップを持つ、前記III−V族窒化物半導体層からなる第3の窒化物半導体層を形成する工程を含み、該第3の窒化物半導体層上に、前記第1の窒化物半導体層を形成することを特徴とする請求項6または7いずれか記載の窒化物半導体装置の製造方法。
- 前記第2の窒化物半導体層のソース電極及びドレイン電極形成予定領域の一部を除去し、前記第1の窒化物半導体層の一部を露出する別の凹部を形成する工程と、
該別の凹部内に露出する前記第1の窒化物半導体層の上に、該第1の窒化物半導体層にオーミック接触するソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
前記第2の窒化物半導体層の制御電極形成予定領域の一部を除去し、前記第1の窒化物半導体層の一部を露出する前記凹部を形成する工程と、
該凹部内に露出する前記第1の窒化物半導体層の上に、該第1の窒化物半導体層にショットキ接触する制御電極を形成する工程とを含むことを特徴とする請求項6乃至8いずれか記載の窒化物半導体装置の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004125322A JP4869563B2 (ja) | 2004-04-21 | 2004-04-21 | 窒化物半導体装置及びその製造方法 |
DE102005018319.0A DE102005018319B4 (de) | 2004-04-21 | 2005-04-20 | Nitridhalbleitervorrichtung und deren Herstellungsverfahren |
US11/110,720 US7352017B2 (en) | 2004-04-21 | 2005-04-21 | Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004125322A JP4869563B2 (ja) | 2004-04-21 | 2004-04-21 | 窒化物半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005311029A true JP2005311029A (ja) | 2005-11-04 |
JP4869563B2 JP4869563B2 (ja) | 2012-02-08 |
Family
ID=35135553
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004125322A Expired - Fee Related JP4869563B2 (ja) | 2004-04-21 | 2004-04-21 | 窒化物半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7352017B2 (ja) |
JP (1) | JP4869563B2 (ja) |
DE (1) | DE102005018319B4 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006100455A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | New Japan Radio Co Ltd | 窒化物半導体装置及びその製造方法 |
JP2009010216A (ja) * | 2007-06-28 | 2009-01-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii族窒化物系半導体トランジスタおよびiii族窒化物半導体積層ウエハ |
JP2009070935A (ja) * | 2007-09-12 | 2009-04-02 | New Japan Radio Co Ltd | 窒化物半導体装置 |
JP2009164437A (ja) * | 2008-01-09 | 2009-07-23 | New Japan Radio Co Ltd | 窒化物半導体装置の製造方法 |
JP2010509770A (ja) * | 2006-11-06 | 2010-03-25 | クリー インコーポレイテッド | 埋込み層に低抵抗コンタクトを形成する打込み領域を含んだ半導体デバイスの製作方法および関連したデバイス |
JP2011211239A (ja) * | 2011-07-25 | 2011-10-20 | Panasonic Corp | 半導体装置 |
JP2016213388A (ja) * | 2015-05-12 | 2016-12-15 | 株式会社豊田中央研究所 | 窒化物半導体装置及びその製造方法 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4841844B2 (ja) * | 2005-01-05 | 2011-12-21 | 三菱電機株式会社 | 半導体素子 |
JP4730529B2 (ja) * | 2005-07-13 | 2011-07-20 | サンケン電気株式会社 | 電界効果トランジスタ |
JP2007329350A (ja) * | 2006-06-08 | 2007-12-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
JP5183913B2 (ja) * | 2006-11-24 | 2013-04-17 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09307097A (ja) * | 1996-05-16 | 1997-11-28 | Sony Corp | 半導体装置 |
JPH11261160A (ja) * | 1998-03-10 | 1999-09-24 | Sharp Corp | 窒化物系化合物半導体レーザ素子及びその製造方法 |
JP2000294768A (ja) * | 1999-04-01 | 2000-10-20 | Sony Corp | 半導体素子およびその製造方法 |
JP2003078215A (ja) * | 2001-09-03 | 2003-03-14 | Nec Corp | Iii族窒化物半導体素子およびその製造方法 |
JP2004363346A (ja) * | 2003-06-05 | 2004-12-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3272259B2 (ja) | 1997-03-25 | 2002-04-08 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JPH10335637A (ja) | 1997-05-30 | 1998-12-18 | Sony Corp | ヘテロ接合電界効果トランジスタ |
JP4220683B2 (ja) | 2001-03-27 | 2009-02-04 | パナソニック株式会社 | 半導体装置 |
JP4457564B2 (ja) | 2002-04-26 | 2010-04-28 | 沖電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
2004
- 2004-04-21 JP JP2004125322A patent/JP4869563B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-04-20 DE DE102005018319.0A patent/DE102005018319B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2005-04-21 US US11/110,720 patent/US7352017B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09307097A (ja) * | 1996-05-16 | 1997-11-28 | Sony Corp | 半導体装置 |
JPH11261160A (ja) * | 1998-03-10 | 1999-09-24 | Sharp Corp | 窒化物系化合物半導体レーザ素子及びその製造方法 |
JP2000294768A (ja) * | 1999-04-01 | 2000-10-20 | Sony Corp | 半導体素子およびその製造方法 |
JP2003078215A (ja) * | 2001-09-03 | 2003-03-14 | Nec Corp | Iii族窒化物半導体素子およびその製造方法 |
JP2004363346A (ja) * | 2003-06-05 | 2004-12-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006100455A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | New Japan Radio Co Ltd | 窒化物半導体装置及びその製造方法 |
JP2010509770A (ja) * | 2006-11-06 | 2010-03-25 | クリー インコーポレイテッド | 埋込み層に低抵抗コンタクトを形成する打込み領域を含んだ半導体デバイスの製作方法および関連したデバイス |
US8823057B2 (en) | 2006-11-06 | 2014-09-02 | Cree, Inc. | Semiconductor devices including implanted regions for providing low-resistance contact to buried layers and related devices |
US9984881B2 (en) | 2006-11-06 | 2018-05-29 | Cree, Inc. | Methods of fabricating semiconductor devices including implanted regions for providing low-resistance contact to buried layers and related devices |
JP2009010216A (ja) * | 2007-06-28 | 2009-01-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii族窒化物系半導体トランジスタおよびiii族窒化物半導体積層ウエハ |
JP2009070935A (ja) * | 2007-09-12 | 2009-04-02 | New Japan Radio Co Ltd | 窒化物半導体装置 |
JP2009164437A (ja) * | 2008-01-09 | 2009-07-23 | New Japan Radio Co Ltd | 窒化物半導体装置の製造方法 |
JP2011211239A (ja) * | 2011-07-25 | 2011-10-20 | Panasonic Corp | 半導体装置 |
JP2016213388A (ja) * | 2015-05-12 | 2016-12-15 | 株式会社豊田中央研究所 | 窒化物半導体装置及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102005018319A1 (de) | 2005-12-01 |
US7352017B2 (en) | 2008-04-01 |
JP4869563B2 (ja) | 2012-02-08 |
DE102005018319B4 (de) | 2020-06-04 |
US20050236643A1 (en) | 2005-10-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11699748B2 (en) | Normally-off HEMT transistor with selective generation of 2DEG channel, and manufacturing method thereof | |
JP5087240B2 (ja) | 窒化物半導体装置の製造方法 | |
US7635877B2 (en) | Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof | |
WO2012172753A1 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US7352017B2 (en) | Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof | |
US7601573B2 (en) | Method for producing nitride semiconductor device | |
JP2010522432A (ja) | デプレッションモードGaNベースFETを使用したカスコード回路 | |
JP2008078526A (ja) | 窒化物半導体装置及びその製造方法 | |
JP2010171416A (ja) | 半導体装置、半導体装置の製造方法および半導体装置のリーク電流低減方法 | |
TW201539742A (zh) | 異質接面場效電晶體 | |
JP2009170546A (ja) | GaN系電界効果トランジスタ | |
JP2009111204A (ja) | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 | |
JP2007165590A (ja) | 窒化物半導体装置 | |
JP2007123824A (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体を用いた電子装置 | |
JP4850423B2 (ja) | 窒化物半導体装置 | |
JP4869576B2 (ja) | 窒化物半導体装置及びその製造方法 | |
JP2012064663A (ja) | 窒化物半導体装置およびその製造方法 | |
CN106449406B (zh) | 一种垂直结构GaN基增强型场效应晶体管及其制造方法 | |
JP5113375B2 (ja) | 窒化物半導体装置 | |
JP5208439B2 (ja) | 窒化物半導体装置 | |
JP5460016B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2007066963A (ja) | 窒化物半導体装置 | |
JP2006128586A (ja) | 窒化物半導体装置及びその製造方法 | |
JP5285252B2 (ja) | 窒化物半導体装置 | |
JP2007335736A (ja) | 窒化物半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070207 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100526 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110215 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110405 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111108 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111116 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4869563 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141125 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |