JP4850423B2 - 窒化物半導体装置 - Google Patents
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層105bとノンドープの窒化アルミニウムガリウムからなるショットキ層105との間で形成されるビルトインポテンシャルを利用することにより、ピンチオフ電圧を浅くし、ノーマリーオフ型となっている(たとえば非特許文献1等)。
X.Hu、G.Simin、J.Yang、M.Asif Khan、R.Gaska and M.S.Shur、「Enhancement mode AlGaN/GaN HFET with selectively grown pn junction gate」、ELECTRONICS LETTERS、Vol.36、No.8、2000、p753-754
14、104;キャリア供給層、15、105;ショットキ層、
16、106;ゲート電極、17a、107a;ソース電極、
17b、107b:ドレイン電極
Claims (4)
- 基板上に積層したガリウム、アルミニウム、ホウ素及びインジウムからなる群のうち少なくとも1つからなるIII族元素と、窒素、リン及び砒素からなる群のうちの少なくとも窒素を含むV族元素で構成されたIII−V族窒化物半導体層からなる第1の窒化物半導体層と、該第1の窒化物半導体層の上に積層した前記III−V族窒化物半導体層からなり、アルミニウムを含まない第2の窒化物半導体層と、該第2の窒化物半導体層にショットキ接触する制御電極とを備え、前記第2の窒化物半導体層は、微結晶構造からなる窒化物半導体装置において、前記制御電極に印加する制御電圧が0Vのとき、前記制御電極直下の前記第1の窒化物半導体層からなるチャネルにキャリアが存在せず、前記制御電極直下以外の前記チャネルにキャリアが存在していることを特徴とする窒化物半導体装置。
- 請求項1に記載の窒化物半導体装置において、
前記基板と前記第1の窒化物半導体層との間に、前記第1の窒化物半導体層のエネルギーギャップより小さいエネルギーギャップを持つ、前記III−V族窒化物半導体層からなる第3の窒化物半導体層を備え、前記制御電極に印加する制御電圧が0Vのとき、前記制御電極直下の前記第3の窒化物半導体層と前記第1の窒化物半導体層との間に形成されるチャネルにキャリアが存在せず、前記制御電極直下以外の前記チャネルにキャリアが存在していることを特徴とする窒化物半導体装置。 - 請求項1又は2いずれかに記載の窒化物半導体装置において、
前記第2の窒化物半導体層にショットキ接触する前記制御電極と、前記第1の窒化物半導体層にオーミック接触するソース電極及びドレイン電極とを備え、前記第1の窒化物半導体層からなるチャネル、あるいは前記第3の窒化物半導体層と前記第1の窒化物半導体層との間に形成されるチャネルを流れる電流を前記制御電極に印加する電圧により制御することを特徴とする窒化物半導体装置。 - 請求項1乃至3いずれかに記載の窒化物半導体装置において、
前記第2の窒化物半導体層上にオーミック接触する電極を備え、該電極は、成膜状態の前記第2の窒化物半導体層に接触していることを特徴とする窒化物半導体装置。
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