JP4869563B2 - 窒化物半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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- ガリウム、アルミニウム、ホウ素及びインジウムからなる群のうち少なくとも1つからなるIII族元素と、窒素、リン及び砒素からなる群のうち少なくとも窒素を含むV族元素で構成されたIII−V族窒化物半導体層からなる窒化物半導体装置において、基板上に積層した前記III−V族窒化物半導体層からなる第1の窒化物半導体層と、該第1の窒化物半導体層の上に積層した前記III−V族窒化物半導体層からなり、アルミニウムを含まない第2の窒化物半導体層と、該第2の窒化物半導体層の制御電極形成予定領域の一部を除去し、露出する前記第1の窒化物半導体層にショットキ接続する制御電極と、前記第2の窒化物半導体層のソース電極及びドレイン電極形成予定領域の一部を除去し、露出する前記第1の窒化物半導体層にオーミック接触するソース電極及びドレイン電極とを備え、前記第2の窒化物半導体層は、前記第1の窒化物半導体層より成膜温度の低い膜からなる絶縁性を有する微結晶構造からなり、前記第1の窒化物半導体層からなるチャネルを流れる電流を前記制御電極に印加する電圧により制御することを特徴とする窒化物半導体装置。
- 前記第1の窒化物半導体層が少なくともアルミニウムを含む前記III−V族窒化物半導体層からなることを特徴とする請求項1記載の窒化物半導体装置。
- 前記基板と前記第1の窒化物半導体層との間に、前記第1の窒化物半導体層のエネルギーギャップより小さいエネルギーギャップを持つ、前記III−V族窒化物半導体層からなる第3の窒化物半導体層を備え、該第3の窒化物半導体層と前記第1の窒化物半導体層との間に形成されるチャネルを流れる電流を前記制御電極に印加する電圧により制御することを特徴とする請求項1または2いずれか記載の窒化物半導体装置。
- ガリウム、アルミニウム、ホウ素及びインジウムからなる群のうち少なくとも1つからなるIII族元素と、窒素、リン及び砒素からなる群のうち少なくとも窒素を含むV族元素とで構成されたIII−V族窒化物半導体層からなる窒化物半導体装置の製造方法において、
基板上に、前記III−V族窒化物半導体層からなる第1の窒化物半導体層を形成する工程と、
該第1の窒化物半導体層の上に、前記第1の窒化物半導体層を形成する際の成膜温度より低い温度で、前記III−V族窒化物半導体層からなり、かつアルミニウムを含まない絶縁性を有する微結晶構造からなる第2の窒化物半導体層を形成する工程と、
該第2の窒化物半導体層のソース電極及びドレイン電極形成予定領域の一部を除去し、前記第1の窒化物半導体層の一部を露出する凹部を形成する工程と、
該の凹部内に露出する前記第1の窒化物半導体層の上に、該第1の窒化物半導体層にオーミック接触するソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
前記第2の窒化物半導体層の制御電極形成予定領域の一部を除去し、前記第1の窒化物半導体層の一部を露出する別の凹部を形成する工程と、該別の凹部内に露出する前記第1の窒化物半導体層の上に制御電極を形成する工程とを含むことを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。 - ガリウム、アルミニウム、ホウ素及びインジウムからなる群のうち少なくとも1つからなるIII族元素と、窒素、リン及び砒素からなる群のうち少なくとも窒素を含むV族元素とで構成されたIII−V族窒化物半導体層からなる窒化物半導体装置の製造方法において、
基板上に、前記III−V族窒化物半導体層からなり、かつアルミニウムを含む第1の窒化物半導体層を形成する工程と、
該第1の窒化物半導体層の上に、前記第1の窒化物半導体層を形成する際の成膜温度より低い温度で、前記III−V族窒化物半導体層からなり、かつアルミニウムを含まない絶縁性を有する微結晶構造からなる第2の窒化物半導体層を形成する工程と、
該第2の窒化物半導体層のソース電極及びドレイン電極形成予定領域の一部を除去し、前記第1の窒化物半導体層の一部を露出するの凹部を形成する工程と、
該凹部内に露出する前記第1の窒化物半導体層の上に、該第1の窒化物半導体層にオーミック接触するソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
前記第2の窒化物半導体層の制御電極形成予定領域の一部を除去し、前記第1の窒化物半導体層の一部を露出する別の凹部を形成する工程と、該別の凹部内に露出する前記第1の窒化物半導体層の上に制御電極を形成する工程とを含むことを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。 - 前記基板上に、前記第1の窒化物半導体層のエネルギーギャップより小さいエネルギーギャップを持つ、前記III−V族窒化物半導体層からなる第3の窒化物半導体層を形成する工程を含み、該第3の窒化物半導体層上に、前記第1の窒化物半導体層を形成することを特徴とする請求項4または5いずれか記載の窒化物半導体装置の製造方法。
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