JP2005252244A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2005252244A5
JP2005252244A5 JP2005024838A JP2005024838A JP2005252244A5 JP 2005252244 A5 JP2005252244 A5 JP 2005252244A5 JP 2005024838 A JP2005024838 A JP 2005024838A JP 2005024838 A JP2005024838 A JP 2005024838A JP 2005252244 A5 JP2005252244 A5 JP 2005252244A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
film layer
semiconductor thin
substrate
manufacturing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2005024838A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2005252244A (ja
JP5110772B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2005024838A priority Critical patent/JP5110772B2/ja
Priority claimed from JP2005024838A external-priority patent/JP5110772B2/ja
Publication of JP2005252244A publication Critical patent/JP2005252244A/ja
Publication of JP2005252244A5 publication Critical patent/JP2005252244A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5110772B2 publication Critical patent/JP5110772B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2005024838A 2004-02-03 2005-02-01 半導体薄膜層を有する基板の製造方法 Expired - Fee Related JP5110772B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005024838A JP5110772B2 (ja) 2004-02-03 2005-02-01 半導体薄膜層を有する基板の製造方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004026584 2004-02-03
JP2004026584 2004-02-03
JP2005024838A JP5110772B2 (ja) 2004-02-03 2005-02-01 半導体薄膜層を有する基板の製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008286231A Division JP5358159B2 (ja) 2004-02-03 2008-11-07 半導体薄膜層を有する基板の製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2005252244A JP2005252244A (ja) 2005-09-15
JP2005252244A5 true JP2005252244A5 (fr) 2008-12-25
JP5110772B2 JP5110772B2 (ja) 2012-12-26

Family

ID=35032391

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005024838A Expired - Fee Related JP5110772B2 (ja) 2004-02-03 2005-02-01 半導体薄膜層を有する基板の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5110772B2 (fr)

Families Citing this family (83)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5103607B2 (ja) * 2005-11-04 2012-12-19 国立大学法人東京農工大学 剥離層除去方法
US7579654B2 (en) * 2006-05-31 2009-08-25 Corning Incorporated Semiconductor on insulator structure made using radiation annealing
JP5003033B2 (ja) 2006-06-30 2012-08-15 住友電気工業株式会社 ＧａＮ薄膜貼り合わせ基板およびその製造方法、ならびにＧａＮ系半導体デバイスおよびその製造方法
JP5019852B2 (ja) * 2006-11-10 2012-09-05 信越化学工業株式会社 歪シリコン基板の製造方法
JP5284576B2 (ja) * 2006-11-10 2013-09-11 信越化学工業株式会社 半導体基板の製造方法
WO2008123116A1 (fr) 2007-03-26 2008-10-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Substrat soi et procédé de réalisation d'un substrat soi
WO2008123117A1 (fr) 2007-03-26 2008-10-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Substrat soi et procédé de réalisation d'un substrat soi
CN101281912B (zh) 2007-04-03 2013-01-23 株式会社半导体能源研究所 Soi衬底及其制造方法以及半导体装置
CN101657882B (zh) 2007-04-13 2012-05-30 株式会社半导体能源研究所 显示器件、用于制造显示器件的方法、以及soi衬底
KR101440930B1 (ko) 2007-04-20 2014-09-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 Ｓｏｉ 기판의 제작방법
US7767542B2 (en) 2007-04-20 2010-08-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Manufacturing method of SOI substrate
KR101436115B1 (ko) * 2007-04-27 2014-09-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 기판의 제조방법, 및 반도체장치의 제조방법
JP5289805B2 (ja) 2007-05-10 2013-09-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置製造用基板の作製方法
KR101443580B1 (ko) 2007-05-11 2014-10-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 Soi구조를 갖는 기판
US7825007B2 (en) 2007-05-11 2010-11-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of joining a plurality of SOI substrates on a glass substrate by a heat treatment
US8513678B2 (en) 2007-05-18 2013-08-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
EP1993127B1 (fr) 2007-05-18 2013-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Procédé de fabrication d'un substrat SOI
US7960262B2 (en) * 2007-05-18 2011-06-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device by applying laser beam to single-crystal semiconductor layer and non-single-crystal semiconductor layer through cap film
US7745268B2 (en) 2007-06-01 2010-06-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device with irradiation of single crystal semiconductor layer in an inert atmosphere
DE202007019495U1 (de) 2007-06-06 2013-01-10 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Substrat mit darauf aufgetragener GaN Dünnschicht und Halbleitervorrichtung auf GaN-Basis
WO2008156040A1 (fr) * 2007-06-20 2008-12-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur
KR101484296B1 (ko) 2007-06-26 2015-01-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 기판의 제작방법
US7795111B2 (en) 2007-06-27 2010-09-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of SOI substrate and manufacturing method of semiconductor device
KR101404781B1 (ko) 2007-06-28 2014-06-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제조 방법
EP2009687B1 (fr) * 2007-06-29 2016-08-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Procédé de fabrication d'un substrat SOI et procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur
US8431451B2 (en) 2007-06-29 2013-04-30 Semicondutor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
US7678668B2 (en) 2007-07-04 2010-03-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of SOI substrate and manufacturing method of semiconductor device
JP5463017B2 (ja) * 2007-09-21 2014-04-09 株式会社半導体エネルギー研究所 基板の作製方法
JP2009094488A (ja) * 2007-09-21 2009-04-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体膜付き基板の作製方法
KR101499175B1 (ko) 2007-10-04 2015-03-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 기판의 제조방법
US7799658B2 (en) 2007-10-10 2010-09-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor substrate and method for manufacturing semiconductor device
JP5490393B2 (ja) * 2007-10-10 2014-05-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体基板の製造方法
US7989305B2 (en) 2007-10-10 2011-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing SOI substrate using cluster ion
JP5527956B2 (ja) * 2007-10-10 2014-06-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体基板の製造方法
US8236668B2 (en) 2007-10-10 2012-08-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing SOI substrate
JP2009135430A (ja) * 2007-10-10 2009-06-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
JP2009135453A (ja) 2007-10-30 2009-06-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法、半導体装置及び電子機器
JP2009135448A (ja) * 2007-11-01 2009-06-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体基板の作製方法及び半導体装置の作製方法
US8163628B2 (en) * 2007-11-01 2012-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor substrate
CN101842910B (zh) 2007-11-01 2013-03-27 株式会社半导体能源研究所 用于制造光电转换器件的方法
US7851318B2 (en) 2007-11-01 2010-12-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor substrate and method for manufacturing the same, and method for manufacturing semiconductor device
JP5548356B2 (ja) 2007-11-05 2014-07-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8148236B2 (en) 2007-11-30 2012-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing thereof
US7842583B2 (en) * 2007-12-27 2010-11-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor substrate and method for manufacturing semiconductor device
US7947570B2 (en) * 2008-01-16 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method and manufacturing apparatus of semiconductor substrate
JP5404064B2 (ja) 2008-01-16 2014-01-29 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザ処理装置、および半導体基板の作製方法
JP5503876B2 (ja) 2008-01-24 2014-05-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体基板の製造方法
US8003483B2 (en) 2008-03-18 2011-08-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing SOI substrate
JP5411438B2 (ja) * 2008-03-18 2014-02-12 信越化学工業株式会社 Ｓｏｉ基板の製造方法
EP2105957A3 (fr) 2008-03-26 2011-01-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Procédé de fabrication d'un substrat SOI et procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur
JP2009260315A (ja) 2008-03-26 2009-11-05 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Ｓｏｉ基板の作製方法及び半導体装置の作製方法
JP2009260313A (ja) 2008-03-26 2009-11-05 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Ｓｏｉ基板の作製方法及び半導体装置の作製方法
JP5654206B2 (ja) 2008-03-26 2015-01-14 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｓｏｉ基板の作製方法及び該ｓｏｉ基板を用いた半導体装置
US7939389B2 (en) 2008-04-18 2011-05-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP5700617B2 (ja) 2008-07-08 2015-04-15 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｓｏｉ基板の作製方法
US7943414B2 (en) 2008-08-01 2011-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing SOI substrate
US8815657B2 (en) 2008-09-05 2014-08-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
SG160302A1 (en) * 2008-09-29 2010-04-29 Semiconductor Energy Lab Method for manufacturing semiconductor substrate
SG160295A1 (en) 2008-09-29 2010-04-29 Semiconductor Energy Lab Method for manufacturing semiconductor device
US20100081251A1 (en) * 2008-09-29 2010-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing soi substrate
US8741740B2 (en) 2008-10-02 2014-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing SOI substrate
US8377804B2 (en) * 2008-10-02 2013-02-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor substrate and semiconductor device
JP2010114431A (ja) 2008-10-10 2010-05-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Ｓｏｉ基板の作製方法
SG161151A1 (en) 2008-10-22 2010-05-27 Semiconductor Energy Lab Soi substrate and method for manufacturing the same
JP5389627B2 (ja) * 2008-12-11 2014-01-15 信越化学工業株式会社 ワイドバンドギャップ半導体を積層した複合基板の製造方法
SG182208A1 (en) 2008-12-15 2012-07-30 Semiconductor Energy Lab Manufacturing method of soi substrate and manufacturing method of semiconductor device
SG178765A1 (en) * 2009-01-21 2012-03-29 Semiconductor Energy Lab Method for manufacturing soi substrate and semiconductor device
SG166060A1 (en) 2009-04-22 2010-11-29 Semiconductor Energy Lab Method of manufacturing soi substrate
US8043938B2 (en) * 2009-05-14 2011-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing SOI substrate and SOI substrate
JP2011029609A (ja) 2009-06-26 2011-02-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Ｓｏｉ基板の作製方法およびｓｏｉ基板
JP5713603B2 (ja) 2009-09-02 2015-05-07 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｓｏｉ基板の作製方法
JP2011077504A (ja) 2009-09-02 2011-04-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
JP5846727B2 (ja) * 2009-09-04 2016-01-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体基板の作製方法
JP5587107B2 (ja) * 2009-09-18 2014-09-10 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｓｏｉ基板の作製方法
JP5866088B2 (ja) 2009-11-24 2016-02-17 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｓｏｉ基板の作製方法
US8476147B2 (en) 2010-02-03 2013-07-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. SOI substrate and manufacturing method thereof
FR2961719B1 (fr) 2010-06-24 2013-09-27 Soitec Silicon On Insulator Procede de traitement d'une piece en un materiau compose
JP5688709B2 (ja) * 2010-09-24 2015-03-25 国立大学法人東京農工大学 薄膜半導体基板の製造方法
JP5902917B2 (ja) 2010-11-12 2016-04-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体基板の作製方法
US8802534B2 (en) 2011-06-14 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming SOI substrate and apparatus for forming the same
US9029238B2 (en) * 2012-10-11 2015-05-12 International Business Machines Corporation Advanced handler wafer bonding and debonding
JP6278498B1 (ja) * 2017-05-19 2018-02-14 日本新工芯技株式会社 リング状部材の製造方法及びリング状部材
CN108598218B (zh) * 2018-04-26 2020-08-11 上海空间电源研究所 一种外延层刚性-柔性衬底无机键合转移方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08203659A (ja) * 1995-01-26 1996-08-09 Hitachi Ltd 加熱装置
JPH1197379A (ja) * 1997-07-25 1999-04-09 Denso Corp 半導体基板及び半導体基板の製造方法
JPH11145438A (ja) * 1997-11-13 1999-05-28 Shin Etsu Handotai Co Ltd Ｓｏｉウエーハの製造方法ならびにこの方法で製造されるｓｏｉウエーハ
JPH11163363A (ja) * 1997-11-22 1999-06-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US5909627A (en) * 1998-05-18 1999-06-01 Philips Electronics North America Corporation Process for production of thin layers of semiconductor material
JP2000150835A (ja) * 1998-11-05 2000-05-30 Fujitsu Ltd 非単結晶シリコン薄膜の製造方法
JP2001319891A (ja) * 2000-05-10 2001-11-16 Nec Corp 薄膜処理方法及び薄膜処理装置
JP2003282885A (ja) * 2002-03-26 2003-10-03 Sharp Corp 半導体装置およびその製造方法
JP4759919B2 (ja) * 2004-01-16 2011-08-31 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2005252244A5 (fr)
JP5110772B2 (ja) 半導体薄膜層を有する基板の製造方法
WO2016194975A1 (fr) Procédé de fabrication de tranche composite équipée d'un film mince monocristallin d'oxyde
JP5420968B2 (ja) 貼り合わせウェーハの製造方法
CN105009253B (zh) 半导体器件的制造方法
TWI482198B (zh) And a wide-band gap semiconductor is used for manufacturing a composite substrate
TWI527099B (zh) 用於回收基材之方法
KR101120139B1 (ko) 레이저 리프트 오프를 이용한 플렉서블 반도체 소자의 제조 방법
JP6168143B2 (ja) ハイブリッド基板の製造方法
JP2009111362A5 (fr)
JP2008311621A5 (fr)
TWI456689B (zh) Ｓｏｉ晶圓的製造方法
JP2009158943A5 (fr)
JP2009260315A5 (fr)
WO2015186625A1 (fr) Procédé de fabrication d'un semi-conducteur présentant une couche de getter, procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteurs et dispositif à semi-conducteurs
WO2019044142A1 (fr) Procédé de fabrication de substrat
US9659777B2 (en) Process for stabilizing a bonding interface, located within a structure which comprises an oxide layer and structure obtained
JP6150371B2 (ja) 酸化亜鉛（ＺｎＯ）系単結晶、ＺｎＯ系薄膜及びＺｎＯ系単結晶性薄膜の製造方法、並びにＺｎＯ系単結晶性薄膜及び該ＺｎＯ系単結晶性薄膜からなるＺｎＯ系材料
JP2012031011A (ja) グラフェンシート付き基材及びその製造方法
JP2012124263A5 (fr)
JP4594121B2 (ja) Ｓｏｉウエーハの製造方法及びｓｏｉウエーハ
JP2012519372A (ja) ドナー基板の引張り応力状態を低減させることを目的としたヘテロ構造を製造する方法
CN109742012B (zh) 一种用于改善硅超晶格薄膜光电特性的低温微波退火方法
JP7311528B2 (ja) 光束を用いることによって取外し可能な複合構造の分離方法
JP5358159B2 (ja) 半導体薄膜層を有する基板の製造方法