JP2005242297A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明に係る液晶表示装置は、カラムスペーサーが固定された第1基板と前記カラムスペーサーに対応する位置に突起が形成され、前記突起が前記カラムスペーサーに接触するように前記第1基板と向き合う第2基板と、前記第1、第2基板の間に形成された液晶層とを含んで構成されることを特徴とする。
【選択図】図6
Description
液晶表示装置は、図1に示したように、一定の空間を有して貼り合せられた第1基板1及び第2基板2と、前記第1基板1及び第2基板2の間に注入された液晶層3とで構成されている。
まず、液晶注入方式の液晶表示装置の製造方法は次の通りである。
液晶表示装置は、大きく、アレイ工程、セル工捏、モジュール工程などに区分される。
アレイ工程は、前述したように、前記TFT基板に互いに垂直となる方向に形成されたゲートライン及びデータラインと、前記ゲートラインに平行に形成された共通ラインと前記ゲートラインとデータラインが交差する部分に形成された薄膜トランジスターと、前記共通ラインから画素領域に延長される共通電極と、前記薄膜トランジスターのドレイン電極に連結され、前記共通電極の間に前記共通電極と平行に形成された画素電極などを備えているTFTアレイを形成し、カラーフィルター基板にブラックマトリックス層、カラーフィルター層、及びオーバーコート層などを備えたカラーフィルターアレイを形成する工程である。
ここで、前記配向工程SlOは、配向膜塗布前の洗浄、配向膜印刷、配向膜塑性、配向膜検査、ラビング工程の順に進められる。
そして、前記TFT基板又はカラーフィルター基板上にセルギャップを一定に椎持するためのボールスペーサーを散布(S30)し、前記各液晶パネル領域の外郭部に両基板を貼り合わせるためのシールパターンを形成する(S40)。この際、シールパターンは、液晶を注入するための液晶注入口パターンを有するように形成される。
まず、注入する液品物質を入れてある容器と、液晶を注入する液晶パネルとをチャンバー内部に位置させ、前記チャンバーの圧力を真空状態に維持することで、液晶物質の中や容器の内側に付いている水分を除去し、気泡を脱泡すると同時に前記液晶パネルの内部空間を真空状態にする。
即ち、液晶滴下方式の液晶表示装置の製造方法は、両基板を貼り合わせる前に両基板のうち何れか一方の基板に適当量の液晶を滴下した後、両基板を貼り合わせる方法である。
従って、液晶注入方式と同様にセルギャップ維持のためにボールスペーサーを使用する場合は、滴下した液晶が広がる時に前記ボールスペーサーが液晶の拡散方向に移動して、スペーサーが一方に片寄るので、正確なセルギャップの維持が不可能となる。
それゆえ、液晶滴下方式では、ボールスペーサーを使用せず、スペーサーが基板に固定される固定スペーサー(カラムスペーサー、又はパターン化スペーサー)を使用しなければならない。
そして、前記カラムスペーサーを含むTFT基板、及びカラーフィルター基板の全面に配向膜を塗布し、その配向膜をラビング処理する。
そして、前記加工された単位液晶パネルの外観及び電気的な不良検査(Sl07)を進めることで、液晶表示素子を製作する。
図4に示したように、前記液晶表示装置にはカラーフィルター基板2上にカラムスペーサー20が形成され、TFT基板に液晶を滴下して形成したものである。
前述したように、前記カラムスペーサーはカラーフィルター基板に固定されており、TFT基板に接触される。そして、前記TFT基板に接触されるカラムスペーサーの面は球状ではなく、平坦な面を有する。従って、液晶注入方式で製造される液晶表示装置では球状のボールスペーサーを使用し、且つスペーサーが基板に固定されないため、画面上に外部的な衝撃(押圧、摩擦など)を加えても液晶の復元力に優れており、染みが発生しない。
図5aに示したように、液晶パネル10を所定の方向に指でタッチした状態でずれると、図5bに示したように、液晶パネルの上部基板は指のずれる方向に所定の間隔てシフトする。この時、円柱状のカラムスペーサーが上下部の基板に触れ、その接触面積が大きくなるため、カラムスペーサーと対向基板との間に発生する摩擦力が大きい。よって、カラムスペーサーの間の液晶は元の状態に戻りにくく、そのため不透明に見える染みが継続的に観察される。
従って、液晶パネル面を所定の方向に擦ってもカラムスペーサーと対向する基板間の摩擦力か低くなり、液晶の復元か速やかに進められるので、タッチスポットを防止することかでき、タッチスポットで発生する輝度の不均一を改善して、層度に優れた液晶パネルを生産することができる。
図6に示したように、本発明の第1実施形態に係る液晶表示装置は、カラーフィルターアレイが形成されたカラーフィルター基板100と、前記カラーフィルター基板100と対向してTFTアレイが形成されたTFT基板200と、前記カラーフィルター基板100とTFT基板200との間に液晶層55と、前記カラーフィルター基板100と前記TFT基板200との間にTFT基板200と所定の間で隔離して前記カラーフィルター基板100上に形成された複数個の第1、第2カラムスペーサー50a、50bと、前記複数個の第1カラムスペーサー50aに対応する部分のTFT基板200に形成された突起51とを含んでなる。
前記第1、第2カラムスペーサー50a、50bは、TFT基板200のゲートライン、又はデータラインに相応する領域に形成される。勿論、これに限定されず、前記第2カラムスペーーサーは画素領域に形成され得る。
本発明の第1実施形態に係る液晶表示装置は、図7aに示したようにタッチ時には第1カラムスペーサー50aと、突起51との接触面積が小さく、両方の間に摩擦力が小さい。
従って、タッチ後液晶がタッチされた状態で止まっておらず、図7bに示したように元の状態に素早く回復される。従って、従来のカラムスペーサーのように、タッチ部位に液晶が片寄って発生する光漏れ現象が起こらず、輝度がパネルの全面にかけて均一となる。
即ち、本発明の第1実施形態は、図8及び図9に示したように、一定の空間を有して貼り合せられたカラーフィルター基板100及びTFT基板200と、前記カラーフィルター基板100とTFT基板200との間に注入された液晶層55とで構成されている。
そして、前記各ゲートライン41とデータライン42が交差する部分にソース/ドレイン電極42a、42bを備えた薄膜トランジスターTFTが形成され、前記薄膜トランジスターのドレイン電極に連結され、前記各画素領域には前記共通電極47aと平行に前記共通電極の間に画素電極43が形成される。
即ち、図8及び図10に示したように、本発明の液晶表示装置は、一定の空間を有して貼り合せられたカラーフィルター基板100及びTFT基板200と、前記カラーフィルター基板100とTFT基板200の間に注入された液晶層55とで構成されている。
ここで、前記薄膜トランジスター、画素電極及び突起の製造について詳細に説明する。
即ち、本発明の第3実施形態は、図11乃至図13に示したように、一定の空間を有して貼り合せられたカラーフィルター基板100及びTFT基板200と、前記カラーフィルター基板100とTFT基板200との間に注入された液晶層55とで構成されている。
前記第1突起パターン44aは、三つの画素のうち、一つの画素で前記第1カラムスペーサー50aと整列(オーバーラップ)されるように一定の位置で形成される。
図15に示したように、本発明の第5実施形態に係る液晶表示装置は、互いに面積が異なる2層の第1突起パターン51aと、第2突起パターン51bとで突起部の構造を形成する。
図16に示したように、本発明の第6実施形態に係る液晶表示装置は、前記第1カラムスペーサー50aに対応するTFT基板200上に第1突起パターン51aを形成した後、前記第1突起パターン51aの一部分をオーバーラップするようにTFT基板上に第2突起パターン51bを形成したものである。
図17に示したように、本発明の第7実施形態に係る液晶表示装置は、TFT基板200上に第1有機絶縁膜を蒸着し、パターニングして互いに離隔した第1、第2突起パターン51a、51bを形成し、前記第1、第2突起パターン51a、51bを含む前記TFT基板200の全面に第2有機絶縁膜を形成した後、これをパターニングして前記第1、第2突起パターン51a、51bにかけて第1カラムスペーサー50aと接触する第3突起パターン51cを形成する。
図18に示したように、本発明の第8実施形態に係る液晶表示装置は、突起部の構造を互いに面積が異なる2層の第1突起パターン51aと、第2突起パターン51bとで形成するが、第1突起パターン51aの面積を第2突起パターン51bの面積より更に小さく形成して、前記第2突起パターン51bが第1突起パターン51aを包むように形成したものである。
図19は本発明の第9実施形態に係るTNモードの液晶表示装置の平面図で、図20は図19のIV−IV′線上の断面図である。
この場合、前記突起が形成されていない第2カラムスペーサーは、パネルの押圧不良を防止する機能を果たす。
32 カラーフィルター層
33 オーバーコート層
34 共通電極
41 ゲートライン
41a ゲート電極
42 データライン
42a ソース電極
42b ドレイン電極
43 画素電極
44 半導体層
45 ゲート絶縁膜
46 保護膜
50、50a、50b カラムスペーサー
51 突起
55 液晶層
44a、42c、51a、51b、51c 突起パターン
60 第1基板
70 第2基板
100 カラーフィルター基板
200 TFT基板
Claims (83)
- カラムスペーサーが固定された第1基板と、
前記カラムスペーサーに対応する位置に突起が形成された第2基板であって、前記突起が前記カラムスペーサーに接触するように前記第1基板と向き合う第2基板と、
前記第1、第2基板の間に形成された液晶層と
を含んで構成されることを特徴とする液晶表示装置。 - 前記突起は、前記カラムスペーサーに対応する位置に複数個が形成されることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記カラムスぺーサーと突起は、同一の物質で形成されることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記突起は、第1突起パターンと第2突起パターンとが積層され形成されることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記第1突起パターンは、第2突起パターンより更に広い面積を有することを特徴とする請求項4に記載の液晶表示装置。
- 前記第2突起パターンは、第1突起パターンより更に広い面積を有し、第1突起パターンを包むように形成されることを特徴とする請求項4に記載の液晶表示装置。
- 前記突起は、
第2基板に形成された第1突起パターンと、
前記第1突起パターンに一定の部分がオーバーラップするように前記第2基板に形成された第2突起パターンとを有することを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。 - 前記突起は、
互いに離隔した第1、第2突起パターンと、
前記第1、第2突起パターンにかけて前記カラムスペーサーと接触するように形成された第3突起パターンとを有することを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。 - 前記第1、第2、第3突起パターンは有機絶縁膜を形成することを特徴とする請求項8に記載の液晶表示装置。
- 前記第3突起パターンの表面は前記第1、第2突起パターンの段差によって凹部を有することを特徴とする請求項8に記載の液晶表示装置。
- 前記突起は、前記第1カラムスペーサーの断面積より更に狭い断面積を有することを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記カラムスペーサーが固定された第1基板、又は前記突起が形成された第2基板の表面に少なくとも一つの配向膜が更に形成されることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 複数個の第1、第2カラムスペーサーが固定された第1基板と、
前記第1カラムスペーサーに対応する位置に突起が形成された第2基板であって、前記突起が前記第1カラムスペーサーに接触する第2基板と、
前記第1、第2基板の間に形成された液晶層と
を含んで構成されることを特徴とする液晶表示装置。 - 前記突起は、前記第1カラムスぺーサーに対応する位置に複数個が形成されることを特徴とする請求項13に記載の液晶表示装置。
- 前記第1、第2カラムスぺーサーと突起は、同一の物質で形成されることを特徴とする請求項13に記載の液晶表示装置。
- 前記第2カラムスぺーサーと第2基板とは一定の間隔で離隔することを特徴とする請求項13に記載の液晶表示装置。
- 前記第1カラムスぺーサーに相応する第2基板の表面と、前記第2カラムスぺーサーに相応する第2基板の表面とは500Å以上の段差を有することを特徴とする請求項13に記載の液晶表示装置。
- 前記突起は、第1突起パターンと第2突起パターンとが積層され形成されることを特徴とする請求項13に記載の液晶表示装置。
- 前記第1突起パターンは、第2突起パターンより更に広い面積を有することを特徴とする請求項18に記載の液晶表示装置。
- 前記第2突起パターンは、第1突起パターンより更に広い面積を有し、第1突起パターンを包むように形成されることを特徴とする請求項18に記載の液晶表示装置。
- 前記突起は、
第2基板に形成された第1突起パターンと、
前記第1突起パターンに一定の部分がオーバーラップするように、前記第2基板に形成された第2突起パターンとを有することを特徴とする請求項13に記載の液晶表示装置。 - 前記突起は、
前記第2基板に互いに離隔して形成した第1、第2突起パターンと、前記第1、第2突起パターンにかけて前記第2基板に形成した第3突起パターンとを有することを特徴とする請求項13に記載の液晶表示装置。 - 前記第1、第2、第3突起パターンは有機絶縁膜を形成することを特徴とする請求項22に記載の液晶表示装置。
- 前記第3突起パターンの表面は前記第1、第2突起パターンの段差によって凹部を有することを特徴とする請求項22に記載の液晶表示装置。
- 前記突起は、前記第1カラムスぺーサーの断面積より更に狭い断面積を有することを特徴とする請求項13に記載の液晶表示装置。
- 前記第1、第2カラムスぺーサーが固定された第1基板、又は前記突起が形成された第2基板の表面に少なくとも一つの配向膜が更に形成されることを特徴とする請求項13に記載の液晶表示装置。
- 互いに向き合う第1、第2基板と
前記第1基板に形成された複数個の第1、第2カラムスペーサーと、
画素領域を定義するために、前記第2基板に互いに交差して形成されたゲートライン及びデータラインと、
半導体層、及びソース/ドレイン電極を備えて前記ゲートラインとデータラインが交差する部分に形成された薄膜トランジスターと、
前記ドレイン電極にコンタクトホールを有するように第2基板に形成された保護膜と、
前記薄膜トランジスターのドレイン電極に連結され、前記保護膜上の画素領域に形成される画素電極と、
前記第1カラムスペーサーに対応する部分の保護膜上に形成され、前記第1カラムスペーサーと接触する突起と、
前記第1、第2基板との間に形成される液晶層と
を備えて構成されることを特徴とする液晶表示装置。 - 前記突起は、前記第1カラムスペーサーに対応する位置に複数個が形成されることを特徴とする請求項27に記載の液晶表示装置。
- 前記第2カラムスペーサーと第2基板とは一定の間隔で離隔することを特徴とする請求項27に記載の液晶表示装置。
- 前記突起は、第1突起パターンと第2突起パターンとが積層され形成されることを特徴とする請求項27に記載の液晶表示装置。
- 前記第1突起パターンは、第2突起パターンより更に広い面積を有することを特徴とする請求項30に記載の液晶表示装置。
- 前記第2突起パターンは、第1突起パターンより更に広い面積を有し、第1突起パターンを包むように形成されることを特徴とする請求項30に記載の液晶表示装置。
- 前記突起は、
前記保護膜上に形成された第1突起パターンと、前記第1突起パターンに一定の部分がオーバーラップするように前記保護膜上に形成された第2突起パターンとを有することを特徴とする請求項27に記載の液晶表示装置。 - 前記突起は、
前記保護膜上に互いに離隔して形成された第1、第2突起パターンと、前記第1、第2突起パターンにかけて前記保護膜上に形成された第3突起パターンとを有することを特徴とする請求項27に記載の液晶表示装置。 - 前記第1、第2、第3突起パターンは、有機絶縁膜を形成することを特徴とする請求項34に記載の液晶表示装置。
- 前記第3突起パターンの表面は、前記第1、第2突起パターンの段差によって凹部を有することを特徴とする請求項34に記載の液晶表示装置。
- 前記突起は、前記第1カラムスペーサーの断面積より更に狭い断面積を有することを特徴とする請求項27に記載の液晶表示装置。
- 前記第1、第2カラムスペーサーが固定された第1基板、又は前記突起が形成された第2基板の表面に少なくとも一つの配向膜が更に形成されることを特徴とする請求項27に記載の液晶表示装置。
- 互いに向き合う第1、第2基板と、
前記第1基板に形成された複数個の第1、第2カラムスペーサーと、
画素領域を定義するために前記第2基板と互いに交差して形成されたゲートライン及びデータラインと、
前記ゲートラインと平行方向に形成され、前記画素領域に前記データラインと平行方向に複数個の共通電極が突出した共通ラインと、
半導体層、及びソース/ドレイン電極を備え、前記ゲートラインとデータラインが交差する部分に形成された薄膜トランジスターと、
前記ドレイン電極にコンタクトホールを有するように第2基板に形成された保護膜と、
前記薄膜トランジスターのドレイン電極に連結され、前記保護膜上の画素領域に前記共通電極と一定の間隔で離隔して共通電極に平行に形成される画素領域と、
前記第1カラムスペーサーに対応する部分の保護膜上に形成され、前記第1カラムスペーサーと接触する突起と、
前記第1、第2基板との間に形成される液晶層と
を備えて構成されることを特徴とする液晶表示装置。 - 互いに向き合う第1、第2基板と、
前記第1基板に形成された複数個の第1、第2カラムスペーサーと、
前記第2基板に形成されたゲートライン及びゲート電極と、
前記ゲートライン及びゲート電極を含む第2基板の全面に形成されるゲート絶縁膜と、
前記ゲート電極の上側のゲート絶縁膜、及び前記第1カラムスペーサーに相応する部分のゲート絶縁膜上にそれぞれ形成された半導体層、及び第1突起パターンと、
画素領域を定義するために前記ゲートラインに垂直な方向に形成されるデータライン、前記半導体層の両側に形成されたソース/ドレイン電極、及び前記第1突起パターン上に形成された第2突起パターンと、
前記ドレイン電極にコンタクトホールを有するように前記第1、第2突起パターンを含む第2基板に形成された保護膜と、
前記薄膜トランジスターのドレイン電極に連結され、前記保護膜上の画素領域に形成される画素電極と、
前記第1、第2基板との間に形成される液晶層と
を備えて構成されることを特徴とする液晶表示装置。 - 前記第1、第2突起パターンは、前記第1カラムスペーサーに対応する位置に複数個が形成されることを特徴とする請求項40に記載の液晶表示装置。
- 前記第2カラムスペーサーと第2基板は一定の間隔で離隔することを特徴とする請求項40に記載の液晶表示装置。
- 前記第1突起パターンは、第2突起パターンより更に広い面積を有することを特徴とする請求項40に記載の液晶表示装置。
- 前記第2突起パターンは、前記第1突起パターンより更に広い面積を有し、第1突起パターンを包むように形成されることを特徴とする請求項40に記載の液晶表示装置。
- 前記第2突起パターンは、前記第1突起パターンに一定の部分がオーバーラップするよう前記ゲート絶縁膜上に形成されることを特徴とする請求項40に記載の液晶表示装置。
- 前記第1突起パターンは、前記半導体層と同一の物質で形成されることを特徴とする請求項40に記載の液晶表示装置。
- 前記第2突起パターンは、前記データラインと同一の物質で形成されることを特徴とする請求項40に記載の液晶表示装置。
- 前記第1、第2カラムスペーサーが固定された第1基板、又は前記画素電極が形成された第2基板の表面に少なくとも一つの配向膜が更に形成されることを特徴とする請求項40に記載の液晶表示装置。
- 互いに向き合う第1、第2基板と、
前記第1基板に形成された複数個の第1、第2カラムスペーサーと、
前記第2基板に形成されたゲートライン及びゲート電極と、
前記ゲートラインに平行し、複数個の共通電極を有する共通ラインと、
前記ゲートライン及び共通ラインを含む第2基板の全面に形成されるゲート絶縁膜と、
前記ゲート電極の上側のゲート絶縁膜、及び前記第1カラムスペーサーに相応する部分のゲート絶縁膜上にそれぞれ形成された半導体層、及び第1突起パターンと、
画素領域を定義するために前記ゲートラインに垂直な方向に形成されるデータライン、前記半導体層の両側に形成されたソース/ドレイン電極、及び前記第1突起パターン上に形成された第2突起パターンと、
前記ドレイン電極にコンタクトホールを有するように前記第1、第2突起パターンを含む第2基板に形成された保護膜と、
前記薄膜トランジスターのドレイン電極に連結され、前記保護膜上の画素領域に前記共通電極と一定の間隔で離隔して前記共通電極に平行に形成される画素電極と、
前記第1、第2基板との間に形成される液晶層と
を備えて構成されることを特徴とする液晶表示装置。 - 複数個の画素領域を備えて互いに向き合う第1、第2基板と、
前記第2基板の各画素領域に形成される複数個の突起と、
第1カラムスペーサーは前記一つの突起に整列され、第2カラムスペーサーは前記突起と整列されないように前記三つの画素領域ごとに第1基板に一つずつ形成される第1カラムスペーサー及び第2カラムスペーサーと
前記第1、第2基板の間に形成された液晶層と、
を含んで構成されることを特徴とする液晶表示装置。 - 前記突起は、前記第1カラムスペーサーに対応する位置に複数個が形成されることを特徴とする請求項50に記載の液晶表示装置。
- 前記第2カラムスペーサーと第2基板は一定の間隔で離隔することを特徴とする請求項50に記載の液晶表示装置。
- 前記第1、第2カラムスペーサーが固定された第1基板、又は前記突起が形成された第2基板の表面に少なくとも一つの配向膜が更に形成されることを特徴とする請求項50に記載の液晶表示装置。
- 互いに向き合う第1、第2基板と、
画素領域を定義するために前記第2基板に形成されたゲートライン及びゲート電極と、
前記ゲートライン及びゲート電極を含む第2基板の全面に形成されるゲート絶縁膜と、
各画素ごとに前記ゲート電極の上側のゲート絶縁膜、及び前記第1カラムスペーサーに相応する部分のゲート絶縁膜上にそれぞれ形成された半導体層、及び第1突起パターンと、
画素領域を定義するために前記ゲートラインと垂直方向に形成されるデータライン、前記半導体層の両側に形成されたソース/ドレイン電極、及び前記第1突起パターン上に形成された第2突起パターンと、
前記ドレイン電極にコンタクトホールを有するように前記第1、第2突起パターンを含む第2基板に形成された保護膜と、
前記薄膜トランジスターのドレイン電極に連結され、前記保護膜上の画素領域に形成される画素電極と、
第1カラムスペーサーは前記一つの突起に整列され、第2カラムスペーサーは前記突起と整列されないように前記三つの画素領域ごとに第1基板に一つずつ形成される第1カラムスペーサー及び第2カラムスペーサーと、
前記第1、第2基板との間に形成される液晶層と
を備えて構成されることを特徴とする液晶表示装置。 - 前記第2カラムスペーサーと第2基板は一定の間隔で離隔することを特徴とする請求項54に記載の液晶表示装置。
- 前記第1突起パターンは、第2突起パターンより更に広い面積を有することを特徴とする請求項54に記載の液晶表示装置。
- 前記第2突起パターンは、第1突起パターンより更に広い面積を有し、前記第1突起パターンを包むように形成されることを特徴とする請求項54に記載の液晶表示装置。
- 前記第2突起パターンは、前記第1突起パターンに一定の部分がオーバーラップするように前記ゲート絶縁膜上に形成されることを特徴とする請求項54に記載の液晶表示装置。
- 前記第1突起パターンは、前記半導体層と同一の物質で形成されることを特徴とする請求項54に記載の液晶表示装置。
- 前記第2突起パターンは、前記データラインと同一の物質で形成されることを特徴とする請求項54に記載の液晶表示装置。
- 前記第1、第2カラムスペーサーが固定された第1基板、又は前記画素電極が形成された第2基板の表面に少なくとも一つの配向膜が更に形成されることを特徴とする請求項54に記載の液晶表示装置。
- 前記液晶表示装置はIPSモードであることを特徴とする請求項54に記載の液晶表示装置。
- 第1基板にカラムスペーサーを形成する段階と、
第2基板の前記カラムスペーサーに対応する位置に少なくとも一つ以上の突起を形成する段階と、
前記第1基板又は第2基板に液晶を滴下する段階と、
前記第1基板又は第2基板にシールパターンを形成する段階と、
前記カラムスペーサーと前記突起とが接触するように前記第1、第2基板を貼り合わせる段階と
を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 前記第1基板に複数個の第1、第2カラムスペーサーを形成する段階と、
前記第2基板の前記第1カラムスペーサーに対応する位置に少なくとも一つ以上の突起を形成する段階と、
前記第1基板又は第2基板に液晶を滴下する段階と、
前記第1基板又は第2基板にシールパターンを形成する段階と、
前記第1カラムスペーサーと前記突起とが接触するように前記第1、第2基板を貼り合わせる段階と
を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 前記第1、第2カラムスペーサーと突起とは同一の物質で形成することを特徴とする請求項64に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記突起を形成する段階は、
第2基板に第1突起パターンを形成し、前記第1突起パターン上に第2突起パターンを形成することを特徴とする請求項64に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記第1突起パターンは、第2突起パターンより更に広い面積を有するように形成することを特徴とする請求項66に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記突起を形成する段階は、
前記第2基板に第1突起パターンを形成する段階と、
前記第1突起パターンに一定の部分がオーバーラップするように前記第2基板に第2突起パターンを形成する段階と
を含むことを特徴とする請求項64に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記突起を形成する段階は、
前記第2基板の前記第1カラムスペーサーに対応する位置に互いに離隔した第1、第2突起パターンを形成する段階と、
前記第1、第2突起パターンにかけて前記カラムスペーサーと接触するように前記第2基板に第3突起パターンを形成する段階と、
を含むことを特徴とする請求項64に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 第1基板に複数個の第1、第2カラムスペーサーを形成する段階と、
第2基板に複数個のゲートライン及びゲート電極を形成する段階と、
前記ゲートライン及びゲート電極を含む第2基板の全面にゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート電極の上部のゲート絶縁膜上に半導体層を形成する段階と、
画素領域を定義するために前記ゲートラインと垂直方向にデータライン、及び前記半導体層の両側に形成されたソース/ドレイン電極を形成する段階と、
前記ドレイン電極にコンタクトホールを有するように前記データラインを含む第2基板の全面に保護膜を形成する段階と、
前記ドレイン電極に連結されるように、前記保護膜上の画素領域に画素電極を形成する段階と、
第2基板の前記第1カラムスペーサーに対応する位置に少なくとも一つ以上の突起を形成する段階と、
前記第1基板又は第2基板に液晶を滴下する段階と、
前記第1基板又は第2基板にシールパターンを形成する段階と、
前記第1カラムスペーサーと前記突起とが接触するように前記第1、第2基板を貼り合わせる段階と
を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 第1基板に複数個の第1、第2カラムスペーサーを形成する段階と、
第2基板に複数個のゲートライン及びゲート電極を形成する段階と、
前記ゲートライン及びゲート電極を含む第2基板の全面にゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲー卜電極の上部のゲート絶縁膜、及び前記第1カラムスペーサーに相応する部分のゲート絶縁膜上にそれぞれ半導体層、及び第1突起パターンを形成する段階と、
画素領域を定義するために前記ゲートラインと垂直方向にデータライン、前記半導体層の両側にソース/ドレイン電極、及び前記第1突起パターン上に第2突起パターンを形成する段階と、
前記ドレイン電極にコンタクトホールを有するように前記第1、第2突起パターンを含む第2基板の全面に保護膜を形成する段階と、
前記薄膜トランジスターのドレイン電極に連結されるように、前記保護膜上の画素領域に画素電極を形成する段階と、
前記第1基板又は第2基板に液晶を滴下する段階と、
前記第1基板又は第2基板にシールパターンを形成する段階と、
前記第1カラムスペーサーと前記第1、第2突起パターンとが形成された部分が互いに接触するように前記第1、第2基板を貼り合わせる段階と
を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 第1基板に複数個の第1、第2カラムスペーサーを形成する段階と、
第2基板にゲート電極を有する複数個のゲートライン、及び共通電極を有する共通ラインを形成する段階と、
前記ゲートライン及び共通ラインを含む第2基板の全面にゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート電極の上部のゲート絶縁膜及び前記第1カラムスペーサーに相応する部分のゲート絶縁膜上にそれぞれ半導体層及び第1突起パターンを形成する段階と、
画素領域を定義するために前記ゲートラインに垂直な方向にデータライン、前記半導体層の両側にソース/ドレイン電極、及び前記第1突起パターン上に第2突起パターンを形成する段階と、
前記ドレイン電極にコンタクトホールを有するように前記第1、第2突起パターンを含む第2基板の全面に保護膜を形成する段階と、
前記薄膜トランジスターのドレイン電極に連結され、前記共通電極と平行に前記保護膜上の画素領域に画素電極を形成する段階と、
前記第1基板又は第2基板に液晶を滴下する段階と、
前記第1基板又は第2基板にシールパターンを形成する段階と、
前記第1カラムスペーサーと前記第1、第2突起パターンとが形成された部分が互いに接触するように前記第1、第2基板を貼り合わせる段階と
を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 複数個の画素領域が定義された第1、第2基板を用意する段階と、
前記第2基板の各画素領域に一つずつ複数個の突起を形成する段階と、
三つのピクセル領域ごとに前記一つの突起に整列される第1カラムスペーサーと、前記突起に整列されていない第2カラムスペーサーとを第1基板に形成する段階と、
前記第1基板又は第2基板に液晶を滴下する段階と、
前記第1基板又は第2基板にシールパターンを形成する段階と、
前記第1カラムスペーサーと前記突起とが接触するように前記第1、第2基板を貼り合わせる段階と
を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 前記第1、第2カラムスペーサーが固定された第1基板、又は前記突起が形成された第2基板の表面に少なくとも一つの配向膜を形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項73に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 第1、第2基板を用意する段階と、
前記第2基板に画素領域を定義するために前記第2基板にゲートライン及びゲート電極を形成する段階と、
前記ゲートライン及びゲート電極を含む第2基板の全面にゲート絶縁膜を形成する段階と、
各画素ごとに前記ゲート電極の上部、及び前記ゲートラインの上部のゲート絶縁膜上にそれぞれ半導体層及び第1突起パターンを形成する段階と、
画素領域を定義するために前記ゲートラインに垂直な方向にデータライン、前記半導体層の両側にソース/ドレイン電極、及び前記第1突起パターン上に第2突起パターンを形成する段階と、
前記ドレイン電極にコンタクトホールを有するように前記第1、第2突起パターンを含む第2基板に保護膜を形成する段階と、
前記薄膜トランジスターのドレイン電極に連結されるように前記保護膜上の画素領域に画素電極を形成する段階と、
第1カラムスペーサーは前記した一つの第1、第2突起パターンに整列され、第2カラムスペーサーは前記突起パターンと整列されないように、三つの画素領域ごとに一つずつ前記第1基板に第1カラムスペーサー及び第2カラムスペーサーを形成する段階と、
前記第1基板又は第2基板に液晶を滴下する段階と、
前記第1基板又は第2基板にシールパターンを形成する段階と、
前記第1カラムスペーサーと、前記突起パターンとが接触するように前記第1、第2基板を貼り合わせる段階と、
を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 複数個の第1、第2カラムスペーサーを備えた第1基板と、
前記第1カラムスペーサーに接触するように前記第1基板に向き合う第2基板と、
前記第1、第2基板との間に形成される液晶層と
を含んで構成されることを特徴とする液晶表示装置。 - 前記第1カラムスペーサーに相応する前記第2基板の表面は、前記第1カラムスペーサーに接触する第1領域と、前記第1カラムスペーサーと一定の間隔で離隔する第2領域と
を有することを特徴とする請求項76に記載の液晶表示装置。 - 前記第1領域の前記第2基板の垂直構造と、前記第2領域の前記第2基板の垂直構造とは互いに相違することを特徴とする請求項77に記載の液晶表示装置。
- 前記第1領域の前記第2基板の垂直構造は、少なくとも前記基板、ゲートライン、ゲート絶縁膜、半導体層、データライン物質、及び保護膜が積層された構造であり、前記第2領域の前記第2基板の垂直構造は、少なくとも前記基板、ゲートライン、ゲート絶縁膜、及び保護膜を含んで積層された構造であることを特徴とする請求項78に記載の液晶表示装置。
- 前記第1領域と前記第2領域との段差は500Å以上であることを特徴とする請求項7 7に記載の液晶表示装置。
- 前記第1カラムスペーサーに相応する前記第2基板の垂直構造と、前記第2カラムスペーサーに相応する前記第2基板の垂直構造とは互いに相違することを特徴とする請求項76に記載の液晶表示装置。
- 前記第1カラムスペーサーに相応する前記第2基板の垂直構造は、少なくとも前記基板、ゲートライン、ゲート絶縁膜、半導体層、データライン物質、及び保護膜が積層された構造であり、前記第2カラムスペーサーに相応する前記第2基板の垂直構造は、少なくとも前記基板、ゲートライン、ゲート絶縁膜、及び保護膜が積層された構造であることを特徴とする請求項81に記載の液晶表示装置。
- 前記第1カラムスペーサーに相応する前記第2基板の表面と、前記第2カラムスペーサーに相応する前記第2基板の表面との段差は500Å以上であることを特徴とする請求項76に記載の液晶表示装置。
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