JP2010096993A - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】カラーフィルタ基板201とTFTアレイ基板202間のスペーサ10が、1つ以上の段差をもつ多段構造を有する。スペーサ10は、スペーサ本体10Aと補助スペーサ10Bを持ち、補助スペーサ10Bの断面積が、スペーサ本体10Aのそれより小さい。
【選択図】図1
Description
液晶表示装置は、一対の基板の間に液晶が封入された液晶パネルを有している。液晶表示装置は、液晶パネルの背面に設けられたバックライトなどの平面光源から照射された光を、液晶パネルが変調する。そして、変調した光によって画像の表示が液晶パネルの正面(表示面を見る側)にて実施される。
タッチパネルは、液晶表示装置の画面上に示す指示内容を人の手または物体(たとえばスタイラスペン)で選択できるように液晶表示装置の表示面側に設置される。人の手または物体がタッチパネルに直接接触すると、タッチパネルは手または物体が接触するパネル面内の位置を検出する。液晶表示装置は、接触が検出された位置に応じて指示された内容を入力信号として受け入れ、この入力信号に基づく動作を実行する。
以上より、タッチパネルを液晶表示装置に実装すると、個別の付属部品点数が削減される。製品の提供側にとっては、付属部品点数が少ないと、製品設計の自由度が増し、小型化や利便性向上を進展させて商品力を高めるという利益をもたらす。このことは利用者側にも製品の低価格化、高機能化、利便性向上といった利益をもたらす。そのため、タッチパネルの使用が年々拡大している傾向にある。
しかしながら、タッチパネルを外付けで付加することが表示装置の薄型化に不利であり、製造コスト増の要因になる。また、タッチパネルを外付けにした液晶表示装置は、屈折界面の影響により映像表示時の光学特性が変化し、画像の視認性が低下する。このため、液晶表示パネルとタッチパネルを一体化して形成することが検討されている。
その理由として、タッチパネルとして使用するとパネルへの荷重が大きいこと、ガラスが薄くなるとセルギャップを決定するスペーサへの圧力が分散せず、スペーサ1本あたりの荷重が大きくなることが挙げられる。
しかし、単位面積当たりのスペーサ面積の割合である、面積占有率を上げると、低温環境下で衝撃を与えると真空気泡(いわゆる低温気泡)が発生するという問題が生じる。
これは、低温下で衝撃を与えるとセルギャップが凹み、すぐに復元するが、ガラスなどの部材の復元速度に対し、液晶層の衝撃に対する復元速度が追随できずにセル内部に気泡が発生することに起因する。
この気泡はスペーサ面積占有率が高いとガラスの戻りが早いために生じ、スペーサ面積占有率と気泡とはトレードオフの関係にある。
前記複数のスペーサは、前記第1基板と前記第2基板との間に配置されている。
前記液晶層は、前記複数のスペーサに支持された前記第1基板と前記第2基板との間に充填されている。
そして、前記スペーサが、1つ以上の段差をもつ多段構造を有する。
また、本発明では好適に、前記スペーサの前記多段構造は、前記第1基板と前記第2基板との離間方向のサイズである高さに関し、前記第2基板近接段の高さが、他のどの段の高さよりも小さい。
前記スペーサを形成するステップが、当該スペーサの形成後または基板貼り合わせ後に、1つ以上の段差をもつ多段構造が形成されるように、1つのレジスト塗布膜を異なる面積の露光領域で2度の多重露光を行うステップを含む。
前記スペーサを形成するステップが、当該スペーサの形成後または基板貼り合わせ後に、1つ以上の段差をもつ多段構造が形成されるように、面積が異なる2層のレジストパターンを2回の露光と現像の繰り返しにより形成するステップを含む。
前記スペーサを形成するステップが、当該スペーサの形成後または基板貼り合わせ後に、1つ以上の段差をもつ多段構造が形成されるように、核部となる第1のレジストパターンを前記第1基板に形成するステップと、形成した前記第1のレジストパターンを覆い、当該第1のレジストパターンの存在により外面に段差が形成される第2のレジストパターンを形成するステップと、を含む。
図1は、透過型液晶表示装置の概略的な断面図である。図2は、図1の透過型液晶表示装置が有する画素領域の一部を示す簡略化された平面透視図である。図2のA―B線に沿う断面が、ほぼ図1に示す断面に相当する。
図1に図解する液晶表示装置100は、液晶パネル200と、バックライト(不図示)と、液晶パネルやバックライトを駆動する駆動部(不図示)とを有する。
図1に示す断面で見ると、液晶パネル200は、図の上側が「表示面側」、図の下側が「背面側」である。バックライトは背面側に液晶パネル200と近接配置される。
図1および図2では、赤(R)を表示するR画素を符号“PIX(R)”により示す。同様に、緑(G)を表示するG画素を符号“PIX(G)”により、青(B)を表示するB画素を符号“PIX(B)”により示す。
詳細は後述するが、カラーフィルタ基板201とTFTアレイ基板202のそれぞれに所定の機能層を積層して形成した後に、互いに対向して2枚の基板を配置し、その間に液晶を注入して封止することで、液晶層203が形成される。
多層絶縁膜207内に導電層、例えばトランジスタのプラグ208、あるいは、アルミニウム等の金属配線からなる信号線209が埋め込まれている。信号線209は、図2には示していないが、ゲート電極204(走査線)と直交する方向に長く配線されている。信号線209は、図2に現れない箇所でトランジスタTrと接続されている。
第1実施形態の液晶表示装置100は、「VA ECBモード」の液晶表示装置である。このため、画素電極210は、画素PIXのほぼ全域に一枚の大きな面積の電極として配置されている。
なお、図1において、R画素PIX(R)の画素電極210を符号“210(R)”により示す。同様に、G画素PIX(G)の画素電極210を符号“210(G)”により示し、B画素PIX(B)の画素電極210を符号“210(B)”により示す。図2において画素電極210は図示を省略している。
液晶層203に対して電界を印加するためのもう片方の電極は、後述するように、カラーフィルタ基板201側に形成されている。
画素電極210上に、第2配向膜212が形成されている。
より詳細には、カラーフィルタ基板201は、例えばガラスなどの透明度が高い材料から形成され、その上にカラーフィルタ層220が形成されている。カラーフィルタ層220は、所定の色が染色されたフィルタ領域220Aを有する。フィルタ領域220Aの色は1画素に1色が指定され、その色配列は所定のパターンで決められている。例えば、赤(R)、緑(G)、青(B)の3色の配列を1単位として、この色配列がマトリクス状に繰り返されている。
本実施形態では、フィルタ領域間のカラーフィルタ層部分に、ブラックマトリクスBMが埋め込まれている。
共通電極222上に第1配向膜223が形成されている。
一方、カラーフィルタ基板201の裏面(表示面側)には、保護層230が形成されている。保護層230の最表面が、表示面200Aである。
なお、本実施形態の変形例で後述するように、スペーサ本体10Aと補助スペーサ10Bを別の材料から形成し、あるいは、スペーサ本体10Aの一部(外郭部)を補助スペーサ10Bと同じ材料から形成することできる。
ここで「高さ」とは、図3(B)に示すように、「第1基板」としてのカラーフィルタ基板201と、「第2基板」としてのTFTアレイ基板202との離間距離Htにおけるスペーサ10のサイズである。
4種類のサンプルに、ある同じ大きさの外圧を基板に対し垂直方向に加えた。このとき、基板と垂直な方向の縮み量を、初期値が離間距離Htであるセルギャップの高さと、補助スペーサ10Bの高さで測定した。
図3(A)は、その2種類の高さにおける縮み量(変位量)と、補助スペーサ10Bの、外圧なしの初期状態の高さHbとの関係を示す。
また、補助スペーサ10Bの高さHbが高いと変位量が大きいことも、図3(A)からわかる。
さらに、スペーサ本体10Aの高さが高い、つまり、補助スペーサ10Bの高さが低いほど、全体的に強度が強いスペーサ10が得られることも、図3(A)からわかる。
図4は、セル強度の強化のためのスペーサ形状と配置を示す比較例の断面図である。図4において、図1と同一構成には同一符号を付している。
液晶層203の厚さを決める第1スペーサ90Hと、それより少し低い高さの第2スペーサ90Lが所定の割合で配置されている。
このようなスペーサ形状と配置は、いわゆる低温気泡を防止し、かつ、外力に対する強度(面押し等の強度)を確保することが困難であるため、このトレードオフを解消する目的で考案されている。以下、このトレードオフについて説明する。
この低温気泡は、基板の復元力を弱めることで有効に防止できる。基板自体の剛性は、基板厚さや材料等によって決まり、それらは光学特性その他の要因から決められるので、基板自体の剛性を変化することは、低温気泡防止のためだけに容易に変更できるパラメータではない。
しかし、スペーサがあまり大きいと画素表示で無駄な領域が増えてセル開口率が下がり、画像表示のセル内有効利用という点では、スペーサの大きさや配置密度にも限度がある。
また、単位面積当たりの占有率が大きすぎると、基板の復元力が大きいため低温気泡の発生の危険が高まる。
一方、外圧が開放されると、背が低いスペーサ90Lの端面が基板から離れるため、基板の復元力はスペーサ90Hの接触面積のみで決まる。そのため、スペーサ90Hの接触面積の占有率をある程度小さくすると、低温気泡の発生が防止される。
以上より、図4に示す構造は、低温気泡の防止と、ギャップの安定性やセル強度の確保とを両立するための構造の1つと言える。
このためプロセスの共通化を進めると、スペーサ高さの制御性が落ちるため、第2スペーサ90Lの高さがばらつく。
また、第2スペーサ90Lを多くすることによりセル強度は強くなるが、セル開口率が減少し、このことが表示能力(画面の明るさ)に影響する。
その一方で、初期強度アップやギャップムラ防止のために、第1スペーサ90Hの面積占有率を上げると、低温気泡の発生が生じる。
しかし、この何れを変更する場合でも、パターンからやり直すため設計変更が大幅となる。また、低温気泡が問題とならない常夏の地域への限定機種などの開発で、その分、強度を上げようとしても、やはり大幅な設計変更とならざるを得ない。
図1に図解するスペーサ10は、低温気泡の発生に関係する補助スペーサ10Bの断面積を、低温気泡の出方に応じて決定し、他の部分(補助スペーサ10B)の断面積を大きくすることにより強度を確保している。また、このような面積的な要素が決定した後でも、補助スペーサ10Bの高さをプロセスで調整することで、強度と低温気泡防止のバランス点を設計後でも調整できる。
さらに、強度確保のためにセルギャップの高さを有する1つのスペーサ10の占有面積が、図4のスペーサ90Hより大きくする必要があるとしても、背の低いスペーサ90Lは不要であるため、全体としてはスペーサの占有面積率が低くできる。よって、その分、セル開口率を高くできる。
よって、本実施形態では、多段構成における各段の断面積の違い、さらには、各段の高さの違いを多様に組み合わせることによって、トレードオフ解消の最適範囲を大きくできる。
図5(A)〜図5(D)に、第1実施形態で多段構造のスペーサ10を製造する際のカラーフィルタ基板201の断面図を示す。
図5(A)に示すように、カラーフィルタ基板201上に、カラーフィルタ層220を形成し、さらにカラーフィルタ層220上に平坦化膜221を形成する。
その後、別途形成したTFTアレイ基板202とカラーフィルタ基板201を貼り合わせ、セルギャップに液晶を封入すると、図1に示す液晶層203が形成される。
図6(A)〜図6(E)に、第2実施形態に関わる、多段構造のスペーサ10を製造する際のカラーフィルタ基板201の断面図を示す。
図6(A)に示すように、カラーフィルタ基板201上に、カラーフィルタ層220を形成し、さらにカラーフィルタ層220上に平坦化膜221を形成する。
ネガレジストNR1を現像すると、図6(C)に示すように、潜像が顕在化して、ほぼ最終的なスペーサの第1段(スペーサ本体10A)が形成される。
これによりネガレジストNR2において、スペーサ本体10Aの上部に潜像が形成される。
ネガレジストNR2を現像すると、図6(E)に示すように、潜像が顕在化して、最終的なスペーサ形状の第2段(補助スペーサ10B)がスペーサ本体10A(NR1)上に形成される。これにより、スペーサ本体10Aと補助スペーサ10Bを有し、その境界部の外面に段差10Cを有するスペーサ10が形成される。
その後、別途形成したTFTアレイ基板202とカラーフィルタ基板201を貼り合わせ、セルギャップに液晶を封入すると、図1に示す液晶層203が形成される。
しかし、各段の高さをレジストの成膜時の厚さで制御できるため、その高さ、特に段差の位置が露光や現像の条件に依存する図5の製造方法より制御性がよいという利点がある。
図7(A)〜図7(E)に、第3実施形態に関わる、多段構造のスペーサ10を製造する際のカラーフィルタ基板201の断面図を示す。
図7(A)に示すように、カラーフィルタ基板201上に、カラーフィルタ層220を形成し、さらにカラーフィルタ層220上に平坦化膜221を形成する。
ポジレジストPR3を現像すると、図6(C)に示すように、潜像が顕在化して、「段差を規定する高さの段差調整層」としての機能をもつ核部10cが、平坦化膜221上に形成される。
これによりネガレジストNR3において、核部10cの周囲を覆う、ネガレジストNR3の潜像が形成される。露光の強さ等を調整すると、図7(D)に示す「コーナー部」がネガレジストNR3内の潜像にも反映され、段差が形付けられる。
ネガレジストNR3を現像すると、図7(E)に示すように、潜像が顕在化して、核部10cの上に被さって、かつ、段差10sを外面に有するキャップ部10pが形成される。
その後、別途形成したTFTアレイ基板202とカラーフィルタ基板201を貼り合わせ、セルギャップに液晶を封入すると、図1に示す液晶層203が形成される。
また、制御性に関しては、段差位置が露光時のレジストコーナーを反映した潜像で規定されるため、第2実施形態より若干劣る。
しかし、外形的には、多段の段差がより滑らかにでき、そのため、セル強度としては強いものが作製できる。
また、後述する種々の実施形態のように、既存の構成を形成時に付随して形成される形成物を、段差上部、段差下部、さらには核部に流用できる。このため、スペーサの製造だけでは分からないが、液晶表示パネルの製造トータルで見ると、製造プロセスを簡略化できるという利点がある。
以下、多段構造とする際に他の構造物の形成とプロセスを共通化することが可能なスペーサ構造の実施形態を、幾つか説明する。
最初に、図7に示す製造方法を用いて可能なプロセスの共通化の例について、垂直配向突起(VAP)を用いた液晶分子を垂直配向させる液晶表示装置を例として説明する。
図8(A)には、VAPが無い場合のVA(垂直配向)液晶の分子配列を模式的に示す。このとき液晶分子203Aは、基板とほぼ垂直に配向される。
この垂直配向液晶の応答速度と視野角を改善するために、例えばカラーフィルタ基板201側に、液晶層内に突出する垂直配向突起(VAP)を、ある程度の密度で形成する。すると、図8(B)のように、狭さに難点がある改善のため、液晶分子203AがVAPの斜面にほぼ垂直に配向される。VAPを、斜めの斜面を360度もつ略円錐、または、略円錐台の形状にすると、図8(C)のように、液晶分子203Aを放射状に全方位に配向させることができる。このとき液晶分子203Aは、様々な配向角度をもつため、視野角と応答速度がともに改善する。
図9において、図1と同一構成は同一符号により示す。
その後、図7と同様に、例えばネガレジストの塗布と露光(または異方性エッチング)により、多段の柱(スペーサ10)が形成される。
図10は、反射型または半透過型液晶表示装置の概略的な断面図である。図10において、図1と同一構成は同一符号を付している。
図解した液晶表示装置は、TFTアレイ基板202側の多層絶縁膜207の一部に凹凸を形成して、その上に反射板としての反射電極217が形成されている。一方、画素の他の領域には、トランジスタTrにより駆動される画素電極210が配置されている。画素電極210と反射電極217の表面に第2配向膜212が形成されている。
一方、反射電極217と対向するカラーフィルタ基板201側には、平坦化膜221上に、高さでセルギャップを調整して光の反射光路長を最適化するギャップ調整層218が絶縁材料等から形成されている。また、ギャップ調整層218の上面(図では下面)および側面を通って画素のほぼ全面に、共通電極222が配置されている。
そして、この光の反射部分の一部を利用して、共通電極222上に(図では下向きに)、補助スペーサ10Bを形成している。
これにより、スペーサ10の一部(スペーサ本体10A)が、既存の構造物の一部を利用して、スペーサ10が形成されている。そのため、純粋にスペーサ10の形成のためのプロセス数が削減され、その分、低コストで液晶表示装置の製造を行うことができる。
また、特に図示しないが、スペーサ本体10Aとして利用する他の構造物としては、例えば、信号線に用いるアルミニウムAlなどの厚みのある金属層でもよい。また、それでも高さが足りない場合、金属層と平坦化膜、その他の絶縁層を重ねてスペーサ本体10Aに用いることができる。
図7(A)〜図7(D)と同様な方法によって、ポジレジストPR3からなる核部10cをパターンニングして、その上を覆うキャップ部10pとなるレジストを成膜する。図7では、このキャップ部10pとなるレジストはネガレジストNR3であったが、ここではポジレジストPR4とする。また、この2層のレジスト構造体を形成するのは、図7ではカラーフィルタ基板201側の平坦化膜221上であったが、ここではTFTアレイ基板202側の反射電極217となる導電膜上とする。
したがって、露光して現像後は、図11のように、スペーサ10の周囲の反射電極部分に無数の反射電極の凹凸となるレジストのドットパターン10rが形成される。
このレジストのドットパターン10rが形成された状態で下地の反射電極217の表面層をエッチングすると、レジストのドットパターン10rがエッチバックされる過程で、反射電極217の表面に無数の凹凸217rが形成される。
一方、スペーサ10も変形するが、この変形を防ぎたい場合は、スペーサ10の上に保護層を形成してから反射電極217の表面層エッチングを行うとよい。
また、下地の反射電極217は、信号線に使うAlなど、ある程度の厚みのあるものであればよく、反射電極217と信号線とを共用できる。つまり、反射電極217は信号線として用いてもよいし、また独立して形成しても良い。反射電極217と信号線を共用すると、反射電極217を設けることによるプロセスへの負担増はない。
図12(A)、(B1)〜(B3)に、第6実施形態の概略的な断面構造図を示す。
図12に示すスペーサ10が、図1に示すスペーサ10と異なる点は、スペーサ10の補助スペーサ10Bを、基板側の段差を利用している点である。
より詳細には、図12(A)では、多層絶縁膜207に凹部とその底面から突出する突起207Aを形成している。この凹部とその底面の突起207A上には、画素電極210(B)が配置されている。このとき画素電極210(B)の表面も下地の形状を反映して段差が形成される。
図12(A)に示すスペーサ10は、補助スペーサ10Bを、突起207Aとその上に覆う画素電極210部分とから形成している。一方、スペーサ本体10Aは、液晶層203のギャップと同程度の高さに形成している。このスペーサ本体10Aは、従来のスペーサ形状を踏襲している。しかし、TFTアレイ基板202側を加工することで、TFTアレイ基板202との接触面積を、スペーサ本体10Aの断面積より十分小さくし、低温気泡の発生を有効に防止する。
図12(B2)と図12(B3)は、カラーフィルタ基板201側に補助スペーサ10Bを形成する場合の例である。
電極が共通電極222である以外、図12(A)と図12(B1)の説明から類推可能であるため、ここでの説明は省略する。
このほかにも、同様にカラーフィルタによる段差、ブラックマトリクスなどを利用しても良い。
図12のスペーサの多段構造は、カラーフィルタ基板201側の構造物と、TFTアレイ基板202側の構造物を合体して、1つのスペーサ10を形成している。
この例から明らかなように、多段構造の全てを片方の基板側に形成する必要は必ずしもない。また、多段構造の各段の断面積は、一方の基板側から他方の基板側漸増または漸減する必要もない。
今までの主なスペーサ10の形成手法では、図13(A)のように片側の基板に全ての段を形成している。そして、他の基板と張り合わせるときに、黒塗りで示す接触段によって、2つの基板のスペーサ10による連結構造が完成する。
また、特に図13(D)のように、中間の段10Mの断面積より、補助スペーサ10Bの断面積が大きくてもよい。つまり、スペーサ本体10Aの断面積を超えなければ、補助スペーサ10Bの断面積は任意に設定できる。これは、断面積が小さく、高さが高いスペーサの段から、順に外力によってつぶれてゆくが、低温気泡の原因である基板の復元力は、最も弱い連結部分で決まる。よって、中間の段10Mが連結力を弱める作用をしているため、補助スペーサ10Bの接触面積が大きくても低温気泡を防止する効果がある。
このどのような構造を採るかは、各段の材料や特性(力学的、電気的特性)に配慮して、工程の自由度や高さの制御性が所望の程度得られるものを選択するとよい。
また、片側の基板に多段構造を作りこむ図13(A)の手法では、一般に工程数が増え、制御性は良いが、生産性は悪化する。スペーサ10の一部を2枚の基板に振り分けると、プロセスの共通性が高まり、全体の工程数削減、生産性の向上に有利である。例えば、スペーサ10の一部を2枚の基板に振り分けると、予め段差のある場所に形成し、あるいは、既存の構造を利用できる可能性が広がる。
以上のような様々な形態で多段構造を有するスペーサ10は、いわゆる接触抵抗式タッチセンサのタッチ電極構造と兼用することも可能となる。
本実施形態は、このようなタッチ電極を兼ねるスペーサに関する。
このタッチ電極を兼ねるスペーサ10は、スペーサ本体10Aと、カラーフィルタ基板201のスペーサ本体10Aに乗り上げて形成されているセンサ電極224と、を有する。このセンサ電極224は、共通電極222を兼ねる。さらにスペーサ10は、絶縁物からなる補助スペーサ10Bをスペーサ本体10Aの突出端面側のセンサ電極224上に有する。補助スペーサ10Bは、図14(A)の外圧がかかっていない状態では、TFTアレイ基板202側の画素電極210と、スペーサ本体10Aの突出端面上のセンサ電極部分との接触を防止する「接触防止絶縁層」として機能する。
図15に図解する画素PIXの等価回路において、図1や図14に図示して既に説明した構成を同一符号で示している。
ここで液晶層203をキャパシタ誘電体とするキャパシタの一方電極が画素電極210により形成され、他方電極が共通電極222により形成されている。
このキャパシタと等価回路上で並列にセンサスイッチSWsが形成されている。このセンサスイッチSWsは、制御端子がない2端子のスイッチであり、外から指などで押すときの圧力でオンし、圧力が解除されるとオフに復帰する。センサスイッチSWsの一方電極が画素電極210、他方電極がセンサ電極224から形成されている。
トランジスタTrのゲートはゲート電極204に接続されている。不図示の垂直ドライバ等の走査回路からゲート電極204を介してゲート電圧Vgateが供給される。トランジスタTrはゲート電圧Vgateの電位によって制御される。
共通電極222とセンサ電極224は、共通電圧Vcomの供給線(Vcom配線)に接続されている。
本実施形態では、書き込み回路301とともに信号線209に読み出し回路(READ.C)2が設けられている。読み出し回路2と書き込み回路301は、差動的に(「同時にオンすることはない」との意味)動作するスイッチSWによって接続制御されてもよいが、このスイッチSWは設けなくてもよい。なぜなら、スイッチの押圧がユーザに許可される場合、動作中のアプリケーションソフトに応じて、画面にスイッチの押圧がどのような指令(意味)に相当するかを表示する所定の画面が表示されており、その表示時間はある程度長い。一時的にデータを書き込んで表示している最中に画面が押され、これによりセンサスイッチSWsがオンして信号線209の電位が、例えば共通電圧Vcomに固定される。その場合、押圧が解除されると直ぐに同じ画面表示状態となり、押圧の前の状態が自動復帰する。これがスイッチSWを設けなくてもよい場合がある理由である。
時間T1にて、図16(D)のようにライト信号(Write)がハイレベルになるとともに、信号電圧Vsigが図15の書き込み回路301によって信号線209に供給される。
時間T2にて、図16(A)に示すように、ゲート電圧Vgateがハイレベルに活性化される。このとき、あるいは、時間T2より前に図16(D)のようにライト信号(Write)がローレベルとなっている。このためスイッチSWの書き込み側が閉じて信号線209がフローティングとなる。そのため、時間T2でゲート電圧VgateがハイレベルになってトランジスタTrがオンすると信号電圧Vsigの電荷の放電経路が形成される。
一方、時間T2の時点でタッチセンサがオフしている場合は、信号線209の電荷量が低下するときでも、比較的小さい画素電極210等の容量のみ充電するために用いられる。このため、図16(B)に破線で示すように信号電圧Vsigは殆ど変化しない。
なお、参照電位を変化させて信号線209の電位を段階的に調べ、より詳細にセンサの接触状態を検出するようにしてもよい。また、接触時間等を検出してもよい。
なお、このセンサ手法は一例であり、この手法以外の採用も可能である。
また、電極間がショートしないように通常は絶縁物である補助スペーサ10Bが形成されている。この補助スペーサ10Bは、高弾性、高絶縁材料から形成されるが、その高さや面積が比較的小さいため、意図的な外圧によっては押しつぶされて電極間接触が、広い段差部分で生じる。また、タッチ検出の際に強く押しすぎても、スペーサ本体10Aの強度が十分であるため、それ以上変形しにくい。よって、このようなスペーサ10は、基板変形を防止するスペーサとしてもタッチ電極としても機能し、さらに、補助スペーサ10Bの面積が小さいため低温気泡も有効に防止される。
補助スペーサ10Bは、必ずしも、スペーサ本体10Aの突状端面の中央に位置している必要はない。図17(B1)と図17(B2)に示す、対称な配置の補助スペーサ10Bを有する数種類のスペーサ10を繰り返してもよい。図17(A)では、1行おきに、上下偏在の交互配置と、左右偏在の交互配置が繰り返されている。
このようにすると、多様な向きの力が加わっても、ある向きの力に弱いということがなく好ましい。
図2および図17では、スペーサ10の断面形状が八角形等の円に近い形状であるが、この断面に限定されない。
例えば、図18(A)に示すように、補助スペーサ10Bを、有効にブラックマトリクスBM等に隠すため、その形状を長方形にしてもよい。もちろん、長細い楕円でもよいし、正方形、その他の矩形でもよい。
また、図18(B)のように、スペーサ10を完全に、ブラックマトリクスBMまたは信号線や走査線の影に隠すように配置して、可能な限りセル開口率を上げることが望ましい。
補助スペーサ10Bの断面積や基板との接触面積は、低温気泡がでない程度の面積とする。例えば、スペーサ10が1つ当たりの面積をS、補助スペーサ10Bの断面積をSbとすると、その比(Sb/S)が、5×104以上、8×102以下の範囲が望ましい。また、スタイラスペンによるラインティグ試験などのように、点加重が繰り返しかかる使用条件が想定される場合は、スペーサ10の単独の大きさが100[μm2]以上が望ましい。
半円状スペーサの製造方法としては、熱リフローを示すレジストを用いることで、ベーク工程にて、適当な温度を与えることで、その形状を半円状にすることができる。また、適当なレジストにて、孤立のドットパターンを作製後に平坦化膜を被せることで、なだらかな半円を作成できる。
この多段構造を有する限り、スペーサ10の形状は、上述した種々の実施形態や変形例では完全に表現できない、多様な実施形態を有するものである。
Claims (18)
- 第1基板と、
第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に配置されている複数のスペーサと、
前記複数のスペーサに支持された前記第1基板と前記第2基板との間に充填されている液晶層と、
を有し、
前記スペーサが、1つ以上の段差をもつ多段構造を有する
液晶表示装置。 - 前記スペーサの前記多段構造は、
前記第2基板に最も近い第2基板近接段の断面積が、前記第1基板に最も近い第1基板近接段の断面積より小さい
請求項1に記載の液晶表示装置。 - 前記スペーサの前記多段構造は、前記第1基板と前記第2基板との離間方向のサイズである高さに関し、前記第2基板近接段の高さが、他のどの段の高さよりも小さい
請求項2に記載の液晶表示装置。 - 前記スペーサは、
前記第1基板に最も近いスペーサ本体の段と、
前記スペーサ本体より断面積が小さく、前記第1基板を前記スペーサ本体と連結させ、連結力に応じて基板変形の復元を調整するための補助スペーサの段と、
を有する請求項2に記載の液晶表示装置。 - 前記第1基板と前記第2基板との離間方向のサイズである高さに関し、前記補助スペーサの高さが、前記スペーサ本体の高さより小さい
請求項4に記載の液晶表示装置。 - 前記スペーサの多段構造の各段が、同じ材料で一体に形成されている
請求項1に記載の液晶表示装置。 - 前記スペーサは、
前記第2基板から前記液晶層内に突出する芯部と、
前記芯部の上に被さるキャップ部と、
を有し、
前記キャップ部の外面に、前記芯部の突出端面エッジに対応した段差を有する
請求項1に記載の液晶表示装置。 - 前記第2基板から前記液晶層内に突出し、液晶分子を配向させる配向突起が、前記第2基板に設けられ、
前記スペーサの芯部が、前記配向突起と同じ材質、同じ形状を有する
請求項7に記載の液晶表示装置。 - 前記第2基板に形成され、突出端面が光を散乱させる反射面となっている反射板を有し、
前記多段構造の前記スペーサが、前記反射板の反射面と前記第1基板との間に形成され、かつ、当該スペーサの最も断面積が大きい段が、反射型液晶の厚みを制限する高さ調整層を兼用する
請求項1に記載の液晶表示装置。 - 前記スペーサの一部の段が、カラーフィルタ層のカラーレジスト又はブラックレジストと同じ階層で同じ材料から形成されている
請求項1に記載の液晶表示装置。 - 前記スペーサの一部の段が、セル駆動のための配線と同じ階層で同じ材料から形成されている
請求項1に記載の液晶表示装置。 - 前記スペーサの一部の段が、液晶駆動のための電極と同じ階層で同じ材料から形成されている
請求項1に記載の液晶表示装置。 - 前記スペーサの一部の段が、前記第1基板または第2基板に形成されている絶縁層の突部から形成されている
請求項1に記載の液晶表示装置。 - 前記スペーサは、
前記第1基板に形成され、相対的に断面積が大きなスペーサ本体と、
前記スペーサ本体の突出端面上まで乗り上げて前記第1基板側に配置されたセンサ電極と、
前記スペーサ本体の突出端面上のセンサ電極部分に形成され、前記スペーサ本体より断面積が小さく、かつ、絶縁性物質からなる電極間ショート防止層と、
を有し、
電極接触式センサのセンサ電極の構造体を兼用する
請求項1に記載の液晶表示装置。 - 液晶層を挟む第1基板と第2基板の少なくとも一方に、前記第1基板と前記第2基板とを所定の対向間隔で保持するための複数のスペーサを形成するステップと、
前記スペーサを挟んで前記第1基板と前記第2基板とを貼り合わせ、形成された前記所定の対向間隔のギャップに液晶を封入するステップと、
を有し、
前記スペーサを形成するステップが、
当該スペーサの形成後または基板貼り合わせ後に、1つ以上の段差をもつ多段構造が形成されるように、1つのレジスト塗布膜を異なる面積の露光領域で2度の多重露光を行うステップを含む
液晶表示装置の製造方法。 - 液晶層を挟む第1基板と第2基板の少なくとも一方に、前記第1基板と前記第2基板とを所定の対向間隔で保持するための複数のスペーサを形成するステップと、
前記スペーサを挟んで前記第1基板と前記第2基板とを貼り合わせ、形成された前記所定の対向間隔のギャップに液晶を封入するステップと、
を有し、
前記スペーサを形成するステップが、
当該スペーサの形成後または基板貼り合わせ後に、1つ以上の段差をもつ多段構造が形成されるように、面積が異なる2層のレジストパターンを2回の露光と現像の繰り返しにより形成するステップを含む
液晶表示装置の製造方法。 - 液晶層を挟む第1基板と第2基板の少なくとも一方に、前記第1基板と前記第2基板とを所定の対向間隔で保持するための複数のスペーサを形成するステップと、
前記スペーサを挟んで前記第1基板と前記第2基板とを貼り合わせ、形成された前記所定の対向間隔のギャップに液晶を封入するステップと、
を有し、
前記スペーサを形成するステップが、
当該スペーサの形成後または基板貼り合わせ後に、1つ以上の段差をもつ多段構造が形成されるように、核部となる第1のレジストパターンを前記第1基板に形成するステップと、
形成した前記第1のレジストパターンを覆い、当該第1のレジストパターンの存在により外面に段差が形成される第2のレジストパターンを形成するステップと、
を含む液晶表示装置の製造方法。 - 前記第1のレジストパターンの形成と同時に、当該第1のレジストパターンと同じ材料から、前記液晶層の有効表示領域に、液晶分子の垂直配向角度を調整する垂直配向突起を規則的に配置する
請求項17に記載の液晶表示装置の製造方法。
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