WO2010029662A1 - 表示装置 - Google Patents

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WO2010029662A1
WO2010029662A1 PCT/JP2009/002397 JP2009002397W WO2010029662A1 WO 2010029662 A1 WO2010029662 A1 WO 2010029662A1 JP 2009002397 W JP2009002397 W JP 2009002397W WO 2010029662 A1 WO2010029662 A1 WO 2010029662A1
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WO
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substrate
display device
electrode
wiring
detection
Prior art date
Application number
PCT/JP2009/002397
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English (en)
French (fr)
Inventor
千葉大
坂井健彦
藤田哲生
森本一典
片岡義晴
西脇章剛
Original Assignee
シャープ株式会社
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Publication date
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    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/047—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means using sets of wires, e.g. crossed wires
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
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    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134345—Subdivided pixels, e.g. for grey scale or redundancy

Definitions

  • the present invention relates to a display device that detects position information on a display screen.
  • thin display devices such as liquid crystal display devices have been widely used in various devices such as personal computers, mobile phones, PDAs, and game machines.
  • a display device that detects positional information on a display screen by providing a touch panel overlaid on a display panel.
  • a touch panel system for example, a resistance film system and an optical system are generally known.
  • a transparent conductive film is attached to both the surface of the substrate attached to the display panel and the substrate side surface of the film attached to the surface of the substrate with a slight gap. And since each said transparent conductive film contacts and the electric current flows in the position pressed with the finger
  • the first touch electrode is disposed so as to overlap the gate wiring and the source wiring of the TFT substrate constituting the liquid crystal display panel, while the second touch electrode is disposed so as to overlap the black matrix of the counter substrate. It is disclosed that the first and second touch electrodes are formed in a lattice shape.
  • Patent Document 2 discloses that a plurality of protrusions protruding on the counter substrate side are formed on the TFT substrate, and the surface of the protrusion is covered with an electrode. Thus, position information is detected by detecting a change in electric capacity between the electrode on the protrusion and the counter electrode, or a change in resistance of the electrode and the counter electrode.
  • Patent Documents 1 and 2 have a problem that the positions of two or more points on the display screen cannot be detected simultaneously.
  • the optical method a position where a finger or the like touches the display screen and is shielded from light is detected by the light sensor by disposing a light sensor on the display pixel.
  • the optical sensor requires a complicated circuit in order to reliably detect the position information according to the brightness of ambient ambient light, and it is inevitable that the device cost increases.
  • the aperture ratio of the pixel is significantly reduced by arranging the photosensor in the pixel.
  • the present invention has been made in view of such a point, and an object of the present invention is to make it thin and capable of detecting multiple points simultaneously.
  • a display device is provided between a first substrate, a second substrate disposed opposite to the first substrate, and the first substrate and the second substrate.
  • a counter electrode formed on the second substrate, a plurality of pixel electrodes facing the counter electrode, and the display connected to the pixel electrode on the first substrate.
  • a switching device for switching and driving the medium layer is formed for each of a plurality of pixels, and at least two or more of the pixels are formed on the first substrate and the counter electrode.
  • a touch electrode that is placed in contact with the counter electrode when the second substrate is pressed and curved toward the first substrate, and is connected to the touch electrode. Detects continuity with the counter electrode And out for the element is located.
  • the first substrate is provided with a first protrusion that protrudes toward the second substrate and whose surface is covered with the touch electrode.
  • the second substrate is provided with a second protrusion that protrudes toward the one substrate and whose surface is covered with the counter electrode.
  • the switching element is connected to a gate line and a source line extending across the gate line, and the detection element includes a first detection line extending along the gate line and the source line. A second detection wiring extending along the line may be connected.
  • the switching element is connected to a gate line and a source line extending across the gate line.
  • the detection element includes a first detection line extending along the gate line, and the source line. May be connected.
  • the switching element is connected to a gate line and a source line extending across the gate line.
  • the detection element includes the gate line and a second detection line extending along the source line. May be connected.
  • the display medium layer may be a liquid crystal layer.
  • the display device includes a first substrate, a second substrate disposed to face the first substrate, and a display medium layer provided between the first substrate and the second substrate.
  • a counter electrode is formed on the second substrate; a plurality of pixel electrodes opposed to the counter electrode; and the display medium layer connected to the pixel electrode for switching driving the first substrate.
  • the switching element is a display device formed for each of a plurality of pixels, and at least two or more of the pixels are formed when the second substrate is pressed and curved toward the first substrate.
  • a pixel electrode is configured to be conductive when in contact with the counter electrode, and a detecting element connected to the pixel electrode for detecting the conduction between the pixel electrode and the counter electrode is disposed.
  • the second substrate is provided with a protruding portion that protrudes toward the first substrate and whose surface is covered with the counter electrode.
  • a transmission region and a reflection region are formed in each of the plurality of pixels, and the protruding portion is disposed in the reflection region.
  • the switching element is connected to a gate line and a source line extending across the gate line, and the detection element includes a first detection line extending along the gate line and the source line. A second detection wiring extending along the line may be connected.
  • the switching element is connected to a gate line and a source line extending across the gate line.
  • the detection element includes a first detection line extending along the gate line, and the source line. May be connected.
  • the switching element is connected to a gate line and a source line extending across the gate line.
  • the detection element includes the gate line and a second detection line extending along the source line. May be connected.
  • the display medium layer may be a liquid crystal layer.
  • a display medium layer such as a liquid crystal layer disposed between the counter electrode and the pixel electrode is switched by a switching element to display an image for each pixel.
  • the touch electrode and the detection element are arranged in the pixel, when the second substrate is pressed and curved toward the first substrate, the touch electrode comes into contact with the counter electrode and becomes conductive.
  • the touch electrode is opposed to the counter electrode when the second substrate is pressed. It is preferable because it is easy to come into contact.
  • the conduction state between the touch electrode and the counter electrode is detected by a detection element.
  • the detected signal is output by the first and second detection wirings.
  • the first detection wiring can also be used as a gate wiring
  • the second detection wiring can also be used as a source wiring.
  • the pixel electrode has the function of the touch electrode
  • the second substrate is pressed and curved toward the first substrate, the pixel electrode comes into contact with the counter electrode and becomes conductive.
  • the second protrusion is provided on the second substrate because the pixel electrode can easily come into contact with the counter electrode when the second substrate is pressed.
  • the conduction state between the pixel electrode and the counter electrode is detected by a detection element.
  • the detected signal is output by the first and second detection wirings.
  • the first detection wiring can also be used as a gate wiring, and the second detection wiring can also be used as a source wiring.
  • the opposing electrode contacts the pixel electrode in the reflective region when the second substrate is pressed by disposing the protruding portion in the reflective region. It is preferable because it becomes easy to do.
  • the touch electrode that contacts the counter electrode when the second substrate is pressed and the detection element that detects conduction between the touch electrode and the counter electrode are arranged in at least two or more pixels. As a result, it is thin and can detect multiple points simultaneously.
  • FIG. 1 is an enlarged plan view showing pixels of the liquid crystal display device according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a circuit diagram showing a circuit configuration corresponding to FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line III-III in FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV in FIG.
  • FIG. 5 is a timing chart showing the touch position detection operation.
  • FIG. 6 is an enlarged plan view showing pixels of the liquid crystal display device of the second embodiment.
  • FIG. 7 is a circuit diagram showing a circuit configuration corresponding to FIG.
  • FIG. 8 is an enlarged plan view showing the pixels of the liquid crystal display device according to the third embodiment.
  • FIG. 9 is a circuit diagram showing a circuit configuration corresponding to FIG. FIG.
  • FIG. 10 is an enlarged plan view showing pixels of the liquid crystal display device according to the fourth embodiment.
  • FIG. 11 is a circuit diagram showing a circuit configuration corresponding to FIG.
  • FIG. 12 is an enlarged plan view showing the pixels of the liquid crystal display device according to the fifth embodiment.
  • FIG. 13 is a circuit diagram showing a circuit configuration corresponding to FIG.
  • FIG. 14 is an enlarged plan view showing pixels of the liquid crystal display device according to the sixth embodiment.
  • FIG. 15 is a circuit diagram showing a circuit configuration corresponding to FIG.
  • FIG. 16 is an enlarged plan view showing pixels of the liquid crystal display device according to the seventh embodiment.
  • Embodiment 1 of the Invention 1 to 5 show Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 1 is a plan view showing an enlarged pixel of the liquid crystal display device according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a circuit diagram showing a circuit configuration corresponding to FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line III-III in FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV in FIG.
  • a liquid crystal display device will be described as an example.
  • the liquid crystal display device 1 of Embodiment 1 is configured as a transmissive liquid crystal display device that performs transmissive display.
  • the liquid crystal display device 1 includes a TFT substrate 11 that is a first substrate, a counter substrate 12 that is a second substrate disposed to face the TFT substrate 11, and the counter substrate 12 and the TFT substrate. 11 and a liquid crystal layer 10 which is a display medium layer provided between the two.
  • the liquid crystal display device 1 has, for example, a rectangular display area and a frame area that is a non-display area formed in a frame shape around the display area.
  • the display area is composed of a plurality of pixels 5 arranged in a matrix.
  • the counter substrate 12 includes, for example, a glass substrate 25 having a thickness of 0.7 mm or less, a color filter layer 26 and a counter electrode (common electrode) 27 sequentially stacked on the liquid crystal layer 10 side of the glass substrate 25. And have.
  • the color filter layer 26 includes an RGB colored layer 28 and a black matrix 29 which is a light shielding film.
  • the counter electrode 27 is made of, for example, ITO (Indium Tin Oxide), and is formed uniformly over the entire display area. Columnar spacers 31 for defining the thickness of the liquid crystal layer 10 (so-called cell gap) are formed on the surface of the counter electrode 27. An alignment film 30 is formed on the surface of the counter electrode 27 on the liquid crystal layer 10 side. A polarizing plate (not shown) is attached to the surface of the glass substrate 25 opposite to the liquid crystal layer 10.
  • ITO Indium Tin Oxide
  • the TFT substrate 11 is configured as a so-called active matrix substrate.
  • the TFT substrate 11 includes a glass substrate 35 having a thickness of 0.7 mm or less, for example, and a plurality of gate wirings 13 are formed to extend in parallel to each other as shown in FIGS.
  • a plurality of source lines 14 are formed on the TFT substrate 11 so as to cross the gate lines 13.
  • the TFT substrate 11 is formed with a pattern of gate lines 13 and source lines 14 in a grid pattern.
  • Each pixel 5 is formed by a rectangular region partitioned by the gate wiring 13 and the source wiring 14 as shown in FIGS.
  • Each pixel 5 includes a plurality of pixel electrodes 15 facing the counter electrode 27 and a TFT (Thin-Film Transistor) 16 that is connected to the pixel electrode 15 and is a switching element for switching and driving the liquid crystal layer 10.
  • TFT Thin-Film Transistor
  • the TFT 16 is disposed, for example, in the upper left corner of the pixel 5 in FIGS. 1 and 2, and is connected to the gate electrode 17 connected to the gate wiring 13, the source electrode 18 connected to the source wiring 14, and the pixel electrode 15.
  • the drain electrode 19 is provided. That is, the gate wiring 13 and the source wiring 14 are connected to the TFT 16.
  • the drain electrode 19 extends to the center of the pixel 5, and a capacitor electrode 22 is formed at the tip thereof. As shown in FIG. 3, the capacitor electrode 22 is covered with an interlayer insulating film 37, and a contact hole 23 is formed in the interlayer insulating film 37 above the capacitor electrode 22. The drain electrode 19 is connected to the pixel electrode 15 via the capacitor electrode 22 and the contact hole 23.
  • the signal voltage is supplied from the source wiring 14 to the pixel electrode 15 via the source electrode 18 and the drain electrode 19 in a state where the scanning voltage is applied to the gate electrode 17 via the gate wiring 13. ing.
  • a plurality of capacitor wirings 20 are formed in parallel to each other so as to pass through the approximate center of each pixel.
  • an insulating film 36 is interposed between the capacitor wiring 20 and the capacitor electrode 22, thereby forming a capacitor element 21 that is also called an auxiliary capacitor.
  • the capacitive element 21 is formed in each pixel 5, and the display voltage in each pixel 5 is maintained substantially constant.
  • the capacitor wiring 20 and the gate wiring 13 are formed on the surface of the glass substrate 35, and these are covered with an insulating film 36.
  • the capacitor electrode 22 and the source wiring 14 are formed on the surface of the insulating film 36, and these are covered with an interlayer insulating film 37.
  • a pixel electrode 15 is formed on the surface of the interlayer insulating film 37, and the pixel electrode 15 is covered with an alignment film 38.
  • the touch electrode 41 and the detection element 42 connected to the touch electrode 41 are formed on the TFT substrate 11 for each pixel 5.
  • the detection element 42 is disposed in the lower right corner of each pixel 5 in FIG. 1, for example, and is configured by a TFT.
  • a first detection wiring 43 extending along the gate wiring 13 and a second detection wiring 44 extending along the source wiring 14 are connected to the detection element 42. That is, the detection element 42 includes a gate portion 45 connected to the first detection wiring 43, a source portion 46 connected to the second detection wiring 44, and a drain portion 47 formed in a substantially rectangular plate shape. have.
  • the source portion 46 is covered with the interlayer insulating film 37, while the drain portion 47 is not covered with the interlayer insulating film 37.
  • a first protruding portion 51 that protrudes toward the counter substrate 12 is formed on the drain portion 47.
  • the first protrusion 51 is formed in a columnar shape, for example, and the surface thereof is covered with the touch electrode 41.
  • the touch electrode 41 is disposed in the notch portion of the pixel electrode 15 in each pixel 5, and the surface thereof is formed at the same height as the pixel electrode 15, and faces the counter electrode 27. Has been placed.
  • the detection element 42 is covered with a touch electrode 41 as shown in FIG.
  • the touch electrode 41 is made of ITO and is formed in the same process as the pixel electrode 15.
  • the alignment film 38 covers part of the pixel electrode 15 and the touch electrode 41, but is not formed in the vicinity of the first protrusion 51.
  • the second substrate 52 is formed on the surface of the black matrix 29 on the counter substrate 12.
  • the second substrate 52 is disposed at an upper position facing the first protrusion 51 and protrudes toward the TFT substrate 11.
  • the second protrusion 52 is formed in a cylindrical shape made of the same material as the columnar spacer 31, and the surface thereof is covered with the counter electrode 27.
  • the outer diameter of the second protrusion 52 is smaller than the outer diameter of the first protrusion 51.
  • the alignment film 30 covers most of the counter electrode 27 but is not formed in the vicinity of the second protrusion 52.
  • the counter electrode 27 below the second protrusion 52 comes into contact with the touch electrode 41 above the first protrusion 51 and becomes conductive. It has become.
  • the detection element 42 is configured to detect conduction between the touch electrode 41 and the counter electrode 27.
  • FIG. 5 is a timing chart showing the touch position detection operation.
  • com in FIG. 5 means the counter electrode 27.
  • an AC voltage of ⁇ 1 V is applied to the counter electrode 27.
  • GT1 means the upper first detection wiring 43 in FIG. 1
  • GT2 means the lower first detection wiring 43 in FIG.
  • GTn means the n-th first detection wiring 43 counted from GT1.
  • T2 means the second detection wiring 44 on the right side in FIG.
  • the detection element 42 (GT2-T2) connected to the first detection wiring 43 of GT2 and the second detection wiring 44 of T2 will be described.
  • the detection element 42 (GT1-T2) connected to the first detection wiring 43 of GT1 and the second detection wiring 44 of T2 will be described.
  • the drain portion 47 and the source portion 46 of the detection element 42 are conducted and turned on as described above. Become. At this time, if the counter substrate 12 is touched and the counter electrode 27 is in contact with the touch electrode 41 connected to the detection element 42 (GT1-T2), the voltage applied to the counter electrode 27 is + or ⁇ . Current flows through the second detection wiring 44 of T2 (see symbols B and D shown in FIG. 5). By detecting this current, the touch position is detected.
  • the detection element 42 (GTn-T2) connected to the first detection wiring 43 of GTn and the second detection wiring 44 of T2 will be described.
  • the drain part 47 and the source part 46 of the detection element 42 are electrically connected and turned on as described above. Become. However, if the counter substrate 12 is not touched and the counter electrode 27 is not in contact with the touch electrode 41 connected to the detection element 42 (GTn-T2), the second detection wiring 44 of T2 is connected. No current flows (see symbols E and F shown in FIG. 5). Therefore, in this case, the touch position is not detected, and it is detected that there is no contact.
  • the touch electrode 41 that comes into contact with the counter electrode 27 when the counter substrate 12 is pressed, and the detection element 42 that detects the conduction between the touch electrode 41 and the counter electrode 27 are provided. Since each pixel 5 is provided, the overall configuration is thin, and multiple touch positions can be detected simultaneously.
  • the touch position can be detected with high accuracy with a simple configuration regardless of the brightness of ambient ambient light.
  • the device cost can be reduced, and the display quality can be improved by suppressing the decrease in the aperture ratio.
  • the touch electrode 41 becomes the counter electrode 27 when the counter substrate 12 is pressed. Touching can be facilitated, and the detection accuracy of the touch position can be increased.
  • the display by the gate wiring 13 and the source wiring 14 is displayed in all the second detection wirings 44. Since the touch position can always be detected independently of the control, the detection accuracy can be further improved.
  • Embodiment 2 of the Invention >> 6 to 7 show Embodiment 2 of the present invention.
  • FIG. 6 is an enlarged plan view showing pixels of the liquid crystal display device of the second embodiment.
  • FIG. 7 is a circuit diagram showing a circuit configuration corresponding to FIG. In the following embodiments, the same parts as those in FIGS. 1 to 5 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
  • the first detection wiring 43 and the second detection wiring 44 are connected to the detection element 42 separately from the gate wiring 13 and the source wiring 14 connected to the display TFT 16.
  • the first detection wiring 43 is also used as the gate wiring 13.
  • the gate electrode 13 of the TFT 16 and the gate portion 45 of the detection element 42 are connected to the gate wiring 13.
  • the source wiring 14 is connected to the source electrode 18 of the TFT 16, while the second detection wiring 44 is connected to the source portion 46 of the detection element 42.
  • Embodiment 3 of the Invention >> 8 to 9 show Embodiment 3 of the present invention.
  • FIG. 8 is a plan view showing an enlarged pixel of the liquid crystal display device of the third embodiment.
  • FIG. 9 is a circuit diagram showing a circuit configuration corresponding to FIG.
  • the first detection wiring 43 and the second detection wiring 44 are connected to the detection element 42 separately from the gate wiring 13 and the source wiring 14 connected to the display TFT 16.
  • the second detection wiring 44 is also used as the source wiring 14.
  • the source electrode 18 of the TFT 16 and the source part 46 of the detection element 42 are connected to the source wiring 14.
  • the gate wiring 13 is connected to the gate electrode 17 of the TFT 16, while the first detection wiring 43 is connected to the gate portion 45 of the detection element 42.
  • the touch electrode 41 and the detection element 42 are provided in each pixel 5, the same effect as in the first embodiment can be obtained.
  • the second detection wiring 44 is also used as the source wiring 14, the number of wirings can be reduced and the aperture ratio of the pixel 5 can be improved.
  • Embodiment 4 of the Invention >> 10 to 11 show Embodiment 4 of the present invention.
  • FIG. 10 is an enlarged plan view showing the pixels of the liquid crystal display device according to the fourth embodiment.
  • FIG. 11 is a circuit diagram showing a circuit configuration corresponding to FIG.
  • the touch electrode 41 is provided separately from the pixel electrode 15, whereas in the fourth embodiment, the pixel electrode 15 also serves as the touch electrode 41.
  • the drain portion 57 is formed in a wiring shape, and the tip thereof is connected to the capacitor electrode 22. That is, both the drain part 57 of the detection element 42 and the drain electrode 19 of the TFT 16 are connected to the capacitor electrode 22.
  • the pixel electrode 15 is connected to the TFT 16 and the detection element 42 via the contact hole 23 and the capacitor electrode 22, respectively.
  • the first detection wiring 43 is connected to the gate portion 45, while the second detection wiring 44 is connected to the source portion 46, as in the first embodiment.
  • the counter substrate 12 is provided with the second protrusion 52, but the TFT substrate 11 is not provided with the first protrusion 51.
  • a part of the second projecting portion 52 is disposed so as to overlap the drain portion 47 when viewed from the normal direction of the surface of the TFT substrate 11 as shown in FIG.
  • each pixel 5 is configured such that when the counter substrate 12 is pressed and curved toward the TFT substrate 11, the pixel electrode 15 contacts the counter electrode 27 and becomes conductive.
  • the detection element 42 detects conduction between the pixel electrode 15 and the counter electrode 27.
  • Embodiment 4- since the detection element 42 is provided in each pixel 5, the same effect as in the first embodiment can be obtained.
  • the pixel electrode 15 can be formed larger by not providing the touch electrode 41, the aperture ratio can be increased and display quality can be improved.
  • the display by the gate wiring 13 and the source wiring 14 is displayed in all the second detection wirings 44. Since the touch position can always be detected independently of the control, the detection accuracy can be further improved.
  • Embodiment 5 of the Invention >> 12 to 13 show Embodiment 5 of the present invention.
  • FIG. 12 is a plan view showing an enlarged pixel of the liquid crystal display device according to the fifth embodiment.
  • FIG. 13 is a circuit diagram showing a circuit configuration corresponding to FIG.
  • the first detection wiring 43 and the second detection wiring 44 are connected to the detection element 42 separately from the gate wiring 13 and the source wiring 14 connected to the display TFT 16.
  • the first detection wiring 43 is also used as the gate wiring 13.
  • the gate electrode 17 of the TFT 16 and the gate portion 45 of the detection element 42 are connected to the gate wiring 13.
  • the source wiring 14 is connected to the source electrode 18 of the TFT 16, while the second detection wiring 44 is connected to the source portion 46 of the detection element 42.
  • the detection element 42 is provided in each pixel 5 and the pixel electrode 15 also serves as the touch electrode 41, the same effect as in the fourth embodiment can be obtained.
  • the first detection wiring 43 is also used as the gate wiring 13, the number of wirings can be reduced and the aperture ratio of the pixel 5 can be further improved.
  • Embodiment 6 of the Invention 14 to 15 show Embodiment 6 of the present invention.
  • FIG. 14 is a plan view showing an enlarged pixel of the liquid crystal display device according to the sixth embodiment.
  • FIG. 15 is a circuit diagram showing a circuit configuration corresponding to FIG.
  • the first detection wiring 43 and the second detection wiring 44 are connected to the detection element 42 separately from the gate wiring 13 and the source wiring 14 connected to the display TFT 16.
  • the second detection wiring 44 is also used as the source wiring 14.
  • the source electrode 18 of the TFT 16 and the source part 46 of the detection element 42 are connected to the source wiring 14.
  • the gate wiring 13 is connected to the gate electrode 17 of the TFT 16, while the first detection wiring 43 is connected to the gate portion 45 of the detection element 42.
  • the detection element 42 is provided in each pixel 5 and the pixel electrode 15 also serves as the touch electrode 41, the same effect as in the fourth embodiment can be obtained.
  • the second detection wiring 44 is also used as the source wiring 14, the number of wirings can be reduced and the aperture ratio of the pixel 5 can be improved.
  • Embodiment 7 of the Invention >> 16 to 18 show Embodiment 7 of the present invention.
  • FIG. 16 is an enlarged plan view showing the pixels of the liquid crystal display device according to the seventh embodiment. 17 is a cross-sectional view taken along line XVII-XVII in FIG. 18 is a cross-sectional view taken along line XVIII-XVIII in FIG.
  • Embodiment 7 has a semi-transmissive structure in the configuration of Embodiment 4 above. That is, in each pixel 5 in the seventh embodiment, as shown in FIGS. 16 and 18, a transmissive region 60 that transmits light and performs transmissive display, and a reflective image that reflects ambient light and performs reflective display, as shown in FIGS. A region 61 is provided.
  • an interlayer insulating film 37 covering the TFT 16 and the detection element 42 is formed on the TFT substrate 11, and a transmissive region 60 is formed in the removed region 62 from which the interlayer insulating film 37 has been removed. Is formed.
  • the surface of the interlayer insulating film 37 is formed in an uneven shape.
  • a transparent electrode 65 made of ITO or the like as the pixel electrode 15 is formed on the side wall surface of the interlayer insulating film 37 defining the removal region 62 and on the surface of the interlayer insulating film 37.
  • a reflective electrode 63 is laminated on the transparent electrode 65 covering the side wall surface of the interlayer insulating film 37 and the surrounding transparent electrode 65.
  • the TFT 16, the detection element 42, and the capacitor electrode 22 are individually and independently covered with a reflective electrode 63.
  • the capacitive electrode 22 has an extension part 64 extending to the transmission region 60, and the extension part 64 is connected to the transparent electrode 65.
  • the drain electrode 19 of the TFT 16 is also connected to the transparent electrode 65 in the transmissive region 60.
  • the pixel electrode 15 composed of the transparent electrode 65 is formed in the transmissive region 60, while the pixel electrode 15 composed of the transparent electrode 65 and the reflective electrode 63 is formed in the reflective region 61.
  • a second protrusion 52 is arranged at the lower left corner in FIG. As a result, when the counter substrate 12 is touched, the counter electrode 27 below the second protrusion 52 comes into contact with the reflective electrode 63 as the pixel electrode 15.
  • the touch position detection structure according to the present invention can also be applied to the transflective liquid crystal display device 1.
  • the pixel electrode 15 (reflective electrode 63) is closer to the counter substrate 12 than the transmissive region 60 by the thickness of the interlayer insulating film 37, and the second protrusion 52 is provided in the reflective region 61. Since it is provided, the counter electrode 27 under the second protrusion 52 can be easily brought into contact with the pixel electrode 15 (reflection electrode 63). As a result, the detection accuracy of the touch position can be easily increased.
  • the present invention may be configured as follows with respect to the first embodiment.
  • the detection elements 42 are arranged in all the pixels 5, but the detection elements 42 may be arranged in at least two or more pixels 5. Further, the detection element 42 and the touch electrode 41 may be arranged on at least two or more pixels 5.
  • the TFT 16 and the detection element 42 are not limited to the TFT, and other switching elements that turn on or off the current flow can also be applied.
  • the present invention is not limited to this, and the same applies to the semi-transmissive structure in the other embodiments. Can do.
  • the liquid crystal display device has been described as an example.
  • the present invention can be similarly applied to other display devices such as an organic EL display device.
  • the present invention is useful for a display device that detects position information on a display screen.

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Abstract

　少なくとも２つ以上の画素には、第１基板に形成されると共に対向電極に対向して配置され、第２基板が押圧されて第１基板側に湾曲した際に、対向電極に接触して導通するタッチ電極と、タッチ電極に接続されてタッチ電極と対向電極との導通を検出する検出用素子とが配置されている。

Description

表示装置
　本発明は、本発明は、表示画面上の位置情報を検出する表示装置に関するものである。
　近年、例えば液晶表示装置等の薄型の表示装置は、パーソナルコンピュータ、携帯電話、ＰＤＡ及びゲーム機器等の種々の機器に広く用いられている。また、タッチパネルが表示パネルに重ねて設けられることにより、表示画面上の位置情報を検出する表示装置も知られている。
　タッチパネルの方式としては、例えば、抵抗膜方式や光学方式等が、一般に知られている。
　抵抗膜方式では、表示パネルに貼り付けられた基板の表面と、当該基板の表面に僅かな隙間で貼り付けたフィルムの基板側表面との双方に、透明導電膜が貼り付けられている。そして、指やペン先等で押した位置で上記各透明導電膜が接触して電流が流れることから、その位置を検出するようになっている。
　しかし、表示パネルにタッチパネルを重ねて配置する構成では、表示パネルの表面、タッチパネルの裏面、タッチパネルの内部、及びタッチパネルの表面から反射光が生じるため、表示のコントラストが低下してしまう問題がある。
　また、上記各反射光が互いに干渉することによってモワレが生じる結果、表示品位が低下する問題もある。さらに、表示パネルとタッチパネルとを積層する構造上、表示装置全体が厚くなり、重くなるという問題もある。
　そこで、表示パネルと抵抗膜方式のタッチパネルとを一体化することが提案されている（例えば、特許文献１及び２等参照）。
　特許文献１には、液晶表示パネルを構成するＴＦＴ基板のゲート配線及びソース配線に第１タッチ電極を重ねて配置する一方、対向基板のブラックマトリクスに第２タッチ電極を重ねて配置することにより、上記第１及び第２タッチ電極を格子状に形成することが開示されている。
　特許文献２には、ＴＦＴ基板に対向基板側に突出する突出部を複数形成し、その突出部の表面を電極で覆うことが開示されている。そうして、突出部上の電極と対向電極との間の電気容量の変化、又は上記電極及び対向電極の抵抗の変化を検知することにより、位置情報を検出するようにしている。
特開２００１－０７５０７４号公報 特開２００７－４７８５１号公報
　ところが、上記特許文献１及び２の構成では、表示画面上の２点以上の多点の位置を同時に検出することができないという問題がある。
　一方、光学方式では、表示画素に光センサを配置することにより、指等が表示画面に接触して遮光された位置を、上記光センサによって検出するようになっている。しかしながら、光センサは、周囲の外光の明暗に応じて位置情報を確実に検出するために複雑な回路が必要となり、装置コストが上昇することが避けられない。さらに、光センサを画素に配置することで、画素の開口率が大幅に低下してしまう問題がある。
　本発明は、斯かる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、薄型で多点を同時に検出し得るようにすることにある。
　上記の目的を達成するために、本発明に係る表示装置は、第１基板と、上記第１基板に対向して配置された第２基板と、上記第１基板及び第２基板の間に設けられた表示媒体層とを備え、上記第２基板には、対向電極が形成され、上記第１基板には、上記対向電極に対向する複数の画素電極と、該画素電極に接続されて上記表示媒体層をスイッチング駆動するためのスイッチング素子とが、複数の画素毎にそれぞれ形成された表示装置であって、少なくとも２つ以上の上記画素には、上記第１基板に形成されると共に上記対向電極に対向して配置され、上記第２基板が押圧されて上記第１基板側に湾曲した際に、上記対向電極に接触して導通するタッチ電極と、上記タッチ電極に接続されて該タッチ電極と上記対向電極との導通を検出する検出用素子とが配置されている。
　上記第１基板には、上記第２基板側に突出すると共に表面が上記タッチ電極により覆われた第１突出部が設けられていることが好ましい。
　上記第２基板には、上記１基板側に突出すると共に表面が上記対向電極により覆われた第２突出部が設けられていることが好ましい。
　上記スイッチング素子には、ゲート配線と、該ゲート配線に交差して延びるソース配線とが接続され、上記検出用素子には、上記ゲート配線に沿って延びる第１検出用配線と、上記ソース配線に沿って延びる第２検出用配線とが接続されていてもよい。
　上記スイッチング素子には、ゲート配線と、該ゲート配線に交差して延びるソース配線とが接続され、上記検出用素子には、上記ゲート配線に沿って延びる第１検出用配線と、上記ソース配線とが接続されていてもよい。
　上記スイッチング素子には、ゲート配線と、該ゲート配線に交差して延びるソース配線とが接続され、上記検出用素子には、上記ゲート配線と、上記ソース配線に沿って延びる第２検出用配線とが接続されていてもよい。
　上記表示媒体層は、液晶層であってもよい。
　また、本発明に係る表示装置は、第１基板と、上記第１基板に対向して配置された第２基板と、上記第１基板及び第２基板の間に設けられた表示媒体層とを備え、上記第２基板には、対向電極が形成され、上記第１基板には、上記対向電極に対向する複数の画素電極と、該画素電極に接続されて上記表示媒体層をスイッチング駆動するためのスイッチング素子とが、複数の画素毎にそれぞれ形成された表示装置であって、少なくとも２つ以上の上記画素は、上記第２基板が押圧されて上記第１基板側に湾曲した際に、上記画素電極が上記対向電極に接触して導通するように構成され、上記画素電極に接続されて該画素電極と上記対向電極との導通を検出する検出用素子が配置されている。
　上記第２基板には、上記１基板側に突出すると共に表面が上記対向電極により覆われた突出部が設けられていることが好ましい。
　上記複数の画素には、それぞれ透過領域と反射領域とが形成され、上記突出部は、上記反射領域に配置されていることが好ましい。
　上記スイッチング素子には、ゲート配線と、該ゲート配線に交差して延びるソース配線とが接続され、上記検出用素子には、上記ゲート配線に沿って延びる第１検出用配線と、上記ソース配線に沿って延びる第２検出用配線とが接続されていてもよい。
　上記スイッチング素子には、ゲート配線と、該ゲート配線に交差して延びるソース配線とが接続され、上記検出用素子には、上記ゲート配線に沿って延びる第１検出用配線と、上記ソース配線とが接続されていてもよい。
　上記スイッチング素子には、ゲート配線と、該ゲート配線に交差して延びるソース配線とが接続され、上記検出用素子には、上記ゲート配線と、上記ソース配線に沿って延びる第２検出用配線とが接続されていてもよい。
　上記表示媒体層は、液晶層であってもよい。
　　　－作用－
　次に、本発明の作用について説明する。
　上記表示装置は、対向電極と画素電極との間に配置されている例えば液晶層等の表示媒体層がスイッチング素子によってスイッチング駆動されることにより、画素毎に画像の表示が行われる。
　まず、画素にタッチ電極と検出用素子とが配置されている場合には、第２基板が押圧されて第１基板側に湾曲した際に、タッチ電極が対向電極に接触して導通する。
　さらに、第１基板に第１突出部が設けられている場合、又は第２基板に第２突出部が設けられている場合には、第２基板が押圧された際に、タッチ電極が対向電極に接触しやすくなるために好ましい。
　上記タッチ電極と対向電極との導通状態は、検出用素子によって検出される。検出された信号は、第１及び第２検出用配線によって出力される。第１検出用配線はゲート配線と兼用することが可能であり、第２検出用配線はソース配線と兼用することが可能である。
　一方、画素電極が上記タッチ電極の機能を有している場合には、第２基板が押圧されて第１基板側に湾曲した際に、画素電極が対向電極に接触して導通する。
　さらに、第２基板に第２突出部が設けられている場合には、第２基板が押圧された際に、画素電極が対向電極に接触しやすくなるために好ましい。
　上記画素電極と対向電極との導通状態は、検出用素子によって検出される。検出された信号は、第１及び第２検出用配線によって出力される。第１検出用配線はゲート配線と兼用することが可能であり、第２検出用配線はソース配線と兼用することが可能である。
　また、画素に透過領域と反射領域とが形成されている場合には、突出部を反射領域に配置することによって、第２基板が押圧された際に、対向電極が反射領域の画素電極に接触しやすくなるために好ましい。
　本発明によれば、第２基板が押圧されたときに対向電極に接触するタッチ電極と、当該タッチ電極及び対向電極の導通を検出する検出用素子とを、少なくとも２つ以上の画素に配置するようにしたので、薄型で多点を同時に検出することができる。
図１は、本実施形態１の液晶表示装置の画素を拡大して示す平面図である。 図２は、図１に相当する回路構成を示す回路図である。 図３は、図１におけるIII－III線断面図である。 図４は、図１におけるIV－IV線断面図である。 図５は、タッチ位置の検出動作を示すタイミングチャートである。 図６は、本実施形態２の液晶表示装置の画素を拡大して示す平面図である。 図７は、図６に相当する回路構成を示す回路図である。 図８は、本実施形態３の液晶表示装置の画素を拡大して示す平面図である。 図９は、図８に相当する回路構成を示す回路図である。 図１０は、本実施形態４の液晶表示装置の画素を拡大して示す平面図である。 図１１は、図１０に相当する回路構成を示す回路図である。 図１２は、本実施形態５の液晶表示装置の画素を拡大して示す平面図である。 図１３は、図１２に相当する回路構成を示す回路図である。 図１４は、本実施形態６の液晶表示装置の画素を拡大して示す平面図である。 図１５は、図１４に相当する回路構成を示す回路図である。 図１６は、本実施形態７の液晶表示装置の画素を拡大して示す平面図である。 図１７は、図１６におけるXVII－XVII線断面図である。 図１８は、図１６におけるXVIII－XVIII線断面図である。
　以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。尚、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。
　《発明の実施形態１》
　図１～図５は、本発明の実施形態１を示している。
　図１は、本実施形態１の液晶表示装置の画素を拡大して示す平面図である。図２は、図１に相当する回路構成を示す回路図である。図３は、図１におけるIII－III線断面図である。図４は、図１におけるIV－IV線断面図である。
　本実施形態１では、液晶表示装置を例に挙げて説明する。本実施形態１の液晶表示装置１は、透過表示を行う透過型の液晶表示装置に構成されている。
　液晶表示装置１は、図３に示すように、第１基板であるＴＦＴ基板１１と、ＴＦＴ基板１１に対向して配置された第２基板である対向基板１２と、これら対向基板１２及びＴＦＴ基板１１の間に設けられた表示媒体層である液晶層１０とを備えている。
　液晶表示装置１は、図示を省略するが、例えば矩形状の表示領域と、この表示領域の周囲に枠状に形成された非表示領域である額縁領域とを有している。上記表示領域は、マトリクス状に配置された複数の画素５によって構成されている。
　対向基板１２は、図３に示すように、例えば０．７ｍｍ以下の厚みのガラス基板２５と、ガラス基板２５の液晶層１０側に順に積層されたカラーフィルタ層２６及び対向電極（共通電極）２７とを有している。カラーフィルタ層２６には、ＲＧＢの着色層２８と、遮光膜であるブラックマトリクス２９とが含まれる。
　対向電極２７は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）により構成され、表示領域の全体に亘って一様に形成されている。対向電極２７の表面には、液晶層１０の厚み（所謂セルギャップ）を規定するための柱状スペーサ３１が形成されている。対向電極２７の液晶層１０側表面には配向膜３０が形成されている。また、ガラス基板２５における液晶層１０とは反対側の表面には、図示省略の偏光板が貼り付けられている。
　一方、ＴＦＴ基板１１は、いわゆるアクティブマトリクス基板に構成されている。ＴＦＴ基板１１は、例えば０．７ｍｍ以下の厚みのガラス基板３５を有し、図１及び図２に示すように、複数のゲート配線１３が互いに平行に延びて形成されている。また、ＴＦＴ基板１１には、複数のソース配線１４が上記ゲート配線１３と交差して延びるように形成されている。そのことにより、ＴＦＴ基板１１には、ゲート配線１３及びソース配線１４からなる配線が格子状にパターン形成されている。
　各画素５は、図１及び図２に示すように、上記ゲート配線１３とソース配線１４とによって区画される矩形状の領域により形成されている。各画素５には、対向電極２７に対向する複数の画素電極１５と、画素電極１５に接続されて液晶層１０をスイッチング駆動するためのスイッチング素子であるＴＦＴ（Thin-Film Transistor）１６とが形成されている。
　ＴＦＴ１６は、例えば画素５における図１及び図２で左上隅部分に配置され、ゲート配線１３に接続されたゲート電極１７と、ソース配線１４に接続されたソース電極１８と、画素電極１５に接続されたドレイン電極１９とを備えている。つまり、ＴＦＴ１６には、ゲート配線１３及びソース配線１４が接続されている。
　ドレイン電極１９は、画素５の中央まで延びており、その先端に容量電極２２が形成されている。容量電極２２は、図３に示すように、層間絶縁膜３７によって覆われており、その層間絶縁膜３７には、容量電極２２の上方位置にコンタクトホール２３が形成されている。そして、ドレイン電極１９は、容量電極２２及びコンタクトホール２３を介して画素電極１５に接続されている。
　そうして、走査電圧がゲート配線１３を介してゲート電極１７に印加された状態で、信号電圧がソース配線１４からソース電極１８及びドレイン電極１９を介して画素電極１５へ供給されるようになっている。
　また、ＴＦＴ基板１１には、複数の容量配線２０が各画素の略中央を通るように、互いに平行に形成されている。容量配線２０と容量電極２２との間には、図３に示すように、絶縁膜３６が介在されており、これらによって補助容量とも称される容量素子２１が形成されている。容量素子２１は、各画素５にそれぞれ形成されており、各画素５における表示電圧を略一定に維持するようになっている。
　ここで、図１及び図３に示すように、ガラス基板３５の表面には容量配線２０及びゲート配線１３が形成されており、これらは絶縁膜３６によって覆われている。絶縁膜３６の表面には、容量電極２２及びソース配線１４が形成されており、これらは層間絶縁膜３７によって覆われている。層間絶縁膜３７の表面には、画素電極１５が形成されており、この画素電極１５は、配向膜３８によって覆われている。
　そうして、ゲート配線１３からＴＦＴ１６のゲート電極１７に走査信号が供給された画素５のラインでは、ソース配線１４から所定の信号電圧がソース電極１８及びドレイン電極１９を介して画素電極１５に書き込まれる。その結果、画素電極１５と対向電極２７との間に印加された信号電圧によって、当該画素５の液晶層１０が駆動され、所望の画像が表示されるようになっている。
　そして、図１及び図４に示すように、ＴＦＴ基板１１には、各画素５毎に、タッチ電極４１と、タッチ電極４１に接続された検出用素子４２とがそれぞれ形成されている。
　検出用素子４２は、各画素５における例えば図１で右下隅部分に配置され、ＴＦＴによって構成されている。検出用素子４２には、上記ゲート配線１３に沿って延びる第１検出用配線４３と、上記ソース配線１４に沿って延びる第２検出用配線４４とが接続されている。すなわち、検出用素子４２は、第１検出用配線４３に接続されたゲート部４５と、第２検出用配線４４に接続されたソース部４６と、略矩形板状に形成されたドレイン部４７とを有している。図４に示すように、ソース部４６は層間絶縁膜３７に覆われる一方、ドレイン部４７は層間絶縁膜３７に覆われていない。
　ＴＦＴ基板１１には、図１及び図４に示すように、対向基板１２側に突出する第１突出部５１がドレイン部４７上に形成されている。第１突出部５１は、例えば円柱状に形成され、その表面がタッチ電極４１によって覆われている。
　タッチ電極４１は、図１に示すように、各画素５において、画素電極１５の切欠部分に配置されると共に、その表面が画素電極１５と同じ高さに形成され、対向電極２７に対向して配置されている。上記検出用素子４２は、図１に示すように、タッチ電極４１によって覆われている。また、タッチ電極４１は、ＩＴＯにより構成され、画素電極１５と同じ工程で形成される。
　配向膜３８は、画素電極１５及びタッチ電極４１の一部を覆っているが、第１突出部５１の近傍には形成されていない。
　一方、対向基板１２には、上記第１突出部５１に対向する上方位置に配置され、ＴＦＴ基板１１側に突出する第２突出部５２がブラックマトリクス２９の表面に形成されている。第２突出部５２は、柱状スペーサ３１と同じ材料からなる円柱状に形成され、その表面が対向電極２７によって覆われている。この第２突出部５２の外径は第１突出部５１の外径よりも小さくなっている。
　配向膜３０は、対向電極２７の大部分を覆うが、第２突出部５２の近傍には形成されていない。
　こうして、対向基板１２が押圧されてＴＦＴ基板１１側に湾曲した際に、第２突出部５２下側の対向電極２７が、第１突出部５１上側のタッチ電極４１に接触して導通するようになっている。検出用素子４２は、上記タッチ電極４１と対向電極２７との導通を検出するように構成されている。
　　－タッチ位置検出方法－
　次に、上記液晶表示装置１によるタッチ位置検出方法について、図５を参照して説明する。図５は、タッチ位置の検出動作を示すタイミングチャートである。
　ここで、図５のｃｏｍは対向電極２７を意味する。対向電極２７には、例えば±１Ｖの交流電圧が印加されている。
　ＧＴ１は、図１で上側の第１検出用配線４３を意味し、ＧＴ２は、図１で下側の第１検出用配線４３を意味する。ＧＴｎは、ＧＴ１から数えてｎ番目の第１検出用配線４３を意味する。また、Ｔ２は、図１で右側の第２検出用配線４４を意味する。
　まず、ＧＴ２の第１検出用配線４３とＴ２の第２検出用配線４４とに接続されている検出用素子４２（ＧＴ２－Ｔ２）について説明する。
　ＧＴ２の第１検出用配線４３に所定の走査電圧が印加されると、当該検出用素子４２（ＧＴ２－Ｔ２）のドレイン部４７とソース部４６とが導通してＯＮ状態になる。このとき、対向基板１２がタッチされ、当該検出用素子４２（ＧＴ２－Ｔ２）に接続されているタッチ電極４１に対向電極２７が接触していれば、対向電極２７に印加されている＋又は－の電圧に応じて、Ｔ２の第２検出用配線４４に電流が流れる（図５に示す符号Ａ及びＣ参照。）。この電流が検知されることにより、タッチ位置が検出される。
　次に、ＧＴ１の第１検出用配線４３とＴ２の第２検出用配線４４とに接続されている検出用素子４２（ＧＴ１－Ｔ２）について説明する。
　ＧＴ１の第１検出用配線４３に所定の走査電圧が印加されると、上記と同様に、当該検出用素子４２（ＧＴ１－Ｔ２）のドレイン部４７とソース部４６とが導通してＯＮ状態になる。このとき、対向基板１２がタッチされ、当該検出用素子４２（ＧＴ１－Ｔ２）に接続されているタッチ電極４１に対向電極２７が接触していれば、対向電極２７に印加されている＋又は－の電圧に応じて、Ｔ２の第２検出用配線４４に電流が流れる（図５に示す符号Ｂ及びＤ参照。）。この電流が検知されることにより、タッチ位置が検出される。
　次に、ＧＴｎの第１検出用配線４３とＴ２の第２検出用配線４４とに接続されている検出用素子４２（ＧＴｎ－Ｔ２）について説明する。
　ＧＴｎの第１検出用配線４３に所定の走査電圧が印加されると、上記と同様に、当該検出用素子４２（ＧＴｎ－Ｔ２）のドレイン部４７とソース部４６とが導通してＯＮ状態になる。しかし、対向基板１２がタッチされておらず、当該検出用素子４２（ＧＴｎ－Ｔ２）に接続されているタッチ電極４１に対向電極２７が接触していなければ、Ｔ２の第２検出用配線４４に電流は流れない（図５に示す符号Ｅ及びＦ参照。）。したがって、この場合には、タッチ位置が検出されず、非接触であると検出される。
　　－実施形態１の効果－
　したがって、この実施形態１によると、対向基板１２が押圧されたときに対向電極２７に接触するタッチ電極４１と、当該タッチ電極４１及び対向電極２７の導通を検出する検出用素子４２とを、各画素５にそれぞれ設けるようにしたので、全体として薄型の構成とし、多点のタッチ位置を同時に検出することができる。
　さらに、複数の光センサを設けないので、周囲の外光の明暗に拘わらず、簡易な構成で高精度にタッチ位置を検出することができる。加えて、装置コストの低減を図ることができると共に、開口率の低下を抑制して表示品位の向上を図ることもできる。
　さらにまた、ＴＦＴ基板１１に第１突出部５１を設ける一方、対向基板１２に第２突出部５２を設けるようにしたので、対向基板１２が押圧された際に、タッチ電極４１を対向電極２７に接触しやすくすることができ、タッチ位置の検出精度を高めることができる。
　また、各検出用素子４２に第１検出用配線４３及び第２検出用配線４４をそれぞれ接続する構成としたので、全ての第２検出用配線４４において、ゲート配線１３及びソース配線１４による表示の制御とは独立して、常時、タッチ位置を検出できるため、検出精度をさらに高めることができる。
　《発明の実施形態２》
　図６～図７は、本発明の実施形態２を示している。
　図６は、本実施形態２の液晶表示装置の画素を拡大して示す平面図である。図７は、図６に相当する回路構成を示す回路図である。尚、以降の各実施形態では、図１～図５と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
　上記実施形態１では、表示用のＴＦＴ１６に接続されたゲート配線１３及びソース配線１４とは、別個独立に第１検出用配線４３及び第２検出用配線４４を検出用素子４２に接続するようにしたのに対し、本実施形態２では、第１検出用配線４３をゲート配線１３と兼用にしたものである。
　すなわち、図６及び図７に示すように、ゲート配線１３には、ＴＦＴ１６のゲート電極１７と、検出用素子４２のゲート部４５とが接続されている。一方、ＴＦＴ１６のソース電極１８にはソース配線１４が接続される一方、検出用素子４２のソース部４６には第２検出用配線４４が接続されている。
　　そうして、表示用の走査信号がゲート配線１３を介してＴＦＴ１６に供給されるときに、その信号が検出用素子４２のゲート部４５にも供給される。このとき、対向基板１２がタッチされて対向電極２７にタッチ電極４１が接触していれば、対向電極２７に印加されている電圧に応じた電流が、当該検出用素子４２から第２検出用配線４４に流れる。この第２検出用配線４４に流れた電流によって、タッチ位置が検出される。つまり、本実施形態２の構成によれば、各走査ラインの画素５において、表示信号の書き込みとタッチ位置の検出とが同時に行われる。
　　－実施形態２の効果－
　したがって、この実施形態２によると、タッチ電極４１及び検出用素子４２を各画素５にそれぞれ設けているので、上記実施形態１と同様の効果を得ることができる。そのことに加え、第１検出用配線４３をゲート配線１３と兼用にしたため、配線の数を減少させて、画素５の開口率を向上させることができる。
　《発明の実施形態３》
　図８～図９は、本発明の実施形態３を示している。
　図８は、本実施形態３の液晶表示装置の画素を拡大して示す平面図である。図９は、図８に相当する回路構成を示す回路図である。
　上記実施形態１では、表示用のＴＦＴ１６に接続されたゲート配線１３及びソース配線１４とは、別個独立に第１検出用配線４３及び第２検出用配線４４を検出用素子４２に接続するようにしたのに対し、本実施形態３では、第２検出用配線４４をソース配線１４と兼用にしたものである。
　すなわち、図８及び図９に示すように、ソース配線１４には、ＴＦＴ１６のソース電極１８と、検出用素子４２のソース部４６とが接続されている。一方、ＴＦＴ１６のゲート電極１７にはゲート配線１３が接続される一方、検出用素子４２のゲート部４５には第１検出用配線４３が接続されている。
　そうして、第１検出用配線４３を介して検出用素子４２のゲート部４５に信号電圧が供給されたときに、タッチ電極４１と対向電極２７とが接触していれば、対向電極２７に印加されている電圧に応じた電流が、当該検出用素子４２からソース配線１４に流れる。このソース配線１４に流れた電流によって、タッチ位置が検出される。
　　－実施形態３の効果－
　したがって、この実施形態３によると、タッチ電極４１及び検出用素子４２を各画素５にそれぞれ設けているので、上記実施形態１と同様の効果を得ることができる。そのことに加え、第２検出用配線４４をソース配線１４と兼用にしたため、配線の数を減少させて、画素５の開口率を向上させることができる。
　《発明の実施形態４》
　図１０～図１１は、本発明の実施形態４を示している。
　図１０は、本実施形態４の液晶表示装置の画素を拡大して示す平面図である。図１１は、図１０に相当する回路構成を示す回路図である。
　上記実施形態１では、タッチ電極４１を画素電極１５とは別個独立に設けたのに対し、本実施形態４は、画素電極１５がタッチ電極４１を兼ねるようにしたものである。
　すなわち、図１０及び図１１に示すように、本実施形態４の検出用素子４２は、ドレイン部５７が配線状に形成され、その先端が容量電極２２に接続されている。つまり、容量電極２２には、検出用素子４２のドレイン部５７と、ＴＦＴ１６のドレイン電極１９との双方が接続されている。このことにより、画素電極１５には、コンタクトホール２３及び容量電極２２を介して、ＴＦＴ１６及び検出用素子４２にそれぞれ接続されている。
　検出用素子４２には、上記実施形態１と同様に、第１検出用配線４３がゲート部４５に接続される一方、第２検出用配線４４がソース部４６に接続されている。
　対向基板１２には第２突出部５２が設けられているが、ＴＦＴ基板１１には第１突出部５１は設けられていない。この第２突出部５２の一部は、図１０に示すように、ＴＦＴ基板１１の表面の法線方向から見て、ドレイン部４７に重なるように配置されている。
　こうして、各画素５は、対向基板１２が押圧されてＴＦＴ基板１１側に湾曲した際に、画素電極１５が対向電極２７に接触して導通するように構成されている。一方、検出用素子４２は、画素電極１５と対向電極２７との導通を検出するようになっている。
　　－実施形態４の効果－
　したがって、この実施形態４によると、検出用素子４２を各画素５にそれぞれ設けているので、上記実施形態１と同様の効果を得ることができる。そのことに加え、タッチ電極４１を設けないことにより画素電極１５を大きく形成することができるため、開口率を大きくして表示品位の向上を図ることができる。
　さらに、各検出用素子４２に第１検出用配線４３及び第２検出用配線４４をそれぞれ接続する構成としたので、全ての第２検出用配線４４において、ゲート配線１３及びソース配線１４による表示の制御とは独立して、常時、タッチ位置を検出できるため、検出精度をさらに高めることができる。
　《発明の実施形態５》
　図１２～図１３は、本発明の実施形態５を示している。
　図１２は、本実施形態５の液晶表示装置の画素を拡大して示す平面図である。図１３は、図１２に相当する回路構成を示す回路図である。
　上記実施形態４では、表示用のＴＦＴ１６に接続されたゲート配線１３及びソース配線１４とは、別個独立に第１検出用配線４３及び第２検出用配線４４を検出用素子４２に接続するようにしたのに対し、本実施形態５では、第１検出用配線４３をゲート配線１３と兼用にしたものである。
　すなわち、図１２及び図１３に示すように、ゲート配線１３には、ＴＦＴ１６のゲート電極１７と、検出用素子４２のゲート部４５とが接続されている。一方、ＴＦＴ１６のソース電極１８にはソース配線１４が接続される一方、検出用素子４２のソース部４６には第２検出用配線４４が接続されている。
　そうして、表示用の走査信号がゲート配線１３を介してＴＦＴ１６に供給されるときに、その信号が検出用素子４２のゲート部４５にも供給される。このとき、対向基板１２がタッチされて対向電極２７に画素電極１５が接触していれば、対向電極２７に印加されている電圧に応じた電流が、当該検出用素子４２から第２検出用配線４４に流れる。この第２検出用配線４４に流れた電流によって、タッチ位置が検出される。つまり、本実施形態５の構成によれば、各走査ラインの画素５において、表示信号の書き込みとタッチ位置の検出とが同時に行われる。
　　－実施形態５の効果－
　したがって、この実施形態５によると、検出用素子４２を各画素５にそれぞれ設けると共に、画素電極１５がタッチ電極４１を兼ねるようにしたので、上記実施形態４と同様の効果を得ることができる。そのことに加え、第１検出用配線４３をゲート配線１３と兼用にしたため、配線の数を減少させて、画素５の開口率をさらに向上させることができる。
　《発明の実施形態６》
　図１４～図１５は、本発明の実施形態６を示している。
　図１４は、本実施形態６の液晶表示装置の画素を拡大して示す平面図である。図１５は、図１４に相当する回路構成を示す回路図である。
　上記実施形態４では、表示用のＴＦＴ１６に接続されたゲート配線１３及びソース配線１４とは、別個独立に第１検出用配線４３及び第２検出用配線４４を検出用素子４２に接続するようにしたのに対し、本実施形態６では、第２検出用配線４４をソース配線１４と兼用にしたものである。
　すなわち、図１４及び図１５に示すように、ソース配線１４には、ＴＦＴ１６のソース電極１８と、検出用素子４２のソース部４６とが接続されている。一方、ＴＦＴ１６のゲート電極１７にはゲート配線１３が接続される一方、検出用素子４２のゲート部４５には第１検出用配線４３が接続されている。
　そうして、第１検出用配線４３を介して検出用素子４２のゲート部４５に信号電圧が供給されたときに、画素電極１５と対向電極２７とが接触していれば、対向電極２７に印加されている電圧に応じた電流が、当該検出用素子４２からソース配線１４に流れる。このソース配線１４に流れた電流によって、タッチ位置が検出される。
　　－実施形態６の効果－
　したがって、この実施形態６によると、検出用素子４２を各画素５にそれぞれ設けると共に、画素電極１５がタッチ電極４１を兼ねるようにしたので、上記実施形態４と同様の効果を得ることができる。そのことに加え、第２検出用配線４４をソース配線１４と兼用にしたため、配線の数を減少させて、画素５の開口率を向上させることができる。
　《発明の実施形態７》
　図１６～図１８は、本発明の実施形態７を示している。
　図１６は、本実施形態７の液晶表示装置の画素を拡大して示す平面図である。図１７は、図１６におけるXVII－XVII線断面図である。図１８は、図１６におけるXVIII－XVIII線断面図である。
　本実施形態７は、上記実施形態４の構成において半透過構造としたものである。すなわち、本実施形態７における各画素５には、図１６及び図１８に示すように、光を透過して透過表示を行う透過領域６０と、周囲の外光を反射して反射表示を行う反射領域６１とが設けられている。
　ＴＦＴ基板１１には、図１６～図１８に示すように、ＴＦＴ１６及び検出用素子４２を覆う層間絶縁膜３７が形成されると共に、層間絶縁膜３７が除去された除去領域６２に透過領域６０が形成されている。図示は省略するが、上記層間絶縁膜３７の表面は凹凸状に形成されている。
　図１７及び図１８に示すように、除去領域６２を区画している層間絶縁膜３７の側壁面、及び層間絶縁膜３７の表面には、画素電極１５としてのＩＴＯ等からなる透明電極６５が形成されている。また、上記層間絶縁膜３７の側壁面を覆っている透明電極６５、及びその周囲の透明電極６５には、反射電極６３が積層されている。上記ＴＦＴ１６と、検出用素子４２及び容量電極２２とは、それぞれ別個独立に反射電極６３によって覆われている。
　ここで、容量電極２２は、図１６に示すように、透過領域６０へ延びた延長部６４を有し、この延長部６４において透明電極６５に接続されている。一方、ＴＦＴ１６のドレイン電極１９もまた、透過領域６０において透明電極６５に接続されている。
　こうして、透過領域６０には、透明電極６５からなる画素電極１５が形成される一方、反射領域６１には、透明電極６５及び反射電極６３からなる画素電極１５が形成されている。
　そして、各画素５の反射領域６１には、図１６で左下隅部分に、第２突出部５２が配置されている。そのことにより、対向基板１２がタッチされた際に、第２突出部５２の下部の対向電極２７が、画素電極１５としての反射電極６３に接触するようになっている。
　　－実施形態７の効果－
　したがって、この実施形態７によると、検出用素子４２を各画素５にそれぞれ設けると共に、画素電極１５としての反射電極６３がタッチ電極４１を兼ねているので、上記実施形態４と同様の効果を得ることができる。そのことに加え、半透過型の液晶表示装置１についても、本発明に係るタッチ位置検出構造を適用することができる。
　さらに、反射領域６１では、透過領域６０よりも、上記層間絶縁膜３７の厚みだけ画素電極１５（反射電極６３）が対向基板１２に近くなっており、その反射領域６１に第２突出部５２を設けるようにしたので、第２突出部５２下部の対向電極２７を、画素電極１５（反射電極６３）に容易に接触させることができる。その結果、タッチ位置の検出精度を容易に高めることができる。
　《その他の実施形態》
　本発明は、上記実施形態１について、以下のような構成としてもよい。
　上記各実施形態では、全ての画素５に検出用素子４２を配置させるようにしたが、少なくとも２つ以上の画素５に、検出用素子４２を配置するようにしてもよい。また、少なくとも２つ以上の画素５に、検出用素子４２及びタッチ電極４１を配置するようにしてもよい。
　また、ＴＦＴ１６及び検出用素子４２は、ＴＦＴに限らず電流の流れをＯＮ又はＯＦＦする他のスイッチング素子を適用することも可能である。
　また、上記実施形態７では、実施形態４において半透過構造にした例について説明したが、本発明はこれに限らず、その他の実施形態において半透過構造にしたものについても、同様に適用することができる。
　また、上記各実施形態では、液晶表示装置を例に挙げて説明したが、その他に例えば有機ＥＬ表示装置等の他の表示装置についても同様に、本発明を適用することができる。
　以上説明したように、本発明は、表示画面上の位置情報を検出する表示装置について有用である。
　１　　　液晶表示装置
　５　　　画素
１０　　　液晶層（表示媒体層）
１１　　　ＴＦＴ基板（第１基板）
１２　　　対向基板（第２基板）
１３　　　ゲート配線
１４　　　ソース配線
１５　　　画素電極
１６　　　ＴＦＴ（スイッチング素子）
２７　　　対向電極
４１　　　タッチ電極
４２　　　検出用素子
４３　　　第１検出用配線
４４　　　第２検出用配線
５１　　　第１突出部
５２　　　第２突出部
６０　　　透過領域
６１　　　反射領域
６３　　　反射電極
６５　　　透明電極

Claims (14)

  1. 　第１基板と、
    　上記第１基板に対向して配置された第２基板と、
    　上記第１基板及び第２基板の間に設けられた表示媒体層とを備え、
    　上記第２基板には、対向電極が形成され、
    　上記第１基板には、上記対向電極に対向する複数の画素電極と、該画素電極に接続されて上記表示媒体層をスイッチング駆動するためのスイッチング素子とが、複数の画素毎にそれぞれ形成された表示装置であって、
    　少なくとも２つ以上の上記画素には、上記第１基板に形成されると共に上記対向電極に対向して配置され、上記第２基板が押圧されて上記第１基板側に湾曲した際に、上記対向電極に接触して導通するタッチ電極と、上記タッチ電極に接続されて該タッチ電極と上記対向電極との導通を検出する検出用素子とが配置されている
    ことを特徴とする表示装置。
  2. 　請求項１に記載の表示装置において、
    　上記第１基板には、上記第２基板側に突出すると共に表面が上記タッチ電極により覆われた第１突出部が設けられている
    ことを特徴とする表示装置。
  3. 　請求項１又は２に記載の表示装置において、
    　上記第２基板には、上記１基板側に突出すると共に表面が上記対向電極により覆われた第２突出部が設けられている
    ことを特徴とする表示装置。
  4. 　請求項１乃至３の何れか１つに記載の表示装置において、
    　上記スイッチング素子には、ゲート配線と、該ゲート配線に交差して延びるソース配線とが接続され、
    　上記検出用素子には、上記ゲート配線に沿って延びる第１検出用配線と、上記ソース配線に沿って延びる第２検出用配線とが接続されている
    ことを特徴とする表示装置。
  5. 　請求項１乃至３の何れか１つに記載の表示装置において、
    　上記スイッチング素子には、ゲート配線と、該ゲート配線に交差して延びるソース配線とが接続され、
    　上記検出用素子には、上記ゲート配線に沿って延びる第１検出用配線と、上記ソース配線とが接続されている
    ことを特徴とする表示装置。
  6. 　請求項１乃至３の何れか１つに記載の表示装置において、
    　上記スイッチング素子には、ゲート配線と、該ゲート配線に交差して延びるソース配線とが接続され、
    　上記検出用素子には、上記ゲート配線と、上記ソース配線に沿って延びる第２検出用配線とが接続されている
    ことを特徴とする表示装置。
  7. 　請求項１乃至６の何れか１つに記載の表示装置において、
    　上記表示媒体層は、液晶層である
    ことを特徴とする表示装置。
  8. 　第１基板と、
    　上記第１基板に対向して配置された第２基板と、
    　上記第１基板及び第２基板の間に設けられた表示媒体層とを備え、
    　上記第２基板には、対向電極が形成され、
    　上記第１基板には、上記対向電極に対向する複数の画素電極と、該画素電極に接続されて上記表示媒体層をスイッチング駆動するためのスイッチング素子とが、複数の画素毎にそれぞれ形成された表示装置であって、
    　少なくとも２つ以上の上記画素は、上記第２基板が押圧されて上記第１基板側に湾曲した際に、上記画素電極が上記対向電極に接触して導通するように構成され、上記画素電極に接続されて該画素電極と上記対向電極との導通を検出する検出用素子が配置されている
    ことを特徴とする表示装置。
  9. 　請求項８に記載の表示装置において、
    　上記第２基板には、上記１基板側に突出すると共に表面が上記対向電極により覆われた突出部が設けられている
    ことを特徴とする表示装置。
  10. 　請求項９に記載の表示装置において、
    　上記複数の画素には、それぞれ透過領域と反射領域とが形成され、
    　上記突出部は、上記反射領域に配置されている
    ことを特徴とする表示装置。
  11. 　請求項８乃至１０の何れか１つに記載の表示装置において、
    　上記スイッチング素子には、ゲート配線と、該ゲート配線に交差して延びるソース配線とが接続され、
    　上記検出用素子には、上記ゲート配線に沿って延びる第１検出用配線と、上記ソース配線に沿って延びる第２検出用配線とが接続されている
    ことを特徴とする表示装置。
  12. 　請求項８乃至１０の何れか１つに記載の表示装置において、
    　上記スイッチング素子には、ゲート配線と、該ゲート配線に交差して延びるソース配線とが接続され、
    　上記検出用素子には、上記ゲート配線に沿って延びる第１検出用配線と、上記ソース配線とが接続されている
    ことを特徴とする表示装置。
  13. 　請求項８乃至１０の何れか１つに記載の表示装置において、
    　上記スイッチング素子には、ゲート配線と、該ゲート配線に交差して延びるソース配線とが接続され、
    　上記検出用素子には、上記ゲート配線と、上記ソース配線に沿って延びる第２検出用配線とが接続されている
    ことを特徴とする表示装置。
  14. 　請求項８乃至１３の何れか１つに記載の表示装置において、
    　上記表示媒体層は、液晶層である
    ことを特徴とする表示装置。
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