CN1661425A - 液晶显示装置及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种液晶显示(LCD)装置包括:第一基板,该第一基板上固定有多个柱体间隔物;第二基板,该第二基板对着第一基板,并在与柱体间隔物相对应的部分处有多个凸起,该凸起与柱体间隔物接触;以及液晶层,该液晶层在第一和第二基板之间。
Description
本申请要求韩国专利申请No.P2004-12692和P2004-29431的优先权,该韩国专利申请No.P2004-12692和P2004-29431在韩国的申请日为分别为2004年2月25日和2004年4月28日,这两篇文献被本文参引结合。
技术领域
本发明涉及一种显示装置以及一种制造显示装置的方法,尤其是,本发明涉及一种液晶显示(LCD)装置以及一种制造LCD装置的方法。
背景技术
由于对于各种显示装置的需求增加,各种类型的平面显示装置有了更大发展,这些平面显示装置例如LCD装置、等离子体显示面板(PDP)装置、场致发光显示(ELD)装置和真空荧光显示(VFD)装置。在这些平面显示装置中,由于LCD装置的较薄外形、较轻重量和较低能耗,因此通常使用LCD装置。例如,LCD装置通常用作阴极射线管(CRT)装置的替代品。此外,LCD装置通常用于笔记本计算机、计算机显示器和电视中。不过,为了在普通显示装置中使用LCD装置,该LCD装置必须发展成具有高质量的图像,例如高分辨率和高亮度以及大尺寸屏幕,同时还保持它们的较轻重量、较薄外形和较低能耗。
图1是现有技术的LCD装置的示意透视图。在图1中,LCD装置包括第一和第二基板1和2以及通过注射方法而形成于该第一和第二基板1和2之间的液晶层。第一基板1包括:多条选通线4,这些选通线4以固定间隔沿第一方向布置;多条数据线5,这些数据线5以固定间隔沿垂直于第一方向的第二方向布置;多个像素电极6,这些像素电极6以矩阵结构布置在由交叉的选通线4和数据线5限定的像素区域P内;以及多个薄膜晶体管T,这些薄膜晶体管T能够根据供给选通线4的数据而将信号从数据线5传递给像素电极6。第二基板2包括:黑底层7,该黑底层7防止光从第一基板1的、除了像素区域P之外的部分中发出;R/G/B滤色器层8,用于显示彩色光;以及公共电极9,用于产生图像。
在图1中,因为液晶层3形成于第一和第二基板1和2之间,因此,液晶层3的液晶分子由在像素电极6和公共电极9之间产生的电场来驱动。例如,液晶层3的液晶分子的对齐方向由施加给它的感应电场来控制。因此,通过液晶层3发射的光由液晶分子的对齐方向来控制,从而显示图像。图1的LCD装置通常称为扭曲向列(TN)型LCD装置,该装置的性能特征较差,例如较窄视角。
为了克服TN型LCD装置的这些问题,发展了面内切换(IPS)型LCD装置。在IPS型LCD装置中,像素电极和公共电极在它们之间为固定间隔的情况下彼此平行地形成于像素区域中。因此,平行于基板的电场产生于像素电极和公共电极之间,从而通过平行于基板的电场来对齐液晶层的液晶分子。
图2和3是根据相关技术的、用于制造LCD装置的方法的流程图,其中,图2表示了液晶注入方法,且图3表示了液晶分散方法。
在图2中,用于制造LCD装置的方法分成三个处理,包括阵列(array)处理、单元处理和模块处理。阵列处理大致包括两个步骤:形成TFT阵列,该TFT阵列具有在第一基板上的选通线和数据线、像素电极以及薄膜晶体管;以及形成滤色器阵列,该滤色器阵列具有在第二基板上的黑底层、滤色器层和公共电极。在阵列处理过程中,多个LCD面板形成于一个较大尺寸的玻璃基板上,且TFT阵列和滤色器阵列形成于各LCD面板内。然后,TFT基板和滤色器基板运动至单元处理线。随后,对齐材料涂覆在TFT基板和滤色器基板上,并对基板进行对齐处理(即摩擦处理)S10,以便获得液晶分子的均匀对齐方向。这时,对齐处理S10顺序执行以下处理:在对齐层进行涂覆之前进行清洁;印制对齐层;焙烤对齐层、检查对齐层;以及摩擦对齐层。因此,TFT基板和滤色器基板被分别进行清洁(S20)。
然后,用于保持在两个基板之间的单元间隙的球形间隔物分散在两个基板中的一个上(S30),且与各LCD面板区域的周边相对应地形成密封图形(seal pattern),以便使两个基板彼此粘接(S40)。这时,密封图形包括液晶注射进口,液晶材料通过该液晶注射进口来注射。球形间隔物由塑料球或微小弹性颗粒而形成。这时,在它们之间具有密封图形的TFT基板和滤色器基板定位成彼此相对,并彼此粘接,然后使该密封图形硬化(S50)。
然后,粘接的TFT和滤色器基板切成单独的LCD面板区域(S60),从而制成单位LCD面板,每个单位LCD面板具有固定尺寸。随后,液晶材料通过液晶注射进口而注入LCD面板,并密封该液晶注射进口(S70),从而形成液晶层。
在进行了检查处理(S80)之后,完成制造LCD装置的处理,该检查处理用于观察外观和检测LCD面板中的电故障。
在用于注射液晶材料的处理过程中,LCD面板和其中装有液晶材料的容器都布置在真空腔室中。因此,液晶材料和容器中的水汽和空气泡都同时除去,且LCD面板的内部空间保持真空状态。然后,在真空状态下,LCD面板的液晶注射进口浸入装有液晶材料的容器中,且腔室内部从真空状态转变成大气压力。因此,液晶材料根据在LCD面板内部和真空腔室之间的压力差而通过液晶注射进口注入LCD面板内部。
不过,该注射方法具有以下缺点。首先,在将较大尺寸的玻璃基板切成LCD面板区域之后,液晶注射进口浸入装有液晶材料的容器中,同时在两个基板之间保持真空状态。因此,需要很长时间来将液晶材料注射到两个基板之间,从而降低生产率。当形成较大尺寸的LCD装置时,很难完全地将液晶材料注入LCD面板内部,从而由于液晶材料的不完全注射而引起故障。而且,需要很长时间来将液晶材料注入较大尺寸LCD装置的较大空间内。
为了克服液晶注射方法的这些问题,已经提出了液晶分散方法,其中,在使液晶材料分散到两个基板的任意一个上之后再将两个基板相互粘接。在图3中,在粘接两个基板之前,液晶材料分散在两个基板的任意一个上。因此,不能使用球形间隔物来保持在两个基板之间的单元间隙,这是因为球形间隔物沿液晶材料的分散方向而运动。因此,不采用球形间隔物,被构图的间隔物或柱体间隔物固定在基板上,以便保持在两个基板之间的单元间隙。如图3所示,在阵列处理过程中,黑底层、滤色器层和外涂层形成于滤色器基板上。然后,感光树脂形成于外涂层上,并选择地进行去除,以便在黑底层上面的外涂层上形成柱体间隔物。该柱体间隔物可以在照相处理或喷墨处理中形成。
然后,对齐层各自地涂覆在TFT基板和滤色器基板的整个表面(包括柱体间隔物)上,并进行摩擦处理。在清洁TFT基板和滤色器基板之后(S101),液晶材料分散在两个基板中的一个上(S102),且密封图形通过分散装置而形成于LCD面板区域的周边上,该LCD面板区域在两个基板中的另一个上(S103)。这时,可以在两个基板中的任意一个上执行液晶的分散和密封图形的形成。
在将没有散布液晶材料的另一基板反转之后(S104),TFT基板和滤色器基板通过压力而彼此粘接,并使密封图形硬化(S105)。因此,粘接的基板切成各个LCD面板(S106)。此外,执行检查处理(S107),从而完成制造LCD装置的处理,该检查处理用于观察外观和对LCD面板中的电故障进行测试。
在根据液晶分散方法来制造LCD装置的方法中,柱体间隔物形成于滤色器基板上,且液晶材料分散在TFT基板上,然后将两个基板彼此粘接,从而形成LCD面板。因此,柱体间隔物固定在滤色器基板的预定部分上。此外,具有预定高度的柱体间隔物与TFT基板的、与选通线或数据线相对应的预定部分接触。
不过,根据液晶分散方法的LCD装置的柱体间隔物使得LCD面板有以下问题。例如,当通过液晶分散方法形成LCD装置时,柱体间隔物与选通线或数据线相对应地形成于滤色器基板上。因此,柱体间隔物形成为高度与具有相同宽度的线区域(选通线或数据线)相同。此外,具有相同高度的柱体间隔物形成于滤色器基板上,该滤色器基板与TFT基板相对,且这两个基板彼此粘接。因为柱体间隔物的支承力较弱,LCD面板可能由于重力而产生问题。例如,当LCD装置为较高温度时,LCD面板可以有凸出部分,因为液晶材料有较大的热膨胀特征。当LCD面板沿垂直方向布置时,LCD面板的液晶分子朝着底部拐角方向移动,因此,由于重力效应而使得液晶分子集中在LCD面板上的预定部分处。
图4是根据相关技术的、具有柱体间隔物并粘接的TFT和滤色器基板的剖视图。在图4中,多个柱体间隔物20以固定间隔形成于滤色器基板2的黑底层(未示出)上,其中,各柱体间隔物20形成为高度“h”。然后,上面有柱体间隔物20的滤色器基板2粘接在TFT基板1上。因此,由于在粘接处理过程中产生的压力,柱体间隔物20的高度“h”减小至高度“h′”。
在图4中,柱体间隔物20形成于与具有相同宽度的线区域相对应的部分上。而且,因为柱体间隔物20被进行构图,因此各柱体间隔物20的高度可能稍微不同,从而不能在LCD面板的整个区域上获得均匀重力。与球形间隔物(各球形间隔物具有球形端部)相比,柱体间隔物具有与基板更大的接触面积,从而在柱体间隔物20和基板之间产生较大的摩擦力。因此,当与具有柱体间隔物20的LCD装置的屏幕接触时,可能在屏幕上产生斑点,且该斑点将保持很长时间。
图5A是相关技术的LCD装置的平面图,而图5B是相关技术沿图5A的线I-I′的剖视图。在图5A中,当LCD面板10沿预定方向与手指连续接触时,LCD面板的上部基板2沿接触方向移动预定间隔,如图5B所示。当柱形的柱体间隔物与底部和上部基板1和2接触时,它们在柱体间隔物和两个相对基板之间产生较大摩擦力。因此,在柱体间隔物之间的液晶分子并不返回它们的初始位置,从而在屏幕上产生斑点。此外,当LCD面板沿预定方向与手指接触时,如图5B所示,液晶分子集中在接触部分周围的区域内,从而使得接触部分周围的区域凸出。这样,与凸出部分相对应的单元间隙“h1”大于其余部分的单元间隙“h2”,从而引起光泄漏。同时,因为接触部分没有液晶分子,因此,在黑色状态下在屏幕上出现模糊区域,从而降低了LCD面板10的亮度。而且,大量球形间隔物形成于基板上,但是柱体间隔物选择地形成于LCD面板的预定区域上。因此,当在没有柱体间隔物的预定部分处按压LCD面板时,由于基板的恢复速度较低,因此基板弯曲和形成空心状态,从而在LCD面板的屏幕上产生斑点。
发明内容
因此,本发明涉及一种LCD装置以及一种制造LCD装置的方法,它们基本消除了由于相关技术的限制和缺点而引起的一个或多个问题。
本发明的一个目的是提供一种LCD装置,该LCD装置防止在LCD面板中形成空心部分。
本发明的另一目的是提供一种制造该LCD装置的方法,该LCD装置防止在LCD面板中形成空心部分。
本发明的附加优点、目的和特征将部分在下面的说明中阐述,部分将由本领域普通技术人员通过学习下面的说明而清楚,或者可以通过实践本发明而了解。本发明的目的和其它优点可以通过在说明书和权利要求书以及附图中特别指出的结构来实现和获得。
为了实现这些目的和其它优点,根据本发明的目的,具体和广义地说,一种液晶显示(LCD)装置包括:第一基板,该第一基板上固定有多个柱体间隔物;第二基板,该第二基板对着第一基板,并在与柱体间隔物相对应的部分处有多个凸起,该凸起与柱体间隔物接触;以及液晶层,该液晶层在第一和第二基板之间。
在另一方面,一种液晶显示(LCD)装置包括:第一基板,该第一基板上固定有多个第一和第二柱体间隔物;第二基板,该第二基板对着第一基板,并在与第一柱体间隔物相对应的部分处有多个凸起,各凸起与一个柱体间隔物接触;以及液晶层,该液晶层在第一和第二基板之间。
在另一方面,一种液晶显示(LCD)装置包括:彼此相对的第一和第二基板;在第一基板上的多个第一和第二柱体间隔物;选通线和数据线,该选通线和数据线在第二基板上彼此相交,以便限定多个像素区域;薄膜晶体管,该薄膜晶体管包括半导体层以及源电极和漏电极,并布置在选通线和数据线的各交叉区域;在第二基板上的钝化层,该钝化层有包括漏电极的接触孔;多个像素电极,各像素电极在一个像素区域内并在钝化层上,各像素电极与薄膜晶体管的漏电极电连接;在钝化层上的多个凸起,各凸起与一个第一柱体间隔物相对应,并与一个第一柱体间隔物接触;以及液晶层,该液晶层在第一和第二基板之间。
在另一方面,一种液晶显示(LCD)装置包括:彼此相对的第一和第二基板;在第一基板上的多个第一和第二柱体间隔物;选通线和数据线,该选通线和数据线在第二基板上彼此相交,以便限定多个像素区域;公共线,该公共线与选通线平行,该公共线有多个公共电极,这些公共电极与数据线平行地从公共线上伸出;薄膜晶体管,该薄膜晶体管在选通线和数据线的各交叉区域,该薄膜晶体管包括半导体层以及源电极和漏电极;在第二基板上的钝化层,该钝化层有包括漏电极的接触孔;在钝化层上的多个像素电极,各像素电极与薄膜晶体管的漏电极连接,且各像素电极在像素区域内以固定间隔与公共电极平行地间隔开;在钝化层上的多个凸起,各凸起与一个第一柱体间隔物相对应,并与一个第一柱体间隔物接触;以及液晶层,该液晶层在第一和第二基板之间。
在另一方面,一种液晶显示(LCD)装置包括:彼此相对的第一和第二基板;在第一基板上的多个第一和第二柱体间隔物;多条选通线和相应的多个栅电极,它们在第二基板上;栅极绝缘层,该栅极绝缘层在第二基板的、包括选通线和栅电极的整个表面上;半导体层和第一凸起图形,它们在栅极绝缘层上,并与各栅电极和第一柱体间隔物相对应;多条数据线,这些数据线垂直于选通线,以便限定多个像素区域;源电极和漏电极,该源电极和漏电极在半导体层的两侧;在第一凸起图形上的第二凸起图形;在第二基板上的钝化层,该钝化层有包括漏电极的接触孔;在钝化层上的多个像素电极,各像素电极与薄膜晶体管的漏电极连接,且各像素电极在一个像素区域内;以及液晶层,该液晶层在第一和第二基板之间。
在另一方面,一种液晶显示(LCD)装置包括:彼此相对的第一和第二基板;在第一基板上的多个第一和第二柱体间隔物;在第二基板上的多条选通线和多个栅电极;公共线,该公共线有多个公共电极,各公共电极与选通线平行;栅极绝缘层,该栅极绝缘层在第二基板的、包括选通线和公共线的整个表面上;半导体层和第一凸起图形,它们在栅极绝缘层上,并与各栅电极和各第一柱体间隔物相对应;多条数据线,这些数据线垂直于选通线,以便限定多个像素区域;源电极和漏电极,该源电极和漏电极在半导体层的两侧;在第一凸起图形上的第二凸起图形;在第二基板上的钝化层,该钝化层有包括漏电极的接触孔;多个像素电极,各像素电极与薄膜晶体管的漏电极连接,且各像素电极在一个像素区域内以固定间隔与公共电极平行地间隔开;以及液晶层,该液晶层在第一和第二基板之间。
在另一方面,一种液晶显示(LCD)装置包括:彼此相对的第一基板和第二基板;在第二基板上的多个凸起,各凸起与一个像素区域相对应;在第一基板上的第一和第二柱体间隔物,各第一和第二柱体间隔物分别形成于每三个像素区域的两个不同像素区域中,且各第一柱体间隔物与一个凸起交叠,而各第二柱体间隔物并不与凸起交叠;以及液晶层,该液晶层在第一和第二基板之间。
在另一方面,一种液晶显示(LCD)装置包括:彼此相对的第一和第二基板;在第二基板上的多条选通线和多个栅电极;栅极绝缘层,该栅极绝缘层在第二基板的、包括选通线和栅电极的整个表面上;半导体层和第一凸起图形,它们在栅极绝缘层上,并与各栅电极和各选通线的预定部分相对应;多条数据线,这些数据线垂直于选通线,以便限定多个像素区域;源电极和漏电极,该源电极和漏电极在半导体层的两侧;在第一凸起图形上的第二凸起图形;在第二基板上的钝化层,该钝化层有包括漏电极的接触孔;在钝化层上的多个像素电极,各像素电极在一个像素区域内,且各像素电极与漏电极连接;在第一基板上的第一和第二柱体间隔物,各第一和第二柱体间隔物分别形成于每三个像素区域的两个不同像素区域中,且各第一柱体间隔物与一个凸起交叠,而各第二柱体间隔物并不与凸起交叠;以及液晶层,该液晶层在第一和第二基板之间。
在另一方面,一种制造液晶显示(LCD)装置的方法包括:形成在第一基板上的多个柱体间隔物;与一个柱体间隔物相对应地在第二基板上形成至少一个凸起;将液晶材料分散在第一和第二基板中的一个上;在第一和第二基板中的一个上形成密封图形;以及将第一和第二基板粘接在一起,这样,一个柱体间隔物和凸起彼此接触。
在另一方面,一种制造液晶显示(LCD)装置的方法包括:形成在第一基板上的多个第一和第二柱体间隔物;形成在第二基板上的至少一个凸起,该凸起与一个第一柱体间隔物相对应;将液晶材料分散在第一和第二基板中的一个上;形成在第一和第二基板中的一个上的密封图形;以及将第一和第二基板粘接在一起,这样,一个第一柱体间隔物和凸起彼此接触。
在另一方面,一种制造液晶显示(LCD)装置的方法包括:形成在第一基板上的多个第一和第二柱体间隔物;形成在第二基板上的多条选通线和多个栅电极;形成栅极绝缘层,该栅极绝缘层在第二基板的、包括选通线和栅电极的整个表面上;形成半导体层,该半导体层在栅极绝缘层上并在栅电极上面;形成在第二基板上的多条数据线,这些数据线垂直于选通线,以便限定多个像素区域以及在半导体层的两侧的源电极和漏电极;形成在第二基板上的钝化层,该钝化层有包括漏电极的接触孔;形成在钝化层上的多个像素电极,各像素电极与漏电极连接;形成在第二基板上的至少一个凸起,该凸起与一个第一柱体间隔物相对应;将液晶材料分散在第一和第二基板中的一个上;形成在第一和第二基板中的一个上的密封图形;以及将第一和第二基板粘接在一起,这样,一个第一柱体间隔物和凸起彼此接触。
在另一方面,一种制造液晶显示(LCD)装置的方法包括:形成在第一基板上的多个第一和第二柱体间隔物;形成在第二基板上的多条选通线和多个栅电极;形成栅极绝缘层,该栅极绝缘层在第二基板的、包括选通线和栅电极的整个表面上;形成在栅极绝缘层上的半导体层和第一凸起图形,它们对应于栅电极和第一柱体间隔物;形成在第二基板上的多条数据线,这些数据线垂直于选通线,以便限定多个像素区域、在半导体层的两侧的源电极和漏电极以及在第一凸起图形上的第二凸起图形;沿第二基板的整个表面形成钝化层,该钝化层有包括漏电极的接触孔;形成在钝化层上的多个像素电极,各像素电极与漏电极连接;将液晶材料分散在第一和第二基板中的一个上;形成在第一和第二基板中的一个上的密封图形;以及将第一和第二基板粘接在一起,这样,一个第一柱体间隔物和凸起彼此接触。
在另一方面,一种制造液晶显示(LCD)装置的方法包括:形成在第一基板上的多个第一和第二柱体间隔物;在第二基板上形成多条选通线和公共线,各选通线有栅电极,该公共线有多个公共电极;形成栅极绝缘层,该栅极绝缘层在第二基板的、包括选通线和公共线的整个表面上;形成在栅极绝缘层上的半导体层和第一凸起图形,它们对应于一个栅电极和一个第一柱体间隔物;形成在第二基板上的多条数据线,这些数据线垂直于选通线,以便限定多个像素区域、在半导体层的两侧的源电极和漏电极以及在第一凸起图形上的第二凸起图形;沿第二基板的整个表面形成钝化层,该钝化层有包括漏电极的接触孔;形成在钝化层上的多个像素电极,各像素电极与漏电极连接,并在一个像素区域内与公共电极平行;将液晶材料分散在第一和第二基板中的一个上;形成在第一和第二基板中的一个上的密封图形;以及将第一和第二基板粘接在一起,这样,一个第一柱体间隔物与第一和第二凸起图形彼此接触。
在另一方面,一种制造液晶显示(LCD)装置的方法包括:制备第一和第二基板,该第一和第二基板有多个像素区域;形成在第二基板上的多个凸起,各凸起与一个像素区域相对应;形成在第一基板上的第一和第二柱体间隔物,该第一和第二柱体间隔物在每三个像素区域的两个不同像素区域中,各第一柱体间隔物与一个凸起交叠,而各第二柱体间隔物并不与凸起交叠;将液晶材料分散在第一和第二基板中的一个上;形成在第一和第二基板中的一个上的密封图形;以及将第一和第二基板粘接在一起,这样,一个第一柱体间隔物和凸起彼此接触。
在另一方面,一种制造液晶显示(LCD)装置的方法包括:制备第一和第二基板;形成在第二基板上的选通线和栅电极;形成栅极绝缘层,该栅极绝缘层在第二基板的、包括选通线和栅电极的整个表面上;形成半导体层和第一凸起图形,它们在栅极绝缘层上,并与栅电极和选通线的预定部分相对应;形成在第二基板上的数据线,该数据线垂直于选通线,以便限定多个像素区域、在半导体层的两侧的源电极和漏电极以及在第一凸起图形上的第二凸起图形;形成在第二基板上的钝化层,该钝化层有包括漏电极的接触孔;形成在钝化层上的像素电极,该像素电极在像素区域内与漏电极连接;形成第一和第二柱体间隔物,该第一和第二柱体间隔物在第一基板上并在每三个像素区域的第一像素区域和第二像素区域中,且第一柱体间隔物与第二基板上的多个凸起中的一个交叠,而第二柱体间隔物并不与凸起交叠;将液晶材料分散在第一和第二基板中的一个上;形成在第一和第二基板中的一个上的密封图形;以及将第一和第二基板粘接在一起,这样,第一柱体间隔物与多个凸起中的一个交叠并彼此接触。
在另一方面,一种液晶显示(LCD)装置包括:第一基板,该第一基板有多个第一和第二柱体间隔物;第二基板,该第二基板对着第一基板,该第二基板与第一柱体间隔物接触;液晶层,该液晶层在第一和第二基板之间。
应当知道,前述总体说明和后面对本发明的详细说明都是示例说明,并将进一步解释发明的权利要求。
附图说明
附图表示了本发明的实施例,并与说明书一起用于解释本发明的原理,该附图用于进一步理解本发明,并包含在本说明书中,并构成说明书的一部分。附图中:
图1是相关技术的LCD装置的示意透视图;
图2是根据相关技术的、制造LCD装置的方法的流程图;
图3是根据相关技术的、制造LCD装置的另一方法的流程图;
图4是根据相关技术的、具有柱体间隔物并粘接的TFT和滤色器基板的剖视图;
图5A是相关技术的LCD装置的平面图;
图5B是根据相关技术的、沿图5A的线I-I′的剖视图;
图6是本发明的示例LCD装置的剖视图;
图7A和7B是本发明的另一示例LCD装置的剖视图;
图8是本发明的示例IPS型LCD装置的示意平面图;
图9是本发明的、沿图8的线II-II′的剖视图;
图10是本发明的、沿图8的线II-II′的剖视图;
图11是本发明的示例TFT基板的平面图;
图12是本发明的示例LCD装置的平面图;
图13是本发明的、沿图12的线III-III′的剖视图;
图14是本发明的另一示例LCD装置的剖视图;
图15是本发明的另一示例LCD装置的剖视图;
图16是本发明的另一示例LCD装置的剖视图;
图17是本发明的另一示例LCD装置的剖视图;
图18是本发明的另一示例LCD装置的剖视图;
图19是本发明的示例TN型LCD装置的平面图;以及
图20是本发明的、沿图19的线IV-IV′的剖视图。
具体实施方式下面将详细介绍本发明的优选实施例,附图中表示了优选实施例的实例。
图6是本发明的示例LCD装置的示意剖视图。在图6中,LCD装置可以包括滤色器基板100、TFT基板200、液晶层(未示出)、多个第一和第二柱体间隔物50a和50b以及多个凸起51。此外,滤色器基板100可以有布置在其上的滤色器阵列,而TFT基板200可以有布置在其上的TFT阵列,并对着滤色器基板100,其中,液晶层55可以形成于滤色器基板100和TFT基板200之间。
多个第一和第二柱体间隔物50a和50b可以在离TFT基板200预定间隔处形成于滤色器基板100上,且多个凸起51可以与多个第一柱体间隔物相对应地形成于TFT基板200上。因此,多个凸起51可以形成为与第一柱体间隔物50a相对应,从而在TFT基板200和滤色器基板100之间保持均匀的单元间隙。此外,第二柱体间隔物50b可以起到缓冲器的作用,用于在外力压低LCD面板的基板时防止在LCD面板中形成空心部分。因此,在凸起51和第一柱体间隔物50a之间的接触面积可以根据凸起51的上表面面积来确定。
第一和第二柱体间隔物50a和50b可以形成于与TFT基板200的选通线或数据线相对应的部分上。不过,第二柱体间隔物50b可以形成于与像素区域相对应的部分上。因此,凸起51的表面面积可以比第一柱体间隔物50a的表面面积更小。例如,第一柱体间隔物50a的表面区域可以有与凸起51接触的第一区域以及不与凸起51接触的第二区域。
图7A和7B是本发明的另一示例LCD装置的剖视图,其中,图7A和图7B表示了LCD装置在接触时和接触后的变化。在图7A中,当接触LCD面板时,在第一柱体间隔物50a和凸起51之间的接触面积可以减小,从而减小它们之间的摩擦力。在接触之后,液晶分子可以快速回复至初始状态,如图7B所示。因此,可以防止液晶分子移动至接触部分,从而防止光泄漏,并沿整个LCD面板获得均匀的光亮度。
图8是本发明的示例IPS型LCD装置的示意图,而图9是本发明的、沿图8的线II-II′的剖视图。在图8和9中,滤色器基板100和TFT基板200可以在它们之间有预定间隔的情况下彼此粘接,且液晶层(未示出)可以通过注射方法而形成于滤色器基板100和TFT基板200之间。滤色器基板100可以包括黑底层31、R/G/R滤色器层(未示出)和外涂层33,它们都形成于玻璃基板60上。黑底层31可以防止光从与选通线和数据线以及薄膜晶体管相对应的部分(除了在各个像素区域)发射。滤色器层(未示出)可以形成为在与各像素区域相对应的部分处产生各种颜色的光,且外涂层33可以沿黑底层31和滤色器层的整个表面而形成。
然后,第一和第二柱体间隔物50a和50b可以在外涂层33的预定部分上由感光树脂形成。然后,TFT基板200可以布置成对着滤色器基板100。TFT基板200可以包括多条选通线41和多条数据线42,它们都形成于玻璃基板70上。此外,选通线和数据线41和42可以形成为彼此垂直,从而限定像素区域。而且,公共线47可以形成为与选通线41平行,且多个公共电极47a可以从公共线47向像素区域伸出,并可以以固定间隔而形成。而且,薄膜晶体管TFT可以形成于选通线和数据线41和42的各交叉部分处,并可以包括源电极和漏电极42a和42b。
然后,多个像素电极43可以形成于公共电极47a之间并与该公共电极47a平行,其中,各像素电极43可以与TFT的漏电极42b连接。此外,从半导体层44和数据线42上伸出的凸起51(图7A和7B中)可以与第一柱体间隔物50a相对应地形成于选通线41上面。
制造TFT、像素电极和凸起的示例方法可以包括通过溅镀法而沿玻璃基板70的整个表面沉积金属材料例如Mo、Al或Cr,并可以通过光刻处理而形成图形,从而同时形成多条选通线41、从选通线41上伸出的栅电极41a、公共线47和公共电极47a。
随后,可以沿玻璃基板70的整个表面(包括选通线41)沉积SiNx绝缘材料,从而形成栅极绝缘层45。然后,半导体层44可以沉积在栅极绝缘层45上,并形成图形,以便形成第一凸起图形44a,从而与第一柱体间隔物50a相对应地在栅极绝缘层45上形成凸起。例如,非晶硅层(或多晶硅层)和有较多掺杂的硅层可以顺序沉积,同时形成图形,从而形成半导体层44。然后,金属材料例如Mo、Al或Cr可以通过溅镀法而沿玻璃基板70的整个表面沉积,并通过光刻处理而形成图形,从而形成垂直于选通线41的数据线42。
然后,源电极和漏电极42a和42b可以形成于半导体层44的两侧,第二凸起图形42c可以形成于第一凸起图形44a上。因此,源电极42a可以从数据线42上凸出。当源电极和漏电极42a和42b形成图形时,可以除去在源电极42a和漏电极42b之间的掺杂硅层部分。然后,凸起51可以由第一和第二凸起图形44a和42c而形成。
然后,可以利用化学蒸气沉积(CVD)方法而沿玻璃基板70的整个表面(包括源电极42a和漏电极42b)形成SiNx钝化层46。也可选择,钝化层46可以由具有较低介电常数的有机材料(例如苯环丁烯(BenzoCycloButene,简称BCB),旋涂式玻璃(Spin On Glass,简称SOG)或丙烯)形成,以便提高液晶单元的孔径比。然后,钝化层46可以在漏电极42b上进行选择蚀刻,从而形成接触孔,该接触孔使得漏电极42b的预定部分暴露。而且,透明导电层可以通过溅射而形成于钝化层46上,以便通过接触孔而与漏电极42b连接。然后,可以选择地除去透明导电层,以便形成与漏电极42连接的像素电极43,该像素电极43在公共电极47a之间并与该公共电极47a平行。
在图8和9中,凸起51可以并不形成于与第二柱体间隔物相对应的部分处。尽管未示出,第一和第二对齐层可以分别形成于具有柱体间隔物50a和50b的滤色器基板100上和具有凸起51的TFT基板200上,其中,可以对该滤色器基板100和TFT基板200进行摩擦处理。当摩擦滤色器基板和TFT基板100和200时,第一和第二对齐层的表面可以在均匀压力和速度下与布进行摩擦。因此,对齐层的聚合物链可以沿预定方向对齐,从而限定了液晶层的液晶分子的初始对齐方向。
这时,凸起51的上表面比第一柱体间隔物50a的底表面更小。凸起51形成于与第一柱体间隔物50a相对应的部分处,以便当LCD装置的屏幕沿一个方向进行接触时减小在第一柱体间隔物和形成于TFT基板200上的结构之间的接触面积。因此,可以通过减小在第一柱体间隔物和形成于TFT基板上的结构之间的摩擦力来提高液晶的回复力。
因此,与第一柱体间隔物50a相对应的TFT基板200可以有包括基板70、选通线41、栅极绝缘层45、半导体层的第一凸起图形44a、由与数据线相同的材料形成的第二凸起图形42c以及钝化层46的垂直沉积结构。此外,与第二柱体间隔物50b相对应的TFT基板200可以有包括基板70、选通线41、栅极绝缘层45和钝化层46的垂直沉积结构。因此,第一柱体间隔物50的整个表面并不与凸起51接触。例如,第一柱体间隔物50a的表面区域可以分成第一和第二区域,其中,第一区域可以与凸起51接触,而第二区域并不与凸起51接触。
这时,与第一区域相对应的TFT基板200可以有包括基板70、选通线41、栅极绝缘层45、半导体层的第一凸起图形44a、由与数据线相同的材料形成的第二凸起图形42c以及钝化层46的垂直沉积结构。此外,与第二区域相对应的TFT基板200可以有包括基板70、选通线41、栅极绝缘层45和钝化层46的垂直沉积结构。因此,在与第一柱体间隔物50a和第二柱体间隔物50b相对应的TFT基板200表面之间可以存在大约500或更大的梯级差。
在图9中,滤色器基板100可以包括柱体间隔物50a和50b,TFT基板200可以包括凸起51。也可选择,柱体间隔物可以形成于TFT基板上,凸起51可以形成于滤色器基板上。
在图8和9中,第一和第二柱体间隔物50a和50b可以交替形成于像素区域中,且各凸起51可以形成于与第一柱体间隔物50a相对应的部分处。也可选择,第一或第二柱体间隔物50a或50b可以形成于每两个像素区域中,且凸起51可以形成于与第一柱体间隔物50a相对应的部分处。
图10是本发明的、沿图8的线II-II′的剖视图。在图8和10中,LCD装置可以包括滤色器基板100和TFT基板200,该滤色器基板100和TFT基板200进行粘接,且在它们之间有预定间隔,而液晶层(未示出)可以通过在滤色器基板100和TFT基板200之间注射液晶材料而形成。
滤色器基板100可以包括黑底层31、R/G/B滤色器层(未示出)以及外涂层33,它们都形成于玻璃基板60上。黑底层31可以防止光从与选通线和数据线以及薄膜晶体管相对应的部分(除了在各个像素区域)发射。滤色器层(未示出)可以在与各像素区域相对应的部分处产生各种颜色的光,且外涂层33可以沿黑底层31和滤色器层的整个表面而形成。
然后,第一和第二柱体间隔物50a和50b可以形成于外涂层33的预定部分上,其中,该第一和第二柱体间隔物50a和50b可以由感光树脂形成。
然后,包括多条选通线41和多条数据线42的TFT基板200可以形成为对着滤色器基板100,其中,选通线41和数据线42彼此交叉,以便限定多个像素区域。此外,公共线47可以形成为与选通线41平行,且从公共线47朝着像素区域伸出的多个公共电极47a可以以固定间隔而形成。
然后,薄膜晶体管TFT可以形成于选通线和数据线41和42的各交叉部分处,其中,TFT可以包括源电极和漏电极42a和42b。
然后,多个像素电极43可以形成于公共电极47a之间并与该公共电极47a平行,其中,各像素电极43可以与TFT的漏电极42b连接。此外,凸起51可以与第一柱体间隔物50a相对应地形成于TFT基板200上。
制造薄膜晶体管、像素电极和凸起的示例方法可以包括沿玻璃基板70的整个表面沉积金属材料例如Mo、Al或Cr,并通过光刻处理而形成图形,从而同时形成多条选通线41、从选通线41上伸出的栅电极41a、公共线47和公共电极47a。
随后,可以通过沿玻璃基板70的整个表面(包括选通线41)沉积SiNx绝缘材料而形成栅极绝缘层45。然后,半导体层44可以形成于在栅电极41a上面的栅极绝缘层45上。例如,非晶硅层(或多晶硅层)和有较多掺杂的硅层可以顺序沉积,同时形成图形,从而形成半导体层34。
然后,金属材料例如Mo、Al或Cr可以通过溅镀法而沿玻璃基板70的整个表面沉积,并通过光刻处理而形成图形,从而形成垂直于选通线41的数据线42。
然后,源电极和漏电极42a和42b可以形成于半导体层44的两侧,其中,源电极42a可以从数据线42上凸出。当源电极和漏电极42a和42b形成图形时,可以除去在源电极42a和漏电极42b之间的掺杂硅层部分。
然后,可以利用CVD方法而沿基板的整个表面(包括源电极42a和漏电极42b)形成SiNx钝化层46。也可选择,钝化层46可以由具有较低介电常数的有机材料(例如BCB、SOG或丙烯)形成,以便提高液晶单元的孔径比。然后,钝化层46可以在漏电极42b上进行选择蚀刻,从而形成接触孔,该接触孔使得漏电极42b的预定部分暴露。此外,透明导电层可以通过溅射而形成于钝化层46上,以便通过接触孔而与漏电极42b连接。然后,可以选择地除去透明导电层,以便形成与漏电极42连接的像素电极43,且该像素电极43形成于公共电极47a之间并与该公共电极47a平行。
然后,凸起51可以通过在钝化层46上沉积与柱体间隔物相同的材料并选择地除去该沉积材料而与第一柱体间隔物50a相对应地形成于滤色器基板100上。
尽管未示出,第一和第二对齐层可以分别形成于滤色器基板100上和TFT基板200上,然后,可以对该滤色器基板100和TFT基板200进行摩擦处理。在摩擦滤色器基板和TFT基板100和200的过程中,第一和第二对齐层的表面可以在均匀压力和速度下与布进行摩擦。因此,对齐层的聚合物链可以沿预定方向对齐,从而限定了液晶材料的初始对齐方向。
因此,凸起51的上表面可以比第一柱体间隔物50a的底表面更小。此外,凸起51可以形成于与第一柱体间隔物50a相对应的部分处,以便当LCD装置的屏幕沿一个方向进行接触时减小在第一柱体间隔物和形成于TFT基板200上的结构之间的接触表面。因此,可以增加液晶材料的回复力,并可以减小在第一柱体间隔物50a和形成于TFT基板200上的结构之间的摩擦力。
根据本发明,柱体间隔物可以形成于滤色器基板上,凸起可以形成于TFT基板上。也可选择,柱体间隔物可以形成于TFT基板上,凸起可以形成于滤色器基板上。在图10中,凸起51可以与第一柱体间隔物50a相对应附加地形成,从而需要进行附加处理。
此外,如图10所示,第一和第二柱体间隔物50a和50b可以交替形成于像素区域内,凸起51可以形成于与第一柱体间隔物50a相对应的部分处。也可选择,第一或第二柱体间隔物50a或50b可以形成于每两个像素区域中,且凸起51可以形成于与第一柱体间隔物50a相对应的部分处。因此,在与第一柱体间隔物50a和第二柱体间隔物50b相对应的TFT基板200表面之间可以存在大约500或更大的梯级差。同样,在与第一和第二区域相对应的TFT基板200表面之间可以存在大约500或更大的梯级差。
图11是本发明的示例TFT基板的平面图,图12是本发明的示例LCD装置的平面图,而图13是本发明的、沿图12的线III-III′的剖视图。在图11、12和13中,LCD装置可以包括滤色器基板100和TFT基板200,该滤色器基板100和TFT基板200进行粘接,且在它们之间有预定间隔,而液晶层(未示出)可以通过在滤色器基板100和TFT基板200之间注射液晶材料而形成。
滤色器基板100可以包括黑底层31、R/G/B滤色器层(未示出)以及外涂层33,它们都形成于玻璃基板60上,其中,黑底层31可以防止光从与选通线和数据线以及薄膜晶体管相对应的部分(除了在各个像素区域)发射。滤色器层(未示出)可以在与各像素区域相对应的部分处产生各种颜色的光,且外涂层33可以沿黑底层31和滤色器层的整个表面而形成。
然后,第一和第二柱体间隔物50a和50b可以形成于外涂层33的预定部分上,并可以由感光树脂形成。然后,第一和第二柱体间隔物50a和50b的两个柱体间隔物可以在每三个像素区域中形成于两个像素区域内。例如,第一柱体间隔物50a可以形成于三个像素区域中的第一像素区域内,第二柱体间隔物50b可以形成于这三个像素区域的另一个像素区域内。更具体地说,第一柱体间隔物50a可以形成于与红色相对应的像素区域内,第二柱体间隔物50b可以形成于与蓝色相对应的像素区域内,而与绿色相对应的像素区域中可以没有柱体间隔物。柱体间隔物可以形成为固定间隔。
TFT基板200可以包括多条选通线41和多条数据线42,这些选通线41和数据线42彼此交叉,以便限定多个像素区域。此外,公共线47可以形成为与选通线平行,且从公共线47朝着像素区域伸出的多个公共电极47a可以以固定间隔而形成。然后,薄膜晶体管TFT可以形成于选通线和数据线41和42的各交叉部分处,并可以包括源电极和漏电极42a和42b。
然后,多个像素电极43可以形成于公共电极47a之间并与该公共电极47a平行,其中,各像素电极43可以与TFT的漏电极42b连接。此外,凸起51可以在各像素区域中形成于选通线41上,其中,凸起51可以由第一凸起图形44a和第二凸起图形42c形成。而且,一些凸起51可以与第一柱体间隔物50a交叠,一些凸起51可以不与第二柱体间隔物50b交叠。各凸起51的上表面可以比第一柱体间隔物50a的底表面更小。
制造薄膜晶体管、像素电极和凸起的示例方法可以包括通过溅镀法而沿玻璃基板70的整个表面沉积金属材料例如Mo、Al或Cr,并通过光刻处理而形成图形,从而同时形成多条选通线41、从选通线41上伸出的栅电极41a、公共线47和公共电极47a。
随后,可以通过沿玻璃基板70的整个表面(包括选通线41)沉积SiNx绝缘材料而形成栅极绝缘层45。然后,半导体层44可以沉积在栅极绝缘层45上,并形成图形,以便形成第一凸起图形44a,该第一凸起图形44a用于在各像素区域内形成在栅极绝缘层45上的凸起51。第一凸起图形44a可以形成为在至少三个像素区域中的一个像素区域内与第一柱体间隔物50a交叠。例如,非晶硅层(或多晶硅层)和有较多掺杂的硅层可以顺序沉积,同时形成图形,从而形成半导体层34。
然后,金属材料例如Mo、Al或Cr可以通过溅镀法而沿玻璃基板70的整个表面沉积,并通过光刻处理而形成图形,从而形成垂直于选通线41的数据线42。然后,源电极和漏电极42a和42b可以形成于半导体层44的两侧,且第二凸起图形42c形成于第一凸起图形44a上。因此,源电极42a可以从数据线42上凸出。当源电极和漏电极42a和42b形成图形时,可以除去在源电极42a和漏电极42b之间的掺杂硅层部分。因此,可以通过第一和第二凸起图形44a和42c而形成凸起51。
随后,可以利用CVD方法而沿TFT基板70的整个表面(包括源电极42a和漏电极42b)形成SiNx钝化层46。也可选择,钝化层46可以由具有较低介电常数的有机材料(例如BCB、SOG或丙烯)形成,以便提高液晶单元的孔径比。然后,钝化层46可以在漏电极42b上进行选择蚀刻,从而形成接触孔,该接触孔使得漏电极42b的预定部分暴露。此外,透明导电层可以形成于钝化层46上,以便通过接触孔而与漏电极42b连接。然后,可以选择地除去透明导电层,以便形成与漏电极42连接的像素电极43,且该像素电极43形成于公共电极47a之间并与该公共电极47a平行。
尽管未示出,第一和第二对齐层可以分别形成于具有柱体间隔物50a和50b的滤色器基板100上以及具有凸起51的TFT基板200上,然后,可以对该滤色器基板100和TFT基板200进行摩擦处理。在摩擦滤色器基板和TFT基板100和200时,对齐层的表面可以在均匀压力和速度下与布进行摩擦。因此,对齐层的聚合物链可以沿预定方向对齐,从而限定了液晶层的液晶分子的初始对齐方向。
根据本发明,柱体间隔物可以形成于滤色器基板上,凸起可以形成于TFT基板上。也可选择,柱体间隔物可以形成于TFT基板上,凸起可以形成于滤色器基板上。而且,凸起可以形成于钝化层上。
根据本发明,凸起可以形成于与第一柱体间隔物相对应的部分处。在凸起的形成过程中,可能在第一柱体间隔物和凸起之间的接触区域产生斑点,从而很难保持均匀的单元间隙。为了克服该问题,当凸起的尺寸增加时,在凸起和第一柱体间隔物之间的接触面积增加。因此,可以在与第一柱体间隔物相对应的部分处形成至少两个凸起,以便减小接触压力,因为在凸起和第一柱体间隔物之间的接触面积增大。
图14是本发明的另一示例LCD装置的剖视图。图14的示例LCD装置可以包括与图8-13中相似的材料和结构,因此,为了简明而省略对公共结构的详细说明。在图14中,LCD装置可以包括滤色器基板100和TFT基板200,其中,第一柱体间隔物50a和第二柱体间隔物50b(未示出)可以形成于滤色器基板100上,至少两个凸起51可以与第一柱体间隔物50a相对应地形成于TFT基板200上。此外,如前所述,至少两个凸起51可以由栅极绝缘层上的半导体层和数据线的材料来形成。也可选择,至少两个凸起51可以形成于钝化层上。
图15是本发明的另一示例LCD装置的剖视图。图15的示例LCD装置可以包括与图8-13中相似的材料和结构,因此,为了简明而省略对公共结构的详细说明。在图15中,LCD装置可以包括第一凸起图形51a和第二凸起图形51b,其中,第一和第二凸起图形51a和51b可以有不同尺寸,并可以都形成于TFT基板200上。此外,与第一柱体间隔物50a相对应的第二凸起图形51b可以比第一凸起图形51a更小,从而通过减小第一柱体间隔物50a和第二凸起图形51b之间的接触面积而减小摩擦力,并防止由于接触而产生斑点。
第一和第二凸起图形51a和51b可以由相同材料形成,并可以包括形成于栅极绝缘层上的半导体层和数据线的材料。也可选择,第一和第二凸起图形51a和51b可以形成于钝化层上。
图16是本发明的另一示例LCD装置的剖视图。图16的示例LCD装置可以包括与图8-13中相似的材料和结构,因此,为了简明而省略对公共结构的详细说明。在图16中,第一凸起图形51a可以与滤色器基板100的第一柱体间隔物50a相对应地形成于TFT基板200上。然后,第二凸起图形51b可以形成于TFT基板200上,以便与第一凸起图形51a局部交叠。因此,在第一柱体间隔物50a和凸起之间的接触面积可以由第二凸起图形51b的上表面来确定。因此,当第二凸起图形51b的上表面减小时,在第二凸起图形51b的上表面和第一柱体间隔物50a之间的摩擦力可以减小,从而减少由于接触形成斑点。
当第一柱体间隔物50a的上表面进行接触时,施加的压力负载作用在第一和第二凸起图形51a和51b上。因此,与形成一个凸起(该凸起的尺寸比第一柱体间隔物更小)的结构相比,可以防止柱体间隔物变形。也可选择,第一和第二凸起图形51a和51b可以形成于钝化层上。
图17是本发明的另一示例LCD装置的剖视图。图17的示例LCD装置可以包括与图8-13中相似的材料和结构,因此,为了简明而省略对公共结构的详细说明。在图17中,第一有机绝缘层可以沉积在TFT基板200上,然后形成图形,以便形成彼此为预定间隔的第一和第二凸起图形51a和51b。
然后,第二绝缘层可以沿TFT基板200的整个表面(包括第一和第二凸起图形51a和51b)形成,然后形成图形,以便形成与第一柱体间隔物50a接触的第三凸起图形51c。此外,第三凸起图形51c可以与第一和第二凸起图形51a和51b进行局部交叠。因此,尽管在使第一和第二有机绝缘层形成图形以便形成第一和第二凸起图形51a和51b时可能没有对齐,在第一柱体间隔物50a和第三凸起51c之间的接触面积可以保持恒定,因为第一和第二有机绝缘层可以形成相同厚度。
此外,根据由第一和第二凸起图形51a和51b产生的梯级差,第三凸起图形51c中可以包括槽51d,从而减小在第三凸起图形51c和第一柱体间隔物50a之间的接触面积。也可选择,凸起图形51a、51b和51c可以形成于钝化层上。
图18是本发明的另一示例LCD装置的剖视图。图18的示例LCD装置可以包括与图8-13中相似的材料和结构,因此,为了简明而省略对公共结构的详细说明。在图18中,LCD装置可以包括具有第一凸起图形51a和第二凸起图形51b的凸起,其中,该第一和第二凸起图形51a和51b可以有不同尺寸。例如,第一凸起图形51a可以比第二凸起图形51b更小,因此第一凸起图形51a可以由第二凸起图形51b覆盖,并可以由相同材料形成。也可选择,第一和第二凸起图形51a和51b可以形成于钝化层上。
根据本发明,尽管图8-18的结构可以用于IPS型LCD装置,但是它们也可以用于TN型LCD装置。
图19是本发明的示例TN型LCD装置的平面图,而图20是本发明沿图19的线IV-IV′的剖视图。在图20中,滤色器基板100可以包括黑底层31、R/G/B滤色器层32和公共电极34,它们都形成于玻璃基板60上。黑底层31可以防止光从与选通线和数据线以及薄膜晶体管相对应的部分(除了各像素区域)发射。滤色器层32可以形成为在与各像素区域相对应的部分处产生各种颜色,而公共电极34可以沿玻璃基板60的整个表面(包括黑底层31和滤色器层32)形成。然后,第一和第二柱体间隔物50a和50b可以形成于公共电极34的预定部分上,并可以由感光树脂形成。
在图20中,TFT基板200可以包括多条选通线41和多条数据线42,它们都形成于玻璃基板70上。选通线和数据线41和42可以彼此交叉,从而限定了多个像素区域。此外,像素电极43可以形成于像素区域内,薄膜晶体管可以形成于选通线和数据线41和42的各交叉区域处。然后,可以在选通线41上形成凸起,该凸起可以包括半导体层44a和数据线42。
制造薄膜晶体管、像素电极和凸起的示例方法可以包括通过溅镀法而沿玻璃基板70的整个表面沉积金属材料例如Mo、Al或Cr,并通过光刻处理而形成图形,从而同时形成多条选通线41,其中,栅电极41a从选通线41上伸出。
随后,可以通过沿玻璃基板70的整个表面(包括选通线41)沉积SiNx绝缘材料,从而形成栅极绝缘层45。然后,半导体层44可以在栅电极41a上面沉积于栅极绝缘层45上,并形成图形,以便形成第一凸起图形44a,该第一凸起图形44a用于形成在栅极绝缘层45上的、与第一柱体间隔物50a相对应的凸起51。例如,非晶硅层(或多晶硅层)和有较多掺杂的硅层可以顺序沉积,同时形成图形,从而形成半导体层34。
然后,金属材料例如Mo、Al或Cr可以通过溅镀法而沿基板的整个表面沉积,并通过光刻处理而形成图形,从而形成垂直于选通线41的数据线42。然后,源电极和漏电极42a和42b可以形成于半导体层44的两侧,且第二凸起图形42c形成于第一凸起图形44a上。因此,源电极42a可以从数据线42上凸出。当源电极和漏电极42a和42b形成图形时,可以除去在源电极42a和漏电极42b之间的掺杂硅层部分。因此,可以通过第一和第二凸起图形44a和42c而形成凸起51。
随后,可以利用CVD方法而沿基板的整个表面(包括源电极42a和漏电极42b)形成SiNx钝化层46。也可选择,钝化层46可以由具有较低介电常数的有机材料(例如BCB、SOG或丙烯)形成,以便提高液晶单元的孔径比。然后,钝化层46可以在漏电极42b上进行选择蚀刻,从而形成接触孔,该接触孔使得漏电极42b的预定部分暴露。此外,透明导电层可以形成于钝化层46上,以便通过接触孔而与漏电极42b电连接。然后,可以选择地除去透明导电层,以便在像素区域中保留该透明导电层,从而在像素区域中形成像素电极43。
尽管未示出,第一和第二对齐层可以分别形成于滤色器基板100和TFT基板200上,然后,可以对该滤色器基板100和TFT基板200进行摩擦处理。在摩擦滤色器基板和TFT基板100和200时,对齐层的表面可以在均匀压力和速度下与布进行摩擦。因此,对齐层的聚合物链可以沿预定方向对齐,从而限定了液晶层55的液晶分子的初始对齐方向。此外,凸起51的上表面可以比第一柱体间隔物50a的底表面更小。
根据本发明,柱体间隔物可以形成于滤色器基板上,凸起可以形成于TFT基板上。也可选择,柱体间隔物可以形成于TFT基板上,凸起可以形成于滤色器基板上。
根据本发明,第一和第二柱体间隔物50a和50b可以与TFT基板200间开大约500或更大的预定间隔,因此,凸起可以选择地形成为使得高度在滤色器和TFT基板100和200之间的预定间隔范围内。因此,第二柱体间隔物可以形成为没有相应凸起,以便防止当LCD面板由外力压低时在LCD面板内形成空心区域。此外,尽管第一和第二柱体间隔物50a和50b表示为形成于滤色器基板100上,但是它们也可以形成于TFT基板200上。因此,当在TFT基板上形成第一和第二柱体间隔物50a和50b时,凸起可以与该第一和第二柱体间隔物50a和50b相对应地形成于滤色器基板100上。
根据本发明,当形成较大尺寸的LCD面板时,LCD装置的液晶层可以利用液晶分散方法来形成,以便提高生产率。此外,当柱体间隔物形成于LCD装置内时,可以形成与该柱体间隔物相对应的凸起,以便减小在柱体间隔物和基板之间的摩擦力。例如,尽管可以沿预定方向接触LCD面板的表面,但是在柱体间隔物和相对基板之间的摩擦力减小。因此,可以通过提高液晶层的回复力而防止由于接触形成斑点,从而提高LCD面板的亮度和敏感性。此外,凸起可以选择地形成为与柱体间隔物相对应,从而可以形成没有对应的凸起的柱体间隔物,以便当外力按压LCD面板时防止在LCD面板中形成空心区域。
本领域技术人员应当知道,本发明的液晶显示装置以及制造该液晶显示装置的方法可以进行各种变化和改变。因此,本发明覆盖本发明的变化和改变,只要这些变化和改变在附加权利要求和它们的等同物的范围内。
Claims (83)
1.一种液晶显示(LCD)装置,包括:
第一基板,该第一基板上固定有多个柱体间隔物;
第二基板,该第二基板对着第一基板,并在与柱体间隔物相对应的部分处有多个凸起,所述凸起与柱体间隔物接触;以及
液晶层,该液晶层在所述第一和第二基板之间。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于:多个凸起中的每一个与至少一个柱体间隔物相对应。
3.根据权利要求1所述的装置,其特征在于:各柱体间隔物由与凸起相同的材料形成。
4.根据权利要求1所述的装置,其特征在于:各凸起通过沉积第一和第二凸起图形而形成。
5.根据权利要求4所述的装置,其特征在于:第一凸起图形大于第二凸起图形。
6.根据权利要求4所述的装置,其特征在于:第一凸起图形被第二凸起图形的一部分覆盖,该第二凸起图形大于第一凸起图形。
7.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,各凸起包括:第一凸起图形,该第一凸起图形在第二基板上;以及第二凸起图形,该第二凸起图形在第二基板上,并与第一凸起图形局部交叠。
8.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,各凸起包括:第一和第二凸起图形,所述第一和第二凸起图形彼此成预定间隔;以及第三凸起图形,该第三凸起图形与柱体间隔物接触,并与第一和第二凸起图形局部交叠。
9.根据权利要求8所述的装置,其特征在于:所述第一、第二和第三凸起图形由有机绝缘层形成。
10.根据权利要求8所述的装置,其特征在于:所述第三凸起图形包括槽,该槽与第一和第二凸起图形的梯级差相对应。
11.根据权利要求1所述的装置,其特征在于:各凸起的截面面积小于柱体间隔物的截面面积。
12.根据权利要求1所述的装置,还包括:至少一个对齐层,该对齐层在第一基板和第二基板中的一个上,该第一基板上固定有柱体间隔物,该第二基板有凸起。
13.一种液晶显示(LCD)装置,包括:
第一基板,该第一基板上固定有多个第一和第二柱体间隔物;
第二基板,该第二基板对着第一基板,并在与第一柱体间隔物相对应的部分处有多个凸起,每个凸起与一个柱体间隔物接触;以及
液晶层,该液晶层在所述第一和第二基板之间。
14.根据权利要求13所述的装置,其特征在于:一些凸起的中心部分与一些第一柱体间隔物的中心部分相对应。
15.根据权利要求13所述的装置,其特征在于:所述第一和第二柱体间隔物由与各凸起相同的材料形成。
16.根据权利要求13所述的装置,其特征在于:各第二柱体间隔物与第二基板间开预定间隔。
17.根据权利要求16所述的装置,其特征在于:在第二基板的、与第一柱体间隔物和第二柱体间隔物相对应的表面之间的梯级差为大约500或更大。
18.根据权利要求13所述的装置,其特征在于:各凸起包括第一和第二凸起图形。
19.根据权利要求18所述的装置,其特征在于:所述第一凸起图形的面积大于第二凸起图形的面积。
20.根据权利要求18所述的装置,其特征在于:所述第一凸起图形被第二凸起图形的一部分覆盖,该第二凸起图形大于第一凸起图形。
21.根据权利要求13所述的装置,其特征在于,各凸起包括:第一凸起图形,该第一凸起图形在第二基板上;以及第二凸起图形,该第二凸起图形在第二基板上,并与第一凸起图形局部交叠。
22.根据权利要求13所述的装置,其特征在于,各凸起包括:第一和第二凸起图形,该第一和第二凸起图形彼此成预定间隔;以及第三凸起图形,该第三凸起图形与柱体间隔物接触,并与第一和第二凸起图形局部交叠。
23.根据权利要求22所述的装置,其特征在于:所述第一、第二和第三凸起图形由有机绝缘层形成。
24.根据权利要求22所述的装置,其特征在于:所述第三凸起图形包括槽,该槽的深度与第一和第二凸起图形的梯级差相对应。
25.根据权利要求13所述的装置,其特征在于:各凸起的截面面积小于第一柱体间隔物的截面面积。
26.根据权利要求13所述的装置,还包括:至少一个对齐层,所述对齐层在第一基板和第二基板中的一个上,该第一基板上固定有第一和第二柱体间隔物,该第二基板具有凸起。
27.一种液晶显示(LCD)装置,包括:
彼此相对的第一和第二基板;
在第一基板上的多个第一和第二柱体间隔物;
选通线和数据线,所述选通线和数据线在第二基板上彼此相交,以便限定多个像素区域;
薄膜晶体管,该薄膜晶体管包括半导体层以及源电极和漏电极,并布置在选通线和数据线的各交叉区域;
在第二基板上的钝化层,该钝化层有包括漏电极的接触孔;
多个像素电极,各像素电极在一个像素区域内并在钝化层上,各像素电极与薄膜晶体管的漏电极电连接;
在钝化层上的多个凸起,各凸起与一个第一柱体间隔物相对应,并与一个第一柱体间隔物接触;以及
液晶层,该液晶层在第一和第二基板之间。
28.根据权利要求27所述的装置,其特征在于:各个凸起与一个第一柱体间隔物相对应。
29.根据权利要求27所述的装置,其特征在于:各第二柱体间隔物与第二基板间开预定间隔。
30.根据权利要求27所述的装置,其特征在于:各凸起包括第一和第二凸起图形。
31.根据权利要求30所述的装置,其特征在于:第一凸起图形的面积大于第二凸起图形的面积。
32.根据权利要求30所述的装置,其特征在于:第一凸起图形被第二凸起图形的一部分覆盖,该第二凸起图形大于第一凸起图形。
33.根据权利要求27所述的装置,其特征在于,各凸起包括:第一凸起图形,该第一凸起图形在钝化层上;以及第二凸起图形,该第二凸起图形在钝化层上,并与第一凸起图形局部交叠。
34.根据权利要求27所述的装置,其特征在于,各凸起包括:第一和第二凸起图形,该第一和第二凸起图形在钝化层上,且彼此成预定间隔;以及第三凸起图形,该第三凸起图形在钝化层上,并与第一和第二凸起图形局部交叠。
35.根据权利要求34所述的装置,其特征在于:第一、第二和第三凸起图形由有机绝缘层形成。
36.根据权利要求34所述的装置,其特征在于:第三凸起图形包括槽,该槽的深度与第一和第二凸起图形的梯级差相对应。
37.根据权利要求27所述的装置,其特征在于:各凸起的截面面积小于各第一柱体间隔物的截面面积。
38.根据权利要求27所述的装置,还包括:至少一个对齐层,该对齐层在第一基板和第二基板中的一个上,该第一基板上固定有第一和第二柱体间隔物,该第二基板有凸起。
39.一种液晶显示(LCD)装置,包括:
彼此相对的第一和第二基板;
在第一基板上的多个第一和第二柱体间隔物;
选通线和数据线,该选通线和数据线在第二基板上彼此相交,以便限定多个像素区域;
公共线,该公共线与选通线平行,该公共线有多个公共电极,这些公共电极与数据线平行地从公共线上伸出;
薄膜晶体管,该薄膜晶体管在选通线和数据线的各交叉区域,该薄膜晶体管包括半导体层以及源电极和漏电极;
在第二基板上的钝化层,该钝化层有包括漏电极的接触孔;
在钝化层上的多个像素电极,各像素电极与薄膜晶体管的漏电极连接,且各像素电极在像素区域内以固定间隔与公共电极平行地间隔开;
在钝化层上的多个凸起,各凸起与一个第一柱体间隔物相对应,并与一个第一柱体间隔物接触;以及
液晶层,该液晶层在第一和第二基板之间。
40.一种液晶显示(LCD)装置,包括:
彼此相对的第一和第二基板;
在第一基板上的多个第一和第二柱体间隔物;
多条选通线和相应的多个栅电极,它们在第二基板上;
栅极绝缘层,该栅极绝缘层在第二基板的、包括选通线和栅电极的整个表面上;
半导体层和第一凸起图形,它们在栅极绝缘层上,并与各栅电极和第一柱体间隔物相对应;
多条数据线,这些数据线垂直于选通线,以便限定多个像素区域;
源电极和漏电极,该源电极和漏电极在半导体层的两侧;
在第一凸起图形上的第二凸起图形;
在第二基板上的钝化层,该钝化层具有包括漏电极的接触孔;
在钝化层上的多个像素电极,各像素电极与薄膜晶体管的漏电极连接,且各像素电极在一个像素区域内;以及
液晶层,该液晶层在第一和第二基板之间。
41.根据权利要求40所述的装置,其特征在于:多个第一和第二凸起图形与第一柱体间隔物相对应。
42.根据权利要求40所述的装置,其特征在于:各第二柱体间隔物与第二基板间开预定间隔。
43.根据权利要求40所述的装置,其特征在于:所述第一凸起图形的面积大于第二凸起图形的面积。
44.根据权利要求40所述的装置,其特征在于:所述第一凸起图形被第二凸起图形的一部分覆盖,该第二凸起图形大于第一凸起图形。
45.根据权利要求40所述的装置,其特征在于:所述第二凸起图形形成于栅极绝缘层上,并与第一凸起图形局部交叠。
46.根据权利要求40所述的装置,其特征在于:所述第一凸起图形由与半导体层相同的材料形成。
47.根据权利要求40所述的装置,其特征在于:所述第二凸起图形由与数据线相同的材料形成。
48.根据权利要求40所述的装置,还包括:至少一个对齐层,该对齐层在第一基板和第二基板中的一个上,该第一基板上固定有第一和第二柱体间隔物,该第二基板有像素电极。
49.一种液晶显示(LCD)装置,包括:
彼此相对的第一和第二基板;
在第一基板上的多个第一和第二柱体间隔物;
在第二基板上的多条选通线和多个栅电极;
公共线,该公共线有多个公共电极,各公共电极与选通线平行;
栅极绝缘层,该栅极绝缘层在第二基板的、包括选通线和公共线的整个表面上;
半导体层和第一凸起图形,它们在栅极绝缘层上,并与各栅电极和各第一柱体间隔物相对应;
多条数据线,这些数据线垂直于选通线,以便限定多个像素区域;
源电极和漏电极,该源电极和漏电极在半导体层的两侧;
在第一凸起图形上的第二凸起图形;
在第二基板上的钝化层,该钝化层有包括漏电极的接触孔;
多个像素电极,各像素电极与薄膜晶体管的漏电极连接,且各像素电极在一个像素区域内以固定间隔与公共电极平行地间隔开;以及
液晶层,该液晶层在第一和第二基板之间。
50.一种液晶显示(LCD)装置,包括:
彼此相对的第一基板和第二基板;
在第二基板上的多个凸起,各凸起与一个像素区域相对应;
在第一基板上的第一和第二柱体间隔物,各第一和第二柱体间隔物分别形成于每三个像素区域的两个不同像素区域中,且各第一柱体间隔物与一个凸起交叠,而各第二柱体间隔物并不与凸起交叠;以及
液晶层,该液晶层在第一和第二基板之间。
51.根据权利要求50所述的装置,其特征在于:各凸起与一个第一柱体间隔物相对应。
52.根据权利要求50所述的装置,其特征在于:各第二柱体间隔物与第二基板间开预定间隔。
53.根据权利要求50所述的装置,还包括:至少一个对齐层,该对齐层在第一基板和第二基板中的一个上,该第一基板上固定有第一和第二柱体间隔物,该第二基板有凸起。
54.一种液晶显示(LCD)装置,包括:
彼此相对的第一和第二基板;
在第二基板上的多条选通线和多个栅电极;
栅极绝缘层,该栅极绝缘层在第二基板的、包括选通线和栅电极的整个表面上;
半导体层和第一凸起图形,它们在栅极绝缘层上,并与各栅电极和各选通线的预定部分相对应;
多条数据线,这些数据线垂直于选通线,以便限定多个像素区域;
源电极和漏电极,该源电极和漏电极在半导体层的两侧;
在第一凸起图形上的第二凸起图形;
在第二基板上的钝化层,该钝化层有包括漏电极的接触孔;
在钝化层上的多个像素电极,各像素电极在一个像素区域内,且各像素电极与漏电极连接;
在第一基板上的第一和第二柱体间隔物,各第一和第二柱体间隔物分别形成于每三个像素区域的两个不同像素区域中,且各第一柱体间隔物与一个凸起交叠,而各第二柱体间隔物并不与凸起交叠;以及
液晶层,该液晶层在第一和第二基板之间。
55.根据权利要求54所述的装置,其特征在于:各第二柱体间隔物与第二基板间开预定间隔。
56.根据权利要求54所述的装置,其特征在于:所述第一凸起图形的面积大于第二凸起图形的面积。
57.根据权利要求54所述的装置,其特征在于:所述第一凸起图形被第二凸起图形的一部分覆盖,该第二凸起图形大于第一凸起图形。
58.根据权利要求54所述的装置,其特征在于:所述第二凸起图形形成于栅极绝缘层上,并与第一凸起图形局部交叠。
59.根据权利要求54所述的装置,其特征在于:所述第一凸起图形由与半导体层相同的材料形成。
60.根据权利要求54所述的装置,其特征在于:所述第二凸起图形由与数据线相同的材料形成。
61.根据权利要求54所述的装置,还包括:至少一个对齐层,该对齐层在第一基板和第二基板中的一个上,该第一基板上固定有第一和第二柱体间隔物,该第二基板有像素电极。
62.根据权利要求54所述的装置,其特征在于:所述LCD装置是IPS型LCD装置。
63.一种制造液晶显示(LCD)装置的方法,包括:
形成在第一基板上的多个柱体间隔物;
与一个柱体间隔物相对应地在第二基板上形成至少一个凸起;
将液晶材料分散在第一和第二基板中的一个上;
在第一和第二基板中的一个上形成密封图形;以及
将第一和第二基板粘接在一起,这样,一个柱体间隔物和凸起彼此接触。
64.一种制造液晶显示(LCD)装置的方法,包括:
形成在第一基板上的多个第一和第二柱体间隔物;
形成在第二基板上的至少一个凸起,该凸起与一个第一柱体间隔物相对应;
将液晶材料分散在第一和第二基板中的一个上;
形成在第一和第二基板中的一个上的密封图形;以及
将第一和第二基板粘接在一起,这样,一个第一柱体间隔物和凸起彼此接触。
65.根据权利要求64所述的方法,其特征在于:各第一和第二柱体间隔物由与凸起相同的材料形成。
66.根据权利要求64所述的方法,其特征在于,形成至少一个凸起包括:形成在第二基板上的第一凸起图形;以及形成在第一凸起图形上的第二凸起图形。
67.根据权利要求66所述的方法,其特征在于:所述第一凸起图形的面积大于第二凸起图形的面积。
68.根据权利要求64所述的方法,其特征在于,形成至少一个凸起包括:形成在第二基板上的第一凸起图形;以及形成在第二基板上的第二凸起图形,以便使该第二凸起图形与第一凸起图形局部交叠。
69.根据权利要求64所述的方法,其特征在于,形成至少一个凸起包括:形成在第二基板上的第一和第二凸起图形,该第一和第二凸起图形与第一柱体间隔物相对应,且彼此成预定间隔;形成在第二基板上的第三凸起图形,该第三凸起图形与第一和第二凸起图形局部交叠。
70.一种制造液晶显示(LCD)装置的方法,包括:
形成在第一基板上的多个第一和第二柱体间隔物;
形成在第二基板上的多条选通线和多个栅电极;
形成栅极绝缘层,该栅极绝缘层在第二基板的、包括选通线和栅电极的整个表面上;
形成半导体层,该半导体层在栅极绝缘层上并在栅电极上面;
形成在第二基板上的多条数据线,这些数据线垂直于选通线,以便限定多个像素区域以及在半导体层的两侧的源电极和漏电极;
形成在第二基板上的钝化层,该钝化层有包括漏电极的接触孔;
形成在钝化层上的多个像素电极,各像素电极与漏电极连接;
形成在第二基板上的至少一个凸起,该凸起与一个第一柱体间隔物相对应;
将液晶材料分散在第一和第二基板中的一个上;
形成在第一和第二基板中的一个上的密封图形;以及
将第一和第二基板粘接在一起,这样,一个第一柱体间隔物和凸起彼此接触。
71.一种制造液晶显示(LCD)装置的方法,包括:
形成在第一基板上的多个第一和第二柱体间隔物;
形成在第二基板上的多条选通线和多个栅电极;
形成栅极绝缘层,该栅极绝缘层在第二基板的、包括选通线和栅电极的整个表面上;
形成在栅极绝缘层上的半导体层和第一凸起图形,它们对应于栅电极和第一柱体间隔物;
形成在第二基板上的多条数据线,这些数据线垂直于选通线,以便限定多个像素区域、在半导体层的两侧的源电极和漏电极以及在第一凸起图形上的第二凸起图形;
沿第二基板的整个表面形成钝化层,该钝化层有包括漏电极的接触孔;
形成在钝化层上的多个像素电极,各像素电极与漏电极连接;
将液晶材料分散在第一和第二基板中的一个上;
形成在第一和第二基板中的一个上的密封图形;以及
将第一和第二基板粘接在一起,这样,一个第一柱体间隔物和凸起彼此接触。
72.一种制造液晶显示(LCD)装置的方法,包括:
形成在第一基板上的多个第一和第二柱体间隔物;
在第二基板上形成多条选通线和公共线,各选通线有栅电极,该公共线有多个公共电极;
形成栅极绝缘层,该栅极绝缘层在第二基板的、包括选通线和公共线的整个表面上;
形成在栅极绝缘层上的半导体层和第一凸起图形,它们对应于一个栅电极和一个第一柱体间隔物;
形成在第二基板上的多条数据线,这些数据线垂直于选通线,以便限定多个像素区域、在半导体层的两侧的源电极和漏电极以及在第一凸起图形上的第二凸起图形;
沿第二基板的整个表面形成钝化层,该钝化层有包括漏电极的接触孔;
形成在钝化层上的多个像素电极,各像素电极与漏电极连接,并在一个像素区域内与公共电极平行;
将液晶材料分散在第一和第二基板中的一个上;
形成在第一和第二基板中的一个上的密封图形;以及
将第一和第二基板粘接在一起,这样,一个第一柱体间隔物与第一和第二凸起图形彼此接触。
73.一种制造液晶显示(LCD)装置的方法,包括:
制备第一和第二基板,该第一和第二基板有多个像素区域;
形成在第二基板上的多个凸起,各凸起与一个像素区域相对应;
形成在第一基板上的第一和第二柱体间隔物,该第一和第二柱体间隔物在每三个像素区域的两个不同像素区域中,各第一柱体间隔物与一个凸起交叠,而各第二柱体间隔物并不与凸起交叠;
将液晶材料分散在第一和第二基板中的一个上;形成在第一和第二基板中的一个上的密封图形;以及
将第一和第二基板粘接在一起,这样,一个第一柱体间隔物和凸起彼此接触。
74.根据权利要求73所述的方法,还包括:在第一基板和第二基板中的一个上形成至少一个对齐层,该第一基板上固定有第一和第二柱体间隔物,该第二基板有凸起。
75.一种制造液晶显示(LCD)装置的方法,包括:
制备第一和第二基板;
形成在第二基板上的选通线和栅电极;
形成栅极绝缘层,该栅极绝缘层在第二基板的、包括选通线和栅电极的整个表面上;
形成半导体层和第一凸起图形,它们在栅极绝缘层上,并与栅电极和选通线的预定部分相对应;
形成在第二基板上的数据线,该数据线垂直于选通线,以便限定多个像素区域、在半导体层的两侧的源电极和漏电极以及在第一凸起图形上的第二凸起图形;
形成在第二基板上的钝化层,该钝化层有包括漏电极的接触孔;
形成在钝化层上的像素电极,该像素电极在像素区域内与漏电极连接;
形成第一和第二柱体间隔物,该第一和第二柱体间隔物在第一基板上并在每三个像素区域的第一像素区域和第二像素区域中,且第一柱体间隔物与第二基板上的多个凸起中的一个交叠,而第二柱体间隔物并不与凸起交叠;
将液晶材料分散在第一和第二基板中的一个上;
形成在第一和第二基板中的一个上的密封图形;以及
将第一和第二基板粘接在一起,这样,第一柱体间隔物与多个凸起中的一个交叠并彼此接触。
76.一种液晶显示(LCD)装置,包括:
第一基板,该第一基板有多个第一和第二柱体间隔物;
第二基板,该第二基板对着第一基板,该第二基板与第一柱体间隔物接触;以及
液晶层,该液晶层在第一和第二基板之间。
77.根据权利要求76所述的装置,其特征在于:第二基板的、与第一柱体间隔物相对应的各区域具有与第一柱体间隔物接触的第一区域以及各自离该第一柱体间隔物预定间隔的第二区域。
78.根据权利要求77所述的装置,其特征在于:在第二基板的第一区域中的垂直沉积结构与在第二基板的第二区域中的垂直沉积结构不同。
79.根据权利要求78所述的装置,其特征在于:在第二基板的第一区域中的垂直沉积结构包括至少基板、选通线、栅极绝缘层、半导体层、数据线和钝化层,而在第二基板的第二区域中的垂直沉积结构包括至少基板、数据线、栅极绝缘层和钝化层。
80.根据权利要求77所述的装置,其特征在于:在第一和第二区域之间的梯级差为大约500或更大。
81.根据权利要求76所述的装置,其特征在于:第二基板的、与第一柱体间隔物相对应的垂直沉积结构与第二基板的、与第二柱体间隔物相对应的垂直沉积结构不同。
82.根据权利要求81所述的装置,其特征在于:第二基板的、与第一柱体间隔物相对应的垂直沉积结构包括至少基板、选通线、栅极绝缘层、半导体层、数据线和钝化层,第二基板的、与第二柱体间隔物相对应的垂直沉积结构包括至少基板、数据线、栅极绝缘层和钝化层。
83.根据权利要求76所述的装置,其特征在于:在第二基板的、与第一柱体间隔物和第二柱体间隔物相对应的表面之间的梯级差为大约500或更大。
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