JP2005223641A - 表面実装型ｓａｗデバイス - Google Patents

Abstract

【課題】 ＳＡＷデバイスを構成する圧電基板として焦電性を有する材料を使用した場合であっても、圧電基板の上面側に被覆された封止樹脂が帯電することを防止することができる表面実装型ＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】 実装基板２と、圧電基板１８、該圧電基板の一面に形成したＩＤＴ電極１７、及び配線パターン５と導体バンプ１０を介して接続される接続パッド１６、を備えたＳＡＷチップ１５と、ＳＡＷチップを実装基板上にフリップチップ実装した状態でＳＡＷチップ外面から実装基板上面にかけて被覆形成されることによりＩＤＴ電極と実装基板との間に気密空間Ｓを形成する封止樹脂２１と、を備え、圧電基板の結晶構造がシェーンフリース記号でＣ_１、Ｃ_２、Ｃ_Ｓ、Ｃ_２Ｖ、Ｃ_４、Ｃ_４Ｖ、Ｃ_３、Ｃ_３Ｖ、Ｃ_６、Ｃ_６Ｖの何れかの点群に属している表面実装型ＳＡＷデバイスにおいて、圧電基板の導電性を高めることによって、封止樹脂の帯電を抑制した。
【選択図】 図１

Description

本発明は、弾性表面波チップを実装基板上にバンプを用いてフェイスダウン搭載してから弾性表面波チップを樹脂封止した構造の弾性表面波デバイスにおいて、圧電基板として焦電性を有する材料を用いた場合に発生する種々の不具合を解決することができる表面実装型弾性表面波デバイスに関するものである。

弾性表面波デバイス（ＳＡＷデバイス）は、水晶、タンタル酸リチウム等の圧電基板上に櫛歯状の電極指（ＩＤＴ電極）、反射器、接続パッド等のパターンを配置した構成を備え、例えばＩＤＴ電極に高周波電界を印加することによって弾性表面波を励起し、弾性表面波を圧電作用によって高周波電界に変換することによってフィルタ特性を得るものである。
ところで、半導体部品においてＣＳＰ（Chip Size Package）と呼ばれる小型パッケージング技術が一般化するのに伴って、ＳＡＷデバイスにおいても、デバイスの小型化の容易化と、バッチ式の製造方法による生産性の向上という観点から、ＣＳＰ技術を用いた生産方法が導入されるようになっている。
ＳＡＷデバイスについてのＣＳＰ関連技術は、例えば特開２００２−１００９４５公報に開示されている。
図２は特開２００２−１００９４５公報に開示されたＳＡＷデバイスの構造を示す断面図であり、このＳＡＷデバイスＡは、絶縁基板１０１、絶縁基板１０１の底部に配置した表面実装用の外部電極１０２、及び絶縁基板１０１の上部に配置され且つ外部電極１０２と導通した配線パターン１０３、を備えた実装基板１００と、圧電基板１１１、圧電基板１１１の一面に形成したＩＤＴ電極１１２、及び配線パターン１０３と導体バンプ１１５を介して接続される接続パッド１１３、を備えたＳＡＷチップ１１０と、ＳＡＷチップ１１０を実装基板１００上にフリップチップ実装した状態でＳＡＷチップ１１０外面から実装基板１００上面にかけて被覆形成されることによりＩＤＴ電極１１２と実装基板１００との間に気密空間Ｓを形成する封止樹脂１２０と、を備える。
ところで、結晶構造がシェーンフリース記号で、Ｃ_１、Ｃ_２、Ｃ_Ｓ、Ｃ_２Ｖ、Ｃ_４、Ｃ_４Ｖ、Ｃ_３、Ｃ_３Ｖ、Ｃ_６、Ｃ_６Ｖの何れかの点群に属する圧電材料から成る圧電基板１１１は、焦電性を有することが知られている（例えば、応用物理ハンドブック、第２版 ４５８頁 表７．９）。具体的には、例えば点群Ｃ_３Ｖに属するタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ_３）やニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ_３）や、点群Ｃ_４Ｖに属する四ホウ酸リチウム（Ｌｉ_２Ｂ_４Ｏ_７）は、焦電性を有するが、点群Ｄ_３に属する水晶は焦電性を有しない。
図２に示したＳＡＷデバイスにおいて、焦電性を有した材料から成る圧電基板１１１を使用すると、ＳＡＷデバイスに温度勾配がかかった際に、焦電効果によって電荷が圧電基板表面に出現し、その電荷によって封止樹脂１２０の表面が帯電する。
ＣＳＰ型ＳＡＷデバイスが、機器の回路基板上に搭載された状態で帯電すると、当該ＳＡＷデバイスの周辺に搭載されている他の電子部品に悪影響を及ぼす不具合が発生する。
また、ＳＡＷデバイスを出荷する際の梱包形態は、図３に示すように、連続した長尺物であるエンボスキャリアテープ本体１３１（ポリスチレン製）の各ポケット１３１ａ内にＳＡＷデバイスＡを収納した後で各ポケットの開口部をＰＥＴから成るカバーテープ１３２により封止することによりエンボスキャリアテープ１３０を完成し、このキャリアテープ１３０をリールに巻き付ける、所謂テープ＆リール梱包が一般的である。しかし、焦電性を有する圧電基板を用いて製作した図２のＣＳＰ型ＳＡＷデバイスＡをエンボスキャリアテープ１３０によって梱包した状態で温度勾配を加えると、封止樹脂１２０の帯電によって、カバーテープ１３２を剥がす際に、ＳＡＷデバイスＡがカバーテープ側に貼り付きを起こし、自動マウント装置により回路基板上に実装する際に移載不能、位置ずれ、脱落等の支障が生じている。

更に具体例を示すと次の通りである。
焦電性を有した圧電基板１１１としてタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ_３）、封止樹脂１２０としてエポキシを主材とした樹脂材料を用い、２．０×１．６ｍｍサイズのＣＳＰ型ＳＡＷデバイスを製作して封止樹脂の帯電によるカバーテープ１３２への貼り付き発生の有無を実験的に確認した。封止樹脂としては、比誘電率３．２、体積抵抗率１×１０^１６Ω・ｃｍのものを用いた。ＳＡＷチップ上面の封止樹脂の厚みＨは、０．１２ｍｍとした。
まず、ＣＳＰ型ＳＡＷデバイスを８５℃で５分間加熱し、その直後に２５℃の雰囲気中に２分間放置した。このＳＡＷデバイスをカバーテープ１３２に接触させた所、封止樹脂の帯電によるカバーテープへの貼り付きが確認された。
また、同様に、ＣＳＰ型ＳＡＷデバイスを８５℃で１００時間加熱し、その直後に２５℃の雰囲気中に２時間放置した場合も、封止樹脂の帯電によるカバーテープへの貼り付きが確認された。
更に、封止樹脂の体積抵抗率と比誘電率を下げることにより、カバーテープへの貼り付きを防止できる可能性を探るために、体積抵抗率５×１０^１３Ω・ｃｍ、比誘電率３．０の封止樹脂を用いて同じ実験を行ったが、封止樹脂帯電によるカバーテープへの貼り付きを防止できなかった。
特開２００２−１００９４５公報 特開平１１−９２１４７号公報 特開平６−３０５８９５号公報 応用物理ハンドブック、第２版 ４５８頁 表７．９（丸善株式会社）

本発明は上記に鑑みてなされたものであり、実装基板の配線パターン上に導体バンプを介してＳＡＷチップをフェイスダウン実装し、ＳＡＷチップ上面から絶縁基板上面にかけて樹脂を被覆すると共に、ＳＡＷチップ裾部と実装基板上面との隙間に樹脂を充填させることにより、ＳＡＷチップ下面のＩＤＴ電極と実装基板上面との間に気密空間を形成するようにした表面実装型ＳＡＷデバイスにおいて、ＳＡＷデバイスを構成する圧電基板として焦電性を有する材料を使用した場合であっても、圧電基板の上面側に被覆された封止樹脂が帯電することを防止することができる表面実装型ＳＡＷデバイスを提供することを目的としている。

上記課題を解決するため、請求項１の発明は、絶縁基板、該絶縁基板の底部に配置した表面実装用の外部電極、及び該絶縁基板の上部に配置され且つ前記外部電極と導通した配線パターン、を備えた実装基板と、圧電基板、該圧電基板の一面に形成したＩＤＴ電極、及び前記配線パターンと導体バンプを介して接続される接続パッド、を備えたＳＡＷチップと、前記ＳＡＷチップを実装基板上にフリップチップ実装した状態でＳＡＷチップ外面から実装基板上面にかけて被覆形成されることにより前記ＩＤＴ電極と前記実装基板との間に気密空間を形成する封止樹脂と、を備え、前記圧電基板の結晶構造がシェーンフリース記号でＣ_１、Ｃ_２、Ｃ_Ｓ、Ｃ_２Ｖ、Ｃ_４、Ｃ_４Ｖ、Ｃ_３、Ｃ_３Ｖ、Ｃ_６、Ｃ_６Ｖの何れかの点群に属している表面実装型ＳＡＷデバイスにおいて、前記圧電基板の導電性を高めることによって、封止樹脂の帯電を抑制したことを特徴とする。
請求項２の発明は、請求項１において、酸素と結合し易い元素を前記圧電基板に接触させながら加熱することにより、前記圧電基板の導電性を高めたことを特徴とする。
請求項３の発明は、請求項１において、圧電基板中にＦｅ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｒｈ、Ｃｕ、Ｖ、Ｗ、Ｕ、Ｓｎの何れかの金属を少なくとも一種類不純物として含有させることにより、前記圧電基板の導電性を高めたことを特徴とする。
請求項４の発明は、請求項１乃至３において、前記圧電基板が、ＬｉＴａＯ_３であることを特徴とする。
請求項５の発明は、絶縁基板、該絶縁基板の底部に配置した表面実装用の外部電極、及び該絶縁基板の上部に配置され且つ前記外部電極と導通した配線パターン、を備えた実装基板と、圧電基板、該圧電基板の一面に形成したＩＤＴ電極、及び前記配線パターンと導体バンプを介して接続される接続パッド、を備えたＳＡＷチップと、前記ＳＡＷチップを実装基板上にフリップチップ実装した状態でＳＡＷチップ外面から実装基板上面にかけて被覆形成されることにより前記ＩＤＴ電極と前記実装基板との間に気密空間を形成する封止樹脂と、を備え、前記圧電基板の結晶構造がシェーンフリース記号でＣ_１、Ｃ_２、Ｃ_Ｓ、Ｃ_２Ｖ、Ｃ_４、Ｃ_４Ｖ、Ｃ_３、Ｃ_３Ｖ、Ｃ_６、Ｃ_６Ｖの何れかの点群に属している表面実装型ＳＡＷデバイスにおいて、前記封止樹脂が比誘電率３．２以下、且つ体積抵抗率１×１０^１６Ω・ｃｍ以下であり、前記ＳＡＷチップ上面の封止樹脂の厚みＨが０．０２ｍｍ以上であり、前記圧電基板の導電性を高めることによって、封止樹脂の帯電を抑制したことを特徴とする。

以上のように本発明によれば、実装基板上にフェイスダウンで搭載したＳＡＷチップの外面を、加熱軟化させたシート樹脂により被覆すると共に、ＳＡＷチップ裾部と実装基板上面との隙間に樹脂を充填させることにより、ＳＡＷチップ下面のＩＤＴ電極と実装基板上面との間に気密空間を形成するようにした表面実装型ＳＡＷデバイスにおいて、焦電性を有した圧電基板に導電性を付与したり、使用する樹脂材料として帯電し難い材料を選定したり、更にはＳＡＷチップ上面の封止樹脂の肉厚を所定以上とすることにより、温度変化による圧電基板の自発分極に起因した封止樹脂の帯電を防止できる。
更には、封止樹脂の上部の肉厚を帯電しにくい程度に厚く設定することにより、製品ロット番号をレーザにより封止樹脂面に刻印する際におけるレーザの貫通を防止できる。

以下、本発明を図面に示した実施の形態により詳細に説明する。
図１は本発明の一実施形態に係る表面実装型弾性表面波デバイス（以下、ＳＡＷデバイス、という）の縦断面図である。
このＳＡＷデバイス１は、ガラス、樹脂、セラミック、ガラスエポキシ、アルミナ等から成る絶縁基板３、絶縁基板３の底部に設けた表面実装用の外部電極４、及び、絶縁基板３の上面に設けられ且つ内部導体６を介して外部電極４と導通した配線パターン５、から成る実装基板２と、配線パターン５と導体バンプ１０を介して電気的機械的に接続される接続パッド１６、及び接続パッド１６と導通したＩＤＴ電極１７を夫々圧電基板１８の下面に備えたＳＡＷチップ１５と、ＳＡＷチップ１５の下面を除いた外面（上面、及び側面）を被覆することによりＩＤＴ電極１７と実装基板上面との間に気密空間Ｓを形成する封止樹脂２１と、を備えている。圧電基板１８は、例えば、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ_３）等の焦電性を有した圧電材料から構成する。導体バンプ１０は、この例ではＡｕを用いるが、導電性接着剤、半田等から構成してもよい。
ＳＡＷチップ１５を構成するＩＤＴ電極１７は、給電側のリード端子から高周波電界を印加されることによって弾性表面波を励起し、弾性表面波を圧電作用によって高周波電界に変換することによってフィルタ特性を得ることができる。
封止樹脂２１は、例えば樹脂シートを一旦軟化温度まで加熱昇温させてから加圧変形させてＳＡＷチップ１５外面と実装基板上面に密着させた後で、硬化温度まで加熱昇温させて形状を固定することにより形成され、ＳＡＷチップの気密性、及び実装基板に対するＳＡＷチップの固定力を補強する。更に、封止樹脂２１は、ＳＡＷ伝搬を確保するためにＩＤＴ電極１７と絶縁基板３の上面との間の空間を気密化された内部空間（気密空間Ｓ）とするための封止手段としても機能する。

本発明の特徴的な構成は、上記の如き構成を備えた表面実装型ＳＡＷデバイス１において、圧電基板１８の導電性を高めることによって、封止樹脂２１の上面の帯電を抑制したことにある。
圧電基板１８としては、例えば上記各点群に属するタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ_３）や、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ_３）や、四ホウ酸リチウム（Ｌｉ_２Ｂ_４Ｏ_７）を用いる。
圧電基板１８の導電性を高める一つの手法として、酸素と結合し易い元素を圧電基板に接触させながら加熱する方法が挙げられる。
例えば、特開平１１−９２１４７号公報には、還元処理にてタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ_３）や、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ_３）の導電性を高める技術が開示されており、ここに開示された技術を用いて導電性を高めた圧電基板を用いることにより、圧電基板の焦電性に起因した封止樹脂の帯電を防止できる。
また、圧電基板中にＦｅ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｒｈ、Ｃｕ、Ｖ、Ｗ、Ｕ、Ｓｎの何れかの金属を少なくとも一種類不純物として含有させることにより、前記圧電基板の導電性を高めることができる。
例えば、特開平６−３０５８９５号公報には、タンタル酸リチウムに多くの不純物が含まれていても、ＳＡＷ素子の要求特性を満足する旨の記述があり、ここで挙げられている不純物のほとんどが金属であり、具体的にはＦｅ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｒｈ、Ｃｕ、Ｖ、Ｗ、Ｕ、Ｓｎが金属不純物として例示されている。
同公報には、含有する金属不純物と、タンタル酸リチウムの導電性の向上との関係については一切言及されていないが、本発明者の実験によれば、これらの何れの金属不純物も圧電基板の導電性を高めるために寄与することが確認されている。
なお、携帯電話等のモバイル端末のＲＦ段において使用されるＳＡＷフィルタやＳＡＷデュプレクサに使用する圧電基板材料としては、ＳＡＷデバイスの小型化・低価格化に有利なタンタル酸リチウムが圧倒的に多く利用されているが、タンタル酸リチウムは、ニオブ酸リチウムや四ホウ酸リチウムに比して焦電性がかなり強いという欠点を有しており、これまでこの欠点を解決する手段が求められていた。

本発明による帯電防止構造を備えたＳＡＷデバイスによれば、焦電性の強いタンタル酸リチウムを圧電基板として用いた場合であっても、温度勾配に起因した封止樹脂の帯電を有効に防止することができる。
導電性を高めたタンタル酸リチウムの例としては、http://www.siliconlight.com/htmlpgs/glvtechframes/glvmainbody.htmlに開示されたSilicon Light Machines社の製品であるPyroFree^TM Lithium Tantalate を挙げることができる。
更に、本発明者は、封止樹脂の比誘電率、体積抵抗率、更には封止樹脂の厚みＨとの関係においても、封止樹脂が帯電しにくくなる構成を案出した。
即ち、まず、導電性を高めるための処理を受けた圧電基板１８の結晶構造が、シェーンフリース記号でＣ_１、Ｃ_２、Ｃ_Ｓ、Ｃ_２Ｖ、Ｃ_４、Ｃ_４Ｖ、Ｃ_３、Ｃ_３Ｖ、Ｃ_６、Ｃ_６Ｖの何れかの点群に属しているために焦電性を有している場合に、封止樹脂２１が比誘電率３．２以下、且つ体積抵抗率１×１０^１６Ω・ｃｍ以下であることにより、温度勾配の影響による封止樹脂の上面の帯電を有効に防止できることが判明した。
更に、ＳＡＷチップ上面の封止樹脂の厚みＨを０．０２ｍｍ以上とすることにより、封止樹脂の帯電を防止することができることが判明した。また、封止樹脂の厚みＨが厚いことによって、製造ロット番号等をレーザマーカによってマーキングする場合にレーザが封止樹脂を貫通する不具合も防止することができる。
以下に、具体的実施例を示しながら、本発明を更に詳細に説明する。

圧電基板１８の材料として導電性を高めたタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ_３）を用いると共に、体積抵抗率５×１０^１３Ω・ｃｍ、比誘電率３．０の封止樹脂２１を用いて、８５℃で５分間加熱した後で２５℃の雰囲気中に２分間放置してから、エンボスキャリアテープ（図３を参照）を構成するカバーテープ（ＰＥＴ）への貼り付き状態を確認する実験、或いは８５℃で１００時間加熱した後で２５℃の雰囲気中に２時間放置してから、上記カバーテープへの貼り付き状態を確認する実験を夫々行った。これらの実験の結果、カバーテープへの貼り付きは全く発生せず、封止樹脂の帯電を防止する改善効果を確認することができた。

上記の改善効果の有効性を更に確認するために、導電性を高めた圧電基板と、極力帯電し易い封止樹脂を使用したＳＡＷデバイスのサンプルを製作して同様の実験を実施した。その結果、封止樹脂の比誘電率が高い程、また体積抵抗率が高い程、帯電が発生し易く、更にＳＡＷチップ上面側の封止樹脂部分の厚みＨが薄い程帯電し易いことが判明した。これらの判明事項を踏まえて、封止樹脂２１として比誘電率３．２、体積抵抗率１×１０^１６Ω・ｃｍのものを用い、ＳＡＷチップ上面の封止樹脂厚みＨを０．０２ｍｍとしてＳＡＷデバイスを製作した。
このＳＡＷデバイスを８５℃で５分間加熱し、その直後に２５℃の雰囲気中に２分間放置した後で、ＰＥＴ製のカバーテープにＳＡＷデバイスの上面樹脂部分を接触させることにより静電吸着性を確認したところ、封止樹脂の帯電による貼り付きは確認されなかった。
しかし、封止樹脂２１として、比誘電率が３．２を越え、且つ体積抵抗率が１×１０^１６Ω・ｃｍを越えるものを用いた場合、或いは、ＳＡＷチップ上面の封止樹脂厚みＨが０．０２ｍｍを下回る場合には、夫々封止樹脂の帯電による貼り付きが発生した。
このことから、封止樹脂が比誘電率３．２以下、且つ体積抵抗率１×１０^１６Ω・ｃｍ以下であり、前記ＳＡＷチップ上面の封止樹脂の厚みＨが０．０２ｍｍ以上であることが封止樹脂の帯電を防止する上で有効であることが判明した。

次に、圧電基板として導電性を高めたタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ_３）を用いたＳＡＷデバイスを８５℃で１００時間加熱し、その直後に２５℃の雰囲気中に２時間放置した場合に、封止樹脂の帯電によるカバーテープへの貼り付きを確認することはできなかった。
更に、圧電基板として導電性を高めたタンタル酸リチウムを用いたＳＡＷデバイスを２６０℃で１分間加熱し、その直後に２５℃の雰囲気中に２分間放置した場合にも、封止樹脂の帯電によるカバーテープへの貼り付きを確認することはできなかった。

次に、封止樹脂の厚みＨを種々調整する実験を行った。即ち、ＳＡＷデバイス１の封止樹脂２１の上面にレーザマーカによって製造ロット番号をマーキングする場合、ＳＡＷチップ１５上の封止樹脂の厚みＨが薄すぎると、レーザが封止樹脂を貫通してＳＡＷチップ上面を直接照射してＳＡＷチップを破損させることがある。この不具合を解消するための実験において、体積抵抗率が１×１０^１６Ω・ｃｍで、比誘電率が３．２である封止樹脂を用いて２．０×１．６ｍｍサイズのＳＡＷデバイスを製作する際に、ＳＡＷチップ上の封止樹脂の厚みＨを０．１２ｍｍにし、圧電基板１８として導電性を高めたタンタル酸リチウムを用いた。このＳＡＷデバイスの封止樹脂上面にレーザ彫刻を施したところ、封止樹脂上面から０．０８ｍｍの深さでマーキングが行われ、レーザが封止樹脂を貫通することはなかった。また、ＳＡＷチップ上の封止樹脂の厚みＨを０．０２ｍｍ以上にしたため、封止樹脂の帯電も防止できた。
実際に上記各実施例と同様の帯電確認実験を行ったところ、封止樹脂の帯電によるカバーテープへの貼り付きは全く発生しなかった。
なお、ＳＡＷチップ上の封止樹脂の厚みＨは、厚い程、帯電防止効果は高まるが、必要以上に厚くし過ぎると、ＳＡＷデバイスに対する小型化・軽量化のニーズに逆行することになるので、適宜選定する必要がある。
なお、焦電性を有した圧電基板の導電性を高めることにより封止樹脂の帯電を防止できるため、ＳＡＷデバイスが回路基板上に搭載された状態での帯電も防止できることが確認された。このため、従来技術における欠点であった回路基板上の周辺電子部品への悪影響を防止できる。

本発明の一実施形態に係る表面実装型弾性表面波デバイスの縦断面図。 従来の表面実装型弾性表面波デバイスの縦断面図。 従来例の欠点を説明する図。

符号の説明

１ ＳＡＷデバイス、２ 実装基板、３ 絶縁基板、４ 外部電極、５ 配線パターン、６ 内部導体、１０ 導体バンプ、１５ ＳＡＷチップ、１６ 接続パッド、１７ ＩＤＴ電極、１８ 圧電基板、２１ 封止樹脂。

Claims (5)

1. 絶縁基板、該絶縁基板の底部に配置した表面実装用の外部電極、及び該絶縁基板の上部に配置され且つ前記外部電極と導通した配線パターン、を備えた実装基板と、圧電基板、該圧電基板の一面に形成したＩＤＴ電極、及び前記配線パターンと導体バンプを介して接続される接続パッド、を備えたＳＡＷチップと、前記ＳＡＷチップを実装基板上にフリップチップ実装した状態でＳＡＷチップ外面から実装基板上面にかけて被覆形成されることにより前記ＩＤＴ電極と前記実装基板との間に気密空間を形成する封止樹脂と、を備え、前記圧電基板の結晶構造がシェーンフリース記号でＣ_１、Ｃ_２、Ｃ_Ｓ、Ｃ_２Ｖ、Ｃ_４、Ｃ_４Ｖ、Ｃ_３、Ｃ_３Ｖ、Ｃ_６、Ｃ_６Ｖの何れかの点群に属している表面実装型ＳＡＷデバイスにおいて、
   前記圧電基板の導電性を高めることによって、封止樹脂の帯電を抑制したことを特徴とする表面実装型ＳＡＷデバイス。
2. 酸素と結合し易い元素を前記圧電基板に接触させながら加熱することにより、前記圧電基板の導電性を高めたことを特徴とする請求項１に記載の表面実装型ＳＡＷデバイス。
3. 圧電基板中にＦｅ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｒｈ、Ｃｕ、Ｖ、Ｗ、Ｕ、Ｓｎの何れかの金属を少なくとも一種類不純物として含有させることにより、前記圧電基板の導電性を高めたことを特徴とする請求項１に記載の表面実装型ＳＡＷデバイス。
4. 前記圧電基板が、ＬｉＴａＯ_３であることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の表面実装型ＳＡＷデバイス。
5. 絶縁基板、該絶縁基板の底部に配置した表面実装用の外部電極、及び該絶縁基板の上部に配置され且つ前記外部電極と導通した配線パターン、を備えた実装基板と、圧電基板、該圧電基板の一面に形成したＩＤＴ電極、及び前記配線パターンと導体バンプを介して接続される接続パッド、を備えたＳＡＷチップと、前記ＳＡＷチップを実装基板上にフリップチップ実装した状態でＳＡＷチップ外面から実装基板上面にかけて被覆形成されることにより前記ＩＤＴ電極と前記実装基板との間に気密空間を形成する封止樹脂と、を備え、前記圧電基板の結晶構造がシェーンフリース記号でＣ_１、Ｃ_２、Ｃ_Ｓ、Ｃ_２Ｖ、Ｃ_４、Ｃ_４Ｖ、Ｃ_３、Ｃ_３Ｖ、Ｃ_６、Ｃ_６Ｖの何れかの点群に属している表面実装型ＳＡＷデバイスにおいて、
   前記封止樹脂が比誘電率３．２以下、且つ体積抵抗率１×１０^１６Ω・ｃｍ以下であり、
   前記ＳＡＷチップ上面の封止樹脂の厚みＨが０．０２ｍｍ以上であり、
   前記圧電基板の導電性を高めることによって、封止樹脂の帯電を抑制したことを特徴とする表面実装型ＳＡＷデバイス。

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