JP3395796B2 - 焦電基板の加熱方法及び加熱装置 - Google Patents
焦電基板の加熱方法及び加熱装置Info
- Publication number
- JP3395796B2 JP3395796B2 JP20061393A JP20061393A JP3395796B2 JP 3395796 B2 JP3395796 B2 JP 3395796B2 JP 20061393 A JP20061393 A JP 20061393A JP 20061393 A JP20061393 A JP 20061393A JP 3395796 B2 JP3395796 B2 JP 3395796B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pyroelectric substrate
- heating
- pyroelectric
- substrate
- discharge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、焦電基板に備っている
焦電性による影響を防止するようにした焦電基板の加熱
方法及び加熱装置に関する。
焦電性による影響を防止するようにした焦電基板の加熱
方法及び加熱装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近の通信，情報などの分野における高
度化に伴い、電子デバイスに対する高性能の動作の要求
が高まっている。これらの中で表面弾性波（ＳＡＷ：Su
rfaceAcoustic Wave ）を利用したＳＡＷデバイスが、
フィルタ，共振器，遅延線などの各種用途に広く適用さ
れ、より高性能の動作を目指して研究，開発が続けられ
ている。
度化に伴い、電子デバイスに対する高性能の動作の要求
が高まっている。これらの中で表面弾性波（ＳＡＷ：Su
rfaceAcoustic Wave ）を利用したＳＡＷデバイスが、
フィルタ，共振器，遅延線などの各種用途に広く適用さ
れ、より高性能の動作を目指して研究，開発が続けられ
ている。
【０００３】図８はＳＡＷデバイスの一例としてフィル
タを示すもので、基板５１上には各々一対の対向電極５
２Ａと５２Ｂ及び５３Ａと５３Ｂからなる一組のＩＤＴ
（インターディジタル電極）５２，５３が設けられ、入
力側の例えば電極５２に電気信号を印加して基板５１上
にＳＡＷを発生させ、このＳＡＷを出力側の例えば電極
５３で受けてここで再び電気信号に変換するものであ
る。このＳＡＷデバイスにおいて、ＳＡＷを発生させる
には基板５１として圧電性を備えていることが必須条件
となるので、基板５１は各種圧電材料が用いられ例えば
(1)圧電単結晶，(2)圧電薄膜， (3)圧電セラミックス
の形で用いられている。
タを示すもので、基板５１上には各々一対の対向電極５
２Ａと５２Ｂ及び５３Ａと５３Ｂからなる一組のＩＤＴ
（インターディジタル電極）５２，５３が設けられ、入
力側の例えば電極５２に電気信号を印加して基板５１上
にＳＡＷを発生させ、このＳＡＷを出力側の例えば電極
５３で受けてここで再び電気信号に変換するものであ
る。このＳＡＷデバイスにおいて、ＳＡＷを発生させる
には基板５１として圧電性を備えていることが必須条件
となるので、基板５１は各種圧電材料が用いられ例えば
(1)圧電単結晶，(2)圧電薄膜， (3)圧電セラミックス
の形で用いられている。
【０００４】ここで特に (1)圧電単結晶は高性能のＳＡ
Ｗデバイスを実現するのに適した材料として注目されて
おり、ＬｉＴａＯ3 （タンタル酸リチウム，ＬＴと称す
る）やＬｉＮｂＯ3 （ニオブ酸リチウム，ＬＮと称す
る）などの単結晶材料が用いられている。
Ｗデバイスを実現するのに適した材料として注目されて
おり、ＬｉＴａＯ3 （タンタル酸リチウム，ＬＴと称す
る）やＬｉＮｂＯ3 （ニオブ酸リチウム，ＬＮと称す
る）などの単結晶材料が用いられている。
【０００５】ところでこれらの圧電基板として用いられ
るＬＴ，ＬＮなどは、ＳＡＷデバイスに必要な圧電性だ
けでなく、焦電性も備えた焦電基板としても知られてい
る。この焦電性は例えばＬＴ基板の温度が変化すると、
ＬＴ基板上に電荷が発生するという現象である。
るＬＴ，ＬＮなどは、ＳＡＷデバイスに必要な圧電性だ
けでなく、焦電性も備えた焦電基板としても知られてい
る。この焦電性は例えばＬＴ基板の温度が変化すると、
ＬＴ基板上に電荷が発生するという現象である。
【０００６】図９はこの現象を説明するもので、図示左
側の例えばＬＴ基板５５が温度Ｔ１℃において分極して
電荷Ｑ１が発生している状態で、今ＬＴ基板５５が温度
Ｔ２℃に変化（ΔＴ：変化分）すると、ＬＴ基板５５は
図９の右側及び図１０のように新たに分極してＱ１とは
異なる電荷Ｑ２が発生するようになる。一般には長時間
温度変化がない場合には、雰囲気などによって中和され
ていて電荷は表面には現れていず、急激な温度変化によ
る場合分極度の変化分が焦電荷ΔＱとして現れる。この
ような焦電荷ΔＱ（Ｑ１〜Ｑ２）は温度変化が大きい程
大きくなり、また温度が上昇する場合に限らず下降する
場合にも生じる。
側の例えばＬＴ基板５５が温度Ｔ１℃において分極して
電荷Ｑ１が発生している状態で、今ＬＴ基板５５が温度
Ｔ２℃に変化（ΔＴ：変化分）すると、ＬＴ基板５５は
図９の右側及び図１０のように新たに分極してＱ１とは
異なる電荷Ｑ２が発生するようになる。一般には長時間
温度変化がない場合には、雰囲気などによって中和され
ていて電荷は表面には現れていず、急激な温度変化によ
る場合分極度の変化分が焦電荷ΔＱとして現れる。この
ような焦電荷ΔＱ（Ｑ１〜Ｑ２）は温度変化が大きい程
大きくなり、また温度が上昇する場合に限らず下降する
場合にも生じる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところでそのように圧
電性だけでなく焦電性を備えた焦電基板を用いてＳＡＷ
デバイスを製造する場合、途中の加熱を伴った工程にお
いて前記した電荷が発生してこの電荷が焦電基板を支持
している導電性支持体に放電するようになって、この放
電の衝撃で焦電基板が割れるという問題が生ずる。
電性だけでなく焦電性を備えた焦電基板を用いてＳＡＷ
デバイスを製造する場合、途中の加熱を伴った工程にお
いて前記した電荷が発生してこの電荷が焦電基板を支持
している導電性支持体に放電するようになって、この放
電の衝撃で焦電基板が割れるという問題が生ずる。
【０００８】図１１は加熱工程の一例として蒸着工程を
示すもので、３１は真空容器内に設けられて多数枚の焦
電基板を支持する基板支持体、３２は基板支持体３１内
壁に設けられた導電性支持体、３３は導電性支持体３２
に図示しないチャック機構によって支持された焦電基
板、３４は電極材料の蒸着源（例えばアルミニウム）、
３５は電子ビームによって蒸着源３４を加熱する電子ビ
ーム源、３６は輻射熱によって焦電基板３３を加熱する
加熱源である。焦電基板３３は同時に数１０枚が処理さ
れるように構成されている。このような蒸着工程におい
て、真空容器内を真空例えば１０-4Ｐａに排気した後加
熱源３６によって焦電基板３３を約５０乃至３００℃に
加熱して、蒸着源３４のアルミニウム層３７を焦電基板
３３の表面３３Ｂに蒸着する。
示すもので、３１は真空容器内に設けられて多数枚の焦
電基板を支持する基板支持体、３２は基板支持体３１内
壁に設けられた導電性支持体、３３は導電性支持体３２
に図示しないチャック機構によって支持された焦電基
板、３４は電極材料の蒸着源（例えばアルミニウム）、
３５は電子ビームによって蒸着源３４を加熱する電子ビ
ーム源、３６は輻射熱によって焦電基板３３を加熱する
加熱源である。焦電基板３３は同時に数１０枚が処理さ
れるように構成されている。このような蒸着工程におい
て、真空容器内を真空例えば１０-4Ｐａに排気した後加
熱源３６によって焦電基板３３を約５０乃至３００℃に
加熱して、蒸着源３４のアルミニウム層３７を焦電基板
３３の表面３３Ｂに蒸着する。
【０００９】このとき、焦電基板３３の温度が上昇する
につれ、図１２の拡大図で示すように焦電基板３３の裏
面３３Ａと導電性支持体３２間に存在する極薄い空間層
４０を介して、温度上昇に伴い発生した電荷が導電性支
持体３２に放電するようになり、この放電の衝撃で焦電
基板３３に割れが生ずる。なお、焦電基板３３の表面３
３Ｂ（蒸着面）においては放電は発生しない。これは蒸
着アルミニウム３７の粒子が密着しているためと考えら
れる。すなわち、放電は焦電基板３３が導電性支持体３
２あるいはアルミニウム３７のような導体と接触（密
着）している部分では発生せず、空間層４０が介在され
ている部分のみで発生している。このため、焦電基板３
３の裏面３３Ａを完全に導電性支持体３２に接触するよ
うに加工すればよいが、実際にはこれは困難である。Ｌ
Ｔの場合は約８０℃で放電による割れが発生する。
につれ、図１２の拡大図で示すように焦電基板３３の裏
面３３Ａと導電性支持体３２間に存在する極薄い空間層
４０を介して、温度上昇に伴い発生した電荷が導電性支
持体３２に放電するようになり、この放電の衝撃で焦電
基板３３に割れが生ずる。なお、焦電基板３３の表面３
３Ｂ（蒸着面）においては放電は発生しない。これは蒸
着アルミニウム３７の粒子が密着しているためと考えら
れる。すなわち、放電は焦電基板３３が導電性支持体３
２あるいはアルミニウム３７のような導体と接触（密
着）している部分では発生せず、空間層４０が介在され
ている部分のみで発生している。このため、焦電基板３
３の裏面３３Ａを完全に導電性支持体３２に接触するよ
うに加工すればよいが、実際にはこれは困難である。Ｌ
Ｔの場合は約８０℃で放電による割れが発生する。
【００１０】また、図１３は加熱工程の他の例としてレ
ジスト乾燥工程を示すもので、３７は焦電基板３３上に
蒸着されたアルミニウム層、３８はこのアルミニウム層
３７上に塗布，形成されこの層３７を図８の電極５２，
５３のパターンにエッチングするマスクとして用いられ
るレジスト、３９はこの塗布後及びパターン形成後のレ
ジスト３８を乾燥するための加熱体（ホットプレートな
ど）である。このようなレジスト乾燥工程において、レ
ジスト３８をスピンナーによってアルミニウム層３７上
に液状に塗布した後及びパターン形成した後、加熱体３
９によって焦電基板３３を約１００乃至１５０℃に加熱
する。このとき前記蒸着工程と同様に、温度上昇に伴い
発生した電荷が加熱体３９に放電するようになり、この
放電の衝撃で焦電基板３３に割れが発生する。
ジスト乾燥工程を示すもので、３７は焦電基板３３上に
蒸着されたアルミニウム層、３８はこのアルミニウム層
３７上に塗布，形成されこの層３７を図８の電極５２，
５３のパターンにエッチングするマスクとして用いられ
るレジスト、３９はこの塗布後及びパターン形成後のレ
ジスト３８を乾燥するための加熱体（ホットプレートな
ど）である。このようなレジスト乾燥工程において、レ
ジスト３８をスピンナーによってアルミニウム層３７上
に液状に塗布した後及びパターン形成した後、加熱体３
９によって焦電基板３３を約１００乃至１５０℃に加熱
する。このとき前記蒸着工程と同様に、温度上昇に伴い
発生した電荷が加熱体３９に放電するようになり、この
放電の衝撃で焦電基板３３に割れが発生する。
【００１１】さらに、図１４は加熱工程のその他の例と
してプラズマエッチング工程を示すもので、４２は反応
容器、４３は反応ガス供給口、４４は反応ガス排気口、
４５は高周波源、４６は電極板である。このようなプラ
ズマエッチング工程において、焦電基板３３を水冷また
はチラー冷却しながら反応容器４２内でプラズマを発生
させて、レジスト３８をマスクとしてアルミニウム層３
７を図８の電極５２，５３のパターンにエッチングす
る。このとき前記蒸着工程及びレジスト乾燥工程と同様
に、温度変化に伴い発生した電荷が電極板４６に放電す
るようになり、この放電の衝撃で焦電基板３３に割れが
発生する。
してプラズマエッチング工程を示すもので、４２は反応
容器、４３は反応ガス供給口、４４は反応ガス排気口、
４５は高周波源、４６は電極板である。このようなプラ
ズマエッチング工程において、焦電基板３３を水冷また
はチラー冷却しながら反応容器４２内でプラズマを発生
させて、レジスト３８をマスクとしてアルミニウム層３
７を図８の電極５２，５３のパターンにエッチングす
る。このとき前記蒸着工程及びレジスト乾燥工程と同様
に、温度変化に伴い発生した電荷が電極板４６に放電す
るようになり、この放電の衝撃で焦電基板３３に割れが
発生する。
【００１２】このようにして途中で割れた焦電基板３３
はこの時点で不良となって生産歩留り減につながり、ま
たこの焦電基板は材料的に高価なのでコストアップも避
けられなくなる。
はこの時点で不良となって生産歩留り減につながり、ま
たこの焦電基板は材料的に高価なのでコストアップも避
けられなくなる。
【００１３】本発明は以上のような問題に対処してなさ
れたもので、焦電基板と導電性支持部材との間で発生す
る放電を防止して高価な焦電基板の割れを防止するよう
にした焦電基板の加熱方法及び加熱装置を提供すること
を目的とするものである。
れたもので、焦電基板と導電性支持部材との間で発生す
る放電を防止して高価な焦電基板の割れを防止するよう
にした焦電基板の加熱方法及び加熱装置を提供すること
を目的とするものである。
【００１４】上記目的を達成するために本発明は、焦電
基板を導電性支持部材の全面で支持して加熱を行う焦電
基板の加熱方法において、前記焦電基板と導電性支持部
材との間に、焦電基板に発生する電荷が前記導電性支持
部材に放電するのを防止する放電防止物質を前記全面に
接するよう介在させたことを特徴とする焦電基板の加熱
方法を提供するものである。
基板を導電性支持部材の全面で支持して加熱を行う焦電
基板の加熱方法において、前記焦電基板と導電性支持部
材との間に、焦電基板に発生する電荷が前記導電性支持
部材に放電するのを防止する放電防止物質を前記全面に
接するよう介在させたことを特徴とする焦電基板の加熱
方法を提供するものである。
【００１５】また、他の本発明は、前記放電防止物質が
焦電性を有しない物質からなる焦電基板の加熱方法を提
供するものである。
焦電性を有しない物質からなる焦電基板の加熱方法を提
供するものである。
【００１６】さらに、その他の本発明は、前記焦電性を
有しない物質がセラミックスからなる焦電基板の加熱方
法を提供するものである。
有しない物質がセラミックスからなる焦電基板の加熱方
法を提供するものである。
【００１７】さらに、その他の本発明は、前記焦電性を
有しない物質が高分子樹脂からなる焦電基板の加熱方法
を提供するものである。
有しない物質が高分子樹脂からなる焦電基板の加熱方法
を提供するものである。
【００１８】さらに、その他の本発明は、焦電基板をそ
の全面で支持すべき導電性支持部材と、前記焦電基板を
加熱する加熱手段と、前記焦電基板と導電性支持部材と
の間に前記全面に接するよう介在され焦電基板に発生す
る電荷が前記導電性支持部材に放電するのを防止する放
電防止手段をとを備えたことを特徴とする加熱装置を提
供するものである。
の全面で支持すべき導電性支持部材と、前記焦電基板を
加熱する加熱手段と、前記焦電基板と導電性支持部材と
の間に前記全面に接するよう介在され焦電基板に発生す
る電荷が前記導電性支持部材に放電するのを防止する放
電防止手段をとを備えたことを特徴とする加熱装置を提
供するものである。
【００１９】
【作用】請求項１記載の本発明の構成によれば、焦電基
板と導電性支持部材との間に放電防止物質を介在させる
ようにしたので、この放電防止物質によって焦電基板の
電荷の導電性支持部材への放電は防止される。
板と導電性支持部材との間に放電防止物質を介在させる
ようにしたので、この放電防止物質によって焦電基板の
電荷の導電性支持部材への放電は防止される。
【００２０】請求項２記載の本発明の構成によれば、放
電防止物質として焦電性を有しない物質を用いることに
より確実に請求項１と同様な作用を行わせることができ
る。
電防止物質として焦電性を有しない物質を用いることに
より確実に請求項１と同様な作用を行わせることができ
る。
【００２１】請求項３記載の本発明の構成によれば、焦
電性を有しない物質としてセラミックスを用いることに
より安価に請求項１と同様な作用を行わせることができ
る。
電性を有しない物質としてセラミックスを用いることに
より安価に請求項１と同様な作用を行わせることができ
る。
【００２２】請求項４記載の本発明の構成によれば、焦
電性を有しない物質として高分子樹脂を用いることによ
り加工が容易となるとともに、請求項１と同様な作用を
行わせることができる。
電性を有しない物質として高分子樹脂を用いることによ
り加工が容易となるとともに、請求項１と同様な作用を
行わせることができる。
【００２３】請求項５記載の本発明の構成によれば、焦
電基板と導電性支持部材との間に放電防止手段を介在さ
せるようにしたので、この放電防止手段によって焦電基
板の電荷の導電性支持部材への放電は防止される。
電基板と導電性支持部材との間に放電防止手段を介在さ
せるようにしたので、この放電防止手段によって焦電基
板の電荷の導電性支持部材への放電は防止される。
【００２４】
【実施例】本実施例の説明に先立って本発明が適用され
るＳＡＷデバイスの製造方法を図７を参照して工程順に
説明する。
るＳＡＷデバイスの製造方法を図７を参照して工程順に
説明する。
【００２５】先ず、工程Ａのように焦電基板１例えばＬ
Ｔ基板を用意する。この基板１は一例として厚さ約０．
３５ｍｍのウェハー状のものを用いる。次に、工程Ｂの
ようにこの焦電基板１上に電子ビーム蒸着法によって電
極層２例えばアルミニウムを約０．１μｍの膜厚に形成
する。続いて工程Ｃのようにこの電極層２に対してフォ
トリソグラフィ法を適用して、不要部分をウエットエッ
チングまたはドライエッチングして一対の電極３Ａ，３
Ｂを形成する。なお、図では省略したが、基板１には多
数対の電極３Ａ，３Ｂが形成されるので、一対の電極３
Ａ，３Ｂを有する各チップ（ＳＡＷチップ）ごとに分離
した後、工程ＤのようにＳＡＷチップ４をステム５上に
固定すると共にワイヤボンディングにより電極引き出し
線を設けた後、容器６によって封入する。これによって
ＳＡＷデバイス７が完成する。
Ｔ基板を用意する。この基板１は一例として厚さ約０．
３５ｍｍのウェハー状のものを用いる。次に、工程Ｂの
ようにこの焦電基板１上に電子ビーム蒸着法によって電
極層２例えばアルミニウムを約０．１μｍの膜厚に形成
する。続いて工程Ｃのようにこの電極層２に対してフォ
トリソグラフィ法を適用して、不要部分をウエットエッ
チングまたはドライエッチングして一対の電極３Ａ，３
Ｂを形成する。なお、図では省略したが、基板１には多
数対の電極３Ａ，３Ｂが形成されるので、一対の電極３
Ａ，３Ｂを有する各チップ（ＳＡＷチップ）ごとに分離
した後、工程ＤのようにＳＡＷチップ４をステム５上に
固定すると共にワイヤボンディングにより電極引き出し
線を設けた後、容器６によって封入する。これによって
ＳＡＷデバイス７が完成する。
【００２６】次に以上のような製造工程に対して本発明
を適用した実施例を説明する。
を適用した実施例を説明する。
【００２７】図１は本発明の焦電基板の加熱方法の第１
の実施例を示すもので、蒸着工程に適用した例を示すも
のである。１１は多数枚の基板支持体、１２は基板支持
体１１内壁に設けられた導電性支持体、１３は導電性支
持体１２に図示しないチャック機構によって支持された
例えばＬＴからなる焦電基板、１４は電極材料の蒸着源
（例えばアルミニウム）、１５は電子ビームによって蒸
着源１４を加熱する電子ビーム源、１６は輻射熱によっ
て焦電基板１３を加熱する加熱源である。
の実施例を示すもので、蒸着工程に適用した例を示すも
のである。１１は多数枚の基板支持体、１２は基板支持
体１１内壁に設けられた導電性支持体、１３は導電性支
持体１２に図示しないチャック機構によって支持された
例えばＬＴからなる焦電基板、１４は電極材料の蒸着源
（例えばアルミニウム）、１５は電子ビームによって蒸
着源１４を加熱する電子ビーム源、１６は輻射熱によっ
て焦電基板１３を加熱する加熱源である。
【００２８】８は焦電基板１３の裏面１３Ａと導電性支
持体１２の間に介在された放電防止物質で例えば板厚約
０．５ｍｍのガラス板が用いられる。この放電防止物質
８は予め蒸着装置としての導電性支持体１２上に取付け
るようにしておくことができる。
持体１２の間に介在された放電防止物質で例えば板厚約
０．５ｍｍのガラス板が用いられる。この放電防止物質
８は予め蒸着装置としての導電性支持体１２上に取付け
るようにしておくことができる。
【００２９】このような蒸着工程において、真空容器内
を従来と同様に真空例えば１０-4Ｐａに排気した後、加
熱源１６によって焦電基板１３を約５０乃至３００℃に
加熱して、蒸着源１４のアルミニウムを焦電基板１３に
蒸着する。図２はこのような蒸着工程でアルミニウム層
１７がその表面１３Ｂに蒸着された焦電基板１３を示す
もので、放電防止物質８としてのガラス板の存在により
焦電基板１３の裏面１３Ａと導電性支持体１２との間で
の放電による焦電基板１３の割れは全く発生しないこと
が確かめられた。このガラス板は特にコスト的に安価な
ので経済的であるという利点がある。
を従来と同様に真空例えば１０-4Ｐａに排気した後、加
熱源１６によって焦電基板１３を約５０乃至３００℃に
加熱して、蒸着源１４のアルミニウムを焦電基板１３に
蒸着する。図２はこのような蒸着工程でアルミニウム層
１７がその表面１３Ｂに蒸着された焦電基板１３を示す
もので、放電防止物質８としてのガラス板の存在により
焦電基板１３の裏面１３Ａと導電性支持体１２との間で
の放電による焦電基板１３の割れは全く発生しないこと
が確かめられた。このガラス板は特にコスト的に安価な
ので経済的であるという利点がある。
【００３０】図３は本実施例によって得られた、基板加
熱温度Ｔ（横軸）と放電限界距離Ｌ（縦軸）との関係を
示す特性図で、温度Ｔの変化に対して対応した距離Ｌ以
上に離間して焦電基板１３と導電性支持体１２との間隔
を保った場合には、焦電基板１３に割れが生じなかっ
た。この図３の特性から明らかなように加熱温度Ｔを高
くとるほど、焦電基板１３と導電性支持体１２との距離
Ｌを大きく設定するようにして放電の発生による焦電基
板１３の割れを防止することができる。
熱温度Ｔ（横軸）と放電限界距離Ｌ（縦軸）との関係を
示す特性図で、温度Ｔの変化に対して対応した距離Ｌ以
上に離間して焦電基板１３と導電性支持体１２との間隔
を保った場合には、焦電基板１３に割れが生じなかっ
た。この図３の特性から明らかなように加熱温度Ｔを高
くとるほど、焦電基板１３と導電性支持体１２との距離
Ｌを大きく設定するようにして放電の発生による焦電基
板１３の割れを防止することができる。
【００３１】図４は本発明の第２の実施例を示すもの
で、レジスト乾燥工程に適用した例を示すものである。
すなわち、加熱体１９上に設置される焦電基板１３の両
者間に放電防止物質８として例えば板厚約０．５ｍｍの
ガラス板を介在させる。１７は焦電基板１３上に蒸着さ
れたアルミニウム層、１８はこのアルミニウム層１７上
に塗布及びパターン形成されたレジストである。放電防
止物質８は予め乾燥装置としての加熱体１９上に取付け
るようにしておくことができる。
で、レジスト乾燥工程に適用した例を示すものである。
すなわち、加熱体１９上に設置される焦電基板１３の両
者間に放電防止物質８として例えば板厚約０．５ｍｍの
ガラス板を介在させる。１７は焦電基板１３上に蒸着さ
れたアルミニウム層、１８はこのアルミニウム層１７上
に塗布及びパターン形成されたレジストである。放電防
止物質８は予め乾燥装置としての加熱体１９上に取付け
るようにしておくことができる。
【００３２】このようなレジスト乾燥工程において、レ
ジスト１８を従来と同様にスピンナーによってアルミニ
ウム層１７上に液状に塗布した後及びパターン形成した
後、加熱体１９によって焦電基板１３を約１００乃至２
１０℃に加熱する。この結果、放電防止物質８としての
ガラス板の存在により、焦電基板１３の裏面１３Ａと加
熱体１９との間で多少の放電が観察されたが、焦電基板
１３の割れは全く認められなかった。
ジスト１８を従来と同様にスピンナーによってアルミニ
ウム層１７上に液状に塗布した後及びパターン形成した
後、加熱体１９によって焦電基板１３を約１００乃至２
１０℃に加熱する。この結果、放電防止物質８としての
ガラス板の存在により、焦電基板１３の裏面１３Ａと加
熱体１９との間で多少の放電が観察されたが、焦電基板
１３の割れは全く認められなかった。
【００３３】図５は本発明の第３の実施例を示すもの
で、プラズマエッチング工程に適用した例を示すもので
ある。すなわち、電極板２６上に配置される焦電基板１
３の両者間に放電防止物質８として例えば板厚約１ｍｍ
のガラス板を介在させる。２２は反応容器、２３は反応
ガス供給口、２４は反応ガス排気口、２５は高周波源で
ある。放電防止物質８は予めプラズマエッチング装置と
して電極板２６上に取付けるようにしておくことができ
る。
で、プラズマエッチング工程に適用した例を示すもので
ある。すなわち、電極板２６上に配置される焦電基板１
３の両者間に放電防止物質８として例えば板厚約１ｍｍ
のガラス板を介在させる。２２は反応容器、２３は反応
ガス供給口、２４は反応ガス排気口、２５は高周波源で
ある。放電防止物質８は予めプラズマエッチング装置と
して電極板２６上に取付けるようにしておくことができ
る。
【００３４】このようなプラズマエッチング工程におい
て、焦電基板１３を従来と同様に水冷またはチラー冷却
して反応容器２２内でプラズマを発生させて、レジスト
１８をマスクとしてアルミニウム層１７を図８の電極５
２，５３のパターンにエッチングする。このとき前記蒸
着工程及びレジスト乾燥工程と同様に、放電防止物質８
としてのガラス板の存在により、焦電基板１３の裏面１
３Ａと電極板２６との間での放電が防止され焦電基板１
３の割れは全く発生しないことが確かめられた。
て、焦電基板１３を従来と同様に水冷またはチラー冷却
して反応容器２２内でプラズマを発生させて、レジスト
１８をマスクとしてアルミニウム層１７を図８の電極５
２，５３のパターンにエッチングする。このとき前記蒸
着工程及びレジスト乾燥工程と同様に、放電防止物質８
としてのガラス板の存在により、焦電基板１３の裏面１
３Ａと電極板２６との間での放電が防止され焦電基板１
３の割れは全く発生しないことが確かめられた。
【００３５】このように本発明の各実施例によれば、各
加熱工程において導電性支持部材（導電性支持体１２，
加熱体１９，電極板２６など）と焦電基板１３との間に
放電防止物質８としてのガラス板を介在させることによ
り、加熱を行って焦電基板１３の温度を上昇させても導
電性支持部材との間で放電の発生を防止することができ
るようになり、放電に基く焦電基板１３の割れを防止す
ることができる。
加熱工程において導電性支持部材（導電性支持体１２，
加熱体１９，電極板２６など）と焦電基板１３との間に
放電防止物質８としてのガラス板を介在させることによ
り、加熱を行って焦電基板１３の温度を上昇させても導
電性支持部材との間で放電の発生を防止することができ
るようになり、放電に基く焦電基板１３の割れを防止す
ることができる。
【００３６】各実施例においては放電防止物質８として
はガラス板を用いた例で説明したが、何らガラス板に限
らず他の物質を用いることができる。例えばフッソ系ま
たはケイソ系樹脂などの高分子樹脂材、アルミナなどの
セラミックス材、または空間などを介在させるようにし
てもよい。
はガラス板を用いた例で説明したが、何らガラス板に限
らず他の物質を用いることができる。例えばフッソ系ま
たはケイソ系樹脂などの高分子樹脂材、アルミナなどの
セラミックス材、または空間などを介在させるようにし
てもよい。
【００３７】表１に、介在物質による基板（ＬｉＴａＯ
3 ）の割れやすさを示す。この表より介在物質としては
焦電性を備えていないもので、低誘電率の誘電体（特に
固体）が効果が大きい。また表２は、介在物質の厚さに
よる基板（ＬｉＴａＯ3 ）の割れやすさを示すものであ
り、介在物質の厚さを大きくすると効果が出ることが示
される。
3 ）の割れやすさを示す。この表より介在物質としては
焦電性を備えていないもので、低誘電率の誘電体（特に
固体）が効果が大きい。また表２は、介在物質の厚さに
よる基板（ＬｉＴａＯ3 ）の割れやすさを示すものであ
り、介在物質の厚さを大きくすると効果が出ることが示
される。
【００３８】
【表１】
【００３９】
【表２】
【００４０】図６は放電防止物質８として空間を用いた
場合の特性図を示すもので、図３のガラス板を用いた場
合の特性図との比較から明らかなように、同一温度の場
合より大きく放電限界距離Ｌを設けることになる。な
お、空間を用いる場合は焦電基板１３を適当な支持体で
支持するようにする。
場合の特性図を示すもので、図３のガラス板を用いた場
合の特性図との比較から明らかなように、同一温度の場
合より大きく放電限界距離Ｌを設けることになる。な
お、空間を用いる場合は焦電基板１３を適当な支持体で
支持するようにする。
【００４１】なお、焦電基板１３とこれを支持する導電
性支持部材との周囲の雰囲気は真空中でも大気中でも、
放電現象に与える影響はほとんど差異がなく、ほとんど
両者間の対向面の接触状態によって放電は発生する。従
って、本発明の各実施例のように両者間に放電防止物質
を介在させることにより、周囲雰囲気に左右されること
なく同様な放電防止効果を得ることができる。
性支持部材との周囲の雰囲気は真空中でも大気中でも、
放電現象に与える影響はほとんど差異がなく、ほとんど
両者間の対向面の接触状態によって放電は発生する。従
って、本発明の各実施例のように両者間に放電防止物質
を介在させることにより、周囲雰囲気に左右されること
なく同様な放電防止効果を得ることができる。
【００４２】さらに、実施例では特定の加熱工程に適用
した例で示したが、これに限らず同様な他の全ての加熱
及び冷却工程に適用することができる。また、ＳＡＷデ
バイスを製造する例で説明したが焦電基板を用いるデバ
イスの全てに対して適用でき、さらにまた焦電基板も実
施例で示した特定材料に限らない。
した例で示したが、これに限らず同様な他の全ての加熱
及び冷却工程に適用することができる。また、ＳＡＷデ
バイスを製造する例で説明したが焦電基板を用いるデバ
イスの全てに対して適用でき、さらにまた焦電基板も実
施例で示した特定材料に限らない。
【００４３】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、焦電
基板と導電性支持部材との間に放電防止物質を介在して
加熱を行うようにしたので、焦電基板と導電性支持部材
間で発生する放電を防止することができるため、焦電基
板の割れを防止することができ、コストダウン及び歩留
りの向上が計れる。
基板と導電性支持部材との間に放電防止物質を介在して
加熱を行うようにしたので、焦電基板と導電性支持部材
間で発生する放電を防止することができるため、焦電基
板の割れを防止することができ、コストダウン及び歩留
りの向上が計れる。
【図１】本発明の第１の実施例を示す構成図である。
【図２】第１の実施例で得られた焦電基板を示す拡大図
である。
である。
【図３】第１の実施例で得られた温度と放電限界距離と
の関係を示す特性図である。
の関係を示す特性図である。
【図４】本発明の第２の実施例を示す断面図である。
【図５】本発明の第３の実施例を示す構成図である。
【図６】本発明の他の実施例によって得られた温度と放
電限界距離との関係を示す特性図である。
電限界距離との関係を示す特性図である。
【図７】本発明が適用されるＳＡＷデバイスの製造方法
を示す工程図である。
を示す工程図である。
【図８】ＳＡＷデバイスの一例を示す斜視図である。
【図９】焦電基板の焦電性を説明する概略図である。
【図１０】基板温度と分極度との関係を示す特性図であ
る。
る。
【図１１】従来加熱方法の適用例を示す構成図である。
【図１２】図１１の加熱方法によって得られた焦電基板
を示す拡大図である。
を示す拡大図である。
【図１３】従来の加熱方法の他の適用例を示す断面図で
ある。
ある。
【図１４】従来の加熱方法のその他の適用例を示す構成
図である。
図である。
８ 放電防止物質
１２ 導電性支持体
１３ 焦電基板
１７ 電極層（アルミニウム層）
１８ レジスト
１９ 加熱体
２６ 電極板
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平１−319937（ＪＰ，Ａ)
特開 平１−319935（ＪＰ，Ａ)
特開 平１−140806（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−260907（ＪＰ，Ａ)
実開 昭61−206316（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H03H 3/08
Claims (5)
- 【請求項１】 焦電基板を導電性支持部材の全面で支持
して加熱を行う焦電基板の加熱方法において、前記焦電
基板と導電性支持部材との間に、焦電基板に発生する電
荷が前記導電性支持部材に放電するのを防止する放電防
止物質を前記全面に接するよう介在させたことを特徴と
する焦電基板の加熱方法。 - 【請求項２】 前記放電防止物質が焦電性を有しない物
質からなる請求項１記載の焦電基板の加熱方法。 - 【請求項３】 前記焦電性を有しない物質がセラミック
スからなる請求項２記載の焦電基板の加熱方法。 - 【請求項４】 前記焦電性を有しない物質が高分子樹脂
からなる請求項２記載の焦電基板の加熱方法。 - 【請求項５】 焦電基板をその全面で支持すべき導電性
支持部材と、前記焦電基板を加熱する加熱手段と、前記
焦電基板と導電性支持部材との間に前記全面に接するよ
う介在され焦電基板に発生する電荷が前記導電性支持部
材に放電するのを防止する放電防止手段とを備えたこと
を特徴とする加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20061393A JP3395796B2 (ja) | 1992-08-18 | 1993-08-12 | 焦電基板の加熱方法及び加熱装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4-219072 | 1992-08-18 | ||
| JP21907292 | 1992-08-18 | ||
| JP20061393A JP3395796B2 (ja) | 1992-08-18 | 1993-08-12 | 焦電基板の加熱方法及び加熱装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06120760A JPH06120760A (ja) | 1994-04-28 |
| JP3395796B2 true JP3395796B2 (ja) | 2003-04-14 |
Family
ID=26512297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20061393A Expired - Fee Related JP3395796B2 (ja) | 1992-08-18 | 1993-08-12 | 焦電基板の加熱方法及び加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3395796B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005223641A (ja) * | 2004-02-05 | 2005-08-18 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 表面実装型ｓａｗデバイス |
-
1993
- 1993-08-12 JP JP20061393A patent/JP3395796B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005223641A (ja) * | 2004-02-05 | 2005-08-18 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 表面実装型ｓａｗデバイス |
| US7608977B2 (en) | 2004-02-05 | 2009-10-27 | Epson Toyocom Corporation | Surface-mount saw device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06120760A (ja) | 1994-04-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4213104A (en) | Vacuum encapsulation for surface acoustic wave (SAW) devices | |
| US5646583A (en) | Acoustic isolator having a high impedance layer of hafnium oxide | |
| JP2005006304A (ja) | 薄膜バルク音響共鳴器における圧電結合係数の制御して製造される装置 | |
| EP0064506B2 (en) | Improvements in or relating to methods of producing devices comprising metallised regions on dielectric substrates | |
| US20010042290A1 (en) | Method of forming electrode film | |
| JPH11251303A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2007221416A (ja) | 電子部品及びこの電子部品を用いた電子機器 | |
| US20030001696A1 (en) | Acoustic wave device | |
| JP3395796B2 (ja) | 焦電基板の加熱方法及び加熱装置 | |
| JPH11274883A (ja) | 圧電体複合基板および表面弾性波素子 | |
| JP3385540B2 (ja) | 焦電基板の加熱方法及び加熱装置 | |
| JPS61136312A (ja) | 弾性表面波素子 | |
| JPWO2002045262A1 (ja) | 弾性波装置 | |
| JPH10200369A (ja) | 圧電薄膜共振子 | |
| JP2515622B2 (ja) | 弾性表面波センサの製法 | |
| JPH07226642A (ja) | 弾性表面波素子 | |
| JPH06224677A (ja) | 圧電共振子の周波数調整方法 | |
| US20220314277A1 (en) | Acoustic wave transducing unit, method for manufacturing the same and acoustic wave transducer | |
| JPH0946164A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JPS63311124A (ja) | 焦電型赤外線アレイサンサ | |
| JP2001345667A (ja) | 弾性表面波素子 | |
| JPS63313023A (ja) | 焦電型赤外線アレイセンサ及びその製造方法 | |
| JP2000059165A (ja) | 弾性表面波装置およびその製造方法 | |
| JP2553569B2 (ja) | 焦電型赤外線アレイセンサ | |
| KR940011748B1 (ko) | Saw 필터용 압전 소자 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000905 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |