JP2005210129A5

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Publication number: JP2005210129A5
Application number: JP2005013255A
Authority: JP
Filing date: 2005-01-20
Publication date: 2005-09-15
Anticipated expiration: 2025-01-20

Claims

表面を有する基板に室温で実質的に吸収されないアニール放射線ビームを用いて前記基板のレーザ熱アニールを行なうために、前記基板を予熱する装置であって、
室温で前記基板に実質的に吸収される予熱放射線を発する予熱放射線源と、
前記予熱放射線を受けて、前記基板に第１の像を形成する予熱放射線ビームを形成するように構成されたリレーレンズと、
前記基板から反射された予熱放射線を受け、かつ、前記反射された予熱放射線をリサイクル放射線ビームとして前記基板に向けるように配置されたリサイクル光学系と、
を含み、
前記第１の像は前記基板の表面の上方で走査されて、前記表面の一部が予熱され、
前記表面の一部は、前記アニール放射線ビームによって形成された第２の走査像の上方に存在するかあるいは前記第２の走査像と部分的に重なる、装置。
請求項１において、
前記リサイクル光学系は、集光／集束レンズと、コーナーキューブ反射体とを含む、装置。
請求項２において、
前記リサイクル放射線ビームおよび前記予熱放射線ビームはそれぞれ入射角を有し、
前記リサイクル光学系は光軸を有し、
前記コーナーキューブ反射体は、前記リサイクル放射線ビームの入射角と前記予熱放射線ビームの入射角とを少なくとも部分的に分離させるように、前記光軸に対して変位している、装置。
請求項１において、
前記リサイクル光学系は、テレセントリックリレーおよび回折格子を含む、装置。
表面を有する基板に室温で実質的に吸収されないアニール放射線ビームを用いて前記基板のレーザ熱アニールを行なうために、前記基板を予熱する装置であって、
室温で前記基板に実質的に吸収される波長を有する第１および第２の予熱放射線ビームを前記基板の一部にそれぞれ照射するように配置された第１および第２の予熱光学系を含み、
前記第１および第２の予熱放射線ビームは、前記予熱放射線ビームおよび前記アニール放射線ビームが前記基板の表面に対して走査される際に、第１および第２の走査像をそれぞれ形成し、
前記第１および第２の走査像は、前記アニール放射線ビームによって形成される第３の走査像の前方に維持される、装置。
請求項５において、
前記第１および第２の予熱放射線ビームはｐ偏光され、かつ、前記基板の表面上に存在する構造による吸収のばらつきを最小化する角度で前記基板の表面を遮る、装置。
請求項５において、
前記第１および第２の予熱放射線ビームは、等しくかつ正反対の入射角を有する、装置。
表面を有する基板に室温で実質的に吸収されないアニール放射線ビームを用いて前記基板のレーザ熱アニールを行なうために、前記基板を予熱する装置であって、
室温で前記基板に実質的に吸収される波長を有する複数の予熱放射線ビームを前記基板の一部にそれぞれ照射するように配置された複数の予熱光学系を含み、
前記複数の予熱放射線ビームはそれぞれ、前記予熱放射線ビームおよび前記アニール放射線ビームが前記基板の表面に対して走査される際に、アニール放射線ビーム像の前方に維持される像を形成する、装置。
基板に室温で実質的に吸収されないアニール放射線ビームを用いてレーザ熱アニールを行なうために、前記基板の表面を予熱する方法であって、
予熱放射線ビームを前記基板の一部に照射すること、
前記基板の一部によって反射された予熱放射線を受けること、および
前記受けた予熱放射線を前記基板の一部に向け返すこと、
を含む、方法。
請求項９において、
前記受けた予熱放射線を前記基板の一部に向け返すことは、前記受けた予熱放射線をコーナーキューブ反射体によって反射させることを含む、方法。
請求項９において、
前記受けた予熱放射線を前記基板の一部に向け返すことは、前記受けた予熱放射線をルーフミラーおよび円柱ミラーによって反射させることを含む、方法。
請求項９において、
前記受けた予熱放射線を前記基板の一部に向け返すことは、前記基板に向け返される予熱放射線が前記基板の表面上に集束されるように、前記受けた予熱放射線に対して傾けられた回折格子によって、前記受けた予熱放射線を回折させることを含む、方法。
表面を有する基板に室温で実質的に吸収されないアニール放射線ビームを用いて前記基板のレーザ熱アニールを行なうために、前記基板を予熱する方法であって、
室温で前記基板に実質的に吸収される波長を有する第１および第２の予熱放射線ビームを前記基板の第１の部分に照射すること、および
前記アニール放射線ビームが、加熱された前記第１の部分に遭遇する際に、前記アニール放射線ビームが前記基板によって実質的に吸収されるように、前記予熱放射線ビームおよび前記アニール放射線ビームが前記基板の表面に対して走査される際に、前記第１の部分を前記アニール放射線ビームが照射される前記基板の表面の第２の部分の前方に維持すること、
を含む、方法。
請求項１３において、
前記第１および第２の予熱放射線ビームは同じ波長を有する、方法。
請求項１３において、
前記アニール放射線ビームは、ブルースター角で前記基板に入射し、
前記予熱放射線ビームは、中央角度を含む角度範囲を超えて前記基板に入射し、
各角度範囲に対する前記中央角度は、ブルースター角と異なる、方法。
請求項１３において、
前記アニール放射線ビームおよび前記予熱放射線ビームはそれぞれ、前記基板の表面上に存在する構造による吸収のばらつきを最小化する角度で前記基板に入射する、方法。
請求項１３において、
前記第１および第２の予熱放射線ビームがそれぞれ、ｉ）０．１５〜０．５の前記基板における開口数と、
ｉｉ）約５２°の入射角と、
を有するように形成することを含む、方法。