JP2007507897A5 - - Google Patents
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Claims (35)
- 表面を有する基板のレーザー熱アニールを行うための装置であって、
室温で前記基板に実質的に吸収されない波長を有する連続したアニール放射線を生成することができるレーザーと、
前記アニール放射線を受け、前記基板の表面上で走査される第1の像を前記基板の前記表面において形成するアニール放射線ビームを形成するアニール光学系と、
前記基板の少なくとも一部を、前記一部に入射した前記アニール放射線ビームが走査時に前記一部において前記基板の前記表面近傍で実質的に吸収されるように、臨界温度に加熱するための加熱装置と、
を含み
前記加熱装置は、
室温で前記基板に実質的に吸収される波長の予熱放射線を放射する予熱放射線源と、
前記走査された第1の像の前方または前記走査された第1の像と部分的に重なる前記基板の部分を予熱する、リレーシステムと、
を有し、
前記リレーシステムは、前記予熱放射線源から前記予熱放射線を受け、予熱放射線ビームを形成し、
前記予熱放射線ビームは、前記基板上に第2の像を形成し、かつ、走査する装置。 - 請求項1において、
前記アニール放射線ビームが1μmよりも長い波長を有する装置。 - 請求項1において、
前記基板が、前記アニール放射線ビーム、および前記予熱放射線ビームと相対的に前記基板を移動させることによって前記走査を行う可動ステージによって支持される装置。 - 請求項1において、
前記アニール放射線が10.6μmの波長を有する装置。 - 請求項1において、
前記基板がドープされていないシリコンまたは低濃度ドープされたシリコンである装置。 - 請求項1において、
前記アニール放射線によって形成される前記第1の像が線像である装置。 - 請求項1において、
前記加熱装置が、前記基板を支持し、前記基板を前記臨界温度に加熱する加熱チャックを含む装置。 - 請求項7において、
前記加熱装置が、前記基板から放射された熱を前記基板に対して反射する熱シールドをさらに含む装置。 - 請求項1において、
前記加熱装置が、前記基板を取り囲み、前記基板を前記臨界温度に加熱する加熱エンクロージャをさらに含む装置。 - 請求項1において、
前記リレーシステムが、リレーレンズを含む装置。 - 請求項10において、
前記第2の像が線像である装置。 - 請求項10において、
前記予熱放射線ビームが780nmまたは800nmの波長を有する装置。 - 請求項10において、
前記リレーレンズが、前記予熱放射線ビームが法線入射で前記基板に入射するように配置され、
偏光子と、
1/4波長板と、
をさらに含み、
前記偏光子と前記1/4波長板が前記予熱放射線ビーム内に配置され、前記基板によって反射され、前記予熱放射線源に戻る予熱放射線の量を減少させる装置。 - 請求項10において、
偏光子とファラデー回転子が前記予熱放射線ビーム内に配置され、予熱放射線ビームが前記予熱放射線源に戻ることを実質的に防ぐ装置。 - 請求項10において、
前記予熱放射線源がレーザーダイオードのアレイであり、
前記リレーレンズがアナモルフィックであって、前記基板における前記レーザーダイオードのアレイの線像として前記第2の像を形成する装置。 - 請求項10において、
前記リレーレンズが、前記第2の像の焦点を維持するために調節することができる要素を含む装置。 - 請求項1において、
前記基板を支持するチャックと、
前記チャックを支持する可動ステージと、
前記可動ステージに動作的に接続され、前記ステージを選択的に移動させて前記基板を選択的に移動させることによって、前記走査を行うステージ駆動部と、
をさらに含む装置。 - 基板をレーザー熱アニールする方法であって、
加熱部分において前記レーザービームが照射された場合、前記加熱部分で前記レーザービームが、前記基板が自己持続アニール条件を満たす程度まで、前記基板の表面近傍で吸収されるように前記基板の少なくとも一部を臨界温度に加熱することと、
前記基板の前記加熱部分上において前記レーザービームを走査することによって前記自己持続アニール条件を開始させることと、
を含み、
前記基板は、室温において、自己持続アニール条件を満たす程度まではレーザービームの放射線波長を吸収しない方法。 - 請求項18において、
前記基板は、ドープされていないシリコン基板または低濃度ドープされたシリコン基板である方法。 - 請求項18において、
前記加熱することは、前記基板を支持する加熱チャックを介して前記基板に熱を供給することを含む方法。 - 請求項20において、
前記基板から放射された熱を前記基板に対して反射することを含む方法。 - 請求項18において、
前記加熱することは、前記基板を取り囲む加熱エンクロージャを介して前記基板に熱を供給することを含む方法。 - 請求項18において、
前記加熱することは、室温で前記基板に吸収される波長を有する予熱放射線ビームを前記基板の前記一部に照射することを含む方法。 - 請求項23において、
前記予熱放射線ビームは、780nmまたは800nmの波長を有する方法。 - 請求項23において、
ダイオードレーザーのアレイを使用して前記予熱放射線ビームを発生させることを含む方法。 - 請求項23において、
前記レーザービームが前記基板において第1の像を形成し、前記予熱放射線ビームが前記基板において第2の像を形成し、
基板上の前記第1及び第2の像を、前記第1の像の前方または前記第1の像と部分的に重なる位置にある前記第2の像によって走査することを、さらに含む方法。 - 請求項26において、
前記第2の像を走査時に前記第1の像の前方または前記第1の像と部分的に重なる位置に維持することをさらに含む方法。 - 請求項18において、
前記レーザービームが1μmよりも長い波長を有する方法。 - 請求項28において、
前記レーザービームが10.6μmの波長を有する方法。 - 請求項23において、
i)自己持続アニール条件を有効にするために前記予熱放射線ビームによって生成される臨界温度及びii)前記自己持続アニール条件を有効にするために必要な前記予熱放射線ビームにおける最小パワーの少なくとも一方を、1組の試験基板に選択された強度を有する対応する1組のレーザービーム及び1組の予熱放射線ビームを照射することによって経験的に決定することを含む方法。 - 請求項18において、
前記臨界温度が360℃以上である方法。 - 請求項26において、
前記走査を、ラスタパターン、牛耕式パターン、スパイラルパターンを含むパターン群から選択されるパターンで行う方法。 - 請求項26において、
前記走査を、前記基板を支持するチャックを支持する可動基板ステージを選択的に移動させることによって行う方法。 - 請求項23において、
前記予熱放射線ビームがパワーレベルを有し、
吸収性基板をアニールするために十分なパワーを有する前記レーザービームを用いて前記基板を走査する工程(a)と、
前記基板の表面上でアニール温度に達するまで前記工程(a)を反復し、前記予熱放射線ビームのパワーレべルを上昇させる工程(b)と、
少なくとも到達した前記アニール温度をもたらすパワーレベルに前記パワーレベルを設定する工程(c)と、によって前記パワーレベルを設定する方法。 - 基板をレーザー熱アニールする方法であって、
予熱ビーム波長を有する走査予熱放射線ビームを前記基板の一部に照射し、加熱部分において前記レーザービームが照射された場合、前記加熱部分で前記レーザービームが、前記基板が自己持続アニール条件を満たす程度まで、前記基板の表面近傍で吸収されるように前記基板の少なくとも一部を臨界温度に加熱することと、
前記予熱放射線ビームの後方または前記予熱放射線ビームと部分的に重なる位置において前記レーザービームを走査することによって前記自己持続アニール条件を開始させること、
を含み、
前記基板は、室温において、自己持続アニール条件を満たす程度まではレーザービームの放射線波長を吸収しない方法。
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---|---|---|---|---|
JP2004128421A (ja) * | 2002-10-07 | 2004-04-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザ照射方法およびレーザ照射装置、並びに半導体装置の作製方法 |
EP1468774B1 (en) * | 2003-02-28 | 2009-04-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser irradiation method, laser irradiation apparatus, and method for manufacturing semiconductor device |
JP4373115B2 (ja) * | 2003-04-04 | 2009-11-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US7176405B2 (en) * | 2005-04-22 | 2007-02-13 | Ultratech, Inc. | Heat shield for thermal processing |
US7767927B2 (en) * | 2005-05-16 | 2010-08-03 | Ultratech, Inc. | Methods and apparatus for remote temperature measurement of a specular surface |
US7482254B2 (en) | 2005-09-26 | 2009-01-27 | Ultratech, Inc. | Apparatus and methods for thermally processing undoped and lightly doped substrates without pre-heating |
FR2893873B1 (fr) * | 2005-11-25 | 2008-12-12 | Air Liquide | Procede de coupage avec un laser a fibre d'acier inoxydable |
US20070212859A1 (en) * | 2006-03-08 | 2007-09-13 | Paul Carey | Method of thermal processing structures formed on a substrate |
DE102006018801A1 (de) * | 2006-04-22 | 2007-10-25 | Carl Zeiss Laser Optics Gmbh | Vorrichtung sowie Verfahren zum Erhitzen eines Substrats |
US7514305B1 (en) * | 2006-06-28 | 2009-04-07 | Ultratech, Inc. | Apparatus and methods for improving the intensity profile of a beam image used to process a substrate |
US7790636B2 (en) | 2006-06-29 | 2010-09-07 | International Business Machines Corporation | Simultaneous irradiation of a substrate by multiple radiation sources |
US7635656B2 (en) * | 2006-06-29 | 2009-12-22 | International Business Machines Corporation | Serial irradiation of a substrate by multiple radiation sources |
US7619227B2 (en) * | 2007-02-23 | 2009-11-17 | Corning Incorporated | Method of reducing radiation-induced damage in fused silica and articles having such reduction |
US7744274B1 (en) * | 2007-06-20 | 2010-06-29 | Ultratech, Inc. | Methods and apparatus for temperature measurement and control on a remote substrate surface |
US7847213B1 (en) | 2007-09-11 | 2010-12-07 | Ultratech, Inc. | Method and apparatus for modifying an intensity profile of a coherent photonic beam |
FR2921752B1 (fr) * | 2007-10-01 | 2009-11-13 | Aplinov | Procede de chauffage d'une plaque par un flux lumineux. |
US8674257B2 (en) * | 2008-02-11 | 2014-03-18 | Applied Materials, Inc. | Automatic focus and emissivity measurements for a substrate system |
US8071908B1 (en) | 2008-03-26 | 2011-12-06 | Ultratech, Inc. | Edge with minimal diffraction effects |
US20090278287A1 (en) * | 2008-05-12 | 2009-11-12 | Yun Wang | Substrate processing with reduced warpage and/or controlled strain |
US8314369B2 (en) * | 2008-09-17 | 2012-11-20 | Applied Materials, Inc. | Managing thermal budget in annealing of substrates |
US20100068898A1 (en) * | 2008-09-17 | 2010-03-18 | Stephen Moffatt | Managing thermal budget in annealing of substrates |
US20100084744A1 (en) * | 2008-10-06 | 2010-04-08 | Zafiropoulo Arthur W | Thermal processing of substrates with pre- and post-spike temperature control |
FR2938116B1 (fr) * | 2008-11-04 | 2011-03-11 | Aplinov | Procede et dispositif de chauffage d'une couche d'une plaque par amorcage et flux lumineux. |
US20100304527A1 (en) * | 2009-03-03 | 2010-12-02 | Peter Borden | Methods of thermal processing a solar cell |
JP2011003630A (ja) * | 2009-06-17 | 2011-01-06 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | レーザ照射装置、及びレーザ照射方法 |
US8014427B1 (en) | 2010-05-11 | 2011-09-06 | Ultratech, Inc. | Line imaging systems and methods for laser annealing |
KR101009296B1 (ko) * | 2010-05-14 | 2011-01-18 | 김진숙 | 곡률반경을 조절 생산할 수 있는 엘리베이터 보정 체인의 제조방법 및 그 방법으로 제조된 엘리베이터 보정 체인 |
JP5617421B2 (ja) * | 2010-08-06 | 2014-11-05 | Jfeスチール株式会社 | 電子ビーム照射装置 |
US8026519B1 (en) | 2010-10-22 | 2011-09-27 | Ultratech, Inc. | Systems and methods for forming a time-averaged line image |
US8652974B2 (en) * | 2011-06-22 | 2014-02-18 | Ipg Photonics Corporation | Method and system for pre-heating of semiconductor material for laser annealing and gas immersion laser doping |
JP5537615B2 (ja) | 2011-08-10 | 2014-07-02 | ウルトラテック インク | 時間平均化ライン像を形成するシステム及び方法 |
US9482518B2 (en) | 2012-06-07 | 2016-11-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Systems and methods for semiconductor device process determination using reflectivity measurement |
US8753904B2 (en) * | 2012-06-07 | 2014-06-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and system for semiconductor device pattern loading effect characterization |
US9558973B2 (en) | 2012-06-11 | 2017-01-31 | Ultratech, Inc. | Laser annealing systems and methods with ultra-short dwell times |
SG10201503478UA (en) | 2012-06-11 | 2015-06-29 | Ultratech Inc | Laser annealing systems and methods with ultra-short dwell times |
US20140158578A1 (en) * | 2012-12-06 | 2014-06-12 | Jason Varan | Folding apparatus for the containment and transport of bottles and method of use |
KR102090708B1 (ko) * | 2013-01-22 | 2020-04-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 레이저 어닐링 장치 |
US20150111341A1 (en) * | 2013-10-23 | 2015-04-23 | Qualcomm Incorporated | LASER ANNEALING METHODS FOR INTEGRATED CIRCUITS (ICs) |
US9373512B2 (en) | 2013-12-03 | 2016-06-21 | GlobalFoundries, Inc. | Apparatus and method for laser heating and ion implantation |
US9343307B2 (en) * | 2013-12-24 | 2016-05-17 | Ultratech, Inc. | Laser spike annealing using fiber lasers |
US20150343560A1 (en) * | 2014-06-02 | 2015-12-03 | Fracturelab, Llc | Apparatus and method for controlled laser heating |
JP6132072B2 (ja) * | 2014-06-12 | 2017-05-24 | 富士電機株式会社 | 不純物添加装置、不純物添加方法及び半導体素子の製造方法 |
US9559023B2 (en) | 2014-06-23 | 2017-01-31 | Ultratech, Inc. | Systems and methods for reducing beam instability in laser annealing |
JP6439297B2 (ja) * | 2014-07-04 | 2018-12-19 | 富士電機株式会社 | 不純物導入方法、不純物導入装置及び半導体素子の製造方法 |
US9613815B2 (en) | 2014-11-24 | 2017-04-04 | Ultratech, Inc. | High-efficiency line-forming optical systems and methods for defect annealing and dopant activation |
US10083843B2 (en) | 2014-12-17 | 2018-09-25 | Ultratech, Inc. | Laser annealing systems and methods with ultra-short dwell times |
US9859121B2 (en) * | 2015-06-29 | 2018-01-02 | International Business Machines Corporation | Multiple nanosecond laser pulse anneal processes and resultant semiconductor structure |
CN114068368A (zh) | 2015-12-30 | 2022-02-18 | 玛特森技术公司 | 用于毫秒退火系统的温度测量系统 |
US11045906B2 (en) * | 2017-12-07 | 2021-06-29 | Gkn Aerospace St. Louis Llc | Coaxial wire feed multi-laser metal deposition device |
KR102546719B1 (ko) * | 2018-09-04 | 2023-06-21 | 삼성전자주식회사 | 모니터링 장치 및 모니터링 방법 |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4926456A (ja) * | 1972-07-11 | 1974-03-08 | ||
JPS5629323A (en) * | 1979-08-17 | 1981-03-24 | Nec Corp | Two-wavelength laser surface treating apparatus |
JPS577125A (en) * | 1980-06-17 | 1982-01-14 | Fujitsu Ltd | Laser heater |
US4356375A (en) | 1980-07-10 | 1982-10-26 | Avery International Corporation | Process for producing lines of weakness in the protective backing of an adhesive laminate |
JPS57104217A (en) * | 1980-12-22 | 1982-06-29 | Toshiba Corp | Surface heat treatment |
JPS57183024A (en) * | 1981-05-02 | 1982-11-11 | Fujitsu Ltd | Laser annealing |
JPS57183023A (en) * | 1981-05-02 | 1982-11-11 | Fujitsu Ltd | Laser annealing |
JPS57111020A (en) * | 1981-11-16 | 1982-07-10 | Hitachi Ltd | Manufacture of semiconductor device |
US4761786A (en) | 1986-12-23 | 1988-08-02 | Spectra-Physics, Inc. | Miniaturized Q-switched diode pumped solid state laser |
US4734912A (en) | 1986-06-06 | 1988-03-29 | Lightwave Electronics Corp. | Laser diode end pumped Nd:YAG single mode laser |
JPS6380521A (ja) * | 1986-09-24 | 1988-04-11 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体薄膜結晶層の製造方法 |
US4908493A (en) | 1988-05-31 | 1990-03-13 | Midwest Research Institute | Method and apparatus for optimizing the efficiency and quality of laser material processing |
US5057664A (en) | 1989-10-20 | 1991-10-15 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method and apparatus for laser processing a target material to provide a uniformly smooth, continuous trim profile |
JPH03266424A (ja) * | 1990-03-16 | 1991-11-27 | Sony Corp | 半導体基板のアニール方法 |
JPH0521340A (ja) * | 1991-07-10 | 1993-01-29 | Ricoh Co Ltd | 薄膜半導体装置、その製法および製造装置 |
US6326248B1 (en) * | 1994-06-02 | 2001-12-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Process for fabricating semiconductor device |
JP2000036464A (ja) * | 1998-07-17 | 2000-02-02 | Sony Corp | 薄膜半導体装置の製造方法 |
US6208673B1 (en) | 1999-02-23 | 2001-03-27 | Aculight Corporation | Multifunction solid state laser system |
US6366308B1 (en) | 2000-02-16 | 2002-04-02 | Ultratech Stepper, Inc. | Laser thermal processing apparatus and method |
US7015422B2 (en) * | 2000-12-21 | 2006-03-21 | Mattson Technology, Inc. | System and process for heating semiconductor wafers by optimizing absorption of electromagnetic energy |
JP2002217125A (ja) * | 2001-01-23 | 2002-08-02 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 表面処理装置及び方法 |
JP4068813B2 (ja) * | 2001-04-06 | 2008-03-26 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜半導体装置の製造方法 |
SG108878A1 (en) * | 2001-10-30 | 2005-02-28 | Semiconductor Energy Lab | Laser irradiation method and laser irradiation apparatus, and method for fabricating semiconductor device |
JP3992976B2 (ja) * | 2001-12-21 | 2007-10-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US6767799B2 (en) * | 2001-12-28 | 2004-07-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser beam irradiation method |
US6849831B2 (en) * | 2002-03-29 | 2005-02-01 | Mattson Technology, Inc. | Pulsed processing semiconductor heating methods using combinations of heating sources |
JP2003347237A (ja) * | 2002-05-30 | 2003-12-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法およびその製造装置 |
US6747245B2 (en) | 2002-11-06 | 2004-06-08 | Ultratech Stepper, Inc. | Laser scanning apparatus and methods for thermal processing |
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